JP2669834B2 - 積層型光起電力装置 - Google Patents
積層型光起電力装置Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は、太陽電池や光センサ等に利用される積層型
光起電力装置に関する。 （ロ） 従来の技術 発電に寄与する光活性層が主として単結晶シリコンや
多結晶シリコンの結晶シリコン（以下ｃ−Siという）か
らなる結晶系光起電力素子と、上記光活性層が主として
アモルフアスシリコン（以下ａ−Siという）のアモルフ
アス系光起電力素子とを積層した積層型光起電力装置
は、例えば特開昭59−175170号公報に示されている。斯
る光起電力装置は上述の２つの異なった光起電力素子を
電気的且つ光学的に直列に接続し、短波長光を光学的バ
ンドギヤツプの広いアモルフアス系で、また長波長光を
光学的バンドギヤツプの狭い結晶系で吸収することで、
全体として高い光電変換効率を得んとするものである。
この場合、アモルフアス系の素子で発生する光電流と結
晶系の素子で発生する光電流とが等しくする必要がある
が、実際は、入射光の変化や材料の膜質等により等しく
することは困難で、結果的に変換効率が低くなるという
問題点を有している。これに対し、アモルフアス系光起
電力素子と、結晶系光起電力素子とを絶縁体を挾んで積
層し、光学的には直列に接続され、電気的には分離され
た４端子構造を用いることが考えられる。 従来、この絶縁体としてはSi3N4やSiO2が検討されて
きたが、これらの材料の屈折率は、2.8以下とａ−Siや
ｃ−Siの屈折率（3.1〜3.7）に比べ、大幅に小さく、そ
の結果、ｃ−Siで吸収すべき長波長光が、ａ−Siと絶縁
体との界面で反射されて、ｃ−Siに到達する割合が小さ
くなって出力特性が低くなるという新たな問題点が発生
する。 （ハ） 発明が解決しようとする問題点 本発明は上述の如くアモルフアス系光電力素子と結晶
系光起電力素子を絶縁力を挾んで積層すると、アモルフ
アス系光起電力素子と絶縁体との界面において後段の結
晶系光起電力素子で吸収すべき長波長光が反射されて出
力特性が低下する点を解決しようとするものである。 （ニ） 問題点を解決するための手段 本発明光起電力装置は上記問題点を解決すべく、アモ
ルフアス系光起電力素子と結晶系光起電力素子との間に
配置される絶縁体を、炭素、窒素の元素の内少なくとも
一方の元素を含んだアモルファスシリコンアロイに、酸
素を添加して構成することを特徴とする。 （ホ） 作用 上述の如く絶縁体を、炭素、窒素の内少なくとも一方
の元素を含んだアモルファスシリコンアロイに、酸素を
添加して構成することによって、波長約700nm〜1100nm
の長波長光に対する屈折率が約3.4〜3.6とａ−Si及びｃ
−Siの屈折率に近づきアモルフアス系光起電力素子と当
該絶縁体との界面における上記長波長光に対する反射が
減少する。 （へ） 実 施 例 第１図は本発明積層型光起電力装置の基本構造を示す
模式的断面図である。光入射が為される受光面側から見
て、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）上に、Sn
O2、ITO等の透光性導電酸化物（TCO）からなる受光面電
極（２）、ｐ型のアモルフアスシリコンカーバイド（ａ
−SiC）層（３）、主として可視光領域の短波長光を吸
収し光キヤリアを発生する発電に寄与する光活性層とし
てのｉ型（真性）ａ−SiC層（４）、ｎ型微結晶シリコ
ン（μｃ−Si）層（５）及び銀、アルミニウム等の金属
からなるくし型の第１透過電極（６）をこの順序で配置
したアモルフアス系光起電力措置（SC1）が設けられて
いる。斯るアモルフアス系光起電力素子（SC1）自体は
周知である。次に本発明の構成的特徴点である炭素
（Ｃ）、窒素（Ｎ）の元素の内少なくとも一方を含むａ
−Siアロイに、酸素（Ｏ）を添加してなる膜厚0.5μｍ
〜１μｍ程度の絶縁体（７）が形成される。代表的な製
法はａ−SiCと同じプラズマCVD法であり、原料ガスとし
てSiH4、H2及びCH4またはNH3等と、酸素の添加用のO2等
が用いられ、成膜すべき膜組成に応じて斯る原料ガスの
組合せ及び流量が選択され、ａ−Si:C:O:H、ａ−Si:N:
O:H及びａ−Si:C:N:O:Hで表わされるａ−Siアロイが得
られる。これらａ−Siアロイは膜組成比にもよるがａ−
Siやｃ−Siの屈折率（3.1〜3.7）とほぼ等しい3.4〜3.6
の屈折率を備える。 斯る絶縁体（７）の一例としてSi:C:O:H＝70:10:2:18
のａ−Si:C:O:Hは原料ガスとしてSiH4（5SCCM）、CH
4（2SCCM）、O2（0.1SCCM）、H2（100SCCM）を用い、基
板温度250℃、RFパワー40W、反応圧力0.3Torrの反応条
件により得られる。このようにして得られたａ−Siアロ
イは、光学的バンドギヤツプが概ね2.4eV以上であるも
のの直接光照射を受けると光導電効果により抵抗値の減
少を招く。しかし、光入射側に配置されたアモルフアス
系光起電力素子（SC1）が当該アロイの吸収波長域を含
む可視光波長を吸収し光電変換動作することから、到達
するのは吸収動作するに至らない長波長光であり、従っ
て斯る長波長光の照射を受けても光導電効果を生じるこ
とがなく、長波長光に対して良好な透光性絶縁体とな
る。 斯る絶縁体（７）の後段に、前段のアモルフアス系光
起電力素子（SC1）で吸収されることなく、しかもアモ
ルフアス系光起電力素子（SC1）と絶縁体（７）との界
面で反射することなく到達した波長約700nm〜1100nmの
長波長光を吸収し光電変換動作する結晶系光起電力素子
（SC2）が光学的に積層される。当該光起電力素子（S
C2）は先ず第１透光電極（６）と対向して同一形状の第
２透光電極（８）が設けられ、次いでｐ型多結晶シリコ
ン層（９）が例えばSiH4＋B2H6＋H2を原料ガスとした水
銀増感光CVD法により形成され、そして同じくSiH4＋PH3
＋H2によりｎ型多結晶シリコン層（10）が積層される。
代表的な光CVD法による成膜条件は、光源として成膜面
における光エネルギ強度が約30mW/cm2となる紫外光を輻
射する低圧水銀灯を用い、基板温度250℃、反応圧力0.3
Torr、原料ガスの流量比と膜厚は、ｐ型多結晶シリコン
層（９）がSiH4（5SCCM）、B2H6（0.05SCCM）、H2（100
SCCM）で0.5μｍ、ｎ型多結晶シリコン層（10）がSiH4
（5SCCM）、PH3（0.03SCCM）、H2（100SCCM）で20μｍ
である。最後にｎ型多結晶シリコン層（10）の背面側に
銀、アルミニウム、銀ペースト、ニツケルペースト、カ
ーボンペースト等の金属或いは金属ペースト膜からなる
背面電極（11）が周知の真空蒸着法、スパツタ法或いは
印刷法により形成される。 このようにして、共通の基板（１）上の光入射方向前
段に可射光を吸収して光電変換動作するアモルフアス系
光起電力素子（SC1）を配置し、次いで当該光起電力素
子（SC1）と屈折率がほぼ等しいａ−Siアロイの絶縁体
（７）を設け、そして前段のアモルフアス系光起電力素
子（SC1）及び絶縁対（７）で吸収することなく到達し
た長波長光を吸収して光電変換動作する結晶系光起電力
素子（SC2）が積層されて、光学的には直列に接続さ
れ、電気的には分離されて各素子（SC1）（SC2）毎に電
極（２）（６）、（８）（11）に連なった出力端子（T
11）（T12）、（T21）（T22）から個別の光電変換出力
が導出される。斯る本発明実施例の光起電力装置につい
て、太陽光下（AM−1.5、100mW/cm2）の出力特性が第２
図において実線で示されている。この実施例装置におい
て使用された絶縁体（７）は、波長約700nm〜1100nmに
対し屈折率が約3.4〜3.6のａ−Si0.70:C0.10:O0.02:H
0.18で膜厚約１μｍであった。一方、比較のために、上
記実施例装置のａ−Si0.70:C0.10:O0.02:H0.18の絶縁体
（７）に代えて酸素を添付しないSi3N4の絶縁体を備
え、それ以外は同一構成とした比較例装置を作成し、同
じくAM−1.5、100mW/cm2の太陽光の下で出力特性を測定
した。その出力特性が第２図において破線で示されてい
る。第２図の実線（ｂ）と破線（ｂ′）はそれぞれ、実
施例装置および比較例装置におけるアモルフアス系光起
電力素子（SC1）の出力特性を示し、実線（ａ）と破線
（ａ′）は、それぞれ、実施例装置および比較例装置に
おける結晶系光起電力素子（SC2）の出力特性を示して
いる。アモルフアス系光起電力素子（SC1）について
は、比較例装置の方が、わずかに電流が大きいが、結晶
系光起電力素子（SC2）については、実施例装置の方が
大幅に電流が大きくなっている。これは、比較例装置の
場合、実施例装置と比べて、アモルフアス系光起電力素
子（SC1）と絶縁体の界面における長波長光の反射が大
きいため、アモルフアス系光起電力素子（SC1）側で吸
収される光の総量が増えるが、ａ−Siの長波長光に対す
る吸収が小さいために、その増加分はわずかであり、発
生電流の増加分も少ない。それに対し、実施例装置の場
合は、逆に結晶系光起電力素子（SC2）側で吸収される
光が大幅に増えることから発生電流が大幅に増加する。
従って、光起電力装置全体の出力特性は各光起電力素子
（SC1）（SC2）が個別の出力端子（T11）（T12、
（T21）（T22）を備えることから、各光起電力素子（SC
1）（SC2）の総和となる。その結果各起光電力素子（SC
1）（SC2）の構成は同じであっても、本発明の実施例装
置における変換効率は約18.0％となるのに対し、比較例
装置のそれは約15.2％に止まる。即ち、本発明実施例装
置にあっては比較例装置と同じ光起電力素子（SC1）（S
C2）を用いたにも拘らず、その両者の間に存在する絶縁
体（７）を特定の元素から構成したアモルファスシリコ
ンアロイから構成することにより高い変換効率が得られ
る。 尚本発明にあっては第１・第２透過電極（６）（８）
を構成するくし形電極が低抵抗であることが望ましいた
め、その材料として高温超電導体の採用も考えられる。
また、各光起電力素子（SC1）（SC2）は凸凹状の断面形
状を有するテクスチユア構造である方が、より高い出力
特性を得られる。さらに、このテクスチユアの凸凹の平
均間隔は、アモルフアス系光起電力素子（SC1）では可
視光に対して光損失が少なくなるように選び、かつ、結
晶系光起電力素子（SC2）では近赤外光に対して光損失
が少なくなるように選べば、さらに特性が高くなる。 （ト） 発明の効果 本発明光起電力装置は以上の説明から明らかな如く、
アモルフアス系光起電力素子と絶縁体との界面における
長波長光に対する反射が減少するので、当該長波長光を
後段の結晶系光起電力素子に良好に導くことができ、装
置全体の総合出力特性の改善が図れる。
光起電力装置に関する。 （ロ） 従来の技術 発電に寄与する光活性層が主として単結晶シリコンや
多結晶シリコンの結晶シリコン（以下ｃ−Siという）か
らなる結晶系光起電力素子と、上記光活性層が主として
アモルフアスシリコン（以下ａ−Siという）のアモルフ
アス系光起電力素子とを積層した積層型光起電力装置
は、例えば特開昭59−175170号公報に示されている。斯
る光起電力装置は上述の２つの異なった光起電力素子を
電気的且つ光学的に直列に接続し、短波長光を光学的バ
ンドギヤツプの広いアモルフアス系で、また長波長光を
光学的バンドギヤツプの狭い結晶系で吸収することで、
全体として高い光電変換効率を得んとするものである。
この場合、アモルフアス系の素子で発生する光電流と結
晶系の素子で発生する光電流とが等しくする必要がある
が、実際は、入射光の変化や材料の膜質等により等しく
することは困難で、結果的に変換効率が低くなるという
問題点を有している。これに対し、アモルフアス系光起
電力素子と、結晶系光起電力素子とを絶縁体を挾んで積
層し、光学的には直列に接続され、電気的には分離され
た４端子構造を用いることが考えられる。 従来、この絶縁体としてはSi3N4やSiO2が検討されて
きたが、これらの材料の屈折率は、2.8以下とａ−Siや
ｃ−Siの屈折率（3.1〜3.7）に比べ、大幅に小さく、そ
の結果、ｃ−Siで吸収すべき長波長光が、ａ−Siと絶縁
体との界面で反射されて、ｃ−Siに到達する割合が小さ
くなって出力特性が低くなるという新たな問題点が発生
する。 （ハ） 発明が解決しようとする問題点 本発明は上述の如くアモルフアス系光電力素子と結晶
系光起電力素子を絶縁力を挾んで積層すると、アモルフ
アス系光起電力素子と絶縁体との界面において後段の結
晶系光起電力素子で吸収すべき長波長光が反射されて出
力特性が低下する点を解決しようとするものである。 （ニ） 問題点を解決するための手段 本発明光起電力装置は上記問題点を解決すべく、アモ
ルフアス系光起電力素子と結晶系光起電力素子との間に
配置される絶縁体を、炭素、窒素の元素の内少なくとも
一方の元素を含んだアモルファスシリコンアロイに、酸
素を添加して構成することを特徴とする。 （ホ） 作用 上述の如く絶縁体を、炭素、窒素の内少なくとも一方
の元素を含んだアモルファスシリコンアロイに、酸素を
添加して構成することによって、波長約700nm〜1100nm
の長波長光に対する屈折率が約3.4〜3.6とａ−Si及びｃ
−Siの屈折率に近づきアモルフアス系光起電力素子と当
該絶縁体との界面における上記長波長光に対する反射が
減少する。 （へ） 実 施 例 第１図は本発明積層型光起電力装置の基本構造を示す
模式的断面図である。光入射が為される受光面側から見
て、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）上に、Sn
O2、ITO等の透光性導電酸化物（TCO）からなる受光面電
極（２）、ｐ型のアモルフアスシリコンカーバイド（ａ
−SiC）層（３）、主として可視光領域の短波長光を吸
収し光キヤリアを発生する発電に寄与する光活性層とし
てのｉ型（真性）ａ−SiC層（４）、ｎ型微結晶シリコ
ン（μｃ−Si）層（５）及び銀、アルミニウム等の金属
からなるくし型の第１透過電極（６）をこの順序で配置
したアモルフアス系光起電力措置（SC1）が設けられて
いる。斯るアモルフアス系光起電力素子（SC1）自体は
周知である。次に本発明の構成的特徴点である炭素
（Ｃ）、窒素（Ｎ）の元素の内少なくとも一方を含むａ
−Siアロイに、酸素（Ｏ）を添加してなる膜厚0.5μｍ
〜１μｍ程度の絶縁体（７）が形成される。代表的な製
法はａ−SiCと同じプラズマCVD法であり、原料ガスとし
てSiH4、H2及びCH4またはNH3等と、酸素の添加用のO2等
が用いられ、成膜すべき膜組成に応じて斯る原料ガスの
組合せ及び流量が選択され、ａ−Si:C:O:H、ａ−Si:N:
O:H及びａ−Si:C:N:O:Hで表わされるａ−Siアロイが得
られる。これらａ−Siアロイは膜組成比にもよるがａ−
Siやｃ−Siの屈折率（3.1〜3.7）とほぼ等しい3.4〜3.6
の屈折率を備える。 斯る絶縁体（７）の一例としてSi:C:O:H＝70:10:2:18
のａ−Si:C:O:Hは原料ガスとしてSiH4（5SCCM）、CH
4（2SCCM）、O2（0.1SCCM）、H2（100SCCM）を用い、基
板温度250℃、RFパワー40W、反応圧力0.3Torrの反応条
件により得られる。このようにして得られたａ−Siアロ
イは、光学的バンドギヤツプが概ね2.4eV以上であるも
のの直接光照射を受けると光導電効果により抵抗値の減
少を招く。しかし、光入射側に配置されたアモルフアス
系光起電力素子（SC1）が当該アロイの吸収波長域を含
む可視光波長を吸収し光電変換動作することから、到達
するのは吸収動作するに至らない長波長光であり、従っ
て斯る長波長光の照射を受けても光導電効果を生じるこ
とがなく、長波長光に対して良好な透光性絶縁体とな
る。 斯る絶縁体（７）の後段に、前段のアモルフアス系光
起電力素子（SC1）で吸収されることなく、しかもアモ
ルフアス系光起電力素子（SC1）と絶縁体（７）との界
面で反射することなく到達した波長約700nm〜1100nmの
長波長光を吸収し光電変換動作する結晶系光起電力素子
（SC2）が光学的に積層される。当該光起電力素子（S
C2）は先ず第１透光電極（６）と対向して同一形状の第
２透光電極（８）が設けられ、次いでｐ型多結晶シリコ
ン層（９）が例えばSiH4＋B2H6＋H2を原料ガスとした水
銀増感光CVD法により形成され、そして同じくSiH4＋PH3
＋H2によりｎ型多結晶シリコン層（10）が積層される。
代表的な光CVD法による成膜条件は、光源として成膜面
における光エネルギ強度が約30mW/cm2となる紫外光を輻
射する低圧水銀灯を用い、基板温度250℃、反応圧力0.3
Torr、原料ガスの流量比と膜厚は、ｐ型多結晶シリコン
層（９）がSiH4（5SCCM）、B2H6（0.05SCCM）、H2（100
SCCM）で0.5μｍ、ｎ型多結晶シリコン層（10）がSiH4
（5SCCM）、PH3（0.03SCCM）、H2（100SCCM）で20μｍ
である。最後にｎ型多結晶シリコン層（10）の背面側に
銀、アルミニウム、銀ペースト、ニツケルペースト、カ
ーボンペースト等の金属或いは金属ペースト膜からなる
背面電極（11）が周知の真空蒸着法、スパツタ法或いは
印刷法により形成される。 このようにして、共通の基板（１）上の光入射方向前
段に可射光を吸収して光電変換動作するアモルフアス系
光起電力素子（SC1）を配置し、次いで当該光起電力素
子（SC1）と屈折率がほぼ等しいａ−Siアロイの絶縁体
（７）を設け、そして前段のアモルフアス系光起電力素
子（SC1）及び絶縁対（７）で吸収することなく到達し
た長波長光を吸収して光電変換動作する結晶系光起電力
素子（SC2）が積層されて、光学的には直列に接続さ
れ、電気的には分離されて各素子（SC1）（SC2）毎に電
極（２）（６）、（８）（11）に連なった出力端子（T
11）（T12）、（T21）（T22）から個別の光電変換出力
が導出される。斯る本発明実施例の光起電力装置につい
て、太陽光下（AM−1.5、100mW/cm2）の出力特性が第２
図において実線で示されている。この実施例装置におい
て使用された絶縁体（７）は、波長約700nm〜1100nmに
対し屈折率が約3.4〜3.6のａ−Si0.70:C0.10:O0.02:H
0.18で膜厚約１μｍであった。一方、比較のために、上
記実施例装置のａ−Si0.70:C0.10:O0.02:H0.18の絶縁体
（７）に代えて酸素を添付しないSi3N4の絶縁体を備
え、それ以外は同一構成とした比較例装置を作成し、同
じくAM−1.5、100mW/cm2の太陽光の下で出力特性を測定
した。その出力特性が第２図において破線で示されてい
る。第２図の実線（ｂ）と破線（ｂ′）はそれぞれ、実
施例装置および比較例装置におけるアモルフアス系光起
電力素子（SC1）の出力特性を示し、実線（ａ）と破線
（ａ′）は、それぞれ、実施例装置および比較例装置に
おける結晶系光起電力素子（SC2）の出力特性を示して
いる。アモルフアス系光起電力素子（SC1）について
は、比較例装置の方が、わずかに電流が大きいが、結晶
系光起電力素子（SC2）については、実施例装置の方が
大幅に電流が大きくなっている。これは、比較例装置の
場合、実施例装置と比べて、アモルフアス系光起電力素
子（SC1）と絶縁体の界面における長波長光の反射が大
きいため、アモルフアス系光起電力素子（SC1）側で吸
収される光の総量が増えるが、ａ−Siの長波長光に対す
る吸収が小さいために、その増加分はわずかであり、発
生電流の増加分も少ない。それに対し、実施例装置の場
合は、逆に結晶系光起電力素子（SC2）側で吸収される
光が大幅に増えることから発生電流が大幅に増加する。
従って、光起電力装置全体の出力特性は各光起電力素子
（SC1）（SC2）が個別の出力端子（T11）（T12、
（T21）（T22）を備えることから、各光起電力素子（SC
1）（SC2）の総和となる。その結果各起光電力素子（SC
1）（SC2）の構成は同じであっても、本発明の実施例装
置における変換効率は約18.0％となるのに対し、比較例
装置のそれは約15.2％に止まる。即ち、本発明実施例装
置にあっては比較例装置と同じ光起電力素子（SC1）（S
C2）を用いたにも拘らず、その両者の間に存在する絶縁
体（７）を特定の元素から構成したアモルファスシリコ
ンアロイから構成することにより高い変換効率が得られ
る。 尚本発明にあっては第１・第２透過電極（６）（８）
を構成するくし形電極が低抵抗であることが望ましいた
め、その材料として高温超電導体の採用も考えられる。
また、各光起電力素子（SC1）（SC2）は凸凹状の断面形
状を有するテクスチユア構造である方が、より高い出力
特性を得られる。さらに、このテクスチユアの凸凹の平
均間隔は、アモルフアス系光起電力素子（SC1）では可
視光に対して光損失が少なくなるように選び、かつ、結
晶系光起電力素子（SC2）では近赤外光に対して光損失
が少なくなるように選べば、さらに特性が高くなる。 （ト） 発明の効果 本発明光起電力装置は以上の説明から明らかな如く、
アモルフアス系光起電力素子と絶縁体との界面における
長波長光に対する反射が減少するので、当該長波長光を
後段の結晶系光起電力素子に良好に導くことができ、装
置全体の総合出力特性の改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光起電力装置の一実施例を示す模式的
断面図、第２図は斯る実施例装置と比較例装置の光照射
下の電流・電圧特性を示す出力特性図である。 （１）……基板、（７）……絶縁体、（SC1）……アモ
ルフアス系光起電力素子、（SC2）……結晶系光起電力
素子。
断面図、第２図は斯る実施例装置と比較例装置の光照射
下の電流・電圧特性を示す出力特性図である。 （１）……基板、（７）……絶縁体、（SC1）……アモ
ルフアス系光起電力素子、（SC2）……結晶系光起電力
素子。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭57−153478（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−191479（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−125669（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−1062（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．発電に寄与する光活性層が主としてアモルファスシ
リコンからなるアモルファス系光起電力素子と、上記光
活性層が主として結晶シリコンからなる結晶系光起電力
素子と、を絶縁体を挟んで積層し、光入射側にアモルフ
ァス系光起電力素子を配置した積層型光起電力装置にお
いて、上記絶縁体は炭素、窒素の元素の内少なくとも一
方の元素を含んだアモルファスシリコンアロイに、酸素
を添加してなることを特徴とした積層型光起電力装置。 ２．上記結晶シリコンは多結晶シリコンであることを特
徴とした特許請求の範囲第１項記載の積層型光起電力装
置。 ３．上記結晶シリコンは単結晶シリコンであることを特
徴とした特許請求の範囲第１項記載の積層型光起電力装
置。
Priority Applications (1)
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| JP62286202A JP2669834B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 積層型光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286202A JP2669834B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 積層型光起電力装置 |
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| JP2669834B2 true JP2669834B2 (ja) | 1997-10-29 |
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ID=17701283
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62286202A Expired - Fee Related JP2669834B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 積層型光起電力装置 |
Country Status (1)
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-
1987
- 1987-11-12 JP JP62286202A patent/JP2669834B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH01128476A (ja) | 1989-05-22 |
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