JPH07131040A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPH07131040A JPH07131040A JP5293970A JP29397093A JPH07131040A JP H07131040 A JPH07131040 A JP H07131040A JP 5293970 A JP5293970 A JP 5293970A JP 29397093 A JP29397093 A JP 29397093A JP H07131040 A JPH07131040 A JP H07131040A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous semiconductor
- metal layer
- semiconductor layer
- photovoltaic device
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高反射金属層での剥離を防止して信頼性を向
上し、より長波長の光閉じ込め効果を促進し、光起電力
装置としての特性を向上する。 【構成】 透光性絶縁基板１の一主面上に、透光性裏面
電極層２と，一導電型の非晶質半導体層５と，真性型の
非晶質半導体層６と，逆導電型の非晶質半導体層７と，
透光性表面電極層８とを順次積層して構成された光起電
力装置において、基板１の逆主面上に凹凸を形成すると
ともに、凹凸上に高反射金属層３を形成する。
上し、より長波長の光閉じ込め効果を促進し、光起電力
装置としての特性を向上する。 【構成】 透光性絶縁基板１の一主面上に、透光性裏面
電極層２と，一導電型の非晶質半導体層５と，真性型の
非晶質半導体層６と，逆導電型の非晶質半導体層７と，
透光性表面電極層８とを順次積層して構成された光起電
力装置において、基板１の逆主面上に凹凸を形成すると
ともに、凹凸上に高反射金属層３を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質半導体を用いた
太陽電池等の光起電力装置に関する。
太陽電池等の光起電力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと
いう）太陽電池を電力用に実用化していくためには、高
効率化が不可欠となっており、入射した光を最大限に活
用する光閉じ込め構造が提案されている。
いう）太陽電池を電力用に実用化していくためには、高
効率化が不可欠となっており、入射した光を最大限に活
用する光閉じ込め構造が提案されている。
【０００３】この構造は、例えば、図２に示すような構
成になっている［１９９０年第５回太陽電池専門家国際
会議テクニカルダイジェスト（Technical Digest of th
e 5th International Photovoltaic Science and Engin
eering Kyoto.Japan.） Ｐ３８７〜Ｐ３９０参照］。同
図において、１は硝子，石英等の透光性絶縁基板、２は
透光性裏面電極（以下第１のＴＣＯという）層であり、
基板１上に熱ＣＶＤ法により形成され、０．１〜０．５
ミクロンの凹凸を有し、酸化錫等の金属酸化物からな
る。３，４は銀（Ａｇ）の高反射金属層，酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）層であり、第１のＴＣＯ層２上にスパッタにより
順次形成され、第１のＴＣＯ層２による凹凸形状を反映
した凹凸を有する。
成になっている［１９９０年第５回太陽電池専門家国際
会議テクニカルダイジェスト（Technical Digest of th
e 5th International Photovoltaic Science and Engin
eering Kyoto.Japan.） Ｐ３８７〜Ｐ３９０参照］。同
図において、１は硝子，石英等の透光性絶縁基板、２は
透光性裏面電極（以下第１のＴＣＯという）層であり、
基板１上に熱ＣＶＤ法により形成され、０．１〜０．５
ミクロンの凹凸を有し、酸化錫等の金属酸化物からな
る。３，４は銀（Ａｇ）の高反射金属層，酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）層であり、第１のＴＣＯ層２上にスパッタにより
順次形成され、第１のＴＣＯ層２による凹凸形状を反映
した凹凸を有する。
【０００４】５，６，７はＺｎＯ層４上にプラズマＣＶ
Ｄ法により順次形成されたＮ型ａ−Ｓｉ半導体層，Ｉ型
ａ−Ｓｉ半導体層，Ｐ型ａ−Ｓｉ半導体層、８はＰ型ａ
−Ｓｉ層７上にスパッタにより形成された透光性表面電
極（以下第２のＴＣＯという）層、９は第２のＴＣＯ層
８上に形成された＋の取出電極、１０はＺｎＯ層４上に
形成された−の取出電極である。
Ｄ法により順次形成されたＮ型ａ−Ｓｉ半導体層，Ｉ型
ａ−Ｓｉ半導体層，Ｐ型ａ−Ｓｉ半導体層、８はＰ型ａ
−Ｓｉ層７上にスパッタにより形成された透光性表面電
極（以下第２のＴＣＯという）層、９は第２のＴＣＯ層
８上に形成された＋の取出電極、１０はＺｎＯ層４上に
形成された−の取出電極である。
【０００５】そして、凹凸を有する金属層３により、光
の高反射，光路長の増大が可能になり、光閉じ込め効果
が図られている。なお、ＺｎＯ層４を、金属層３上に設
ける理由としては、金属層３上に直接ａ−Ｓｉ層を形成
したならば、該ａ−Ｓｉ層を形成する際に使用するプラ
ズマＣＶＤ法によるプラズマに因ってその金属層３が損
傷を受け、ひいては、ａ−Ｓｉ層と金属層３との界面に
おける光反射率が低下してしまうこととなる。更に、金
属層３に直接ａ−Ｓｉ層５を形成したならば、金属層３
の構成元素、例えばＡｇが、ａ−Ｓｉ層５内に拡散して
しまい、太陽電池としての効率を低下させてしまうため
である。
の高反射，光路長の増大が可能になり、光閉じ込め効果
が図られている。なお、ＺｎＯ層４を、金属層３上に設
ける理由としては、金属層３上に直接ａ−Ｓｉ層を形成
したならば、該ａ−Ｓｉ層を形成する際に使用するプラ
ズマＣＶＤ法によるプラズマに因ってその金属層３が損
傷を受け、ひいては、ａ−Ｓｉ層と金属層３との界面に
おける光反射率が低下してしまうこととなる。更に、金
属層３に直接ａ−Ｓｉ層５を形成したならば、金属層３
の構成元素、例えばＡｇが、ａ−Ｓｉ層５内に拡散して
しまい、太陽電池としての効率を低下させてしまうため
である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記装置の場
合、金属層３での剥離をＺｎＯ層４により抑制している
が、充分ではなく、金属層３で剥離が生じやすく、信頼
性が低下するという問題点がある。
合、金属層３での剥離をＺｎＯ層４により抑制している
が、充分ではなく、金属層３で剥離が生じやすく、信頼
性が低下するという問題点がある。
【０００７】また、より長波長の光閉じ込め効果の促進
を図るために、第１のＴＣＯ層２の凹凸をより大きくし
ようとすると、精々、数１００Åの膜厚しかないＮ型ａ
−Ｓｉ層５をこの第１のＴＣＯ層２の凹凸表面に形成し
ようとしても、十分表面を被うことができず、一部には
Ｎ型ａ−Ｓｉ層５が被われない部分が生じてしまうこと
となり、光起電力装置としての特性が低下するという問
題点がある。本発明は、前記の点に留意し、高反射金属
層での剥離を防止して信頼性を向上し、より長波長の光
閉じ込め効果を促進し、特性を向上できる光起電力装置
を提供することを目的とする。
を図るために、第１のＴＣＯ層２の凹凸をより大きくし
ようとすると、精々、数１００Åの膜厚しかないＮ型ａ
−Ｓｉ層５をこの第１のＴＣＯ層２の凹凸表面に形成し
ようとしても、十分表面を被うことができず、一部には
Ｎ型ａ−Ｓｉ層５が被われない部分が生じてしまうこと
となり、光起電力装置としての特性が低下するという問
題点がある。本発明は、前記の点に留意し、高反射金属
層での剥離を防止して信頼性を向上し、より長波長の光
閉じ込め効果を促進し、特性を向上できる光起電力装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の光起電力装置は、透光性絶縁基板の一主面
上に、透光性裏面電極層と，一導電型の非晶質半導体層
と，真性型の非晶質半導体層と，逆導電型の非晶質半導
体層と，透光性表面電極層とを順次積層して構成された
光起電力装置において、基板の逆主面上に凹凸を形成す
るとともに、凹凸上に高反射金属層を形成したものであ
る。
に、本発明の光起電力装置は、透光性絶縁基板の一主面
上に、透光性裏面電極層と，一導電型の非晶質半導体層
と，真性型の非晶質半導体層と，逆導電型の非晶質半導
体層と，透光性表面電極層とを順次積層して構成された
光起電力装置において、基板の逆主面上に凹凸を形成す
るとともに、凹凸上に高反射金属層を形成したものであ
る。
【０００９】
【作用】前記のように構成された本発明の光起電力装置
は、透光性絶縁基板の逆主面上に凹凸を形成するととも
に、凹凸上に高反射金属層を形成したため、金属層が直
接非晶質半導体層に接触することがなく、酸化亜鉛層が
不要になり、金属層の界面での反射率の低下，拡散によ
る特性の劣化，剥離が防止され、信頼性が向上する。さ
らに、金属層が凹凸を有するため、より長波長の光閉じ
込め効果の促進が図られ、光起電力装置としての特性が
向上する。その上、本光起電力装置によれば、透光性表
面電極層側から入射した光は、非晶質半導体層で吸収さ
れつつ走行するとともに、吸収されなかった光は透光性
裏面電極層の凹凸表面で一部反射され、再度非晶質半導
体層を走行することとなるが、前記透光性裏面電極層の
凹凸表面においても反射されなかった光は、本願発明の
特徴である金属層によって構成された凹凸部分において
反射され、再度非晶質半導体層を走行することが可能と
なる。特に、入射光の内、吸収されにくい長波長光にあ
っては、本願発明では数度の反射の機会を与えることと
なり、その吸収効率を高めることが可能となる。
は、透光性絶縁基板の逆主面上に凹凸を形成するととも
に、凹凸上に高反射金属層を形成したため、金属層が直
接非晶質半導体層に接触することがなく、酸化亜鉛層が
不要になり、金属層の界面での反射率の低下，拡散によ
る特性の劣化，剥離が防止され、信頼性が向上する。さ
らに、金属層が凹凸を有するため、より長波長の光閉じ
込め効果の促進が図られ、光起電力装置としての特性が
向上する。その上、本光起電力装置によれば、透光性表
面電極層側から入射した光は、非晶質半導体層で吸収さ
れつつ走行するとともに、吸収されなかった光は透光性
裏面電極層の凹凸表面で一部反射され、再度非晶質半導
体層を走行することとなるが、前記透光性裏面電極層の
凹凸表面においても反射されなかった光は、本願発明の
特徴である金属層によって構成された凹凸部分において
反射され、再度非晶質半導体層を走行することが可能と
なる。特に、入射光の内、吸収されにくい長波長光にあ
っては、本願発明では数度の反射の機会を与えることと
なり、その吸収効率を高めることが可能となる。
【００１０】
【実施例】１実施例について図１を参照して説明する。
同図において、図２と同一符号は同一もしくは相当する
ものを示し、図２と異なる点は、基板１の光入射側とは
反対の面，即ち逆主面上に凹凸を研摩等により形成する
とともに、その凹凸上にＡｇの金属層３をスパッタ等に
より形成し、基板１の一主面上に第１のＴＣＯ層２と，
Ｎ型ａ−Ｓｉ層５と，Ｉ型ａ−Ｓｉ層６と，Ｐ型ａ−Ｓ
ｉ層７と，第２のＴＣＯ層８を順次積層して構成した点
である。
同図において、図２と同一符号は同一もしくは相当する
ものを示し、図２と異なる点は、基板１の光入射側とは
反対の面，即ち逆主面上に凹凸を研摩等により形成する
とともに、その凹凸上にＡｇの金属層３をスパッタ等に
より形成し、基板１の一主面上に第１のＴＣＯ層２と，
Ｎ型ａ−Ｓｉ層５と，Ｉ型ａ−Ｓｉ層６と，Ｐ型ａ−Ｓ
ｉ層７と，第２のＴＣＯ層８を順次積層して構成した点
である。
【００１１】つぎに、初期特性及び温湿サイクルテスト
後の特性について説明する。まず、本発明の各々の膜厚
は、第１のＴＣＯ層２が約１ミクロン、Ｎ型ａ−Ｓｉ層
５が０．０３ミクロン、Ｉ型ａ−Ｓｉ層６が０．５ミク
ロン、Ｐ型ａ−Ｓｉ層７が０．０２ミクロン、第２のＴ
ＣＯ層８が０．１ミクロンであり、基板１の凹凸は０．
１〜０．５ミクロンより数倍以上大きい形状であり、そ
の上の金属層３の膜厚は０．２ミクロンである。一方、
従来例の第１のＴＣＯ層２の凹凸形状は０．１〜０．５
ミクロン、ＺｎＯ層４が０．１ミクロンであり、その他
の膜厚は本発明の場合と同様である。
後の特性について説明する。まず、本発明の各々の膜厚
は、第１のＴＣＯ層２が約１ミクロン、Ｎ型ａ−Ｓｉ層
５が０．０３ミクロン、Ｉ型ａ−Ｓｉ層６が０．５ミク
ロン、Ｐ型ａ−Ｓｉ層７が０．０２ミクロン、第２のＴ
ＣＯ層８が０．１ミクロンであり、基板１の凹凸は０．
１〜０．５ミクロンより数倍以上大きい形状であり、そ
の上の金属層３の膜厚は０．２ミクロンである。一方、
従来例の第１のＴＣＯ層２の凹凸形状は０．１〜０．５
ミクロン、ＺｎＯ層４が０．１ミクロンであり、その他
の膜厚は本発明の場合と同様である。
【００１２】そして、セル面積を１cm2 ，照射光源をＡ
Ｍ−１．５，１００ｍＷ／cm2 とし、本発明と従来例に
つき、開放電圧（Ｖｏｃ），短絡電流（Ｉｓｃ），曲線
因子（Ｆ．Ｆ．），変換効率η，歩留まりをそれぞれ測
定した。その結果を表１に示す。
Ｍ−１．５，１００ｍＷ／cm2 とし、本発明と従来例に
つき、開放電圧（Ｖｏｃ），短絡電流（Ｉｓｃ），曲線
因子（Ｆ．Ｆ．），変換効率η，歩留まりをそれぞれ測
定した。その結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】同表に示すように、初期特性において、本
発明の場合は、従来例に比してＩｓｃが増加しており、
これは光閉じ込め効果の促進が図れていると考えられ、
特性の改善が見られた。さらに、歩留まりにおいても非
常に良好な値を示した。
発明の場合は、従来例に比してＩｓｃが増加しており、
これは光閉じ込め効果の促進が図れていると考えられ、
特性の改善が見られた。さらに、歩留まりにおいても非
常に良好な値を示した。
【００１５】つぎに、温湿サイクルテスト後の特性につ
いて、温度−４０℃〜８０℃，湿度８５％で１０サイク
ルの温湿サイクルテストを行った結果、本発明の場合、
歩留まりを保ったままで特性の低下がなかったのに対
し、従来例の場合は、金属層３で剥離が生じたり、剥離
にまでいかなくとも特性の低下が起った。
いて、温度−４０℃〜８０℃，湿度８５％で１０サイク
ルの温湿サイクルテストを行った結果、本発明の場合、
歩留まりを保ったままで特性の低下がなかったのに対
し、従来例の場合は、金属層３で剥離が生じたり、剥離
にまでいかなくとも特性の低下が起った。
【００１６】以上のように、基板１の逆主面上に凹凸を
形成するとともに、凹凸上に金属層３を形成したため、
金属層３は直接Ｎ型ａ−Ｓｉ層５に接触することがな
く、酸化亜鉛層が不要になり、金属層３の界面での反射
率の低下，拡散による特性の劣化，剥離が防止され、信
頼性が向上する。さらに、金属層３は第１のＴＣＯ層２
の凹凸よりも数倍以上大きい凹凸を有するため、より長
波長の光閉じ込め効果の促進が図られ、光起電力装置と
しての特性が向上する。その上、第２のＴＣＯ層８側か
ら入射した光は、ａ−Ｓｉ層で吸収されつつ走行すると
ともに、吸収されなかった光は第１のＴＣＯ層２の凹凸
表面で一部反射され、再度ａ−Ｓｉ層を走行することと
なるが、前記第１のＴＣＯ層２の凹凸表面においても反
射されなかった光は、本願発明の特徴である金属層３に
よって構成された凹凸部分において反射され、再度ａ−
Ｓｉ層を走行することが可能となる。特に、入射光の
内、吸収されにくい長波長光にあっては、本願発明では
数度の反射の機会を与えることとなり、その吸収効率を
高めることが可能となる。
形成するとともに、凹凸上に金属層３を形成したため、
金属層３は直接Ｎ型ａ−Ｓｉ層５に接触することがな
く、酸化亜鉛層が不要になり、金属層３の界面での反射
率の低下，拡散による特性の劣化，剥離が防止され、信
頼性が向上する。さらに、金属層３は第１のＴＣＯ層２
の凹凸よりも数倍以上大きい凹凸を有するため、より長
波長の光閉じ込め効果の促進が図られ、光起電力装置と
しての特性が向上する。その上、第２のＴＣＯ層８側か
ら入射した光は、ａ−Ｓｉ層で吸収されつつ走行すると
ともに、吸収されなかった光は第１のＴＣＯ層２の凹凸
表面で一部反射され、再度ａ−Ｓｉ層を走行することと
なるが、前記第１のＴＣＯ層２の凹凸表面においても反
射されなかった光は、本願発明の特徴である金属層３に
よって構成された凹凸部分において反射され、再度ａ−
Ｓｉ層を走行することが可能となる。特に、入射光の
内、吸収されにくい長波長光にあっては、本願発明では
数度の反射の機会を与えることとなり、その吸収効率を
高めることが可能となる。
【００１７】なお、前記実施例では金属層３をＡｇとし
たが、アルミ（Ａｌ）としてもよい。また、Ｎ型ａ−Ｓ
ｉ層５とＰ型ａ−Ｓｉ層７とを逆の構造にしてもよい。
たが、アルミ（Ａｌ）としてもよい。また、Ｎ型ａ−Ｓ
ｉ層５とＰ型ａ−Ｓｉ層７とを逆の構造にしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ため、つぎに記載する効果を奏する。本発明の光起電力
装置は、透光性絶縁基板１の逆主面上に凹凸を形成する
とともに、凹凸上に高反射金属層３を形成したため、金
属層３が直接逆導電型の非晶質半導体層５に接触するこ
とがなく、酸化亜鉛層を不要にし、金属層３の界面での
反射率の低下，拡散による特性の劣化，剥離を防止し、
信頼性を向上することができる。さらに、金属層３が凹
凸を有するため、より長波長の光閉じ込め効果の促進を
図ることができ、光起電力装置としての特性を向上する
ことができる。その上、本光起電力装置によれば、透光
性表面電極層８側から入射した光は、非晶質半導体層で
吸収されつつ走行するとともに、吸収されなかった光は
透光性裏面電極層２の凹凸表面で一部反射され、再度非
晶質半導体層を走行することとなるが、前記透光性裏面
電極層２の凹凸表面においても反射されなかった光は、
本願発明の特徴である金属層３によって構成された凹凸
部分において反射され、再度非晶質半導体層を走行する
ことができ、特に、入射光の内、吸収されにくい長波長
光にあっては、本願発明では数度の反射の機会を与える
こととなり、その吸収効率を高めることができる。
ため、つぎに記載する効果を奏する。本発明の光起電力
装置は、透光性絶縁基板１の逆主面上に凹凸を形成する
とともに、凹凸上に高反射金属層３を形成したため、金
属層３が直接逆導電型の非晶質半導体層５に接触するこ
とがなく、酸化亜鉛層を不要にし、金属層３の界面での
反射率の低下，拡散による特性の劣化，剥離を防止し、
信頼性を向上することができる。さらに、金属層３が凹
凸を有するため、より長波長の光閉じ込め効果の促進を
図ることができ、光起電力装置としての特性を向上する
ことができる。その上、本光起電力装置によれば、透光
性表面電極層８側から入射した光は、非晶質半導体層で
吸収されつつ走行するとともに、吸収されなかった光は
透光性裏面電極層２の凹凸表面で一部反射され、再度非
晶質半導体層を走行することとなるが、前記透光性裏面
電極層２の凹凸表面においても反射されなかった光は、
本願発明の特徴である金属層３によって構成された凹凸
部分において反射され、再度非晶質半導体層を走行する
ことができ、特に、入射光の内、吸収されにくい長波長
光にあっては、本願発明では数度の反射の機会を与える
こととなり、その吸収効率を高めることができる。
【図１】本発明の１実施例の断面図である。
【図２】従来例の断面図である。
【符号の説明】 １ 透光性絶縁基板 ２ 透光性裏面電極層 ３ 高反射金属層 ５ 非晶質半導体層 ６ 非晶質半導体層 ７ 非晶質半導体層 ８ 透光性表面電極層
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板の一主面上に、透光性裏
面電極層と，一導電型の非晶質半導体層と，真性型の非
晶質半導体層と，逆導電型の非晶質半導体層と，透光性
表面電極層とを順次積層して構成された光起電力装置に
おいて、 前記基板の逆主面上に凹凸を形成するとともに、前記凹
凸上に高反射金属層を形成した光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293970A JPH07131040A (ja) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293970A JPH07131040A (ja) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131040A true JPH07131040A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17801556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5293970A Pending JPH07131040A (ja) | 1993-10-30 | 1993-10-30 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131040A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299661A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池 |
| JP2010140991A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| US8440489B2 (en) | 2010-01-25 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing solar cell |
| JP2013219073A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 光電変換素子 |
-
1993
- 1993-10-30 JP JP5293970A patent/JPH07131040A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299661A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池 |
| JP2010140991A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| US8440489B2 (en) | 2010-01-25 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing solar cell |
| JP2013219073A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 光電変換素子 |
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