JPS59224183A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59224183A JPS59224183A JP58099246A JP9924683A JPS59224183A JP S59224183 A JPS59224183 A JP S59224183A JP 58099246 A JP58099246 A JP 58099246A JP 9924683 A JP9924683 A JP 9924683A JP S59224183 A JPS59224183 A JP S59224183A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＰＩＮ接合を少なくとも１つ有する光電変換
装置に関する。
装置に関する。
この発明は絶縁性表面を有する基板上の導電膜よりなる
第１の電極または導電性基板よりなる第１の電極と、こ
の電極上に少なくとも１つのＰＩＮ接合を有する非単結
晶半導体き、該半導体上に密接して第２の電極を有する
光電変換装置において、特にＰＩＮ接合の一部を構成す
る微結晶または多結晶性を有するＮまたはＰ型の半導体
は、第２の電極と凹凸面を有して密接せしめた構造に関
する。
第１の電極または導電性基板よりなる第１の電極と、こ
の電極上に少なくとも１つのＰＩＮ接合を有する非単結
晶半導体き、該半導体上に密接して第２の電極を有する
光電変換装置において、特にＰＩＮ接合の一部を構成す
る微結晶または多結晶性を有するＮまたはＰ型の半導体
は、第２の電極と凹凸面を有して密接せしめた構造に関
する。
この発明は光電変換装置における基板に対し反対側即ち
裏面側電極（第２電極）近傍において、照射光のうちＩ
型半導体層にてホールおよび電子を発佳しきれなかった
光を再び反射してＩ型半導体層内に導入することにより
、効率の向上を図るものである。
裏面側電極（第２電極）近傍において、照射光のうちＩ
型半導体層にてホールおよび電子を発佳しきれなかった
光を再び反射してＩ型半導体層内に導入することにより
、効率の向上を図るものである。
この裏面での反射を促すためには、照射光が延べ２回通
過する裏面側に設けられているＰまたはＮ型の半導体層
の吸収係数を小すク１−ること力）きわめて重要である
。
過する裏面側に設けられているＰまたはＮ型の半導体層
の吸収係数を小すク１−ること力）きわめて重要である
。
かかる目的のため、このＰまたはＮ型半導体層を５〜１
００への結晶粒径を有する微結晶またしま１００〜２０
００ムの結晶粒径を有する多結晶構造く以下単に微結晶
という）を（１１０）面またはその近傍の結晶方位を有
する特に繊維構造を有せしめて設けることがきわめて重
要である。かかる微結晶構造とすることにより、このＰ
またはＮ型半導体層の光吸収係数を少な（できることが
知られて（、＞る。
００への結晶粒径を有する微結晶またしま１００〜２０
００ムの結晶粒径を有する多結晶構造く以下単に微結晶
という）を（１１０）面またはその近傍の結晶方位を有
する特に繊維構造を有せしめて設けることがきわめて重
要である。かかる微結晶構造とすることにより、このＰ
またはＮ型半導体層の光吸収係数を少な（できることが
知られて（、＞る。
しかしかかる微結晶化層をさらに十分に調べると、約５
０％（３０〜７０％）の結晶と、他の約５０％＜１０〜
３０％）の非結晶とが混合して存在してもへることがわ
かった。
０％（３０〜７０％）の結晶と、他の約５０％＜１０〜
３０％）の非結晶とが混合して存在してもへることがわ
かった。
本発明は、かかる混合層のうち特に非結晶成分（アモル
ファスまたは結晶化度が２０％以下の成分を示す）を概
略除去し、このＰまたはＮ型半導体層を結晶成分が大■
１−分（７０％以上好ましくは９０〜１００％）とする
ことにより、この半導体層での光吸収による損失を少な
くせしめたことを特徴とする。
ファスまたは結晶化度が２０％以下の成分を示す）を概
略除去し、このＰまたはＮ型半導体層を結晶成分が大■
１−分（７０％以上好ましくは９０〜１００％）とする
ことにより、この半導体層での光吸収による損失を少な
くせしめたことを特徴とする。
さらに本発明はかかる混合層のうち、非結晶成分が３０
〜２００ＯＡのピッチを有するその表面を凹凸表面また
は繊維状または針状表面（以下単に凹凸表面という）に
せしめ、この界面において光を乱反射せしめ、結果とし
て光路長を大きくしたことを特長としている。その結果
、長丸路長を有せしめることにより１、光吸収係数の低
い６００ｎｍ以上の長波長光によって、ホール・電子対
を■型半導体層にて発生せしめたものである。
〜２００ＯＡのピッチを有するその表面を凹凸表面また
は繊維状または針状表面（以下単に凹凸表面という）に
せしめ、この界面において光を乱反射せしめ、結果とし
て光路長を大きくしたことを特長としている。その結果
、長丸路長を有せしめることにより１、光吸収係数の低
い６００ｎｍ以上の長波長光によって、ホール・電子対
を■型半導体層にて発生せしめたものである。
本発明はさらにこの凹凸表面に密接して、透光性導電膜
（以下ＣＴＦという）を設け、さあにこの導電膜に密接
して反射性金属（以下ＲＭという）を設けたものである
。
（以下ＣＴＦという）を設け、さあにこの導電膜に密接
して反射性金属（以下ＲＭという）を設けたものである
。
さらに本発明はこの凹凸部にて半導体と電極とを密接せ
しめ、この接触面積を大きくし、ひいてはこの界面での
接触抵抗を減少させることにより光電変換装置としての
曲線因子の向」二を図ったものである。
しめ、この接触面積を大きくし、ひいてはこの界面での
接触抵抗を減少させることにより光電変換装置としての
曲線因子の向」二を図ったものである。
即ち特にＮ型の凹凸表面に密接して酸化スズな１０重景
％以下含む酸化インジューム（以下単にＩＴＯという）
、またはＰ型の凹凸表面に密接して酸化アンチモンを１
０重量％以下含む酸化スズ（以下単に酸化スズまたはＳ
ｎＯという）を設け、これらのＣＴＦに密接してアルミ
ニューム、銀または珪素が２％以下添加されたアルミニ
ュームをＲＭとして設けたものである。
％以下含む酸化インジューム（以下単にＩＴＯという）
、またはＰ型の凹凸表面に密接して酸化アンチモンを１
０重量％以下含む酸化スズ（以下単に酸化スズまたはＳ
ｎＯという）を設け、これらのＣＴＦに密接してアルミ
ニューム、銀または珪素が２％以下添加されたアルミニ
ュームをＲＭとして設けたものである。
さらにＣＴＦを構成する酸素とＰまたはＮ型の半導体と
が長期信頼性において反応すると、その界面に酸化珪素
が作られて、電気伝導度を減少させてしまう。しかしこ
の酸化において、非結晶半導体の珪素と酸素との反応に
よって主として作られることが判明した。このため、本
発明はこのＣＴＦに密接するＰまたはＮ型の半導体から
非結晶質を除去し、結晶質とすることにより、このＰま
たはＮ型半導体とＣＴＦとの界面に酸化珪素膜が作られ
ることを防ぎ、ひいては長期信頼性の向上を得ることを
特長としている。
が長期信頼性において反応すると、その界面に酸化珪素
が作られて、電気伝導度を減少させてしまう。しかしこ
の酸化において、非結晶半導体の珪素と酸素との反応に
よって主として作られることが判明した。このため、本
発明はこのＣＴＦに密接するＰまたはＮ型の半導体から
非結晶質を除去し、結晶質とすることにより、このＰま
たはＮ型半導体とＣＴＦとの界面に酸化珪素膜が作られ
ることを防ぎ、ひいては長期信頼性の向上を得ることを
特長としている。
従来光電変換装置として第１図にその縦断面図を示した
ものが知られている。かかる光電変換装置において、基
板（２５） ｌに３００〜２５００ムの平均膜厚の凹凸
表面を有するＩＴＯ（２６） 、さらにその上面に酸化
スズ（２７）が２００〜５００六の平均膜厚で形成され
ている第１の電極が設けられている。
ものが知られている。かかる光電変換装置において、基
板（２５） ｌに３００〜２５００ムの平均膜厚の凹凸
表面を有するＩＴＯ（２６） 、さらにその上面に酸化
スズ（２７）が２００〜５００六の平均膜厚で形成され
ている第１の電極が設けられている。
さらにこの上面にＰ型半導体ｉ （２９）を約１００Ａ
。
。
の膜厚に５ｉｘＣ，、（０＜ ｘ ＜ １ ｘ ’−
０，２）で、さらに約５０００六の厚さの非結晶質特に
結晶化度の低くかつ水素またはハロゲン元素が添加され
た珪素よりなる■型半導体（３０） 、さらにこの上面
に約３００ムの厚さの微結晶混合構造を有するＮ型半導
体（３１）よりなるＰＩＮ接合を少なくとも１つ有する
非単結晶半導体（４０）が設けられている。
０，２）で、さらに約５０００六の厚さの非結晶質特に
結晶化度の低くかつ水素またはハロゲン元素が添加され
た珪素よりなる■型半導体（３０） 、さらにこの上面
に約３００ムの厚さの微結晶混合構造を有するＮ型半導
体（３１）よりなるＰＩＮ接合を少なくとも１つ有する
非単結晶半導体（４０）が設けられている。
この−半導体（４０）上に、銀のごとき反射性金属（３
４）が第２の電極として設けられている。
４）が第２の電極として設けられている。
かかる光電変換装置においては、入射光（１０）の第１
の電極での反射を防ぐことができ、変換効率の向上にき
わめて優れている。その結果、ＡＭＩ（１００ｍＷ ／
ｃａ ）の照射光（１０） ニより、変換効率８．３
％（開放電圧０．８６Ｖ 、短絡電流１６．３ｍＡ／ｃ
Ｊ曲線因子０．６３）を得ることができた。
の電極での反射を防ぐことができ、変換効率の向上にき
わめて優れている。その結果、ＡＭＩ（１００ｍＷ ／
ｃａ ）の照射光（１０） ニより、変換効率８．３
％（開放電圧０．８６Ｖ 、短絡電流１６．３ｍＡ／ｃ
Ｊ曲線因子０．６３）を得ることができた。
しかしかかる構造においては、入射光（１０）のうち６
００ｎｍ以」二の長波長光（４１）ば５０００ムしかな
い■型半導体においては十分吸収されない。その結果、
裏面電極（３４）との界面に至り、再び反射（４２）さ
れて半導体層内に戻される。
００ｎｍ以」二の長波長光（４１）ば５０００ムしかな
い■型半導体においては十分吸収されない。その結果、
裏面電極（３４）との界面に至り、再び反射（４２）さ
れて半導体層内に戻される。
しかしこの場合、Ｎ型半導体層はＮ型用の不純物が多量
に混入しており、吸収係数の大きい非単結晶層が５０〜
７０％も存在しているため、ここでの２回の通過により
光は多量に失われてしまい、反射光（４２）は弱くなっ
てしまうことか判明した。
に混入しており、吸収係数の大きい非単結晶層が５０〜
７０％も存在しているため、ここでの２回の通過により
光は多量に失われてしまい、反射光（４２）は弱くなっ
てしまうことか判明した。
本発明はかかる欠点を除去したもので、Ｎ型半導体層を
吸収の低い結晶半導体を大部分として、ここでの吸収損
失を少なくしたものである。さらにこの裏面電極での反
射光（４２）が、単にそのまま垂直方向に反射させ厚さ
分のみの光路長しかないのではなく、その２〜３倍も有
するようにこのＮ型半導体と反射性電極との界面を凹凸
表面として乱反射せしめたものである。
吸収の低い結晶半導体を大部分として、ここでの吸収損
失を少なくしたものである。さらにこの裏面電極での反
射光（４２）が、単にそのまま垂直方向に反射させ厚さ
分のみの光路長しかないのではなく、その２〜３倍も有
するようにこのＮ型半導体と反射性電極との界面を凹凸
表面として乱反射せしめたものである。
第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。
第２図（Δ）において、透光性絶縁性基板（２５）上に
凹凸表面を有するＩＴＯを平均膜厚で３００〜３０００
ム好ましくは５００〜２０００六の厚さに設けた。
凹凸表面を有するＩＴＯを平均膜厚で３００〜３０００
ム好ましくは５００〜２０００六の厚さに設けた。
このＩＴＯは電子ビーム蒸着法を用い、表面温度を３５
０℃以上好ましくば４００〜５００°Ｃで作製した。
０℃以上好ましくば４００〜５００°Ｃで作製した。
か（することにより、ピッチは３００〜２０００ムの大
きさを有し、上方よりは円形または楕円形を有する柱状
すなわち繊維状の凸部が成長により作ら。
きさを有し、上方よりは円形または楕円形を有する柱状
すなわち繊維状の凸部が成長により作ら。
れ、四部と凸部の高低差は２００〜１０００六を有して
いた。
いた。
かかるＩＴＯを形成してしまった後、その上面をフロン
キング層として、酸化スズを平均膜厚にて１００〜４０
０六の平均厚さに電子ビーム蒸着法または光エネルギー
により励起された電子ビーム蒸着法により形成した。か
かるＩＴＯ−３ｎＯ，の２層股上にＰ型の半導体を５ｉ
ｘＣ１−７，０＜ ｘ ＜ ｌ ｘ ｚＱ、２を公知
のプラズマ気相法、フォトＣＶＤ法またはフォト・プラ
ズマ気相法により平均膜厚約１００六で形成した。さら
にその上面を■型半導体層をＳｉを主成分とする非単結
晶半導体により約０．５μの厚さに作製した。この珪素
は光をより吸収させ、電子・ボール対を発生させるため
に結晶化率を２０％以下または非結晶半導体とした。さ
らに電気的特性をより向上させるために、水素またはハ
ロゲン元素が添加された珪素中の不純物としての酸素が
Ｉ Ｘ１０１９ｃｍ”以下好ましくはＩ Ｘ １０１１
０ｌ８’以下、窒素５ ＸＩＯ’ ｃｍ−’以下好まし
くは５×１０円ｃｍ−”に）下、リン５ ＸＩＯ′８ｃ
ｍ＝以下好ましくば以下ＸＩＯ” ｃｍ−”以下に使用
ガスを純化して作製した。
キング層として、酸化スズを平均膜厚にて１００〜４０
０六の平均厚さに電子ビーム蒸着法または光エネルギー
により励起された電子ビーム蒸着法により形成した。か
かるＩＴＯ−３ｎＯ，の２層股上にＰ型の半導体を５ｉ
ｘＣ１−７，０＜ ｘ ＜ ｌ ｘ ｚＱ、２を公知
のプラズマ気相法、フォトＣＶＤ法またはフォト・プラ
ズマ気相法により平均膜厚約１００六で形成した。さら
にその上面を■型半導体層をＳｉを主成分とする非単結
晶半導体により約０．５μの厚さに作製した。この珪素
は光をより吸収させ、電子・ボール対を発生させるため
に結晶化率を２０％以下または非結晶半導体とした。さ
らに電気的特性をより向上させるために、水素またはハ
ロゲン元素が添加された珪素中の不純物としての酸素が
Ｉ Ｘ１０１９ｃｍ”以下好ましくはＩ Ｘ １０１１
０ｌ８’以下、窒素５ ＸＩＯ’ ｃｍ−’以下好まし
くは５×１０円ｃｍ−”に）下、リン５ ＸＩＯ′８ｃ
ｍ＝以下好ましくば以下ＸＩＯ” ｃｍ−”以下に使用
ガスを純化して作製した。
この珪素はシラン（Ｓｉ’ｎ１ｌｚ、＋２ｎ ＞ １
）または珪素のハロゲン化物気体を用いて、プラズマ気
相法、フォトＣＶＤ法、フォト・プラズマ気相法により
作製した。この時フォ＋−ＣＶＯ法において、反応炉内
に導入される反応性気体は、珪化物気体がキャリアガス
に対し１０〜１００％の濃度を有するようにした。
）または珪素のハロゲン化物気体を用いて、プラズマ気
相法、フォトＣＶＤ法、フォト・プラズマ気相法により
作製した。この時フォ＋−ＣＶＯ法において、反応炉内
に導入される反応性気体は、珪化物気体がキャリアガス
に対し１０〜１００％の濃度を有するようにした。
次ぎにＮ型半導体層をＩ型半導体層と同様の手段例えば
プラズマ気相法によって作製した。しかしこの時に珪化
物気体／水素〜１０〜２０例えば１０、円ＩＩ／珪化物
気体へ０．０１とし、微結晶または多結晶構造を有せし
めるようにして作製した。このＮ型半導体は光の吸収損
失をより少な（するため、すべて結晶性を有せしめるこ
とが好ましい。しかし一般にプラズマＣＶＤ法等におい
ては、微結晶構造を有するＮ型半導体層は約５０％が非
結晶質（アモルファス）であり、他の約５０％が微結晶
性を有しているにすぎない。即ち各微結晶性を取り囲む
ごとくにして非結晶質を有していることが判明した。
プラズマ気相法によって作製した。しかしこの時に珪化
物気体／水素〜１０〜２０例えば１０、円ＩＩ／珪化物
気体へ０．０１とし、微結晶または多結晶構造を有せし
めるようにして作製した。このＮ型半導体は光の吸収損
失をより少な（するため、すべて結晶性を有せしめるこ
とが好ましい。しかし一般にプラズマＣＶＤ法等におい
ては、微結晶構造を有するＮ型半導体層は約５０％が非
結晶質（アモルファス）であり、他の約５０％が微結晶
性を有しているにすぎない。即ち各微結晶性を取り囲む
ごとくにして非結晶質を有していることが判明した。
このため本発明においてはこの微結晶Ｎ型半導体層を作
製してしまった後、同一反応炉にてさらに水素を多量に
導入し、珪化物気体／水素％３０〜５０例えば３５とし
て被膜作製を行った。するとか（のどとき多量の水素が
プラズマ化されると、この活性プラズマが非結晶領域の
半導体層を選択的にエツチングしてしまう性質があるこ
とが判明した。
製してしまった後、同一反応炉にてさらに水素を多量に
導入し、珪化物気体／水素％３０〜５０例えば３５とし
て被膜作製を行った。するとか（のどとき多量の水素が
プラズマ化されると、この活性プラズマが非結晶領域の
半導体層を選択的にエツチングしてしまう性質があるこ
とが判明した。
このようにすることにより、Ｎ型半導体層は従来の約５
０％の結晶率から７０〜１００％の結晶のみとすること
が可能となった。さらにこの半導体上の電極に接する面
には、結晶層のみが主として露呈し、凹凸表面を有せし
めることも可能となった。
０％の結晶率から７０〜１００％の結晶のみとすること
が可能となった。さらにこの半導体上の電極に接する面
には、結晶層のみが主として露呈し、凹凸表面を有せし
めることも可能となった。
この結晶化率の向上に加えて、形成されるＮ型半導体層
のうち、微結晶粒の周囲の非−結晶成分のみを選択的に
除去するため、結果としてＮ型半導体層の微結晶粒の大
きさとピッチを有する凹凸表面を構成させることができ
た。
のうち、微結晶粒の周囲の非−結晶成分のみを選択的に
除去するため、結果としてＮ型半導体層の微結晶粒の大
きさとピッチを有する凹凸表面を構成させることができ
た。
例えば平均２００六の粒径を有する繊維構造のＮ型半導
体は、その電気伝導度が１０〜２００（０ｃｍ）”を有
している。またこの各結晶繊維のピッチ（各結晶間の距
Ｍ）ば３０〜２００〇六例えば約４００六を有し、凹凸
差が約２００六を有していた。Ｎ型半導体層は最初平均
約５００六の厚さを有していたが、この厚さが微結晶質
中の気相エツチングにより平均約２５０六となった。
体は、その電気伝導度が１０〜２００（０ｃｍ）”を有
している。またこの各結晶繊維のピッチ（各結晶間の距
Ｍ）ば３０〜２００〇六例えば約４００六を有し、凹凸
差が約２００六を有していた。Ｎ型半導体層は最初平均
約５００六の厚さを有していたが、この厚さが微結晶質
中の気相エツチングにより平均約２５０六となった。
かくの如くして、第２図（Ａ）に構成を示すＮ型の凹凸
表面を有する結晶半導体層を作製した。
表面を有する結晶半導体層を作製した。
さらに図面においては、Ｎ型半導体層に相性のよいＩＴ
Ｏを電子ビーム蒸着法により平均５０〜１５００ム例え
ば１０５０ム平均の厚さに形成し、その上面にアルミニ
ュームを同様に真空蒸着方法により作製した。
Ｏを電子ビーム蒸着法により平均５０〜１５００ム例え
ば１０５０ム平均の厚さに形成し、その上面にアルミニ
ュームを同様に真空蒸着方法により作製した。
かくの如くにして１つのＰＩＮ接合を有する光電変換装
置を作り、１ ｃｎ！ （４ａｍ Ｘ ３ ｃｍ ＝
］、、０５ａ（）の面積にてＡＭＩ （１００ｍＷ
）の条件下にて効率を測定したところ、１１．８％（開
放電圧０．８８ν、短絡電流１８．８ｍ／ｌ ／ ｃｒ
ｌ 、曲線因子７１ ％）を最高効率として作ることが
できた。
置を作り、１ ｃｎ！ （４ａｍ Ｘ ３ ｃｍ ＝
］、、０５ａ（）の面積にてＡＭＩ （１００ｍＷ
）の条件下にて効率を測定したところ、１１．８％（開
放電圧０．８８ν、短絡電流１８．８ｍ／ｌ ／ ｃｒ
ｌ 、曲線因子７１ ％）を最高効率として作ることが
できた。
加えて１５０℃での長期高温ラス１−において、２００
０時間にてその曲線因子が６９％になり、結果として効
率も１１．０％を維持することができた。これは従来に
おいては、２０００時間においてば２５〜３０％も効率
が低下（８，３％が６．２％に低下）してしま、っだこ
とに比べて、超高信頼性を有せしめることができた。こ
れはＮ型半導体とＴＴＯとの間でのリンガラスの発生を
本発明構造が防（ことができたことによるものである。
０時間にてその曲線因子が６９％になり、結果として効
率も１１．０％を維持することができた。これは従来に
おいては、２０００時間においてば２５〜３０％も効率
が低下（８，３％が６．２％に低下）してしま、っだこ
とに比べて、超高信頼性を有せしめることができた。こ
れはＮ型半導体とＴＴＯとの間でのリンガラスの発生を
本発明構造が防（ことができたことによるものである。
また定エネルギー分光器にてその光感度を測定したとこ
ろ、６００ｎｍ以上の長波長光に第１図の従来の構造に
比べてきわめて高く応答しており、裏面において、Ｎ型
半導体層での光吸収損失が３０％以上減少し、加えて反
射光の光波長（４２）を乱反射により大きくすることが
でき、さらにＮ型半導体層とＩＴＯとの接触面積を３倍
以上としてその接触抵抗を約１／３に減少させた。
ろ、６００ｎｍ以上の長波長光に第１図の従来の構造に
比べてきわめて高く応答しており、裏面において、Ｎ型
半導体層での光吸収損失が３０％以上減少し、加えて反
射光の光波長（４２）を乱反射により大きくすることが
でき、さらにＮ型半導体層とＩＴＯとの接触面積を３倍
以上としてその接触抵抗を約１／３に減少させた。
第２図（Ｂ）は本発明の他の実施例を示したものである
。
。
図面においてアルミニューム箔（厚さ約５０〜１５０μ
）の可曲性基板（３６）の電極を陽極酸化をして絶縁性
基板（３５） （３５）’を５〜２０μの厚さに形成
し、その基板を用いた。
）の可曲性基板（３６）の電極を陽極酸化をして絶縁性
基板（３５） （３５）’を５〜２０μの厚さに形成
し、その基板を用いた。
この上面に第２図（Ｂ）と同様に凹凸表面を有するｘＴ
ｏ （２６）およびブロッキング層としての酸化スズ
（２７）を構成し、下側の透光性導電膜（２８）とした
。この下側の第１の電極に凹凸表面を有せしめるのは・
第２図において第２の電極とＮ型半導体層との接触面に
凹凸表面を有せしめたことと同様の効果を有する。
ｏ （２６）およびブロッキング層としての酸化スズ
（２７）を構成し、下側の透光性導電膜（２８）とした
。この下側の第１の電極に凹凸表面を有せしめるのは・
第２図において第２の電極とＮ型半導体層との接触面に
凹凸表面を有せしめたことと同様の効果を有する。
さらに第２図（Ｂ）において、裏面の反射を促すため、
基板をアルミニュームの反射性金属としさら〆その上面
の絶縁物（３５）を第１の電極（２８）と同様に透光性
にすること番こより、反Ａ寸光による効率の向上を促し
ている。
基板をアルミニュームの反射性金属としさら〆その上面
の絶縁物（３５）を第１の電極（２８）と同様に透光性
にすること番こより、反Ａ寸光による効率の向上を促し
ている。
さらにこのＣＴＦ （２８＞上にＰ型半導体（２９）
、Ｉ型半導体（３０） 、Ｎ型の微結晶半導体（３３）
よりなる１つのＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体を第
２図（Ａ）と同様に作製した。
、Ｉ型半導体（３０） 、Ｎ型の微結晶半導体（３３）
よりなる１つのＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体を第
２図（Ａ）と同様に作製した。
この時この凹凸表面ををするＮ型微結晶半導体の凹凸表
面に密接して、平均膜Ｊ￥３００〜１８００ム例えば５
００ Ａの厚さにＩＴＯを第２の電極（３４）として作
製した。
面に密接して、平均膜Ｊ￥３００〜１８００ム例えば５
００ Ａの厚さにＩＴＯを第２の電極（３４）として作
製した。
入射光（１０）により同様にＩ ｃＭ （］、、０５ｃ
ｎ＋）の面積にて１０．９％（開放電圧０．８４Ｖ、短
絡電流１８．０ｍＡ ／ ｃｔＡ 、曲線因子７２％）
を最高効率として得ることができた。
ｎ＋）の面積にて１０．９％（開放電圧０．８４Ｖ、短
絡電流１８．０ｍＡ ／ ｃｔＡ 、曲線因子７２％）
を最高効率として得ることができた。
この第２図（Ｂ）の構造においても、ＰまたはＮ型の半
導体とそれに密接するＣＴＦとの間が凹凸表面を存し、
その接触面積が大きい。この凹凸表面による乱反射が、
６００ｎｍ以上の長波長光の■型半導体層での光吸収を
促している。Ｎ型半導体層を微結晶または多結晶化する
ことにより、この半導体での光吸収損失を少なくできた
。
導体とそれに密接するＣＴＦとの間が凹凸表面を存し、
その接触面積が大きい。この凹凸表面による乱反射が、
６００ｎｍ以上の長波長光の■型半導体層での光吸収を
促している。Ｎ型半導体層を微結晶または多結晶化する
ことにより、この半導体での光吸収損失を少なくできた
。
さらに入射光の反射率を下げることも、凹凸表部を有せ
しめることにより可能となった。
しめることにより可能となった。
これらの多くの特長が本発明構造の半導体層の特性を用
いるごとにより成就できたものと判断される。
いるごとにより成就できたものと判断される。
以上の説明におい・で、基板側よりの積層をＰ型半導体
の上にＩ型半導体、またその上に微結晶のＮ型半導体と
したが、しかしその順序を逆にしても、またこの半導体
をＰＩＮＰＩＮ・・・ＰＩＮと多接合構造として、その
電極に密接するＰまたはＮ型半導体を本発明構造とする
ことば同様に有効である。
の上にＩ型半導体、またその上に微結晶のＮ型半導体と
したが、しかしその順序を逆にしても、またこの半導体
をＰＩＮＰＩＮ・・・ＰＩＮと多接合構造として、その
電極に密接するＰまたはＮ型半導体を本発明構造とする
ことば同様に有効である。
本発明の光電変換装置はその応用として、電力用太陽電
池のみならず、電卓、置き時計等小売電光センサ等に対
しても有効であり、光電変換をする時のＰまたはＮ型半
導体層と、それに密接する電極との接触をその特長とす
るものである。・
池のみならず、電卓、置き時計等小売電光センサ等に対
しても有効であり、光電変換をする時のＰまたはＮ型半
導体層と、それに密接する電極との接触をその特長とす
るものである。・
第１図は従来より知られた光電変換装置を示す。
第２図は本発明構造の光電変換装置の縦断面図を示す。
３
車’Ｈカ
′ −〜−〜 ネ噸
２？ ４０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性表面を有する基板上の導電膜よりなる第１の
電極または導電性基板よりなる第１の電極と、該電極上
に少なくとも１つのＰＩＮ接合を有する非単結晶半導体
と、該半導体上に密接した第２の電極とよりなる光電変
換半導体装置において、微結晶または多結晶性を有する
ＮまたはＰ型の半導体は前記第２の電極と凹凸面を有し
、密接して設けられたことを特徴とする光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、ＰまたはＮ型の半
導体ば３０〜２０００Ａのピッチを有して設けられたこ
とを特徴とする光電変換装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、第２の電極は、Ｐ
またはＮ型の半導体に密接した透光性導電膜と、該導電
膜に密接した反射性金属とにより設けられたことを特徴
とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099246A JPH06101571B2 (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099246A JPH06101571B2 (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224183A true JPS59224183A (ja) | 1984-12-17 |
| JPH06101571B2 JPH06101571B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14242338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099246A Expired - Lifetime JPH06101571B2 (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101571B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268253U (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-28 | ||
| JPS62193287A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質光起電力装置 |
| JPH0453427U (ja) * | 1990-09-14 | 1992-05-07 | ||
| WO2010098225A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
| WO2010098221A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
| WO2010098224A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| WO2010098223A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| WO2010098222A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| WO2010098201A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| JP2011023417A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
| JP2016197733A (ja) * | 2009-09-17 | 2016-11-24 | サイオニクス、エルエルシー | 感光撮像素子および関連方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
| JPS571272A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-06 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPS57160174A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Thin film solar battery |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP58099246A patent/JPH06101571B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
| JPS571272A (en) * | 1980-06-02 | 1982-01-06 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPS57160174A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Thin film solar battery |
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268253U (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-28 | ||
| JPS62193287A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質光起電力装置 |
| JPH0453427U (ja) * | 1990-09-14 | 1992-05-07 | ||
| US8916945B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-detecting element |
| KR20110128789A (ko) * | 2009-02-24 | 2011-11-30 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 광 검출 소자 |
| WO2010098224A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| WO2010098223A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| US9972729B2 (en) | 2009-02-24 | 2018-05-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| WO2010098201A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| US9614109B2 (en) | 2009-02-24 | 2017-04-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| JP2010226074A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
| JP2010226073A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
| JP2010226071A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子 |
| JP2010226072A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子 |
| JP2011014856A (ja) * | 2009-02-24 | 2011-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| US9419159B2 (en) | 2009-02-24 | 2016-08-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-detecting element |
| WO2010098221A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
| CN102334197A (zh) * | 2009-02-24 | 2012-01-25 | 浜松光子学株式会社 | 半导体光检测元件 |
| US9190551B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-11-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| US8629485B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-01-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetection element |
| US8742528B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| WO2010098225A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ |
| US8994135B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-03-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode and photodiode array |
| TWI495134B (zh) * | 2009-02-24 | 2015-08-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Method for manufacturing photodiode and photodiode |
| TWI501387B (zh) * | 2009-02-24 | 2015-09-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor photodetection element |
| US8564087B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode manufacturing method and photodiodes |
| JP2010199289A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| WO2010098222A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード |
| JP2011023417A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
| JP2016197733A (ja) * | 2009-09-17 | 2016-11-24 | サイオニクス、エルエルシー | 感光撮像素子および関連方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101571B2 (ja) | 1994-12-12 |
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