JP2009206170A - 半導体受光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに対向する表面3a及び裏面3bを有し、表面3a側に形成されたフォトダイオード13を含む画素部7が複数配置されている半導体基板3を準備する。半導体基板3における隣接する画素部7間の所定位置に集光点Fを合わせて半導体基板3の裏面3b側からレーザ光Laを照射することによって改質領域20を形成する。
【選択図】図4
Description
Claims (1)
- 互いに対向する第1及び第2の主面を有し、前記第1の主面側に形成されたフォトダイオードを含む画素部が複数配置されている半導体基板を準備する工程と、
隣接する前記画素部間の所定位置に集光点を合わせて前記半導体基板の前記第2の主面側からレーザ光を照射することによって改質領域を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
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