JP2005313237A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- １以外の楕円率の楕円偏光をしたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、１パルスのショットで形成される改質スポットを前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に複数形成して、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、前記改質領域を切断の起点として前記加工対象物を前記切断予定ラインに沿って切断する、加工対象物切断方法。
- １以外の楕円率の楕円偏光をしたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でパルスレーザ光を照射することにより、１パルスのショットで形成される改質スポットを前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に複数形成して、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成し、前記改質領域を切断の起点として前記加工対象物を前記切断予定ラインに沿って切断する、加工対象物切断方法。
- １以外の楕円率の楕円偏光をしたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でパルスレーザ光を照射することにより、１パルスのショットで形成される改質スポットを前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に複数形成して、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成し、前記改質領域を切断の起点として前記加工対象物を前記切断予定ラインに沿って切断する、加工対象物切断方法。
- １以外の楕円率の楕円偏光をしたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルスパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、１パルスのショットで形成される改質スポットを前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に複数形成して、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成し、前記改質領域を切断の起点として前記加工対象物を前記切断予定ラインに沿って切断する、加工対象物切断方法。
- 前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光である、請求項１〜４のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
- 前記楕円偏光の楕円率を１／４波長板の方位角変化により調節する、請求項１〜５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
- 前記改質領域を形成した後、
１／２波長板によりレーザ光の偏光を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する、請求項１〜６のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 - 前記改質領域を形成した工程後、
前記加工対象物の厚さ方向を軸として、前記加工対象物を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する、請求項１〜６のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 - １以外の楕円率の楕円偏光をしたパルスレーザ光の集光点を半導体材料からなる加工対象物の内部に合わせかつパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、１パルスのショットで形成される改質スポットを前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に複数形成して、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を形成し、前記溶融処理領域を切断の起点として前記加工対象物を前記切断予定ラインに沿って切断する、加工対象物切断方法。
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