JP4951553B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
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Description
図1〜図3を参照して、第1実施形態に係る半導体受光素子の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体受光素子の平面図である。図2は、図1に示した半導体受光素子のII−II線断面図であり、図3は、図2に示した半導体受光素子のIII−III線断面図である。
次に、図6に基づいて、第2実施形態に係る半導体受光素子41について説明する。図6は、第2実施形態に係る半導体受光素子の断面図である。第2実施形態に係る半導体受光素子41は、複数の改質領域20の構成の点で上述した半導体受光素子1と異なる。
Claims (5)
- 互いに対向する第1及び第2の主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の主面側に形成されており、前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する第2導電型の半導体領域と、を備え、
前記半導体基板には、前記第2の主面と前記半導体領域との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、複数の改質領域が形成されており、
前記複数の改質領域のうち互いに隣接している改質領域の間隔は、光の入射によって前記半導体基板に発生するキャリアの拡散長よりも短く設定されていることを特徴とする半導体受光素子。 - 前記複数の改質領域の形状は、長手方向及び該長手方向に直交する短手方向を有しており、
前記複数の改質領域は、行列状に二次元配列されていると共に、その長手方向が交互に行方向及び列方向を向くように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素子。 - 前記複数の改質領域の形状は、長手方向及び該長手方向に直交する短手方向を有しており、
前記複数の改質領域は、行列状に二次元配列されていると共に、その長手方向が交互に直交する方向を向くように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素子。 - 前記複数の改質領域は、隣接する改質領域同士が連続して格子状に形成されていることを特徴とする請求項2又は3記載の半導体受光素子。
- 前記複数の改質領域は、それぞれが所定の方向に伸びて直線状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素子。
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