JPS59117274A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS59117274A JPS59117274A JP57226336A JP22633682A JPS59117274A JP S59117274 A JPS59117274 A JP S59117274A JP 57226336 A JP57226336 A JP 57226336A JP 22633682 A JP22633682 A JP 22633682A JP S59117274 A JPS59117274 A JP S59117274A
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- phosphorus glass
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレーザ光による太陽電池の製造方法に関する。
従来の太陽電池の製造工程では第１図に示すように、ｐ
形導電形になる半導体基板（１）の表面層を各種の方法
でｎ形に形成してｐｎ接合を形成した後、裏面電極（２
）と表（２）層側に格子状電極（３）を形成する。
形導電形になる半導体基板（１）の表面層を各種の方法
でｎ形に形成してｐｎ接合を形成した後、裏面電極（２
）と表（２）層側に格子状電極（３）を形成する。
さらに格子状電極（３）の上に入射光（４）の反射防止
のだめのコーティング層（５）を形成している。このよ
うな太陽電池では半導体基板（２）にはあらかじめスラ
イスしたままのウェハの面をエツチングし微小ピラミッ
ドの構造をもった面にして入射光の吸収率を向上させる
ための処理工程を設けている。しかし、このピラミッド
構造は、その形成に多くの時間を費し、また、後の工程
であるｐｎ接合においそ均一に接合しにくくする不都合
がある。
のだめのコーティング層（５）を形成している。このよ
うな太陽電池では半導体基板（２）にはあらかじめスラ
イスしたままのウェハの面をエツチングし微小ピラミッ
ドの構造をもった面にして入射光の吸収率を向上させる
ための処理工程を設けている。しかし、このピラミッド
構造は、その形成に多くの時間を費し、また、後の工程
であるｐｎ接合においそ均一に接合しにくくする不都合
がある。
本発明は光吸収率を向上させる表面形成を簡易に行える
方法を提供することを目的とする。
方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、太陽筒１池となる半導体基
板の表面層を短パルス高エネルギビームで照射し上記半
導体の表面を光学的粗面に形成し光吸収率を向上させる
ようにしたものである。
板の表面層を短パルス高エネルギビームで照射し上記半
導体の表面を光学的粗面に形成し光吸収率を向上させる
ようにしたものである。
第２図は本発明の第１の実施例で、００は短ノくルス高
ピーク出力のレーザ光（１１）を放出するＱスイッチパ
ルスＹＡＧレーザ発振装置、 ＴＥＡ炭酸ガスレーザ発
振装置、エキシマレーザ発振装置などからなる発振装置
、α２は二個の平面反射鏡（１３ａ）、 （１３ｂ）を
内側に折曲した形に接合した複合反射鏡でレーザ光αυ
を受は被照射物であるシリコン基板（１４）に照射する
位置に設けられている。上記平面反射鏡（１３ａ）、
（１３ｂ）がなす折曲角度はシリコン基板αａの照射面
でそれぞれ入射したレーザ光が重なシ合うように設定さ
れている。また、シリコン基板（１４）は面指数（１０
０） 、比抵抗１Ω函のｐ形基板であって、その表面に
は減圧ＣＶＤ法によシ約０．８μｍ厚のリンガラス層０
！５１が形成されている。このようなシリコン基板Ｉに
対しレーザ光測をリンガラス層（１，５１との界面部分
のみが溶融するようにレーザ光測とシリコン基板（Ｉ４
）とを相対的に走査して全面照射する。
ピーク出力のレーザ光（１１）を放出するＱスイッチパ
ルスＹＡＧレーザ発振装置、 ＴＥＡ炭酸ガスレーザ発
振装置、エキシマレーザ発振装置などからなる発振装置
、α２は二個の平面反射鏡（１３ａ）、 （１３ｂ）を
内側に折曲した形に接合した複合反射鏡でレーザ光αυ
を受は被照射物であるシリコン基板（１４）に照射する
位置に設けられている。上記平面反射鏡（１３ａ）、
（１３ｂ）がなす折曲角度はシリコン基板αａの照射面
でそれぞれ入射したレーザ光が重なシ合うように設定さ
れている。また、シリコン基板（１４）は面指数（１０
０） 、比抵抗１Ω函のｐ形基板であって、その表面に
は減圧ＣＶＤ法によシ約０．８μｍ厚のリンガラス層０
！５１が形成されている。このようなシリコン基板Ｉに
対しレーザ光測をリンガラス層（１，５１との界面部分
のみが溶融するようにレーザ光測とシリコン基板（Ｉ４
）とを相対的に走査して全面照射する。
この照射によシリンガラス層叫に含まれるリンがシリコ
ン基板Ｈに拡散しｎ形が形成されると同時に、リンガラ
ス層を含む表面層には第３図に示すように、細かい波状
の凹凸（２）が形成されている。
ン基板Ｈに拡散しｎ形が形成されると同時に、リンガラ
ス層を含む表面層には第３図に示すように、細かい波状
の凹凸（２）が形成されている。
これは面積方向に微細な干渉パタンなどにもとすく強度
むらが多数形成されるので、その濃淡の分布に応じて表
面に温度分布が生じ、急冷時にはその分布に影響され、
この結果凹凸となって現わることによる。上記の凹凸は
レーザ照射後におけるリンガラス層の残部ガラスを沸酸
で除去してもそのまま残り、光吸収率を向上させる面と
して作用する。上記の凹凸（ｌｅの形成後は表裏面側に
それぞれ電極を形成しまた必要に応じ表面側電極面に保
護膜を形成して太陽電池とする。
むらが多数形成されるので、その濃淡の分布に応じて表
面に温度分布が生じ、急冷時にはその分布に影響され、
この結果凹凸となって現わることによる。上記の凹凸は
レーザ照射後におけるリンガラス層の残部ガラスを沸酸
で除去してもそのまま残り、光吸収率を向上させる面と
して作用する。上記の凹凸（ｌｅの形成後は表裏面側に
それぞれ電極を形成しまた必要に応じ表面側電極面に保
護膜を形成して太陽電池とする。
第４図は本発明の第２の実施例で、一方向に揃った波状
を呈する凹凸を形成した第１の実施例に変え、格子状の
凹凸を形成するようにしたものである。すなわち、第１
の実施例で示しだ複合反射鏡（１つと同様になる一対の
複合反射＠ （１７ａ）、 （１７ｂ）を直交するよう
に対面させて照射するようにすれば、第５図に示すよう
にシリコン基板０ａの表面に格子状の凹凸（１８を形成
させることができる。
を呈する凹凸を形成した第１の実施例に変え、格子状の
凹凸を形成するようにしたものである。すなわち、第１
の実施例で示しだ複合反射鏡（１つと同様になる一対の
複合反射＠ （１７ａ）、 （１７ｂ）を直交するよう
に対面させて照射するようにすれば、第５図に示すよう
にシリコン基板０ａの表面に格子状の凹凸（１８を形成
させることができる。
なお、第６図乃至第８図は本発明の第３乃第５の実施例
で、複合反射鏡変え各種のプリズム（１９ａ）および（
１９ｂ）−１たけ（２（１ｍ、あるいはプリズム（２０
とレンズＣ７２）とをそれぞれレーザ光α２の光路に配
置して照射した例を示したものである。これらの実施例
においてもシリコン基板（１荀の表面に波状、格子状の
凹凸が形成される。
で、複合反射鏡変え各種のプリズム（１９ａ）および（
１９ｂ）−１たけ（２（１ｍ、あるいはプリズム（２０
とレンズＣ７２）とをそれぞれレーザ光α２の光路に配
置して照射した例を示したものである。これらの実施例
においてもシリコン基板（１荀の表面に波状、格子状の
凹凸が形成される。
本発明によればレーザ光の照射で半導体基板内にｐｎ接
合を形成すると同時に表面に光吸収率を向上させる面を
形成するので、工程が著しく簡略になるという実用的効
果を得ることができた。
合を形成すると同時に表面に光吸収率を向上させる面を
形成するので、工程が著しく簡略になるという実用的効
果を得ることができた。
第１図は従来技術を説明するための断面図、第２図は本
発明の第１の実施例を説明するだめの概要図、第３図は
上記第１の実施例で得られた表面形状を示す斜視図、第
４図は本発明の第２の実施例を示す構成図、第５図は上
記第２の実施例で得られた表面形状を示す斜視図、第６
図乃第８図は本発明の第３乃至第５の実施例を説明する
だめの概要図である。 ■・・・レーザ発振器 （１２・・・複合反射鏡
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
発明の第１の実施例を説明するだめの概要図、第３図は
上記第１の実施例で得られた表面形状を示す斜視図、第
４図は本発明の第２の実施例を示す構成図、第５図は上
記第２の実施例で得られた表面形状を示す斜視図、第６
図乃第８図は本発明の第３乃至第５の実施例を説明する
だめの概要図である。 ■・・・レーザ発振器 （１２・・・複合反射鏡
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
Claims (1)
- 半導体基板の表面層を短パルス高エネルギビームで照射
し上記半導体の表面を光学的粗面に形成するようにした
ことを％徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226336A JPS59117274A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226336A JPS59117274A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117274A true JPS59117274A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16843565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57226336A Pending JPS59117274A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117274A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010098223A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| TWI420676B (zh) * | 2008-08-22 | 2013-12-21 | Big Sun Energy Technology Inc | 具有齒狀電極之太陽能電池及其製造方法 |
| US8629485B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-01-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetection element |
| US8742528B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| US8916945B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-detecting element |
| US9190551B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP57226336A patent/JPS59117274A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI420676B (zh) * | 2008-08-22 | 2013-12-21 | Big Sun Energy Technology Inc | 具有齒狀電極之太陽能電池及其製造方法 |
| WO2010098223A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| JP2011014856A (ja) * | 2009-02-24 | 2011-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| US8629485B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-01-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetection element |
| US8742528B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| US8916945B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-detecting element |
| US8994135B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-03-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| US9190551B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| US9419159B2 (en) | 2009-02-24 | 2016-08-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-detecting element |
| US9614109B2 (en) | 2009-02-24 | 2017-04-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| US9972729B2 (en) | 2009-02-24 | 2018-05-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
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