JP2005313237A - レーザ加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物1の内部に集光点を合わせてレーザ光Lを切断予定ライン5に照射することにより、加工対象物1の内部に改質領域を形成する。レーザ光Lは直線偏光であり、その向きは切断予定ライン5と沿うように調節されている。改質領域を起点として切断予定ライン5に沿って加工対象物1を割ることにより、比較的小さな力で加工対象物1を切断することができる。レーザ光Lの照射において、加工対象物1の表面3ではレーザ光Lがほとんど吸収されないので、改質領域形成が原因で表面3が溶融することはない。
【選択図】 図21
Description
レーザ光を加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
レーザ光を加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。溶融処理領域は相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
NA:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
レーザ光を加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1ns以下の条件で照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
NA:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
本実施形態の第1例に係るレーザ加工装置について説明する。図21はこのレーザ加工装置200の概略構成図である。レーザ加工装置200は、レーザ光Lを発生するレーザ光源101と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lの偏光の楕円率を調節する楕円率調節部201と、楕円率調節部201から出射されたレーザ光Lの偏光を略90°だけ回転調節する90°回転調節部203と、を備える。
次に、本実施形態の第2例について第1例との相違を中心に説明する。図30はこのレーザ加工装置300の概略構成図である。レーザ加工装置300の構成要素のうち、図21に示す第1例に係るレーザ加工装置200の構成要素と同一要素については同一符号を付すことによりその説明を省略する。
Claims (14)
- 1以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- 1以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- 1以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- 1以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上でかつパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- 前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光である、請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ加工方法。
- 前記楕円偏光の楕円率を1/4波長板の方位角変化により調節する、請求項1〜5のいずれかに記載のレーザ加工方法。
- 前記改質領域を形成する工程後、
1/2波長板によりレーザ光の偏光を略90°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備える、請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ加工方法。 - 前記改質領域を形成する工程後、
前記加工対象物の厚さ方向を軸として、前記加工対象物を略90°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備える、請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ加工方法。 - 1以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインに沿うようして、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程を備える、レーザ加工方法。
- 1以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を半導体材料からなる加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- パルス幅が1μs以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を1以外の楕円率の楕円偏光に調節する楕円率調節手段と、
前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように調節する長軸調節手段と、
前記長軸調節手段により調節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、
前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、
を備える、レーザ加工装置。 - 前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の偏光を略90°だけ回転調節する90°回転調節手段を備える、請求項11記載のレーザ加工装置。
- 前記加工対象物の厚さ方向を軸として前記加工対象物が載置される載置台を略90°だけ回転させる回転手段を備える、請求項11記載のレーザ加工装置。
- パルス幅が1μs以下であってかつ直線偏光を有するパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断予定ラインと沿うように調節する直線偏光調節手段と、
前記直線偏光調節手段により調節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、
前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、
を備える、レーザ加工装置。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009018344A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 基板加工方法 |
US7732730B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
US8058103B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate cutting method |
US8247734B2 (en) | 2003-03-11 | 2012-08-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8263479B2 (en) | 2002-12-03 | 2012-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for cutting semiconductor substrate |
US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
KR20130088747A (ko) * | 2010-07-26 | 2013-08-08 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 기판 가공 방법 |
KR20130106769A (ko) * | 2010-07-26 | 2013-09-30 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 기판 가공 방법 |
US8685838B2 (en) | 2003-03-12 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59150691A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ加工機 |
JPH03124486A (ja) * | 1989-10-07 | 1991-05-28 | Hoya Corp | レーザマーキング方法 |
JPH04111800A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Nippon Sekiei Glass Kk | 石英ガラス材料の切断加工方法 |
JPH04339586A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置 |
JPH11207479A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-03 | Rikagaku Kenkyusho | 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置 |
JPH11221684A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Hamamatsu Photonics Kk | パルスレーザ加工装置 |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005207559A patent/JP4837320B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59150691A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ加工機 |
JPH03124486A (ja) * | 1989-10-07 | 1991-05-28 | Hoya Corp | レーザマーキング方法 |
JPH04111800A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Nippon Sekiei Glass Kk | 石英ガラス材料の切断加工方法 |
JPH04339586A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置 |
JPH11207479A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-03 | Rikagaku Kenkyusho | 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置 |
JPH11221684A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-08-17 | Hamamatsu Photonics Kk | パルスレーザ加工装置 |
Cited By (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8716110B2 (en) | 2000-09-13 | 2014-05-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7732730B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7825350B2 (en) | 2000-09-13 | 2010-11-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8969761B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-03-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip |
US8227724B2 (en) | 2000-09-13 | 2012-07-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8946589B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
US8283595B2 (en) | 2000-09-13 | 2012-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US8933369B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device |
US8927900B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device |
US8802543B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-08-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8518801B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-08-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8518800B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-08-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
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US8673745B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-03-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting object to be processed |
US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
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