JP4951552B2 - 半導体光検出装置 - Google Patents
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Description
図1〜図4を参照して、第1実施形態に係る半導体光検出装置の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体光検出装置の平面図である。図2は、図1に示した半導体光検出装置のII−II線断面図であり、図3は、図2に示した半導体光検出装置のIII−III線断面図である。図4は、信号処理回路を備える第1実施形態に係る半導体光検出装置の回路図である。
次に、図6に基づいて、第2実施形態に係る半導体光検出装置31について説明する。図6は、第2実施形態に係る半導体光検出装置の断面図である。半導体光検出装置31は、改質領域20の構成の点で上述した半導体光検出装置1と異なる。
次に、図7に基づいて、第3実施形態に係る半導体光検出装置41について説明する。図7は、第3実施形態に係る半導体光検出装置の断面図である。半導体光検出装置41は、改質領域20の構成の点で上述した半導体光検出装置1と異なる。
Claims (6)
- 互いに対向する第1及び第2の主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面側に並んで配置されていると共に、前記半導体基板との接合によりフォトダイオードをそれぞれ構成する第2導電型の第1及び第2の半導体領域と、を備え、
前記半導体基板には、前記第2の主面と前記第1の半導体領域との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、改質領域が形成されており、
前記半導体基板における前記第2の主面と前記第2の半導体領域との間には、改質領域が形成されていないことを特徴とする半導体光検出装置。 - 互いに対向する第1及び第2の主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面側に並んで配置されていると共に、前記半導体基板との接合によりフォトダイオードをそれぞれ構成する第2導電型の第1及び第2の半導体領域と、を備え、
前記半導体基板には、前記第2の主面と前記第1及び第2の半導体領域との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、改質領域がそれぞれ形成されており、
形成された前記改質領域の態様は、前記第2の主面と前記第1の半導体領域との間に形成された前記改質領域と、前記第2の主面と前記第2の半導体領域との間に形成された前記改質領域とで異なっていることを特徴とする半導体光検出装置。 - 前記改質領域は、前記第2の主面と前記第1の半導体領域との間と、前記第2の主面と前記第2の半導体領域との間とで、それぞれ複数形成されており、
前記第2の主面と前記第1の半導体領域との間に形成された複数の前記改質領域の前記第1の主面からの深さと、前記第2の主面と前記第2の半導体領域との間に形成された複数の前記改質領域の前記第1の主面からの深さとが、互いに異なるように設定されていることを特徴とする請求項2記載の半導体光検出装置。 - 前記改質領域は、前記第2の主面と前記第1の半導体領域との間と、前記第2の主面と前記第2の半導体領域との間とで、それぞれ複数形成されており、
前記第2の主面と前記第1の半導体領域との間に形成された複数の前記改質領域の間隔と、前記第2の主面と前記第2の半導体領域との間に形成された複数の前記改質領域の間隔とが、互いに異なるように設定されていることを特徴とする請求項2記載の半導体光検出装置。 - 前記半導体基板と前記第1の半導体領域との前記接合の前記第1の主面からの深さと、前記半導体基板と前記第2の半導体領域との前記接合の前記第1の主面からの深さとは、互いに等しく設定されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の半導体光検出装置。
- 前記第1の半導体領域に電気的に接続されている第1の電極と、
前記第2の半導体領域に電気的に接続されている第2の電極と、
前記第1及び第2の電極が接続されると共に、第1及び第2の前記フォトダイオードからの入力信号の差分を出力する信号処理回路と、をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体光検出装置。
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