JP2007245173A - レーザ加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工方法及びレーザ加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007245173A JP2007245173A JP2006069985A JP2006069985A JP2007245173A JP 2007245173 A JP2007245173 A JP 2007245173A JP 2006069985 A JP2006069985 A JP 2006069985A JP 2006069985 A JP2006069985 A JP 2006069985A JP 2007245173 A JP2007245173 A JP 2007245173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- laser
- laser beam
- region
- pulse waveform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
- B23K26/388—Trepanning, i.e. boring by moving the beam spot about an axis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
- C03B33/037—Controlling or regulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Abstract
【解決手段】 標準のパルス波形を有するレーザ光Lを照射することで、加工対象物1の厚さ方向の大きさが大きく、且つ加工対象物1の厚さ方向に割れ24を発生させ易い溶融処理領域131をシリコンウェハ111の内部に形成すると共に、後よりのパルス波形を有するレーザ光Lを照射することで、加工対象物1の厚さ方向の大きさが小さく、且つ加工対象物1の厚さ方向に割れ24を発生させ難い溶融処理領域132をシリコンウェハ112の内部に形成する。
【選択図】 図22
Description
加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物の表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には、多光子吸収を起因として光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収を起因としたクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収を起因として局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下が更に好ましい。多光子吸収を起因とした屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
Claims (6)
- 板状の加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面から前記加工対象物の厚さ方向に第1の距離だけ離れた第1の位置に集光点を合わせて、第1のパルス波形を有するレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第1の改質領域を前記加工対象物の内部に形成すると共に、
前記加工対象物の内部において前記レーザ光入射面から前記加工対象物の厚さ方向に第2の距離だけ離れた第2の位置に集光点を合わせて、第2のパルス波形を有するレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第2の改質領域を前記加工対象物の内部に形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1及び前記第2の改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 板状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、第1のパルス波形を有するレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の第1の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第1の改質領域を前記加工対象物の内部に形成すると共に、
前記加工対象物の内部に集光点を合わせて、第2のパルス波形を有するレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の第2の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第2の改質領域を前記加工対象物の内部に形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1の切断予定ラインと前記第2の切断予定ラインとは交差していることを特徴とする請求項3記載のレーザ加工方法。
- 前記第1及び前記第2の改質領域を切断の起点として前記第1及び前記第2の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断することを特徴とする請求項3又は4記載のレーザ加工方法。
- 板状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記加工対象物が載置される載置台と、
レーザ光をパルス発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源によりパルス発振されたレーザ光のパルス波形を変化させるパルス波形可変手段と、
前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源によりパルス発振されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006069985A JP4322881B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
DE112007000608T DE112007000608T5 (de) | 2006-03-14 | 2007-03-06 | Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungssystem |
KR1020087016594A KR101408491B1 (ko) | 2006-03-14 | 2007-03-06 | 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 |
CN2007800089102A CN101400475B (zh) | 2006-03-14 | 2007-03-06 | 激光加工方法及激光加工装置 |
US12/282,698 US8890027B2 (en) | 2006-03-14 | 2007-03-06 | Laser processing method and laser processing system |
PCT/JP2007/054296 WO2007105537A1 (ja) | 2006-03-14 | 2007-03-06 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006069985A JP4322881B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007245173A true JP2007245173A (ja) | 2007-09-27 |
JP4322881B2 JP4322881B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=38509372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006069985A Active JP4322881B2 (ja) | 2006-03-14 | 2006-03-14 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8890027B2 (ja) |
JP (1) | JP4322881B2 (ja) |
KR (1) | KR101408491B1 (ja) |
CN (1) | CN101400475B (ja) |
DE (1) | DE112007000608T5 (ja) |
WO (1) | WO2007105537A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009050938A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | 脆性材料基板のu字状溝加工方法およびこれを用いた除去加工方法およびくり抜き加工方法および面取り方法 |
JP2009206174A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
JP2009206173A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
JP2009206175A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
JP2009206170A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子の製造方法 |
JP2009206171A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ |
EP2116323A1 (en) | 2008-05-07 | 2009-11-11 | Sumco Corporation | Method of producing semiconductor wafer |
WO2010090111A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2011200926A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及び脆性材料基板 |
JP2017069340A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
KR101934558B1 (ko) * | 2010-06-02 | 2019-01-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5449665B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR100993088B1 (ko) * | 2008-07-22 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5121746B2 (ja) * | 2009-01-29 | 2013-01-16 | 昭和電工株式会社 | 基板切断方法および電子素子の製造方法 |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
KR100984719B1 (ko) * | 2010-04-16 | 2010-10-01 | 유병소 | 레이저 가공장치 |
KR100984723B1 (ko) * | 2010-04-16 | 2010-10-01 | 유병소 | 레이저 가공방법 |
US8951889B2 (en) | 2010-04-16 | 2015-02-10 | Qmc Co., Ltd. | Laser processing method and laser processing apparatus |
KR101149594B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-05-29 | 한국과학기술원 | 펨토초 펄스 레이저 응용 pzt 소자를 이용한 가공면 절단 방법 |
JPWO2011162392A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2013-08-22 | 旭硝子株式会社 | 割断方法および割断装置 |
US20120175652A1 (en) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for improved singulation of light emitting devices |
JP5480169B2 (ja) | 2011-01-13 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5757835B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2015-08-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光センサの製造方法 |
KR101909633B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2018-12-19 | 삼성전자 주식회사 | 레이저 스크라이빙을 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 절단 방법 |
US9266192B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
US8709916B2 (en) * | 2012-07-05 | 2014-04-29 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Laser processing method and apparatus |
JP6059059B2 (ja) | 2013-03-28 | 2017-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP6258787B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2018-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP6728188B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2020-07-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US10518358B1 (en) | 2016-01-28 | 2019-12-31 | AdlOptica Optical Systems GmbH | Multi-focus optics |
JP2019125688A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 株式会社ディスコ | 被加工物のレーザー加工方法 |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
CN111696968B (zh) * | 2019-03-14 | 2022-06-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
EP3839107A1 (de) * | 2019-12-18 | 2021-06-23 | Siltronic AG | Verfahren zur bestimmung von defektdichten in halbleiterscheiben aus einkristallinem silizium |
JP7441683B2 (ja) | 2020-03-10 | 2024-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
KR100701013B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2007-03-29 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치 |
JP4606741B2 (ja) | 2002-03-12 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP2005129607A (ja) | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2005179154A (ja) | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 脆性材料の割断方法およびその装置 |
JP4348199B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2009-10-21 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP4054773B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-03-05 | キヤノン株式会社 | シリコン基板割断方法 |
US7486705B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4527488B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2010-08-18 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
-
2006
- 2006-03-14 JP JP2006069985A patent/JP4322881B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-06 KR KR1020087016594A patent/KR101408491B1/ko active IP Right Grant
- 2007-03-06 DE DE112007000608T patent/DE112007000608T5/de active Pending
- 2007-03-06 WO PCT/JP2007/054296 patent/WO2007105537A1/ja active Application Filing
- 2007-03-06 US US12/282,698 patent/US8890027B2/en active Active
- 2007-03-06 CN CN2007800089102A patent/CN101400475B/zh active Active
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009050938A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | 脆性材料基板のu字状溝加工方法およびこれを用いた除去加工方法およびくり抜き加工方法および面取り方法 |
CN101610870B (zh) * | 2007-10-16 | 2013-09-11 | 三星钻石工业股份有限公司 | 脆性材料基板的u形槽加工方法以及使用该方法的去除加工方法、打孔加工方法和倒角方法 |
JP2009206174A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
JP2009206173A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出装置 |
JP2009206175A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
JP2009206170A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子の製造方法 |
JP2009206171A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ |
US8124501B2 (en) | 2008-05-07 | 2012-02-28 | Sumco Corporation | Method of producing semiconductor wafer |
EP2116323A1 (en) | 2008-05-07 | 2009-11-11 | Sumco Corporation | Method of producing semiconductor wafer |
US8728914B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-05-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
CN102307699A (zh) * | 2009-02-09 | 2012-01-04 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物的切断方法 |
WO2010090111A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US8865568B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-10-21 | Hamamatsu Photonics K.K | Workpiece cutting method |
JP5632751B2 (ja) * | 2009-02-09 | 2014-11-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
CN102307699B (zh) * | 2009-02-09 | 2015-07-15 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物的切断方法 |
JP2011200926A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及び脆性材料基板 |
KR101934558B1 (ko) * | 2010-06-02 | 2019-01-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 |
JP2017069340A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101400475A (zh) | 2009-04-01 |
DE112007000608T5 (de) | 2009-01-15 |
KR20080103508A (ko) | 2008-11-27 |
US20090236324A1 (en) | 2009-09-24 |
WO2007105537A1 (ja) | 2007-09-20 |
US8890027B2 (en) | 2014-11-18 |
KR101408491B1 (ko) | 2014-06-18 |
JP4322881B2 (ja) | 2009-09-02 |
CN101400475B (zh) | 2011-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4322881B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP4606741B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP4954653B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4880722B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP3626442B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4837320B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP3722731B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4664140B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4659301B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4167094B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2008100284A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP3751970B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP3867109B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4142694B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP3867110B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP3867103B2 (ja) | 半導体材料基板の切断方法 | |
JP3867102B2 (ja) | 半導体材料基板の切断方法 | |
JP3867108B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP3867101B2 (ja) | 半導体材料基板の切断方法 | |
JP3935187B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP3935188B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP4095092B2 (ja) | 半導体チップ | |
JP2006148175A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2006205259A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2004268103A (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090311 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20090511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20090527 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090602 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4322881 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140612 Year of fee payment: 5 |