JPS5852820A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5852820A JPS5852820A JP56150983A JP15098381A JPS5852820A JP S5852820 A JPS5852820 A JP S5852820A JP 56150983 A JP56150983 A JP 56150983A JP 15098381 A JP15098381 A JP 15098381A JP S5852820 A JPS5852820 A JP S5852820A
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- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 claims 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
に微細パターンを形成する方法に関する。
に微細パターンを形成する方法に関する。
従来、半導体ｆｃｆＩｔの製造において、半導体素子領
域あるいは電極及び配線領域のパターン形成にホトレジ
ストを用いるのが普通である。ホトレジストは酸化膜に
選択拡散用の窓あけを行う場合。
域あるいは電極及び配線領域のパターン形成にホトレジ
ストを用いるのが普通である。ホトレジストは酸化膜に
選択拡散用の窓あけを行う場合。
電極や配線のための金属膜の不要部分を除去する場合、
あるいは不純物を所望領域にイオン注入する場合等のマ
スクとして使われるものである。ホトレジストのパター
ン形成は通常、マスクを用いて露光した後、現律する方
法によって形成される。
あるいは不純物を所望領域にイオン注入する場合等のマ
スクとして使われるものである。ホトレジストのパター
ン形成は通常、マスクを用いて露光した後、現律する方
法によって形成される。
最近、半導体集積回路のパターン微細化が著しい速度で
進行している。この１由としては応答速度の増加、チッ
プ面積の縮小等である。しかしながら、パターン微細化
に関しては最小寸法の限界がある。この限界を決定する
ものに分解能がある。
進行している。この１由としては応答速度の増加、チッ
プ面積の縮小等である。しかしながら、パターン微細化
に関しては最小寸法の限界がある。この限界を決定する
ものに分解能がある。
現在のホトレジスト技術祉いかにして高分解能を得るか
ということを目的とした技術だといっても過言ではない
といえよう、この問題に対する−りの方法は光よりも波
長の短かいＸＳ＊ｔたは電子線などで露光する方法であ
る。しかし現在の段階では装置も大観であル処唾能力等
から見てすべての製品に適用はで色ない。一方、光露光
方式では分解能が仲々向上しないという問題がある。
ということを目的とした技術だといっても過言ではない
といえよう、この問題に対する−りの方法は光よりも波
長の短かいＸＳ＊ｔたは電子線などで露光する方法であ
る。しかし現在の段階では装置も大観であル処唾能力等
から見てすべての製品に適用はで色ない。一方、光露光
方式では分解能が仲々向上しないという問題がある。
第１図は従来のホトレジスト膜の露光方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
半導体基板１の上に酸化膜２を設け、その上にホトレジ
スト膜３を塗布する。露光用マスク４は透明なガラス板
５に銀化合物を含む乳剤かもしくは金属蒸着膜によるパ
ターン６が形成されている。
スト膜３を塗布する。露光用マスク４は透明なガラス板
５に銀化合物を含む乳剤かもしくは金属蒸着膜によるパ
ターン６が形成されている。
パターン６はホトレジスト膜３ＶＣ密着させて露光する
場合もあるし、パターンに傷がつくのを避けるためにパ
ターン６とホトレジスト＠３との間に間隙７を設けて使
用する場合もある。パターン６をホトレジスト膜３に密
着させる場合でも、半導体基板１が完全平面ではなく、
従ってホトレジス）１１３も完全平面でないため、パタ
ーン６とホトレジスト膜３との間に僅かな間隙を生ずる
。この間隙には空気が存在する。ガラス板５を通ってく
る露光用の光はガラス板５を出て間隙７に入るとそこで
大籾く屈折する。更に光がホトレジスト膜３に入ると、
ここで再び屈折する。ガラスから空気に入るときの屈折
率は約３／４、空気からホトレジストへ入ると色の屈折
率は約４／３である。
場合もあるし、パターンに傷がつくのを避けるためにパ
ターン６とホトレジスト＠３との間に間隙７を設けて使
用する場合もある。パターン６をホトレジスト膜３に密
着させる場合でも、半導体基板１が完全平面ではなく、
従ってホトレジス）１１３も完全平面でないため、パタ
ーン６とホトレジスト膜３との間に僅かな間隙を生ずる
。この間隙には空気が存在する。ガラス板５を通ってく
る露光用の光はガラス板５を出て間隙７に入るとそこで
大籾く屈折する。更に光がホトレジスト膜３に入ると、
ここで再び屈折する。ガラスから空気に入るときの屈折
率は約３／４、空気からホトレジストへ入ると色の屈折
率は約４／３である。
従って、間隙７を進る光路長が長ければ長い程屈折によ
る位置ずれ拡大詮くなる。このため分解能を悪くシ、パ
ターンの微細化を向上できないという欠点があった。
る位置ずれ拡大詮くなる。このため分解能を悪くシ、パ
ターンの微細化を向上できないという欠点があった。
本発明は上記欠点を除去し、光露光方式における分解能
を向上させ、ホトレジストのパターンの微細化を実現し
、もって半導体素子の微細化を実現する半導体装置の製
造方法を提供するものである。
を向上させ、ホトレジストのパターンの微細化を実現し
、もって半導体素子の微細化を実現する半導体装置の製
造方法を提供するものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に設
けられたホトレジスト膜の上にガラス板を基板として作
られたマスクを置いて光を当て。
けられたホトレジスト膜の上にガラス板を基板として作
られたマスクを置いて光を当て。
前記ホトレジスト膜を選択的に露光する工程を含む半導
体装置の製造方法において、前記マスクと前記ホトレジ
スト膜との間に屈折率が前記ホトレジスト膜の屈折率い
近くかつ流動性を有する物質を充填することを特徴とし
て構成される。
体装置の製造方法において、前記マスクと前記ホトレジ
スト膜との間に屈折率が前記ホトレジスト膜の屈折率い
近くかつ流動性を有する物質を充填することを特徴とし
て構成される。
本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。
る。
半導体基板１に酸化＠２を設け、その上にホトレジスト
膜３を塗布することは従来と同じである。
膜３を塗布することは従来と同じである。
マスク４も従来と同じでガラス板５にパターン６が設け
られている。マスク４とホトレジスト膜３との間にホト
レジスト膜３の屈折率に近い屈折率を有し、かつ流動性
のある物質８を充填する。このような物質として％例え
ばシリコーン・オイルがある。
られている。マスク４とホトレジスト膜３との間にホト
レジスト膜３の屈折率に近い屈折率を有し、かつ流動性
のある物質８を充填する。このような物質として％例え
ばシリコーン・オイルがある。
空気に対するガラスとホトレジスト膜の屈折率は近い値
であるから、ホトレジスト膜の屈折率に近い屈折率番有
する物質８を充填すると、マスク４のガラス板５に入っ
た光はガラス板５に入った″ときは屈折するけれどもそ
れ以後は余）屈折せずにホトレジスト膜３に入る。従っ
て、屈折による位置ずれは非常に小さいものになる。こ
の結果、分解能が向上し、パターンの微細化が実現でき
る。。
であるから、ホトレジスト膜の屈折率に近い屈折率番有
する物質８を充填すると、マスク４のガラス板５に入っ
た光はガラス板５に入った″ときは屈折するけれどもそ
れ以後は余）屈折せずにホトレジスト膜３に入る。従っ
て、屈折による位置ずれは非常に小さいものになる。こ
の結果、分解能が向上し、パターンの微細化が実現でき
る。。
以上詳細に説明したように１本発明によれば、簡単な方
法でホトレジスト膜の露光における分解能を向上でき、
パターン微細化を向上させる半導体装置の製造方法が得
られるのでその効果は太きい。
法でホトレジスト膜の露光における分解能を向上でき、
パターン微細化を向上させる半導体装置の製造方法が得
られるのでその効果は太きい。
第１図は従来のホトレジス）ＩＩの露光方法を説明する
ための断面図、第２図は本発明の一実施儒を説明するた
めの断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・ホトレジストＩ１．４・・・・・・マスク
％ ５・・・・・・ガラス板、６・・・・・・パターン
％７・・・・・・間隙、訃・・中屈折率がホトレジスト
膜に近く流動性を有する物質。
ための断面図、第２図は本発明の一実施儒を説明するた
めの断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・酸化膜、３
・・・・・・ホトレジストＩ１．４・・・・・・マスク
％ ５・・・・・・ガラス板、６・・・・・・パターン
％７・・・・・・間隙、訃・・中屈折率がホトレジスト
膜に近く流動性を有する物質。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の上に設けられたホトレジスト膜の上にガラ
ス板を基板として作られたマスクを置いて光を当て、前
記ホトレジスト膜を選択的に宵光する工程を含む半導体
装置の製造方法におい−で、前記マスクと前記ホ）ｌ／
シスト膜との間に屈折率が前記ホトレジスト膜の屈折率
【鳴近くかつ流動性を有する物質を充填することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150983A JPS5852820A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150983A JPS5852820A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852820A true JPS5852820A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15508717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150983A Pending JPS5852820A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852820A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4544626A (en) * | 1980-05-08 | 1985-10-01 | Sullivan Donald F | Photoprinting process and apparatus for exposing photopolymers |
| EP0194470A2 (en) * | 1985-03-11 | 1986-09-17 | International Business Machines Corporation | Method and composition of matter for improving conductor resolution of microelectronic circuits |
| JPS62223239A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Diafoil Co Ltd | ２軸延伸ポリエステルフイルム |
| JPS62243623A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | スチレン系樹脂延伸シ−ト |
| JPS62256837A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリプロピレン樹脂成形体の製造方法 |
| US4804720A (en) * | 1987-04-08 | 1989-02-14 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Polyamide resin composition |
| JPH02212122A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-23 | Diafoil Co Ltd | 包装用ポリエステルフィルム |
| JPH0331344A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Chisso Corp | 金属蒸着フイルム用ポリプロピレン系樹脂組成物 |
| JP2009523322A (ja) * | 2006-01-11 | 2009-06-18 | マイクロン テクノロジー， インク． | 回折限界以下のフィーチャを作り出すためのフォトリソグラフィーシステムと方法 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56150983A patent/JPS5852820A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4544626A (en) * | 1980-05-08 | 1985-10-01 | Sullivan Donald F | Photoprinting process and apparatus for exposing photopolymers |
| EP0194470A2 (en) * | 1985-03-11 | 1986-09-17 | International Business Machines Corporation | Method and composition of matter for improving conductor resolution of microelectronic circuits |
| JPS62223239A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Diafoil Co Ltd | ２軸延伸ポリエステルフイルム |
| JPS62243623A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | スチレン系樹脂延伸シ−ト |
| JPH06856B2 (ja) * | 1986-04-16 | 1994-01-05 | 電気化学工業株式会社 | スチレン系樹脂延伸シ−ト |
| JPS62256837A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリプロピレン樹脂成形体の製造方法 |
| US4804720A (en) * | 1987-04-08 | 1989-02-14 | Mitsubishi Chemical Industries Limited | Polyamide resin composition |
| JPH02212122A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-23 | Diafoil Co Ltd | 包装用ポリエステルフィルム |
| JPH0331344A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Chisso Corp | 金属蒸着フイルム用ポリプロピレン系樹脂組成物 |
| JP2009523322A (ja) * | 2006-01-11 | 2009-06-18 | マイクロン テクノロジー， インク． | 回折限界以下のフィーチャを作り出すためのフォトリソグラフィーシステムと方法 |
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