TWI495134B - Method for manufacturing photodiode and photodiode - Google Patents

Method for manufacturing photodiode and photodiode Download PDF

Info

Publication number
TWI495134B
TWI495134B TW099105359A TW99105359A TWI495134B TW I495134 B TWI495134 B TW I495134B TW 099105359 A TW099105359 A TW 099105359A TW 99105359 A TW99105359 A TW 99105359A TW I495134 B TWI495134 B TW I495134B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductivity type
substrate
main surface
photodiode
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
TW099105359A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201101526A (en
Inventor
Yoshimaro Fujii
Kazuhisa Yamamura
Akira Sakamoto
Terumasa Nagano
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics Kk filed Critical Hamamatsu Photonics Kk
Publication of TW201101526A publication Critical patent/TW201101526A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI495134B publication Critical patent/TWI495134B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

光二極體之製造方法及光二極體
本發明係關於一種光二極體之製造方法及光二極體。
作為於近紅外光之波長帶域具有較高之光譜靈敏度特性之光二極體，已知有使用化合物半導體之光二極體(例如參照專利文獻1)。專利文獻1中所記載之光二極體包括：第1受光層，其包含InGaAsN、InGaAsNSb及InGaAsNP之任一者；及第2受光層，其具有波長較第1受光層之吸收端更長之吸收端，且包含量子井構造。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2008-153311號公報
然而，此種使用化合物半導體之光二極體仍為高價，製造步驟亦複雜。因此，需要一種矽光二極體之實用化，該矽光二極體廉價且容易製造，並且於近紅外光之波長帶域具有充分之光譜靈敏度。通常，矽光二極體於光譜靈敏度特性之長波長側之極限為1100 nm左右，但於1000 nm以上之波長帶域中之光譜靈敏度特性並不充分。
本發明之目的在於提供一種光二極體之製造方法及光二極體，該光二極體係矽光二極體，且於近紅外光之波長帶域具有充分之光譜靈敏度特性。
本發明之光二極體之製造方法包括以下步驟：準備矽基板，該矽基板包含第1導電型之半導體，具有相互對向之第1主面及第2主面，並且於第1主面側形成有第2導電型之半導體區域；對矽基板之第2主面中之至少與第2導電型之半導體區域對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸；於形成不規則之凹凸之步驟之後，於矽基板之第2主面側形成具有較矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層；及於形成第1導電型之累積層之步驟之後，對矽基板進行熱處理。
根據本發明之光二極體之製造方法，可獲得於矽基板之第2主面中之至少與第2導電型之半導體區域對向的區域形成有不規則之凹凸之光二極體。該光二極體中，因於第2主面中之至少與第2導電型之半導體區域對向之區域形成有不規則之凹凸，故入射至光二極體之光由該區域反射、散射或擴散，而於矽基板內行進較長之距離。藉此，入射至光二極體之光之大部分由矽基板吸收，而不會穿透光二極體(矽基板)。因此，上述光二極體中，入射至光二極體之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長，因此於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性提高。
由本發明所獲得之光二極體中，於矽基板之第2主面側形成有具有較矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層。因此，於第2主面側不藉由光而產生之多餘載子進行再結合，可減少暗電流。第1導電型之上述累積層係抑制於矽基板之第2主面附近藉由光而產生之載子由該第2主面捕獲。因此，藉由光而產生之載子有效地朝向第2導電型之半導體區域與矽基板之pn接合部移動，從而可提高光二極體之光檢測靈敏度。
另外，由於脈衝雷射光之照射，可能對矽基板造成結晶缺陷等之損害。然而，本發明中，於形成第1導電型之累積層之步驟之後，對矽基板進行熱處理，因此矽基板之結晶性恢復，從而可防止暗電流之增加等不良。
較佳為，進而包括如下步驟：於形成不規則之凹凸之步驟之前，將矽基板中之與第2導電型之半導體區域對應之部分自第2主面側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。於該情形時，可獲得分別將矽基板之第1主面及第2主面側作為光入射面之光二極體。
本發明之光二極體之製造方法包括以下步驟：準備矽基板，該矽基板包含第1導電型之半導體，具有相互對向之第1主面及第2主面，並且於第1主面側形成有第2導電型之半導體區域；於矽基板之第2主面側形成具有較矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層；於形成第1導電型之累積層之步驟之後，對矽基板之第2主面中之至少與第2導電型之半導體區域對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸；及於形成不規則之凹凸之步驟之後，對矽基板進行熱處理。
本發明之光二極體之製造方法中，如上所述，入射至光二極體之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長，因此於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性提高。藉由形成於矽基板之第2主面側之第1導電型之累積層，可減少暗電流，並且可提高光二極體之光檢測靈敏度。本發明中，於形成不規則之凹凸之步驟之後，對矽基板進行熱處理，因此矽基板之結晶性恢復，可防止暗電流之增加等不良。
較佳為，進而包括如下步驟：於形成第1導電型之累積層之步驟之前，將矽基板中之與第2導電型之半導體區域對應之部分自第2主面側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。於該情形時，可獲得分別將矽基板之第1主面及第2主面側作為光入射面之光二極體。
較佳為，使第1導電型之累積層之厚度大於不規則之凹凸之高低差。於該情形時，即便於形成第1導電型之累積層之步驟之後，照射脈衝雷射光而形成不規則之上述凹凸，累積層仍殘留。因此，可確保上述累積層之作用效果。
較佳為，於準備矽基板之步驟中，作為矽基板，準備於第1主面側進而形成具有較矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之半導體區域的矽基板，且進而包括如下步驟：於對矽基板進行熱處理之步驟之後，形成與第1導電型之半導體區域電性連接之電極、及與第2導電型之半導體區域電性連接之電極。於該情形時，即便於電極使用熔點相對較低之金屬之情形時，電極亦不會由於熱處理之步驟而熔融。因此，可不受熱處理之影響而適當地形成電極。
較佳為，於形成不規則之上述凹凸之步驟中，照射皮秒~飛秒脈衝雷射光作為脈衝雷射光。於該情形時，可適當且容易地形成不規則之凹凸。
本發明之光二極體包括矽基板，該矽基板包含第1導電型之半導體，具有相互對向之第1主面及第2主面，並且於第1主面側形成有第2導電型之半導體區域，於矽基板之第2主面側形成有具有較矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層，並且於第2主面中之至少與第2導電型之半導體區域對向之區域形成有不規則之凹凸，矽基板之第2主面中之與第2導電型之半導體區域對向之區域係光學性地露出。
本發明之光二極體中，如上所述，入射至光二極體之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長，因此於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性提高。藉由形成於矽基板之第2主面側之第1導電型之累積層，可減少暗電流，並且可提高光二極體之光檢測靈敏度。
較佳為，將矽基板之與第2導電型之半導體區域對應之部分自第2主面側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。於該情形時，可獲得分別將矽基板之第1主面及第2主面側作為光入射面之光二極體。
較佳為，第1導電型之累積層之厚度大於不規則之上述凹凸之高低差。於該情形時，如上所述，可確保累積層之作用效果。
較佳為，矽基板包括：第1半導體基板，其包含第1導電型之半導體；及第2半導體基板，其貼附於第1半導體基板上，包含第1導電型之半導體，並且具有較第1半導體基板更高之雜質濃度；於第1半導體基板之與和第2半導體基板之貼附面對向之面側形成有第2導電型之半導體區域，於第2半導體基板之與和第1半導體基板之貼附面對向之面中的至少與第2導電型之半導體區域對向之區域，形成有不規則之凹凸。於該情形時，可實現於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性已提高之PIN光二極體。
較佳為，矽基板包括：第1半導體基板，其包含第1導電型之半導體；及第2半導體基板，其貼附於第1半導體基板上，包含第1導電型之半導體，並且具有較第1半導體基板更高之雜質濃度；於第1半導體基板之與和第2半導體基板之貼附面對向之面側形成有第2導電型之半導體區域，第1半導體基板之貼附面中之至少與第2導電型之半導體區域對向的區域露出且形成有不規則之凹凸。於該情形時，可實現於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性已提高之PIN光二極體。
較佳為，第1半導體基板之面方位為(111)，第2半導體基板之面方位為(100)。於該情形時，可使用貼合晶圓作為矽基板(第1及第2半導體基板)，利用面方位之蝕刻速率之不同，可精度良好地獲得均勻厚度之第1半導體基板。因第1半導體基板與第2半導體基板之邊界面作為蝕刻終止層來發揮功能，故蝕刻步驟中之作業性優異。
根據本發明，可提供一種光二極體之製造方法及光二極體，該光二極體係矽光二極體，且於近紅外光之波長帶域具有充分之光譜靈敏度特性。
以下，參照隨附圖式，對本發明之較佳實施形態加以詳細說明。再者，於說明中，對於相同要素或具有相同功能之要素使用相同符號，省略重複之說明。
(第1實施形態)
參照圖1~圖10，對第1實施形態之光二極體之製造方法加以說明。圖1~圖10係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
首先，準備包含矽(Si)結晶、且具有相互對向之第1主面1a及第2主面1b之n- 型半導體基板1(參照圖1)。n- 型半導體基板1之厚度為300 μm左右，比電阻為1 kΩ‧cm左右。本實施形態中，所謂「高雜質濃度」，例如係指雜質濃度為1×1017 cm-3 左右以上，且係對導電型附加「+」來表示。所謂「低雜質濃度」，例如係指雜質濃度為1×1015 cm-3 左右以下，且係對導電型附加「-」來表示。作為n型雜質存在銻(Sb)、砷(As)或磷(P)等，作為p型雜質存在硼(B)等。
其次，於n- 型半導體基板1之第1主面1a側形成p+ 型半導體區域3及n+ 型半導體區域5(參照圖2)。p+ 型半導體區域3係藉由使用中央部開口之掩模等，使高濃度之p型雜質於n- 型半導體基板1內自第1主面1a側擴散而形成。n+ 型半導體區域5係藉由使用周邊部區域開口之其他掩模等，以包圍p+ 型半導體區域3之方式，使較n- 型半導體基板1更高濃度之n型雜質於n- 型半導體基板1內自第1主面1a側擴散而形成。p+ 型半導體區域3之厚度例如為0.55 μm左右，薄片電阻例如為44 Ω/sq.。n+ 型半導體區域5之厚度例如為1.5 μm左右，薄片電阻例如為12 Ω/sq.。
繼而，於n- 型半導體基板1之第1主面1a側形成絕緣層7(參照圖3)。絕緣層7包含SiO2 ，且係藉由將n- 型半導體基板1熱氧化而形成。絕緣層7之厚度例如為0.1 μm左右。之後，於p+ 型半導體區域3上之絕緣層7中形成接觸孔H1，於n+ 型半導體區域5上之絕緣層7中形成接觸孔H2。亦可形成包含SiN之抗反射(AR，anti-reflective)層來代替絕緣層7。
其次，於n- 型半導體基板1之第2主面1b上及絕緣層7上形成鈍化層9(參照圖4)。鈍化層9包含SiN，且係藉由例如電漿CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法而形成。鈍化層9之厚度例如為0.1 μm。繼而，自第2主面1b側對n- 型半導體基板1進行研磨，以使n- 型半導體基板1之厚度成為所需厚度(參照圖5)。藉此，將形成於n- 型半導體基板1之第2主面1b上之鈍化層9除去，而n- 型半導體基板1露出。此處，亦將藉由研磨而露出之表面作為第2主面1b。所需厚度例如為270 μm。
繼而，對n- 型半導體基板1之第2主面1b照射脈衝雷射光PL，而形成不規則之凹凸10(參照圖6)。此處，如圖7所示，將n- 型半導體基板1配置於腔室C內，自配置於腔室C之外側之脈衝雷射產生裝置PLD對n- 型半導體基板1照射脈衝雷射光PL。腔室C包括氣體導入部GIN 及氣體排出部GOUT ，將惰性氣體(例如氮氣或氬氣等)自氣體導入部GIN 導入後自氣體排出部GOUT 排出，藉此於腔室C內形成有惰性氣體流Gf 。藉由惰性氣體流Gf ，將照射脈衝雷射光PL時所產生之塵埃等排出至腔室C外，而防止加工屑或塵埃等附著於n- 型半導體基板1上。
本實施形態中，使用皮秒~飛秒脈衝雷射產生裝置作為脈衝雷射產生裝置PLD，且遍及第2主面1b之整個表面而照射皮秒~飛秒脈衝雷射光。第2主面1b受到皮秒~飛秒脈衝雷射光破壞，而如圖8所示，於第2主面1b之整個表面形成不規則之凹凸10。不規則之凹凸10具有相對於與第1主面1a正交之方向而交叉之表面。凹凸10之高低差例如為0.5~10 μm左右，凹凸10中之凸部之間隔為0.5~10 μm左右。皮秒~飛秒脈衝雷射光之脈衝時間寬度(time width)例如為50 fs~2 ps左右，強度例如為4~16 GW左右，脈衝能量例如為200~800 μJ/pulse左右。更通常的是，峰值強度為3×1011 ~2.5×1013 (W/cm2 )，通量為0.1~1.3(J/cm2 )左右。圖8係觀察形成於第2主面1b上之不規則之凹凸10之SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)圖像。
其次，於n- 型半導體基板1之第2主面1b側形成累積層11(參照圖9)。此處，以成為較n- 型半導體基板1更高之雜質濃度之方式，將n型雜質於n- 型半導體基板1內自第2主面1b側離子植入或擴散，藉此形成累積層11。累積層11之厚度例如為1 μm左右。
繼而，對n- 型半導體基板1進行熱處理(退火)。此處，於N2 氣體之環境下以800~1000℃左右之範圍，將n- 型半導體基板1加熱0.5~1小時左右。
其次，將形成於絕緣層7上之鈍化層9除去後，形成電極13、15(參照圖10)。電極13形成於接觸孔H1內，電極15形成於接觸孔H2內。電極13、15分別包含鋁(Al)等，且厚度例如為1 μm左右。藉此，完成光二極體PD1。
如圖10所示，光二極體PD1包括n- 型半導體基板1。於n- 型半導體基板1之第1主面1a側形成有p+ 型半導體區域3及n+ 型半導體區域5，於n- 型半導體基板1與p+ 型半導體區域3之間形成有pn接合。電極13通過接觸孔H1而與p+ 型半導體區域3電性接觸且連接。電極15通過接觸孔H2而與n+ 型半導體區域5電性接觸且連接。
於n- 型半導體基板1之第2主面1b形成有不規則之凹凸10。於n- 型半導體基板1之第2主面1b側形成有累積層11，且第2主面1b係光學性地露出。所謂第2主面1b光學性地露出，不僅指第2主面1b與空氣等環境氣體接觸，而且亦包括於第2主面1b上形成有光學上透明之膜之情形。
光二極體PD1中，於第2主面1b形成有不規則之凹凸10。因此，如圖11所示，入射至光二極體PD1之光L由凹凸10反射、散射或擴散，而於n- 型半導體基板1內行進較長之距離。
通常，相對於Si之折射率n=3.5，而空氣之折射率n=1.0。光二極體中，於光自與光入射面垂直之方向入射之情形時，未於光二極體(矽基板)內被吸收之光分為由光入射面之背面反射之光成分、與穿透光二極體之光成分。穿透光二極體之光不利於光二極體之靈敏度。由光入射面之背面反射之光成分若在光二極體內被吸收，則成為光電流。未被吸收之光成分係於光入射面，與到達光入射面之背面之光成分同樣地反射或穿透。
光二極體PD1中，於光L自與光入射面(第1主面1a)垂直之方向入射之情形時，若到達形成於第2主面1b之不規則之凹凸10，則以與來自凹凸10之出射方向成16.6°以上之角度到達之光成分係由凹凸10全反射。因凹凸10不規則地形成，故相對於出射方向具有各種角度，全反射之光成分朝各個方向擴散。因此，全反射之光成分中存在由n- 型半導體基板1內部吸收之光成分，且存在到達第1主面1a及側面之光成分。
會到達第1主面1a及側面之光成分由於凹凸10上之擴散而朝各個方向行進。因此，到達第1主面1a及側面之光成分由第1主面1a及側面全反射之可能性極高。由第1主面1a及側面全反射之光成分反覆進行於不同表面之全反射，其行進距離變得更長。入射至光二極體PD1之光L於n- 型半導體基板1之內部行進較長之距離之期間，由n- 型半導體基板1吸收，而檢測為光電流。
入射至光二極體PD1之光L之大部分不會穿透光二極體PD1，而是行進距離變長，由n- 型半導體基板1吸收。因此，光二極體PD1中，於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性提高。
當於第2主面1b形成有規則之凹凸之情形時，會到達第1主面1a及側面之光成分雖由凹凸擴散，但朝相同方向行進。因此，到達第1主面1a及側面之光成分由第1主面1a及側面全反射之可能性較低。因此，於第1主面1a及側面、進而於第2主面1b中穿透之光成分增加，入射至光二極體之光之行進距離較短。其結果為，難以提高於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性。
此處，為了對第1實施形態之於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性之提高效果進行確認，而進行實驗。
製作包括上述構成之光二極體(稱作實施例1)、與未於n- 型半導體基板之第2主面形成不規則之凹凸之光二極體(稱作比較例1)，研究各光譜靈敏度特性。實施例1與比較例1除藉由脈衝雷射光之照射而形成不規則之凹凸方面以外，為相同構成。將n- 型半導體基板1之尺寸設定為6.5 mm×6.5 mm。將p+ 型半導體區域3即光感應區域之尺寸設定為5.8 mm×5.8 mm。將對光二極體施加之偏壓電壓VR設定為0 V。
將結果示於圖12中。於圖12中，實施例1之光譜靈敏度特性係由T1所表示，比較例1之光譜靈敏度特性係由特性T2所表示。於圖12中，縱軸表示光譜靈敏度(mA/W)，橫軸表示光之波長(nm)。以一點劃線所表示之特性表示量子效率(QE，quantum efficiency)為100%之光譜靈敏度特性，以虛線所表示之特性表示量子效率為50%之光譜靈敏度特性。
根據圖12可知，例如於1064 nm下，比較例1中光譜靈敏度為0.2 A/W(QE=25%)，相對於此而實施例1中光譜靈敏度為0.6 A/W(QE=72%)，於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度大幅提高。
亦對實施例1及比較例1中之光譜靈敏度之溫度特性進行了確認。此處，使環境溫度自25℃上升至60℃而研究光譜靈敏度特性，求出60℃下之光譜靈敏度相對於25℃下之光譜靈敏度之比例(溫度係數)。將結果示於圖13中。於圖13中，實施例1之溫度係數之特性係由T3所表示，比較例1之溫度係數之特性係由特性T4所表示。於圖13中，縱軸表示溫度係數(%/℃)，橫軸表示光之波長(nm)。
根據圖13可知，例如於1064 nm下，比較例1中溫度係數為0.7%/℃，相對於此而實施例1中溫度係數為0.2%/℃，溫度依存性較低。通常，若溫度上升，則吸收係數增大且帶隙能量減少，藉此光譜靈敏度變高。實施例1中，於室溫之狀態下光譜靈敏度亦充分高，因此與比較例1相比較，溫度上升所引起之光譜靈敏度之變化變小。
光二極體PD1中，於n- 型半導體基板1之第2主面1b側形成有累積層11。藉此，於第2主面1b側不藉由光而產生之多餘載子進行再結合，可減少暗電流。累積層11係抑制於第2主面1b附近藉由光而產生之載子由該第2主面1b捕獲。因此，藉由光而產生之載子有效地朝向pn接合部移動，從而可進一步提高光二極體PD1之光檢測靈敏度。
第1實施形態中，於形成累積層11之後，對n- 型半導體基板1進行熱處理。藉此，n- 型半導體基板1之結晶性恢復，可防止暗電流之增加等不良。
第1實施形態中，於對n- 型半導體基板1進行熱處理後，形成電極13、15。藉此，於電極13、15使用熔點相對較低之金屬之情形時，電極13、15亦不會由於熱處理而熔融。因此，可不受熱處理之影響而適當地形成電極13、15。
第1實施形態中，照射皮秒~飛秒脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10。藉此，可適當且容易地形成不規則之凹凸10。
(第2實施形態)
參照圖14~圖16，對第2實施形態之光二極體之製造方法進行說明。圖14~圖16係用以對第2實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
第2實施形態之製造方法中，直至自第2主面1b側對n- 型半導體基板1進行研磨為止，與第1實施形態之製造方法相同，而省略至此為止之步驟之說明。自第2主面1b側對n- 型半導體基板1進行研磨，使n- 型半導體基板1成為所需厚度之後，於n- 型半導體基板1之第2主面1b側形成累積層11(參照圖14)。累積層11之形成係與第1實施形態同樣地進行。累積層11之厚度例如為1 μm左右。
其次，對n- 型半導體基板1之第2主面1b照射脈衝雷射光PL，而形成不規則之凹凸10(參照圖15)。不規則之凹凸10之形成係與第1實施形態同樣地進行。
繼而，與第1實施形態同樣地對n- 型半導體基板1進行熱處理。之後，於將形成於絕緣層7上之鈍化層9除去之後，形成電極13、15(參照圖16)。藉此，完成光二極體PD2。
於第2實施形態中，亦與第1實施形態同樣地，入射至光二極體PD2之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長。藉此，光二極體PD2中，亦可提高於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性。
第2實施形態中，累積層11之厚度大於不規則之凹凸10之高低差。因此，即便於形成累積層11之後，照射脈衝雷射光而形成不規則之凹凸10，累積層11仍確實地殘留。因此，可確保累積層11之作用效果。
(第3實施形態)
參照圖17~圖21，對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明。圖17~圖21係用以對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
第3實施形態之製造方法中，直至形成鈍化層9為止，與第1實施形態之製造方法相同，而省略至此為止之步驟之說明。於形成鈍化層9之後，將n- 型半導體基板1中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2主面1b側起薄化，而殘留該部分之周邊部分(參照圖17)。n- 型半導體基板1之薄化例如係藉由使用氫氧化鉀溶液或TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨溶液)等之鹼性蝕刻之各向異性蝕刻而進行。n- 型半導體基板1之已薄化之部分之厚度例如為100 μm左右，周邊部分之厚度例如為300 μm左右。
其次，自第2主面1b側對n- 型半導體基板1進行研磨，以使n- 型半導體基板1之周邊部分之厚度成為所需厚度(參照圖18)。所需厚度例如為270 μm。
繼而，對n- 型半導體基板1之第2主面1b照射脈衝雷射光PL，而形成不規則之凹凸10(參照圖19)。不規則之凹凸10之形成係與第1實施形態同樣地進行。
繼而，於n- 型半導體基板1之已薄化之部分之第2主面1b側形成累積層11(參照圖20)。累積層11之形成係與第1實施形態同樣地進行。累積層11之厚度例如為3 μm左右。
其次，與第1實施形態同樣地，於對n- 型半導體基板1進行熱處理之後，將形成於絕緣層7上之鈍化層9除去，形成電極13、15(參照圖21)。藉此，完成光二極體PD3。
於第3實施形態中，亦與第1及第2實施形態同樣地，入射至光二極體PD3之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長。藉此，光二極體PD3中，亦可提高於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性。
第3實施形態中，於形成不規則之凹凸10之前，將n- 型半導體基板1中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2主面1b側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。藉此，可獲得分別將n- 型半導體基板1之第1主面1a及第2主面1b側作為光入射面之光二極體PD3。
(第4實施形態)
參照圖22~圖24，對第4實施形態之光二極體之製造方法進行說明。圖22~圖24係用以對第4實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
第4實施形態之製造方法中，直至對n- 型半導體基板1進行薄化為止，與第3實施形態之製造方法相同，而省略至此為止之步驟之說明。自第2主面1b側對n- 型半導體基板1進行研磨，使n- 型半導體基板1成為所需厚度之後，於n- 型半導體基板1之已薄化之部分之第2主面1b側形成累積層11(參照圖22)。累積層11之形成係與第1實施形態同樣地進行。累積層11之厚度例如為3 μm左右。
繼而，對n- 型半導體基板1之第2主面1b照射脈衝雷射光PL，而形成不規則之凹凸10(參照圖23)。不規則之凹凸10之形成係與第1實施形態同樣地進行。
其次，與第1實施形態同樣地，對n- 型半導體基板1進行熱處理。繼而，於將形成於絕緣層7上之鈍化層9除去之後，形成電極13、15(參照圖24)。藉此，完成光二極體PD4。
於第4實施形態中，亦與第1~第3實施形態同樣地，入射至光二極體PD4之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長。藉此，光二極體PD4中，亦可提高於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性。
第4實施形態中，於形成累積層11之前，將n- 型半導體基板1中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2主面1b側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。藉此，可獲得分別將n- 型半導體基板1之第1主面1a及第2主面1b側作為光入射面之光二極體PD4。
(第5實施形態)
參照圖25~圖32，對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明。圖25~圖32係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
首先，準備第1半導體基板21與第2半導體基板23，將第1半導體基板21直接貼附於第2半導體基板23之表面23b(參照圖25)。藉此，構成了DBW(Direct Bonding Wafer，直接接合晶圓)。第1半導體基板21及第2半導體基板23均包含顯示n型之矽層。即，本實施形態中，由第1半導體基板21與第2半導體基板23構成矽基板。
第2半導體基板23係與第1半導體基板21相比較，n型之雜質濃度較高，因此比電阻低於第1半導體基板21。第1半導體基板21之面方位為(111)面方位，第2半導體基板23之面方位為(100)面方位。第1半導體基板21之比電阻例如為300~600 Ωcm左右。第2半導體基板23之比電阻為0.001~0.004 Ωcm左右。第1半導體基板21之厚度例如為9 μm左右。第2半導體基板23之厚度例如為100 μm左右。亦可藉由在將第1半導體基板21與第2半導體基板23貼附之後，分別對第1半導體基板21與第2半導體基板23進行研磨，而獲得所需厚度。
其次，於第1半導體基板21之表面21a(DBW之第1主面)側，形成p+ 型半導體區域3及n+ 型半導體區域5(參照圖26)。於第1半導體基板21之表面21a側形成絕緣層7(參照圖26)。第1半導體基板21之表面21a係與和第2半導體基板23之貼附面(表面21b)對向之表面。p+ 型半導體區域3、n+ 型半導體區域5及絕緣層7可與第1實施形態同樣地形成。本實施形態中，p+ 型半導體區域3之厚度例如為0.55 μm左右，薄片電阻例如為44 Ω/sq.。n+ 型半導體區域5之厚度例如為1.5 μm左右，薄片電阻例如為12 Ω/sq.。絕緣層7之厚度例如為0.1 μm左右。
繼而，於p+ 型半導體區域3上之絕緣層7中形成接觸孔H1，於n+ 型半導體區域5上之絕緣層7中形成接觸孔H2(參照圖27)。
其次，將於與通過接觸孔H2而露出之n+ 型半導體區域5對應之位置形成有開口的掩模形成於絕緣層7中。繼而，對於開口中露出之n+ 型半導體區域5之表面進行乾式蝕刻，直至第2半導體基板23之表面23b(與第1半導體基板21之貼附面)之一部分露出為止(參照圖28)。藉由該蝕刻處理，而於第1半導體基板21中設置傾斜狀部25。
繼而，藉由離子植入等將n型雜質添加於傾斜狀部25中(參照圖29)。藉此，n+ 型半導體區域5係以包括傾斜狀部25之方式擴張至第1半導體基板21之表面21b(與第2半導體基板23之貼附面)為止。
其次，將第2半導體基板23中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2半導體基板23之表面23a(DBW之第2主面)側起薄化，而殘留該部分之周邊部分(參照圖30)。第2半導體基板23之表面23a係與和第1半導體基板21之貼附面(表面23b)對向之表面。第2半導體基板23之薄化係可與第3實施形態同樣地，藉由鹼性蝕刻之各向異性蝕刻而進行。第2半導體基板23之經薄化之部分之厚度例如為3 μm左右。
繼而，對第2半導體基板23之表面23a照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10(參照圖31)。不規則之凹凸10之形成係與第1實施形態同樣地進行。
其次，與第1實施形態同樣地，於對DBW(第1半導體基板21及第2半導體基板23)進行熱處理之後，形成電極13、15(參照圖32)。藉此，完成光二極體PD5。電極15以覆蓋n+ 型半導體區域5及第2半導體基板23之表面23b之方式而形成。
於第5實施形態中，亦與第1~第4實施形態同樣地，入射至光二極體PD5之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長。藉此，光二極體PD5中，亦可提高於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性。第5實施形態中，第2半導體基板23(經薄化之部分)作為累積層來發揮功能。
第5實施形態中，於形成不規則之凹凸10之前，將第2半導體基板23中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2半導體基板23之表面23a側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。藉此，可獲得分別將第1半導體基板21之表面21a及第2半導體基板23之表面23a側作為光入射面之光二極體PD5。光二極體PD5可進行覆晶安裝。
第5實施形態中，若將較第2半導體基板23更高之比電阻之第1半導體基板21規定為I型，則藉由p+ 型半導體區域3、第1半導體基板21及第2半導體基板23，而光二極體PD5構成了PIN光二極體。
(第6實施形態)
參照圖33~圖36，對第6實施形態之光二極體之製造方法加以說明。圖33~圖36係用以對第6實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
第6實施形態之製造方法係直至藉由離子植入等將n型雜質添加於傾斜狀部25中為止，與第5實施形態之製造方法相同，而省略至此為止之步驟之說明。將第2半導體基板23中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2半導體基板23之表面23a(DBW之第2主面)側起除去，而殘留該部分之周邊部分(參照圖33)。藉此，第1半導體基板21之表面21b中之與p+ 型半導體區域3對應之區域露出。
第2半導體基板23之除去可與第5實施形態同樣地，藉由鹼性蝕刻之各向異性蝕刻而進行。(100)面方位之第2半導體基板23可容易地進行鹼性蝕刻。另一方面，(111)面方位之第1半導體基板21係與(100)面方位之第2半導體基板23相比較，鹼性蝕刻之速度慢大致100分之1倍左右。因此，(111)面方位之第1半導體基板21作為蝕刻終止層來發揮功能。藉此，可進行精度良好之蝕刻加工，並且蝕刻步驟中之作業性提高。藉由使用上述DBW，利用面方位之蝕刻速率之不同，可精度良好地獲得均勻厚度之第1半導體基板21。
其次，於第1半導體基板21之表面21b中之與p+ 型半導體區域3對應之區域，形成累積層11(參照圖34)。累積層11之形成係與第1實施形態同樣地進行。累積層11之厚度例如為3 μm左右。
繼而，對第1半導體基板21之表面21b照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10(參照圖35)。不規則之凹凸10之形成係與第1實施形態同樣地進行。
其次，與第1實施形態同樣地，於對DBW(第1半導體基板21及第2半導體基板23)進行熱處理之後，形成電極13、15(參照圖36)。藉此，完成光二極體PD6。電極15係與第5實施形態同樣地，以覆蓋n+ 型半導體區域5及第2半導體基板23之表面23b之方式而形成。
於第6實施形態中，亦與第1~第5實施形態同樣地，入射至光二極體PD6之光之行進距離變長，吸收光之距離亦變長。藉此，光二極體PD6中，亦可提高於近紅外光之波長帶域之光譜靈敏度特性。光二極體PD6係與光二極體PD5同樣地構成了PIN光二極體。
第6實施形態中，於形成不規則之凹凸10之前，將第2半導體基板23中之與p+ 型半導體區域3對應之部分自第2半導體基板23之表面23a側起除去，而殘留該部分之周邊部分。藉此，可獲得分別將第1半導體基板21之表面21a及第2半導體基板23之表面23a側作為光入射面之光二極體PD6。光二極體PD6可進行覆晶安裝。
以上，對本發明之較佳實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，於不脫離其主旨之範圍內可進行各種變更。
本實施形態中，遍及第2主面1b之整個表面照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10，但並不限定於此。例如，亦可僅對n- 型半導體基板1之第2主面1b中之與p+ 型半導體區域3對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10。第5實施形態中，亦可僅對第2半導體基板23之表面23a中之與p+ 型半導體區域3對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10。第6實施形態中，亦可僅對第1半導體基板21之表面21b中之與p+ 型半導體區域3對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸10。
本實施形態中，將電極15與形成於n- 型半導體基板1之第1主面1a側之n+ 型半導體區域5電性接觸且連接，但並不限定於此。例如，亦可將電極15與形成於n- 型半導體基板1之第2主面1b側之累積層11電性接觸且連接。於該情形時，較佳為於n- 型半導體基板1之第2主面1b中之與p+ 型半導體區域3對向之區域以外，形成電極15。其原因在於，若於n- 型半導體基板1之第2主面1b中之與p+ 型半導體區域3對向之區域形成電極15，則形成於第2主面1b之不規則之凹凸10由電極15堵塞，而產生近紅外光之波長帶域中之光譜靈敏度下降之現象。
亦可將本實施形態之光二極體PD1~PD6中之p型及n型之各導電型替換為與上述相反。
產業上之可利用性
本發明可用於半導體光檢測元件及光檢測裝置。
1．．．n- 型半導體基板
1a．．．第1主面
1b．．．第2主面
3．．．p+ 型半導體區域
5．．．n+ 型半導體區域
10．．．不規則之凹凸
11．．．累積層
13、15．．．電極
H1、H2．．．接觸孔
PD1~PD6．．．光二極體
PL．．．脈衝雷射光
圖1係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖2係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖3係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖4係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖5係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖6係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖7係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖8係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖9係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖10係用以對第1實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖11係表示第1實施形態之光二極體之構成之圖。
圖12係表示實施例1及比較例1中之光譜靈敏度相對於波長之變化之線圖。
圖13係表示實施例1及比較例1中之溫度係數相對於波長之變化之線圖。
圖14係用以對第2實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖15係用以對第2實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖16係用以對第2實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖17係用以對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖18係用以對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖19係用以對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖20係用以對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖21係用以對第3實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖22係用以對第4實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖23係用以對第4實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖24係用以對第4實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖25係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖26係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖27係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖28係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖29係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖30係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖31係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖32係用以對第5實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖33係用以對第6實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖34係用以對第6實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖35係用以對第6實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
圖36係用以對第6實施形態之光二極體之製造方法進行說明之圖。
1．．．n- 型半導體基板
1a．．．第1主面
1b．．．第2主面
3．．．p+ 型半導體區域
5．．．n+ 型半導體區域
7．．．絕緣層
10．．．不規則之凹凸
11．．．累積層
13、15．．．電極
H1、H2．．．接觸孔
PD1．．．光二極體

Claims (13)

  1. 一種光二極體之製造方法，其特徵在於包括以下步驟：準備矽基板，該矽基板包含第1導電型之半導體，具有相互對向之第1主面及第2主面，並且於上述第1主面側形成有第2導電型之半導體區域；對上述矽基板之上述第2主面中之至少與第2導電型之上述半導體區域對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸；於形成不規則之凹凸之上述步驟之後，於上述矽基板之上述第2主面側形成具有較上述矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層；及於形成第1導電型之上述累積層之上述步驟之後，對上述矽基板進行熱處理。
  2. 如請求項1之光二極體之製造方法，其中進而包括如下步驟：於形成不規則之上述凹凸之上述步驟之前，將上述矽基板中之與第2導電型之上述半導體區域對應之部分自上述第2主面側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。
  3. 一種光二極體之製造方法，其特徵在於包括以下步驟：準備矽基板，該矽基板包含第1導電型之半導體，具有相互對向之第1主面及第2主面，並且於上述第1主面側形成有第2導電型之半導體區域；於上述矽基板之上述第2主面側形成具有較上述矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層； 於形成第1導電型之上述累積層之步驟之後，對上述矽基板之上述第2主面中之至少與第2導電型之上述半導體區域對向之區域照射脈衝雷射光，而形成不規則之凹凸；及於形成不規則之上述凹凸之上述步驟之後，對上述矽基板進行熱處理。
  4. 如請求項3之光二極體之製造方法，其中進而包括如下步驟：於形成第1導電型之上述累積層之步驟之前，將上述矽基板中之與第2導電型之上述半導體區域對應之部分自上述第2主面側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。
  5. 如請求項3或4之光二極體之製造方法，其中使第1導電型之上述累積層之厚度大於不規則之上述凹凸之高低差。
  6. 如請求項1至4中任一項之光二極體之製造方法，其中於準備上述矽基板之上述步驟中，作為上述矽基板，準備於上述第1主面側進而形成有具有較上述矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之半導體區域的矽基板，且該製造方法進而包括如下步驟：於對上述矽基板進行熱處理之步驟之後，形成與上述第1導電型之半導體區域電性連接之電極、及與上述第2導電型之半導體區域電性連接之電極。
  7. 如請求項1至4中任一項之光二極體之製造方法，其中於形成不規則之上述凹凸之上述步驟中，照射皮秒~飛秒 脈衝雷射光作為脈衝雷射光。
  8. 一種光二極體，其特徵在於：其包括矽基板，該矽基板包含第1導電型之半導體，具有相互對向之第1主面及第2主面，並且於上述第1主面側形成有第2導電型之半導體區域，於上述矽基板之上述第2主面側形成有有具有較上述矽基板更高之雜質濃度之第1導電型之累積層，並且於上述第2主面中之至少與第2導電型之上述半導體區域對向之區域形成有不規則之凹凸，上述矽基板之上述第2主面中之與第2導電型之上述半導體區域對向的上述區域係光學性地露出。
  9. 如請求項8之光二極體，其中將上述矽基板之與第2導電型之上述半導體區域對應之部分自上述第2主面側起薄化，而殘留該部分之周邊部分。
  10. 如請求項8或9之光二極體，其中第1導電型之上述累積層之厚度大於不規則之上述凹凸之高低差。
  11. 如請求項8之光二極體，其中上述矽基板包括：第1半導體基板，其包含第1導電型之半導體；及第2半導體基板，其貼附於上述第1半導體基板上，包含第1導電型之半導體，並且具有較上述第1半導體基板更高之雜質濃度；於上述第1半導體基板之與和上述第2半導體基板之貼附面對向之面側，形成有第2導電型之上述半導體區域， 於上述第2半導體基板之與和上述第1半導體基板之貼附面對向之面中的至少與第2導電型之上述半導體區域對向之區域，形成有不規則之凹凸。
  12. 如請求項8之光二極體，其中上述矽基板包括：第1半導體基板，其包含第1導電型之半導體；及第2半導體基板，其貼附於上述第1半導體基板上，包含第1導電型之半導體，並且具有較上述第1半導體基板更高之雜質濃度；於上述第1半導體基板之與和上述第2半導體基板之貼附面對向之面側，形成有第2導電型之上述半導體區域，上述第1半導體基板之上述貼附面中之至少與第2導電型之上述半導體區域對向的區域露出且形成有不規則之凹凸。
  13. 如請求項11或12之光二極體，其中上述第1半導體基板之面方位為(111)，上述第2半導體基板之面方位為(100)。
TW099105359A 2009-02-24 2010-02-24 Method for manufacturing photodiode and photodiode TWI495134B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009041078 2009-02-24
JP2009136416 2009-06-05
JP2009221098A JP5185236B2 (ja) 2009-02-24 2009-09-25 フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201101526A TW201101526A (en) 2011-01-01
TWI495134B true TWI495134B (zh) 2015-08-01

Family

ID=42665433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099105359A TWI495134B (zh) 2009-02-24 2010-02-24 Method for manufacturing photodiode and photodiode

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5185236B2 (zh)
TW (1) TWI495134B (zh)
WO (1) WO2010098223A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9583651B2 (en) * 2011-12-26 2017-02-28 Solexel, Inc. Systems and methods for enhanced light trapping in solar cells
JP2016062996A (ja) 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 光検出器
CN112640111A (zh) * 2018-09-11 2021-04-09 索尼半导体解决方案公司 固态成像装置和电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59224183A (ja) * 1983-06-03 1984-12-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPH07235658A (ja) * 1994-02-22 1995-09-05 Sony Corp 固体撮像装置及びそのセンサ構造の形成方法
US5763903A (en) * 1994-08-17 1998-06-09 Seiko Instruments Inc. Avalanche photodiode for light detection
TW200509383A (en) * 2003-07-23 2005-03-01 Hamamatsu Photonics Kk Back-side incidence type light-detecting element
JP2008515196A (ja) * 2004-09-24 2008-05-08 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 硫黄がドープされたレーザーによってミクロ構造化された表面層を有するシリコンベースの検出器製造方法
WO2008139644A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-20 Sony Corporation 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50147230A (zh) * 1974-05-15 1975-11-26
JPS59117274A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Toshiba Corp 太陽電池の製造方法
JPS6218075A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Agency Of Ind Science & Technol 光電変換装置
JP3133494B2 (ja) * 1992-07-21 2001-02-05 三洋電機株式会社 光起電力素子
JPH1070298A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 太陽電池およびその製造方法
US6207890B1 (en) * 1997-03-21 2001-03-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic element and method for manufacture thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59224183A (ja) * 1983-06-03 1984-12-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPH07235658A (ja) * 1994-02-22 1995-09-05 Sony Corp 固体撮像装置及びそのセンサ構造の形成方法
US5763903A (en) * 1994-08-17 1998-06-09 Seiko Instruments Inc. Avalanche photodiode for light detection
TW200509383A (en) * 2003-07-23 2005-03-01 Hamamatsu Photonics Kk Back-side incidence type light-detecting element
JP2008515196A (ja) * 2004-09-24 2008-05-08 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 硫黄がドープされたレーザーによってミクロ構造化された表面層を有するシリコンベースの検出器製造方法
WO2008139644A1 (ja) * 2007-05-07 2008-11-20 Sony Corporation 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201101526A (en) 2011-01-01
JP2011014856A (ja) 2011-01-20
JP5185236B2 (ja) 2013-04-17
WO2010098223A1 (ja) 2010-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI481052B (zh) Photodiode and photodiode array
TWI501387B (zh) Semiconductor photodetection element
TWI466309B (zh) Method for manufacturing photodiode and photodiode
TWI476906B (zh) Photodiode and photodiode array
JP5805680B2 (ja) フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ
WO2010140621A1 (ja) 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法
TWI495134B (zh) Method for manufacturing photodiode and photodiode
JP6303040B2 (ja) フォトダイオードの製造方法
JP5363222B2 (ja) 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法
JP5261304B2 (ja) 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法