JPS62133403A - ホログラムレンズ - Google Patents
ホログラムレンズInfo
- Publication number
- JPS62133403A JPS62133403A JP27395985A JP27395985A JPS62133403A JP S62133403 A JPS62133403 A JP S62133403A JP 27395985 A JP27395985 A JP 27395985A JP 27395985 A JP27395985 A JP 27395985A JP S62133403 A JPS62133403 A JP S62133403A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- mask
- ion source
- ions
- atomic ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は通信用光回路部品等に用いられるホログラムレ
ンズに関するものである。
ンズに関するものである。
従来、この種ホログラムレンズには例えば１９８１年（
昭和５６年）１２月発行の光学第１θ巻第６号の４２５
真〜４３０頁に掲載された論文「インライン型ホログラ
フィックレンズとその応用」で開示されるとともに、そ
の概要を第２図に示したものがある。
昭和５６年）１２月発行の光学第１θ巻第６号の４２５
真〜４３０頁に掲載された論文「インライン型ホログラ
フィックレンズとその応用」で開示されるとともに、そ
の概要を第２図に示したものがある。
これによると、ホログラムレンズはガラス基板ｌと、ガ
ラス基板ｌ上に形成されるレンズ作用を有する重クロム
酸ゼラチン膜２とで形成されている。
ラス基板ｌ上に形成されるレンズ作用を有する重クロム
酸ゼラチン膜２とで形成されている。
このホログラムレンズは、先づ、写真乾板から銀塩を除
去してガラス基板１とガラス基板ｌ上にゼラチン１摸を
形成して、これらを例えば３％ａｎｍｏｎｉｕｎ＋ ｄ
ｉｃｈｒｏｍａｔｅ ａｑｕａ−ｓｏｌｕｔｉｏｎ
： ３００ｃ、ｃとｍｅｔｈｙｌｅｎｅ −ｂｌｕｅ
ｄｙｅ ： １８０ ｍｇ 及びｄｉｍｅｔｈｙｌＳ
ｕｌｆｏｘｉｄｅ （ＤＭＳＯ） ： ５％とより
なる？容ン夜に浸ン貞して重クロム酸ゼラチン膜２を形
成している。
去してガラス基板１とガラス基板ｌ上にゼラチン１摸を
形成して、これらを例えば３％ａｎｍｏｎｉｕｎ＋ ｄ
ｉｃｈｒｏｍａｔｅ ａｑｕａ−ｓｏｌｕｔｉｏｎ
： ３００ｃ、ｃとｍｅｔｈｙｌｅｎｅ −ｂｌｕｅ
ｄｙｅ ： １８０ ｍｇ 及びｄｉｍｅｔｈｙｌＳ
ｕｌｆｏｘｉｄｅ （ＤＭＳＯ） ： ５％とより
なる？容ン夜に浸ン貞して重クロム酸ゼラチン膜２を形
成している。
次ニ、ガラス基板１を介して重クロム酸ゼラチン膜２に
平行レーザ光及び集束レーザ光を同時に照射して重クロ
ム酸ゼラチン膜２に干渉縞を形成する。この干渉縞は、
明るい部分ではクロムとゼラチンの重合が進んで密度が
高まり結局光の屈折率が高くなる。その結果、重クロム
酸ゼラチン膜２には干渉縞の明暗に対応した屈折率分布
２ａが形成され、これがレンズ作用を有するホログラム
となる。
平行レーザ光及び集束レーザ光を同時に照射して重クロ
ム酸ゼラチン膜２に干渉縞を形成する。この干渉縞は、
明るい部分ではクロムとゼラチンの重合が進んで密度が
高まり結局光の屈折率が高くなる。その結果、重クロム
酸ゼラチン膜２には干渉縞の明暗に対応した屈折率分布
２ａが形成され、これがレンズ作用を有するホログラム
となる。
従って、光軸３に平行な平面波４を入射すると、。
重クロム酸ゼラチン膜２の屈折率分布２ａに基づく回折
現象によって平面波４は球面波５に変換されて一点に収
束される。
現象によって平面波４は球面波５に変換されて一点に収
束される。
ところが、上記構成のホログラムレンズでは、レンズ作
用を有するホログラムは重クロム酸ゼラチン膜内に形成
されるので機械的強度が低く、また湿気によって屈折率
分布が波滅するという問題があった。
用を有するホログラムは重クロム酸ゼラチン膜内に形成
されるので機械的強度が低く、また湿気によって屈折率
分布が波滅するという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものでその目的は、
レンズ作用を有するホログラムを基板中に形成して機械
的強度を高くするとともに、耐環境性を高めたホログラ
ムレンズを提供することにある。
レンズ作用を有するホログラムを基板中に形成して機械
的強度を高くするとともに、耐環境性を高めたホログラ
ムレンズを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、透明基板上に原子
イオンの通過を阻止するパターン化されたマスクを形成
し、前記透明基板と前記原子イオンのイオン源とを接触
させることによって前記マスクの開口部を通して前記透
明基板中に前記イオン源の原子イオンを拡散することに
より前記透明基板中に屈折率分布を形成し、その後前記
マスクを除去したことを特徴としている。
イオンの通過を阻止するパターン化されたマスクを形成
し、前記透明基板と前記原子イオンのイオン源とを接触
させることによって前記マスクの開口部を通して前記透
明基板中に前記イオン源の原子イオンを拡散することに
より前記透明基板中に屈折率分布を形成し、その後前記
マスクを除去したことを特徴としている。
かかる構成によって、ホログラムレンズは機械的な強度
を有する透明基板内に形成されるので、その耐環境性は
著しく向上するようになる。
を有する透明基板内に形成されるので、その耐環境性は
著しく向上するようになる。
以下、本発明をその一実施例を示す第１図（ａ）。
ｆｂ）を参照して説明する。
先づ、本発明に係るホログラムレンズの製造方法を説明
すると、第１図（ａｌに示すようにガラス等の誘導体か
らなる透明基板６の表面６ａにパターン化されたマスク
７を被着する。
すると、第１図（ａｌに示すようにガラス等の誘導体か
らなる透明基板６の表面６ａにパターン化されたマスク
７を被着する。
マスク７のパターン化はＩＣの製造で用いられるフォト
リソグラフィ技術を用いて、前述の干渉縞の明部に対応
する開口部８を備えるようにして行われる。
リソグラフィ技術を用いて、前述の干渉縞の明部に対応
する開口部８を備えるようにして行われる。
このマスク７に用いる材料は、開口部８を通してイオン
交換されるイオン源９によって決定する。
交換されるイオン源９によって決定する。
このため、例えばイオン源９に溶融塩を用いる場合には
マスク７にはチタンを用いることができる。
マスク７にはチタンを用いることができる。
次に、マスク７を被着した透明基板６をイオンｔＡ９と
接触させ、イオン源９の原子イオン１ｏを開口部８を介
して透明基板６内に拡散させる。
接触させ、イオン源９の原子イオン１ｏを開口部８を介
して透明基板６内に拡散させる。
この原子イオン１０は電子分極率等が透明基板６を構成
する原子イオンとは異なるので、原子イオン１０の濃度
分布に基づき透明基板６内に屈折率分布１１が形成され
る。この場合、透明基板６に多成分ガラスを用いると、
イオン源９にはＴ１．Ｓｏ４を含む溶融硫酸塩を用いる
ことができる。この透明基板６を約５００° Ｃの温度
で加熱すると、多成分ガラスのＮａｇ ｏ、に、Ｏ等の
修飾酸化物中のＮ ａｌ 、に＋等の１価金属イオンの
移動度が大きくなる。
する原子イオンとは異なるので、原子イオン１０の濃度
分布に基づき透明基板６内に屈折率分布１１が形成され
る。この場合、透明基板６に多成分ガラスを用いると、
イオン源９にはＴ１．Ｓｏ４を含む溶融硫酸塩を用いる
ことができる。この透明基板６を約５００° Ｃの温度
で加熱すると、多成分ガラスのＮａｇ ｏ、に、Ｏ等の
修飾酸化物中のＮ ａｌ 、に＋等の１価金属イオンの
移動度が大きくなる。
従って、溶融硫酸塩中のＴＩ”イオンを透明基板６内に
より広範囲に拡散することができる。
より広範囲に拡散することができる。
また、Ｎａ” 、Ｋ” 、Ｔｌｌ”の電子分極率はそれ
ぞれ０．４１Ｘ １０−１４ｃ ｍ″、 １．３３Ｘ
１０−２４Ｃｍ３＋ ５．２０Ｘ １０−” ｃ ｍ’
なので、透明基板６内のＴＩ’イオン拡散が行なわれた
部分の屈折率は他の部分に比較して高くなる。
ぞれ０．４１Ｘ １０−１４ｃ ｍ″、 １．３３Ｘ
１０−２４Ｃｍ３＋ ５．２０Ｘ １０−” ｃ ｍ’
なので、透明基板６内のＴＩ’イオン拡散が行なわれた
部分の屈折率は他の部分に比較して高くなる。
さらに、イオン源９には溶融硫酸塩の代りに、例えばＡ
ｇＮｏ、等の溶融硫酸塩を用いることも可能である。そ
して、Ａｇ等の電子分極率の高い１価の金属薄膜を蒸着
等によりマスク７を介在して透明基板６上に直接形成し
、電界熱により拡散してもよい。
ｇＮｏ、等の溶融硫酸塩を用いることも可能である。そ
して、Ａｇ等の電子分極率の高い１価の金属薄膜を蒸着
等によりマスク７を介在して透明基板６上に直接形成し
、電界熱により拡散してもよい。
また、本発明ではイオンの拡散により屈折率の変化を生
じさせているので透明基板６とイオン源９との組合せが
選択できる。従って、例えばＬｉＮｂｏ、で透明基板６
を形成し、イオン源としては安息香酸（Ｃ６Ｈａ Ｃ０
０Ｈ）を用い、約２５０°Ｃの温度でＨ９を拡散してＬ
ｉ”とＨ”とのイオン交換を行って屈折率分布１１を形
成することも可能である。
じさせているので透明基板６とイオン源９との組合せが
選択できる。従って、例えばＬｉＮｂｏ、で透明基板６
を形成し、イオン源としては安息香酸（Ｃ６Ｈａ Ｃ０
０Ｈ）を用い、約２５０°Ｃの温度でＨ９を拡散してＬ
ｉ”とＨ”とのイオン交換を行って屈折率分布１１を形
成することも可能である。
上記のように屈折率分布１１が形成された透明基板６か
らエツチング又は研磨等によりマスク７を除去すると第
１図（ｂ）に示すホログラムレンズが形成される。この
屈折率分布１１は前述した干渉縞の明暗に対応して形成
されているので光軸３と平行な平面波４を球面波５に変
換でき、光を一点に収束することができる。
らエツチング又は研磨等によりマスク７を除去すると第
１図（ｂ）に示すホログラムレンズが形成される。この
屈折率分布１１は前述した干渉縞の明暗に対応して形成
されているので光軸３と平行な平面波４を球面波５に変
換でき、光を一点に収束することができる。
以上、説明したように本発明は原子イオンの拡散によっ
て透明基板内に形成された屈折率分布をレンズ作用を有
するホログラムとして利用することを特徴としている。
て透明基板内に形成された屈折率分布をレンズ作用を有
するホログラムとして利用することを特徴としている。
従って、ホログラムレンズとしての機械的強度や耐環境
性が著しく向上する。
性が著しく向上する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を示し、第
１図（ａ）は製造方法の概略説明図、第１図（ｂｌはホ
ログラムレンズの作用説明図、第２図は従来例の作用説
明図である。 ６：透明基板、７：マスク、８：開口部、９：イオン源
、１０：原子イオン、１１：屈折率分布。
１図（ａ）は製造方法の概略説明図、第１図（ｂｌはホ
ログラムレンズの作用説明図、第２図は従来例の作用説
明図である。 ６：透明基板、７：マスク、８：開口部、９：イオン源
、１０：原子イオン、１１：屈折率分布。
Claims (3)
- （１）ホログラムレンズにおいて、透明基板上に原子イ
オンの通過を阻止するパターン化されたマスクを形成し
、前記透明基板と前記原子イオンのイオン源とを接触さ
せることによって前記マスクの開口部を通して前記透明
基板中に前記イオン源の原子イオンを拡散することによ
り前記透明基板中に屈折率分布を形成し、その後前記マ
スクを除去したことを特徴とするホログラムレンズ。 - （２）透明基板として多成分ガラスを、またイオン源と
して溶融塩或いは金属薄膜を用いたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のホログラムレンズ。 - （３）透明基板としてＬｉＮｂＯ＿３を、またイオン源
として安息香酸を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のホログラムレンズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395985A JPS62133403A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ホログラムレンズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395985A JPS62133403A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ホログラムレンズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133403A true JPS62133403A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17534956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27395985A Pending JPS62133403A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | ホログラムレンズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133403A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0542547U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-08 | 有限会社荒木軽合金鋳造所 | 墓 石 |
| JPH0625470U (ja) * | 1992-08-14 | 1994-04-08 | 博人 大科 | 金属製の塔ならびに墓 |
| US5330799A (en) * | 1992-09-15 | 1994-07-19 | The Phscologram Venture, Inc. | Press polymerization of lenticular images |
| WO2006025152A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ｄｌｃ膜およびその形成方法 |
| JP2007298697A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Of Southampton | 回折素子とその製造方法 |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27395985A patent/JPS62133403A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0542547U (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-08 | 有限会社荒木軽合金鋳造所 | 墓 石 |
| JPH0625470U (ja) * | 1992-08-14 | 1994-04-08 | 博人 大科 | 金属製の塔ならびに墓 |
| US5330799A (en) * | 1992-09-15 | 1994-07-19 | The Phscologram Venture, Inc. | Press polymerization of lenticular images |
| US5554432A (en) * | 1992-09-15 | 1996-09-10 | The Phscologram Venture, Inc. | Press polymerization of lenticular images |
| WO2006025152A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ｄｌｃ膜およびその形成方法 |
| US7466491B2 (en) | 2004-08-31 | 2008-12-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | DLC film and method for forming the same |
| JP2007298697A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Univ Of Southampton | 回折素子とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5160523A (en) | Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate | |
| JPH02293351A (ja) | 光導波路の製造法とそれに使用するイオン交換マスク | |
| KR100288742B1 (ko) | 광도파로소자의제조방법 | |
| GB1573699A (en) | Process for forming transparent electrode pattern on electro-optical display device | |
| JPS5842003A (ja) | 偏光板 | |
| JPS62133403A (ja) | ホログラムレンズ | |
| DE2614871A1 (de) | Verfahren zur herstellung von lichtleiterstrukturen mit dazwischenliegenden elektroden | |
| JPS62133402A (ja) | ホログラムレンズの製造方法 | |
| JPS5852820A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2672662B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS6111725A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| Nahal et al. | Ion-beam lithography for fabrication of diffractive optical phase elements in silver-ion-exchanged glasses | |
| JPH0315845A (ja) | マスク及びマスク作製方法 | |
| JPS6360405A (ja) | 導波路型分岐路の製造方法 | |
| RU2008287C1 (ru) | Способ изготовления стекла с градиентом показателя преломления | |
| JPH0462644B2 (ja) | ||
| JPS6079308A (ja) | 平面レンズの製造方法 | |
| JPH05254891A (ja) | イオン交換処理方法 | |
| DE1772680C (de) | Verfahren zur photographischen Her stellung von Masken | |
| JPH01187507A (ja) | 光導波路型光デバイスの製造方法 | |
| JPH02262110A (ja) | 埋込型光導波路の製造方法 | |
| JPS61245117A (ja) | 光回路部品 | |
| JPS6371851A (ja) | 回折格子の作製方法及びそれに用いるオートマスク | |
| JPH01140124A (ja) | 光学装置 | |
| RU1807021C (ru) | Способ изготовлени градиентных слоев в стекле |