JP2011104633A

JP2011104633A - スクライブ方法

Info

Publication number: JP2011104633A
Application number: JP2009263496A
Authority: JP
Inventors: Yuji Takehara; 優志竹原
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2009-11-19
Filing date: 2009-11-19
Publication date: 2011-06-02

Abstract

【課題】レーザスクライブで溝を形成する際に溝の内面に付着した堆積物を、効果的に除去することができるスクライブ方法を提供する。
【解決手段】基板のスクライブラインを、スクライブラインの延在する方向に長いビームスポットを持つ第１のレーザビームで走査することにより、スクライブラインに沿った溝を形成する。この走査時に、ビームスポットの中心近傍の第１の領域が通過するときに溝を形成する。溝が形成された後、第１の領域よりも外側の、パワー密度の低い第２の領域が通過するときに、溝の底部に付着している堆積物を除去する。
【選択図】図２

Description

本発明は、レーザビームを用いて基板に凹部を形成するスクライブ方法に関する。

窒化物系化合物半導体層を形成したサファイア基板を機械的にスクライビングまたはダイシングする前に、レーザを用いて溝を形成しておく技術（レーザスクライブ）が公知である（特許文献１）。基板にレーザビームを照射して溝を形成した後、低エネルギ密度のレーザを溝に照射することにより、１回目のレーザ照射で基板に付着した堆積物を除去する技術が公知である（特許文献２）。ビームスポットの小さなレーザビームと、それよりもビームスポットの大きなレーザビームとを同時に基板に照射する技術が公知である（特許文献３、４）。ビームスポットの小さなレーザビームで溝が形成され、ビームスポットの大きなレーザビームで、基板に付着した堆積物が除去される。

特開平１０−３２１９０８号公報特開２００９−４９３９０号公報特開平８−１３５７号公報特開２００２−２６３８７３号公報

レーザを用いて溝を形成すると、溝の内面や基板の表面に、アブレーションによって飛散した飛散物が再付着し、堆積物が形成される。溝の深さが幅の２倍以上の場合、スクライビング用のダイヤモンド針の先端が溝の底まで届かない。このため、ダイヤモンド針で溝に沿ってスクライブしても、溝の底の近傍に付着した堆積物を機械的に除去することができない。また、機械的にスクライビングを行うと、溝の縁に欠けが発生する場合がある。この欠けは、基板をブレーキングする際に、クラックやチッピングの起点となる。

１回目のレーザ照射で形成する溝を深くすると、２回目のレーザ照射時において、溝の浅い領域にビームウエストの位置を合わせると、深い領域におけるパワー密度が小さくなり、堆積物の除去が不十分になる。逆に、深い領域にビームウエストの位置を合わせると、浅い領域におけるパワー密度が小さくなり、堆積物の除去が不十分になる。ビームスポットの小さなレーザビームと大きなレーザビームとを同時に照射する場合にも、同様の現象が生じ得る。

本発明の目的は、レーザスクライブで溝を形成する際に溝の内面に付着した堆積物を、効果的に除去することができるスクライブ方法を提供することである。

本発明の一観点によると、
基板のスクライブラインを、該スクライブラインの延在する方向に長いビームスポットを持つ第１のレーザビームで走査することにより、スクライブラインに沿った溝を形成する工程を含み、
ビームスポットの中心近傍の第１の領域が通過するときに前記溝を形成し、溝が形成された後、前記第１の領域よりも外側の、パワー密度の低い第２の領域が通過するときに、前記溝の底部に付着している堆積物を除去するスクライブ方法が提供される。

１度のレーザ照射で、溝の形成と、溝の底部に付着した堆積物の除去との両方を行うことができる。溝の浅い部分に付着した堆積物は、その後の処理により容易に除去可能である。

（１Ａ）は、実施例によるスクライブ方法で用いるスクライブ装置の概略図であり、（１Ｂ）は、スクライブ対象の基板の平面図である。（２Ａ）は、スクライブ途中の基板の断面図であり、（２Ｂ）は、スクライブ途中の基板の平面図であり、（２Ｃ）、（２Ｄ）及び（２Ｅ）は、それぞれ（２Ｂ）の一点鎖線２Ｃ−２Ｃ、２Ｄ−２Ｄ、及び２Ｅ−２Ｅにおける断面図である。（３Ａ）は、スクライブ途中の基板の断面図であり、（３Ｂ）は、スクライブ途中の基板の平面図であり、（３Ｃ）は、（３Ｂ）の一点鎖線３Ｃ−３Ｃにおける断面図である。溝形成時に用いるレーザビームのビームスポット内の光強度分布を示すグラフである。（５Ａ）〜（５Ｄ）は、実施例によるスクライブ方法を適用した半導体発光素子の製造途中段階における断面図である。（５Ｅ）〜（５Ｇ）は、実施例によるスクライブ方法を適用した半導体発光素子の製造途中段階における断面図であり、（５Ｈ）は、製造された半導体発光素子の断面図である。

図１Ａに、実施例によるスクライブ方法で用いられるスクライブ装置の概略図を示す。ＸＹステージ１０に、スクライブ対象の基板２０が載置されている。基板２０は、例えばサファイア基板である。基板２０の表面に平行な面をｘｙ面とし、基板２０の法線方向をｚ軸とするｘｙｚ直交座標系を定義する。ＸＹステージ１０は、基板２０をｘ方向及びｙ方向に並進移動させるとともに、ｚ方向に昇降させることができる。

レーザ光源１１がパルスレーザビーム１５を出射する。集光光学系１２が、レーザビーム１５を基板２０の表面に集光する。レーザ光源１１には、例えば３倍高調波を出射するＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ４等の固体レーザが用いられる。固体レーザの３倍高調波の波長は、３４９ｎｍ〜３５５ｎｍである。

図１Ｂに、基板２０の平面図を示す。基板２０の表面に、複数のチップ２１がｘ方向及びｙ方向に行列状に配置されている。相互に隣り合うチップ２１の間にスクライブライン２２が画定される。スクライブライン２２は、正方格子模様を有する。正方格子模様を構成する直線は、ｘ軸またはｙ軸に平行である。

基板２０にレーザビームが入射すると、ビームスポット２５が形成される。ビームスポット２５は、ｘ方向に長い形状、例えば楕円形状を有する。このような形状は、集光光学系１２にシリンドリカルレンズを配置することにより得られる。または、レーザビーム１５の中心光線に対して基板２０を傾けることによって、または基板２０の法線に対してレーザビーム１５を傾けることによって、ビームスポット２５を楕円形状にすることができる。

ビームスポット２５内の光強度分布は、ｘ方向及びｙ方向のいずれの方向に関してもガウス分布で近似される。基板２０の表面をｘ方向に平行なスクライブライン２２に沿ってレーザビームで走査することにより、溝を形成することができる。レーザビームによる走査は、基板２０をｘ方向に移動させることにより行われる。

図２Ａに、図１Ｂの一点鎖線２Ａ−２Ａにおける断面図を示す。レーザビーム１５を基板２０に対して＋ｘ方向に移動させる（基板２０を−ｘ方向に移動させる）と、レーザビーム１５が照射された領域に溝２６が形成される。

図２Ｂに、レーザビームが照射される領域の平面図を示す。基板２０の表面に、ｘ方向に長いビームスポット２５が形成されている。ビームスポット２５の形状はｘ方向に長い楕円である。ビームスポット２５の長径及び短径に沿う光強度分布は、ガウス分布で近似される。ビームスポット２５の中心近傍のパワー密度の高い領域でアブレーションが生じ、溝２６が形成される。アブレーションで発生した飛散物が、溝２６の内面及び基板２０の表面に再付着することにより、堆積物２７が形成される。堆積物２７の一部は、ビームスポット２５の後方の一部分が照射されることによって除去される。

図２Ｃに、図２Ｂの一点鎖線２Ｃ−２Ｃにおける断面図を示す。レーザビーム１５が照射されることにより、溝２６が形成される。溝２６の開口部の幅は、例えば９μｍ〜１０μｍであり、深さは、例えば２０μｍ〜３０μｍである。

図２Ｄに、図２Ｂの一点鎖線２Ｄ−２Ｄにおける断面図を示す。溝２６の内面及び溝２６の開口部の両側に、堆積物２７が付着している。

図２Ｅに、図２Ｂの一点鎖線２Ｅ−２Ｅにおける断面図を示す。ビームスポット２５のうち、基板２０に凹部を形成することはできないが、堆積物２７を溶融させて蒸発させることができる範囲のパワー密度になる条件でレーザビームが照射されることにより、溝２６の深い領域（底、及び底に連続する側面の一部）に付着していた堆積物２７が除去される。

溝２６の浅い領域及び基板２０の表面においては、ビームウエストが位置する溝２６の深い領域に比べて、レーザビーム１５のパワー密度が低い。このため、溝２６の浅い部分及び基板２０の表面に付着した堆積物２７には、除去するために必要なエネルギが供給されない。このため、この部分の堆積物２７は除去されず残留する。

図３Ａに示すように、溝２６に沿って２回目のレーザビーム１６の照射を行う。レーザビーム１６の波長は、１回目に照射したレーザビーム１５の波長と同一である。ただし、レーザビーム１６によって基板に与えられるエネルギ密度は、１回目のレーザビーム１５によって基板に与えられるエネルギ密度よりも低い。

レーザビーム１６は、基板２０のやや上方においてビームウエストを形成する。例えば、図１Ａに示したＸＹステージ１０を、１回目のレーザビームの照射のときよりも、集光光学系１２から遠ざけることにより、基板２０のやや上方においてビームウエストを形成することができる。なお、ＸＹステージ１０を下降させる代わりに、集光光学系１２を上昇させてもよいし、集光光学系１２の焦点距離を変化させてもよい。レーザビーム１６は、ビームウエストを通過した後発散する。このため、基板２０に入射した後のレーザビーム１６は発散光線束となる。

レーザビーム１６は、基板２０に入射した後、発散するため、基板２０内におけるパワー密度が、表面におけるパワー密度よりも高くなることはない。このため、基板２０が損傷を受けにくい。また、溝２６が形成された表面とは反対側の表面において、レーザビーム１６のパワー密度がより低下する。このため、反対側の表面に半導体素子が形成されている場合には、レーザビーム１６のエネルギが半導体素子に与える影響を軽減することができる。

図３Ｂに、２回目のレーザビームが照射されている基板２０の平面図を示す。溝２６に沿って、ビームスポット２８が移動する。ビームスポット２８の平面形状は円形である。ビームスポット２８が通過する前の一点鎖線２Ｅ−２Ｅにおける断面は、図２Ｅに示した通りであり、溝２６の浅い領域の内面、及び基板２０の上面に堆積物２７が残っている。

図３Ｃに、図３Ｂの一点鎖線３Ｃ−３Ｃにおける断面図を示す。レーザビーム１６の照射によって、堆積物２７が溶融及び蒸発し、除去されている。レーザビーム１６によって基板２０に与えられるエネルギ密度は、基板２０をアブレーションさせることができるしきい値よりも低い。また、溝２６の深い領域では、発散によってレーザビーム１６のパワー密度が低下する。このため、レーザビーム１６を照射しても、溝２６の形状が維持される。溝２６が機械的にスクライブされないため、溝２６の縁に欠け等が発生することもない。

図３Ａ〜図３Ｃに示したレーザビーム１６の、溝２６の深い領域におけるパワー密度は、浅い領域におけるパワー密度よりも低い。このように、溝２６の深さ方向の位置によってパワー密度が異なる。レーザビーム１６の照射条件は、溝２６の浅い領域の堆積物２７が除去されるように選択されている。溝２６の深い領域では、パワー密度が不足するため、堆積物２７の除去が不十分になる。上記実施例では、図２Ａ〜図２Ｅに示した１回目のレーザビーム１５の照射で、深い領域の堆積物２７が既に除去されている。このため、１回目のレーザビーム１５の照射と、２回目のレーザビーム１６の照射とによって、堆積物２７を効率的に除去することができる。

なお、１回目のレーザビーム１５を照射した後は、溝２６の浅い領域及び基板２０の表面にのみ堆積物２７が残っているため、２回目のレーザビーム１６の照射に代えて、ダイヤモンドペン等を用いた機械的なスクライビングによって堆積物２７を取り除くことも可能である。

次に、図４を参照して、１回目に照射するレーザビーム１５のレーザ照射条件について説明する。

レーザパワーをＰ、レーザビームで照射される領域（ビーム照射領域）の面積をＳ、ビームスポットのｙ方向の長さＷ、ビームスポットの移動速度（走査速度）をＶとし、スクライブ領域に入射するレーザビームのエネルギ密度Ｅを、

と定義する。Ｐ／Ｓは、レーザパワーの全てがビーム照射領域内に入射したと仮定した時の、ビーム照射領域内の平均パワー密度に相当する。Ｗ／Ｖは、溝２６の中心線上の一点を、ビーム照射領域が通過する所要時間に相当する。

一例として、レーザビームのパルスの繰り返し周波数が８０ｋＨｚ、走査速度Ｖが１０ｍｍ／ｓのとき、パルスレーザビームのショット間でビームスポットが移動する距離は０．１２５μｍである。ビーム照射領域の直径、例えば１０μｍに比べて十分小さい場合に、例えば１／１０以下である場合には、スクライブ領域の中央線上の任意の位置に投入されるエネルギ密度は、上述の数式（１）で与えられると考えることができる。

ビームスポットの形状を円形として、サファイア基板に溝を形成する評価実験を行った。ビームスポットが円形であるため、ビームスポットのｙ方向の長さＷは、溝の幅とほぼ等しいと考えることができる。溝の幅Ｗが約１０μｍ、走査速度Ｖが１０ｍｍ／ｓ、パルスの繰り返し周波数が８０ｋＨｚ及び１００ｋＨｚの条件で、レーザパワーＰを変化させて行った評価実験によると、上述の数式（１）の左辺のエネルギ密度Ｅが５１０Ｊ／ｃｍ^２以上（パワー密度Ｐ／Ｓが５１０ｋＷ／ｃｍ^２以上）のときに、サファイア基板に溝を形成することができた。ただし、基板の表面状態のばらつき等によって、エネルギ密度Ｅが５１０Ｊ／ｃｍ^２〜５５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲（パワー密度Ｐ／Ｓが５１０ｋＷ／ｃｍ^２〜５５０ｋＷ／ｃｍ^２の範囲）では、部分的に溝が形成されない場合があった。安定して溝を形成するには、エネルギ密度Ｅを５５０Ｊ／ｃｍ^２以上（パワー密度Ｐ／Ｓを５５０ｋＷ／ｃｍ^２以上）にすることが好ましい。

また、１回目のレーザ照射時のエネルギ密度Ｅが８００Ｊ／ｃｍ^２（パワー密度Ｐ／Ｓが８００ｋＷ／ｃｍ^２）を超えると、溝形成時の堆積物が多くなりすぎて、２回目のレーザ照射で堆積物を除去することが困難になる。このため、１回目のレーザ照射時のエネルギ密度Ｅを８００Ｊ／ｃｍ^２以下にすることが好ましい。

なお、基板２０にアブレーションが生じるか否かは、エネルギ密度Ｅのみならず、１パルスあたりのエネルギ密度（パルスエネルギ密度）に依存する。パワー０．３Ｗ、周波数８０ｋＨｚ、溝幅１０μｍの条件で溝が形成されることが確認された。サファイア基板に溝を形成するためには、パルスエネルギ密度を４５０Ｊ／ｃｍ^２以上にすることが好ましい。

数式（１）において、走査速度Ｖを遅くしても、レーザパワーＰを小さくすると、エネルギ密度Ｅを一定にすることができる。ところが、レーザパワーＰを小さくしすぎると、パルスエネルギ密度が溝を形成するためのしきい値以下になってしまい、溝を形成することができない。従って、溝を形成するための条件として、エネルギ密度Ｅ（パワー密度Ｐ／Ｓ）のみならず、パルスエネルギ密度も考慮しなければならない。

さらに、評価実験から、サファイア基板をアブレーションすることなく、堆積物を再現性よく除去するためには、エネルギ密度Ｅを３８０Ｊ／ｃｍ^２〜４５０Ｊ／ｃｍ^２の範囲内（パワー密度Ｐ／Ｓを３８０ｋＷ／ｃｍ^２〜４５０ｋＷ／ｃｍ^２の範囲内）にし、かつ走査方向に関するビームスポットの長さ（スポット径）を１０〜２０μｍにすることが好ましいことがわかった。

図４に、実施例による方法で用いられる１回目のレーザ照射時のビームスポット２５（図２Ｂ）内におけるｙ軸方向の光強度（パワー密度）分布を示す。図４の上段のグラフは、ｙ軸方向に関してビームスポット２５のほぼ全域の光強度分布を示し、図４の下段は、ビームスポット２５の中心近傍の光強度分布を示す。ビームスポット２５がｙ軸方向に移動するとき、パワー密度が第１のしきい値ＰＤ１以上の領域Ｃ１において、溝２６が形成される。パワー密度が第２のしきい値ＰＤ２と第３のしきい値ＰＤ３との間の領域Ｃ２によって、溝２６の深い領域の堆積物２７が除去される。領域Ｃ１と領域Ｃ２との間の領域Ｃ３が照射されているときには、基板２０の表面条件によって、アブレーションまたは堆積物除去のいずれかが進行するか、または両者が並行して進行すると考えられる。

上述の数式１のパワー密度Ｐ／Ｓは、ビーム照射領域内の平均値を表しているが、溝２６が形成されるパワー密度と、堆積物２７が除去されるパワー密度との比は、上述の評価実験で求められた溝が形成されるパワー密度の平均値と、堆積物が除去されるパワー密度の平均値との比にほぼ等しいと考えられる。上記評価実験で求められた第１のしきい値ＰＤ１、第２のしきい値ＰＤ２、及び第３のしきい値ＰＤ３は、それぞれ５５０ｋＷ／ｃｍ^２、４５０ｋＷ／ｃｍ^２、及び３８０ｋＷ／ｃｍ^２である。従って、ビームスポットが楕円の場合にも、第２のしきい値ＰＤ２は、第１のしきい値ＰＤ１の約８１％であり、第３のしきい値ＰＤ３は、第１のしきい値ＰＤ１の約６９％になると考えられる。

安定して溝２６を形成するために、領域Ｃ１の長さを５μｍ〜２０μｍの範囲内にすることが好ましい。また、堆積物を十分除去するために、領域Ｃ３の長さを５μｍ〜２０μｍの範囲内にすることが好ましい。また、領域Ｃ３の長さは、１０μｍ〜３０μｍの範囲内にすることが好ましい。ガウス分布の標準偏差が２５μｍ〜５３μｍのとき、ほぼこの条件が満たされる。ビームスポットの外周線を、光強度がピーク強度の１／ｅになる閉曲線で定義すると、ビームスポットの長径に沿う光強度分布の標準偏差が２５μｍ〜５３μｍの範囲内であることは、ビームスポットの長径が５０μｍ〜１０６μｍの範囲内であることと等価である。ここで、「ｅ」は、ネイピア数（自然対数の底）である。

実施例において、１回目のレーザビーム１５として、例えばビームスポット２５の長径が２００〜４００μｍ、短径が１０〜２０μｍ、波長が３４９〜３５５ｎｍ、パルスの繰り返し周波数が６０〜１２０ｋＨｚ、パルス幅が４０ｎｓ、レーザパワーが０．４〜２．０Ｗのパルスレーザビームを用いることができる。走査速度は５〜３０ｍｍ／ｓ、パルスエネルギ密度は、４５０Ｊ／ｃｍ^２以上になるように制御することが好ましい。

ビームスポット２５をｙ方向に長い楕円にすることにより、領域Ｃ２のｙ方向の寸法を大きくすることができる。ビームスポットが円形の場合には、領域Ｃ２の寸法が小さいため、溝２６の深い領域の堆積物の除去が不十分になる。ビームスポット２５をｙ方向に長い楕円にすることにより、堆積物２７の除去を十分行うことが可能になる。なお、ビームスポット２５の形状は、楕円に限らない。例えばｙ方向に長い長方形、ｙ方向に長いレーストラック形状としてもよい。

スリットを通すことによってビーム断面の形状を楕円等にする場合、スリットを透過する領域が、上述の領域Ｃ１、領域Ｃ２、及び領域Ｃ３を含んでいればよい。

図５Ａ〜図５Ｈを参照して、実施例によるスクライビング方法を適用した半導体発光素子の製造方法について説明する。

図５Ａに示すように、サファイアからなる基板４０の上に、複数の半導体発光素子４１が形成されている。半導体発光素子４０の各々は、ｎ型半導体層４２、発光層４３、ｐ型半導体層４４、ｎ側電極４５、及びｐ側電極４６を含む。発光層４３は、ｎ型半導体層４２とｐ型半導体層４４との間に挟まれている。ｎ側電極４５はｎ型半導体層４２にオーミック接触し、ｐ側電極４６はｐ型半導体層４４にオーミック接触する。半導体素子４１は、図１Ｂに示したチップ２１に相当する。半導体素子４１の間にスクライブライン２２が画定されている。

基板４０の、半導体素子４１が形成されている面を固定台５０に対向させ、ワックスを介して基板４０を固定台５０に固定する。基板４０の背面を研削及び研磨することにより、基板４０を薄くする。薄くされた基板４０の厚さは、例えば１００μｍである。

図５Ｃに示すように、基板４０を固定台５０から取り外し、背面に水溶性の保護膜５２をスピンコートにより形成する。保護膜５２には、例えばＥＭＵＬＳＩＴＯＮＥＣＯＭＰＡＮＹのＥＭＳ１１４６（商標）を用いることができる。保護膜５２の厚さは、例えば３００ｎｍとする。

基板４０の、半導体発光素子４１が形成された面を粘着シート５３に対向させ、粘着シート５３を基板４０に貼り付ける。

図５Ｄに示すように、基板４０をレーザスクライビングすることにより、基板４０の背面のスクライブライン２２に溝５５を形成する。このレーザスクライビングには、図１Ａ〜図３Ｃに示した実施例による方法を適用する。このため、内面に堆積物が付着していない溝５５を形成することができる。溝５５の深さは、例えば２０μｍ〜３０μｍであり、幅は１０μｍである。

図５Ｅに示すように、保護膜５２（図５Ｄ）を、純水を用いた超音波洗浄により除去する。このとき、保護膜５２の上に付着した異物が同時に除去される。

図５Ｆに示すように、基板４０の背面にブレード受け５８を配置し、粘着シート５３を介して、溝５５に沿って基板４０にブレード５７を押し付ける。これにより、ブレーキングを行うことができる。

図５Ｇに示すように、基板４０が、半導体発光素子４１ごとに分割される。この段階では、各半導体発光素子４１は１枚の粘着シート５３に接着されている。

図５Ｈに示すように、分割された基板４０及び半導体発光素子４１を、粘着シート５３（図５Ｇ）から引き剥がす。基板４０の背面の縁に、溝５５の内面に相当する斜面５９が形成されている。この斜面５９には、堆積物が付着していない。このため、発光層４３で発生し、斜面５９に向かう光を、効率的に素子の外部に取り出すことができる。

上記実施例では、レーザスクライブする対象の基板にサファイアを用いたが、他の基板を用いてもよい。基板の材料が変わると、図４に示した第１のしきい値ＰＤ１、第２のしきい値ＰＤ２、及び第３のしきい値ＰＤ３が変わる。これらのしきい値は、種々のレーザパワーで溝を形成する評価実験を行うことにより、決定することができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１０ＸＹステージ
１１レーザ光源
１２集光光学系
１５レーザビーム
２０基板
２１チップ
２２スクライブライン
２５ビームスポット
２６溝
２７堆積物
２８ビームスポット
４０基板
４１半導体発光素子
４２ｎ型半導体層
４３発光層
４４ｐ型半導体層
４５ｎ側電極
４６ｐ側電極
５０固定台
５２保護膜
５３粘着シート
５５溝
５７ブレード
５８ブレード受け
５９斜面

Claims

基板のスクライブラインを、該スクライブラインの延在する方向に長いビームスポットを持つ第１のレーザビームで走査することにより、スクライブラインに沿った溝を形成する工程を含み、
ビームスポットの中心近傍の第１の領域が通過するときに前記溝を形成し、溝が形成された後、前記第１の領域よりも外側の、パワー密度の低い第２の領域が通過するときに、前記溝の底部に付着している堆積物を除去するスクライブ方法。
さらに、前記基板の表面において、前記第１のレーザビームのパワー密度よりも小さなパワー密度を持つ第２のレーザビームで、前記溝を走査することにより、前記第１のレーザビームのビームスポットの前記第２の領域が通過しても除去できなかった相対的に浅い領域の堆積物を除去する工程を有する請求項１に記載のスクライブ方法。
前記基板がサファイアであり、
前記スクライブラインの延在する方向における前記第１のレーザビームの光強度分布がガウス分布で近似され、該ガウス分布の標準偏差が２５μｍ〜５３μｍの範囲内である請求項１または２に記載のスクライブ方法。
前記第１のレーザビーム及び第２のレーザビームの波長が、３４９ｎｍ〜３５５ｎｍの範囲内である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスクライブ方法。