JP5247483B2 - フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 - Google Patents
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Description
[第1実施形態]
図1及び図2を参照して、第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係るフォトダイオードアレイを示す平面図である。図2は、図1におけるII−II線に沿った断面構成を示す模式図である。
図5及び図6を参照して、第2実施形態に係るフォトダイオードアレイ91の構成について説明する。図5は、第2実施形態に係るフォトダイオードアレイを示す平面図である。図6は、図5におけるVI−VI線に沿った断面構成を示す模式図である。
[第1実施形態]
図13を参照して、第1実施形態に係る放射線検出器100の構成について説明する。図13は、第1実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示す模式図である。
図15を参照して、第2実施形態に係る放射線検出器300の構成について説明する。図15は、第2実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示す模式図である。
Claims (2)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方面側に並んで配置されていると共に、それぞれが前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する複数の第2導電型の半導体領域と、を備え、
前記半導体基板の隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、前記第2導電型の半導体領域の配置方向に離隔し且つ前記第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びる少なくとも2つの改質領域が形成されていることを特徴とするフォトダイオードアレイ。 - 請求項1に記載のフォトダイオードアレイと、
前記半導体基板の前記一方面上又は前記一方面に対向する他方面上に配置されるシンチレータと、を備えていることを特徴とする放射線検出器。
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