JP6303040B2 - フォトダイオードの製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜図10を参照して、第1実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図1〜図10は、第1実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図14〜図16を参照して、第2実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図14〜図16は、第2実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図17〜図21を参照して、第3実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図17〜図21は、第3実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図22〜図24を参照して、第4実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図22〜図24は、第4実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図25〜図32を参照して、第5実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図25〜図32は、第5実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
図33〜図36を参照して、第6実施形態に係るフォトダイオードの製造方法について説明する。図33〜図36は、第6実施形態に係るフォトダイオードの製造方法を説明するための図である。
Claims (7)
- 第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に光入射面とされる前記第2主面に対向する前記第1主面側内に第2導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板の前記第2主面における少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸を前記第2主面に光学的に露出させて形成する工程と、
不規則な凹凸を形成する前記工程の後に、前記シリコン基板の前記第2主面側に、その表面が前記第2主面における不規則な前記凹凸が形成された領域を含んでいるように、前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層を形成する工程と、
第1導電型の前記アキュムレーション層を形成する前記工程の後に、前記シリコン基板を熱処理する工程と、を備え、
不規則な凹凸を形成する前記工程では、不規則な前記凹凸の高低差が0.5〜10μmとなり、不規則な前記凹凸における凸部の間隔が0.5〜10μmとなるように、不規則な前記凹凸を形成し、
前記第2主面から入射した光が前記シリコン基板内で全反射を繰り返して前記シリコン基板内を進む、裏面入射型のフォトダイオードを製造することを特徴とするフォトダイオードの製造方法。 - 不規則な前記凹凸を形成する前記工程の前に、前記シリコン基板における第2導電型の前記半導体領域に対応する部分を該部分の周辺部分を残して前記第2主面側より薄化する工程と、を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に光入射面とされる前記第2主面に対向する前記第1主面側内に第2導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板を準備する工程と、
前記シリコン基板の前記第2主面側に、前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層を形成する工程と、
第1導電型の前記アキュムレーション層を形成する工程の後に、前記アキュムレーション層の表面であり、かつ、前記シリコン基板の前記第2主面における少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸を前記第2主面に光学的に露出させて形成する工程と、
不規則な前記凹凸を形成する前記工程の後に、前記シリコン基板を熱処理する工程と、を備え、
不規則な凹凸を形成する前記工程では、不規則な前記凹凸の高低差が0.5〜10μmとなり、不規則な前記凹凸における凸部の間隔が0.5〜10μmとなるように、不規則な前記凹凸を形成し、
前記第2主面から入射した光が前記シリコン基板内で全反射を繰り返して前記シリコン基板内を進む、裏面入射型のフォトダイオードを製造することを特徴とするフォトダイオードの製造方法。 - 第1導電型の前記アキュムレーション層を形成する工程の前に、前記シリコン基板における第2導電型の前記半導体領域に対応する部分を該部分の周辺部分を残して前記第2主面側より薄化する工程と、を更に備えることを特徴とする請求項3に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 第1導電型の前記アキュムレーション層の厚みを、不規則な前記凹凸の高低差よりも大きくすることを特徴とする請求項3又は4に記載のフォトダイオードの製造方法。
- 前記シリコン基板を準備する前記工程では、前記シリコン基板として、前記第1主面側に前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の半導体領域が更に形成されたシリコン基板を準備し、
前記シリコン基板を熱処理する工程の後に、前記第1導電型の半導体領域に電気的に接続される電極及び前記第2導電型の半導体領域に電気的に接続される電極を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のフォトダイオードの製造方法。 - 不規則な前記凹凸を形成する前記工程では、パルスレーザ光としてピコ秒〜フェムト秒パルスレーザ光を照射することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のフォトダイオードの製造方法。
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