JPS59150691A - レ−ザ加工機 - Google Patents
レ−ザ加工機Info
- Publication number
- JPS59150691A JPS59150691A JP58024036A JP2403683A JPS59150691A JP S59150691 A JPS59150691 A JP S59150691A JP 58024036 A JP58024036 A JP 58024036A JP 2403683 A JP2403683 A JP 2403683A JP S59150691 A JPS59150691 A JP S59150691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical path
- cutting
- directions
- working
- total reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は能率的な加工が可能なレーザ加工機を提供する
ものである。
ものである。
従来例の構成とその問題点
切断等の加工では、偏光が加工能率に影響を与えるが、
従来はこれらの加工には特別な対策を講２１、−ゾ ぜす、レーザ発振器から発射された光をそのま＼加工に
用いていたため、加工方向や時間変化により加工能率に
大きな差があった。
従来はこれらの加工には特別な対策を講２１、−ゾ ぜす、レーザ発振器から発射された光をそのま＼加工に
用いていたため、加工方向や時間変化により加工能率に
大きな差があった。
一方、加工能率や切断巾が偏光に左右されることは良く
知られており、切断方向と偏光面が一致している時が最
高の能率が得られ、それらがお互に直交している時は能
率が最も悪い。このため切断方向による能率の差の々い
円偏光光が切断１］等を重視する精密加工に採用されて
いる。
知られており、切断方向と偏光面が一致している時が最
高の能率が得られ、それらがお互に直交している時は能
率が最も悪い。このため切断方向による能率の差の々い
円偏光光が切断１］等を重視する精密加工に採用されて
いる。
しかし々からこの方式では加工能率は一様（切断巾や切
断速度が全ての加工方向について一定）であるが、加工
能率が低下する欠点がある。
断速度が全ての加工方向について一定）であるが、加工
能率が低下する欠点がある。
第１図〜第３図に従来のレーザ加工機の例を示す。第１
図は偏光面が定寸らない、ランダム偏光型レーザ発振器
を用いた場合で、レーザ発振器１から発射されだレーザ
光線２は全反射鏡３と集光レンズ４で集光されて、被加
工物５へ照射されて加工が行々われる。図では切断加工
例を示すが、Ｘ方向の加工もそれと直交するＹ方向の加
工も共に切断ｒｌＪｅ及び６１が不均一である。
図は偏光面が定寸らない、ランダム偏光型レーザ発振器
を用いた場合で、レーザ発振器１から発射されだレーザ
光線２は全反射鏡３と集光レンズ４で集光されて、被加
工物５へ照射されて加工が行々われる。図では切断加工
例を示すが、Ｘ方向の加工もそれと直交するＹ方向の加
工も共に切断ｒｌＪｅ及び６１が不均一である。
第２図は直線偏光型レーザ発振器を用いた場合である。
構成は第１図と捷ったく同じであるので説明は省略する
が、この場合Ｘ方向加工の切断幅６より、Ｙ方向加工の
切断幅６１の方が狭く、切断速度もＹ方向の方が早い・ 第３図は直線偏光型レーザ発振器を用い、レーザ発振器
の外部で円偏光化を行ない、円偏光光で加工を行なう場
合である。
が、この場合Ｘ方向加工の切断幅６より、Ｙ方向加工の
切断幅６１の方が狭く、切断速度もＹ方向の方が早い・ 第３図は直線偏光型レーザ発振器を用い、レーザ発振器
の外部で円偏光化を行ない、円偏光光で加工を行なう場
合である。
レーザ発振器１からの直線偏光光２は全反射鏡３１と遅
相鏡（フェイズリターダ）３２で円偏光化され、全反射
鏡３で加工点の方向に曲げられ集光レンズ４で集光され
て被加工物５上の加工点に至る。この光学系を有するレ
ーザ加工機では切断幅６と６１は等しくｘ 、ｙを含む
全方向に一定巾、一定速度で加工できるが、加工能率（
切断速度）が一様に低下する□ 発明の目的 本発明は上記欠点を解消するもので直交する二つの加工
方向に対応した偏光面を選択制御することにより直線偏
光光の有する高能率性を生かした加工を実現することが
目的である。
相鏡（フェイズリターダ）３２で円偏光化され、全反射
鏡３で加工点の方向に曲げられ集光レンズ４で集光され
て被加工物５上の加工点に至る。この光学系を有するレ
ーザ加工機では切断幅６と６１は等しくｘ 、ｙを含む
全方向に一定巾、一定速度で加工できるが、加工能率（
切断速度）が一様に低下する□ 発明の目的 本発明は上記欠点を解消するもので直交する二つの加工
方向に対応した偏光面を選択制御することにより直線偏
光光の有する高能率性を生かした加工を実現することが
目的である。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するだめになされたもので、レ
ーザ発振器から発射される直線偏光化されたレーザ光線
を加工点へ導く光学系の光路の途中に設□けられ、レー
ザ光線を第１の光路または第２の光路に切り替える光路
切替手段と、前記第２の光路上に設けられ、レーザ光線
の偏光面を９ＣＰずらせるπ／２遅相鏡とを備え、加工
方向に応じ前記光路切替手段により第１の光路または第
２の光路を選択するようにしたことを特徴とするレーザ
加工機を提供するものである。
ーザ発振器から発射される直線偏光化されたレーザ光線
を加工点へ導く光学系の光路の途中に設□けられ、レー
ザ光線を第１の光路または第２の光路に切り替える光路
切替手段と、前記第２の光路上に設けられ、レーザ光線
の偏光面を９ＣＰずらせるπ／２遅相鏡とを備え、加工
方向に応じ前記光路切替手段により第１の光路または第
２の光路を選択するようにしたことを特徴とするレーザ
加工機を提供するものである。
実施例の説明
本発明は切断中が狭くかつ切断速度が早い（加工能率が
高い）加工をＹ方向にも同様に得るものでその構成を第
４図に示す。
高い）加工をＹ方向にも同様に得るものでその構成を第
４図に示す。
直線椅光型レーザ発振器１から発射されたレーザ光線２
は全反射鏡３で加工点へ曲げられ集光レンズ４で集光さ
れて被加工物５へ照射される。
は全反射鏡３で加工点へ曲げられ集光レンズ４で集光さ
れて被加工物５へ照射される。
５ 。
Ｙ方向の切断はこの光学系で行なわれるが、Ｘ方向の加
工を行なう場合は光路が変更され、フレネル、諒テ（フ
レネルのプリズム）と呼ばれるπ／２遅相鏡１ｏを通過
し、集光レンズに入射する様に全反射鏡９が９１へ、全
反射鏡９２が９３へ瞬時に移動できる機構を有している
。８は必要に応じて設けられる全反射鏡である。全反射
鏡９及び９２の駆動は例えばソレノイド（図は省略）で
行なわれ、被加工物駆動系からの信号により、走査方向
と偏光面が一致するように制御される。
工を行なう場合は光路が変更され、フレネル、諒テ（フ
レネルのプリズム）と呼ばれるπ／２遅相鏡１ｏを通過
し、集光レンズに入射する様に全反射鏡９が９１へ、全
反射鏡９２が９３へ瞬時に移動できる機構を有している
。８は必要に応じて設けられる全反射鏡である。全反射
鏡９及び９２の駆動は例えばソレノイド（図は省略）で
行なわれ、被加工物駆動系からの信号により、走査方向
と偏光面が一致するように制御される。
フレネルのプリズムとは特殊な形をしたガラスの菱面体
で、光はプリズムの内部で２回全反射されて９ｏ０のリ
ターダンスを生ずる。
で、光はプリズムの内部で２回全反射されて９ｏ０のリ
ターダンスを生ずる。
したがって全反射鏡９１により光路変更されたレーザ光
線は、フレネルのプリズムの如きπ／２遅相鏡１０によ
り偏光方向が９０°遅れるため、結果的にＹ方向の切断
方向と偏光面とを一致させることができ、被加工物５の
切断は、Ｘ方向の切断幅６、Ｙ方向の切断幅６１ともに
等しく、Ｘ、Ｙ方向ともに狭い高速加工が可能となる。
線は、フレネルのプリズムの如きπ／２遅相鏡１０によ
り偏光方向が９０°遅れるため、結果的にＹ方向の切断
方向と偏光面とを一致させることができ、被加工物５の
切断は、Ｘ方向の切断幅６、Ｙ方向の切断幅６１ともに
等しく、Ｘ、Ｙ方向ともに狭い高速加工が可能となる。
６・−ジ
発明の効果
以上のように本発明はレーザ発振器から発射される直線
偏光化されたレーザ光線を加工点へ導く光学系の光路の
途中に偏光面が９０°ずれるフレネル・ロームを通過す
る光路を別に設け、被加工物とビームとの走査方向によ
りいずれかの光路を選択できる様に光路切替機能を具備
したことを特徴とするレーザ加工機を提供するもので、
直交する二方向の加工方向に合わせて偏光面を制御でき
る機能を有するので、従来機では見られなかった高能率
（高速）加工を直交する二方向で実現することができる
。
偏光化されたレーザ光線を加工点へ導く光学系の光路の
途中に偏光面が９０°ずれるフレネル・ロームを通過す
る光路を別に設け、被加工物とビームとの走査方向によ
りいずれかの光路を選択できる様に光路切替機能を具備
したことを特徴とするレーザ加工機を提供するもので、
直交する二方向の加工方向に合わせて偏光面を制御でき
る機能を有するので、従来機では見られなかった高能率
（高速）加工を直交する二方向で実現することができる
。
第１図はランダム偏光光を用いた従来のレーザ加工機の
斜視図、第２図は直線偏光光を用いた従来のレーザ加工
機の斜視図、第３図は円偏光光を用いた従来のレーザ加
工機の斜視図、第４図は本発明の一実施例であるレーザ
加工機の斜視図である０ １・・・・・・レーザ発振器、３，８，９．９２・・・
・・・７７−ジ 全反射鏡、４・・・・・集光レンズ、５・・・・被加工
物、６．６１・・・・・・切断中、１ｏ・・・・・・フ
レネル−ロム〇代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男
ほか１名第１図 第３図 ３２ ４図
斜視図、第２図は直線偏光光を用いた従来のレーザ加工
機の斜視図、第３図は円偏光光を用いた従来のレーザ加
工機の斜視図、第４図は本発明の一実施例であるレーザ
加工機の斜視図である０ １・・・・・・レーザ発振器、３，８，９．９２・・・
・・・７７−ジ 全反射鏡、４・・・・・集光レンズ、５・・・・被加工
物、６．６１・・・・・・切断中、１ｏ・・・・・・フ
レネル−ロム〇代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男
ほか１名第１図 第３図 ３２ ４図
Claims (1)
- レーザ発振器から発射される直線偏光化されたレーザ光
線を加工点へ導く光学系の光路の途中に設けられ、レー
ザ光線を第１の光路９別溝２の光路に切り替える光路切
替手段と、前記第２の光路上に設けられ、レーザ光線の
偏光面を９０°すらすπ／２遅相鏡とを備え、加工方向
に応じ前記光路切替手段により第１の光路または第２の
光路を選択するようにしたことを特徴とするレーザ加工
機０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024036A JPS59150691A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | レ−ザ加工機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024036A JPS59150691A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | レ−ザ加工機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150691A true JPS59150691A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12127276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024036A Pending JPS59150691A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | レ−ザ加工機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150691A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005313237A (ja) * | 2000-09-13 | 2005-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58024036A patent/JPS59150691A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005313237A (ja) * | 2000-09-13 | 2005-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| US10796959B2 (en) | 2000-09-13 | 2020-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US9837315B2 (en) | 2000-09-13 | 2017-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8937264B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-01-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946592B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
| US8946591B2 (en) | 2000-09-13 | 2015-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method |
| US9543207B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9287177B2 (en) | 2002-03-12 | 2016-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9142458B2 (en) | 2002-03-12 | 2015-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9543256B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9548246B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9553023B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-01-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US9711405B2 (en) | 2002-03-12 | 2017-07-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8889525B2 (en) | 2002-03-12 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10068801B2 (en) | 2002-03-12 | 2018-09-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US10622255B2 (en) | 2002-03-12 | 2020-04-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US11424162B2 (en) | 2002-03-12 | 2022-08-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| US8865566B2 (en) | 2002-12-03 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate |
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