WO2014030518A1 - 加工対象物切断方法 - Google Patents

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WO2014030518A1
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丈史 山田
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浜松ホトニクス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a processing object cutting method for manufacturing a plurality of light emitting elements by cutting a processing object including a single crystal sapphire substrate for each light emitting element portion.
  • Patent Document 1 discloses that separation grooves are formed on the front and back surfaces of a sapphire substrate by dicing or scribing, and a work-affected portion is formed in the sapphire substrate by irradiation with laser light. A method is described in which the sapphire substrate is cut along a separation groove and a work-affected portion, formed in multiple stages.
  • the present invention provides a process capable of suppressing variations in the meandering amount of cracks generated from a modified region formed along each of a plurality of scheduled cutting lines parallel to the a-plane and the back surface of a single crystal sapphire substrate.
  • An object is to provide a method for cutting an object.
  • the present inventors have generated from a modified region formed along each of a plurality of scheduled cutting lines parallel to the a surface and the back surface of the single crystal sapphire substrate.
  • the variation in the meandering amount of the crack is caused by the relationship between the direction in which the laser light condensing point is relatively moved along the planned cutting line and the direction in which the r-plane of the single crystal sapphire substrate is inclined. I figured out what I was doing.
  • the method for cutting a workpiece includes a single crystal sapphire substrate having a front surface and a back surface that form an angle corresponding to the c-plane and a plurality of light emitting element portions arranged in a matrix on the front surface.
  • a processing object cutting method for manufacturing a plurality of light emitting elements by cutting a processing object provided with an element layer for each light emitting element section, and a back surface of the single crystal sapphire substrate on which the laser light is incident
  • a plurality of first values set so as to be parallel to the a-plane and the back surface of the single crystal sapphire substrate by aligning the condensing point of the laser light with the position in the single crystal sapphire substrate that is separated from the back surface by the first distance.
  • the first modified region is formed in the single crystal sapphire substrate along each of the first scheduled cutting lines by relatively moving the focusing point from one side to the other side along each of the planned cutting lines.
  • laser light is condensed from one side to the other side in each of a plurality of first cutting scheduled lines set to be parallel to the a-plane and the back surface of the single crystal sapphire substrate. Move the points relatively. Thereby, it can suppress that the amount of meandering of the 1st crack which occurred from the 1st modification field formed along each of the 1st scheduled cutting line changes. Therefore, according to this workpiece cutting method, variation in the meandering amount of cracks generated from the modified regions formed along each of a plurality of scheduled cutting lines parallel to the a-plane and the back surface of the single-crystal sapphire substrate is reduced. It becomes possible to suppress.
  • the off angle includes the case of 0 °. In this case, the front and back surfaces of the single crystal sapphire substrate are parallel to the c-plane.
  • the side where the angle between the r-plane and the back surface of the single crystal sapphire substrate is an acute angle is one side
  • the side where the angle between the r-plane and the back surface is an obtuse angle is the other side.
  • the condensing point of the laser beam is relatively moved from the side where the angle between the r-plane and the back surface of the single crystal sapphire substrate is an obtuse angle to the side where the angle is an acute angle.
  • the amount of meandering of the first crack that reaches the back surface of the single crystal sapphire substrate from the one modified region can be suppressed to be small.
  • an external force is applied to the workpiece along each of the first scheduled cutting lines by pressing the knife edge against the workpiece from the surface side along each of the first scheduled cutting lines. You may let them. According to this, since an external force acts on the workpiece so that the first crack reaching the back surface of the single crystal sapphire substrate is opened, the workpiece is easily and accurately along the first scheduled cutting line. Can be cut off.
  • the workpiece cutting method is such that, before the second step, the back surface is the incident surface, the focusing point is aligned within the single crystal sapphire substrate, and is parallel to the m-plane and the back surface of the single crystal sapphire substrate.
  • a second modified region is formed in the single crystal sapphire substrate along each of the second scheduled cutting lines by relatively moving the condensing point along each of the set second scheduled cutting lines.
  • an external force is applied to the workpiece along each of the second scheduled cutting lines, thereby extending the second crack generated from the second modified region.
  • a fourth step of cutting the workpiece along each of the second scheduled cutting lines is such that, before the second step, the back surface is the incident surface, the focusing point is aligned within the single crystal sapphire substrate, and is parallel to the m-plane and the back surface of the single crystal sapphire substrate.
  • the workpiece can be cut easily and accurately along the first scheduled cutting line and the second scheduled cutting line.
  • the third step may be performed before the first step or may be performed after the first step as long as it is before the second step.
  • the fourth step may be performed before the fourth step or after the fourth step as long as it is after the first step and the third step.
  • a focusing point is aligned with a position in the single crystal sapphire substrate that is separated from the back surface by a second distance larger than the first distance, and each of the first scheduled cutting lines
  • a third modified region is formed in the single crystal sapphire substrate along each of the first scheduled cutting lines by relatively moving the focusing point from the other side to the one side along the second step. Then, by applying an external force to the object to be processed along each of the first cutting scheduled lines, the first crack and the third crack generated from the third modified region are extended, and the first cutting scheduled line You may cut
  • the workpiece can be easily and accurately cut along the first scheduled cutting line. Further, by moving the condensing point of the laser beam in the opposite direction when forming the first modified region and when forming the third modified region, for example, for each first cutting scheduled line, When the modified region is formed and then the first modified region is formed continuously, the condensing point of the laser beam can be moved efficiently.
  • a focusing point is aligned with a position in the single crystal sapphire substrate that is separated from the back surface by a second distance larger than the first distance, and each of the first scheduled cutting lines
  • a third modified region is formed in the single crystal sapphire substrate along each of the first scheduled cutting lines by relatively moving the focusing point from one side to the other side along the second step. Then, by applying an external force to the object to be processed along each of the first cutting scheduled lines, the first crack and the third crack generated from the third modified region are extended, and the first cutting scheduled line You may cut
  • the workpiece can be easily and accurately cut along the first scheduled cutting line. Further, by moving the laser light condensing point in the same direction during the formation of the first modified region and during the formation of the third modified region, the first crack is simply removed during the formation of the first modified region. It is possible to reliably reach the back surface of the crystal sapphire substrate.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of the workpiece in FIG. 2. It is a top view of the processing target after laser processing.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of the workpiece in FIG. 4.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of the workpiece in FIG. 4. It is a top view of the processing object used as the object of the processing object cutting method of a 1st embodiment of the present invention.
  • the modified region is formed inside the processing object along the planned cutting line by irradiating the processing object with laser light along the planned cutting line.
  • a laser processing apparatus 100 includes a laser light source 101 that oscillates a laser beam L, a dichroic mirror 103 that is arranged so as to change the direction of the optical axis (optical path) of the laser beam L, and A condensing lens 105 for condensing the laser light L. Further, the laser processing apparatus 100 includes a support base 107 for supporting the workpiece 1 irradiated with the laser light L condensed by the condensing lens 105, and a stage 111 for moving the support base 107. And a laser light source control unit 102 for controlling the laser light source 101 to adjust the output of the laser light L, the pulse width, and the like, and a stage control unit 115 for controlling the movement of the stage 111.
  • the laser light L emitted from the laser light source 101 has its optical axis changed by 90 ° by the dichroic mirror 103, and the inside of the processing object 1 placed on the support base 107.
  • the light is condensed by the condensing lens 105.
  • the stage 111 is moved, and the workpiece 1 is moved relative to the laser beam L along the planned cutting line 5. As a result, a modified region along the planned cutting line 5 is formed on the workpiece 1.
  • a cutting target line 5 for cutting the processing object 1 is set in the processing object 1.
  • the planned cutting line 5 is a virtual line extending linearly.
  • the laser beam L is projected along the planned cutting line 5 in a state where the focused point P is aligned with the inside of the workpiece 1. It moves relatively (that is, in the direction of arrow A in FIG. 2).
  • the modified region 7 is formed inside the workpiece 1 along the planned cutting line 5, and the modified region 7 formed along the planned cutting line 5 is formed. It becomes the cutting start area 8.
  • the condensing point P is a location where the laser light L is condensed.
  • the planned cutting line 5 is not limited to a straight line, but may be a curved line, or may be a line actually drawn on the surface 3 of the workpiece 1 without being limited to a virtual line.
  • the modified region 7 may be formed continuously or intermittently. Further, the modified region 7 may be in the form of a line or a dot. In short, the modified region 7 only needs to be formed at least inside the workpiece 1.
  • a crack may be formed starting from the modified region 7, and the crack and modified region 7 may be exposed on the outer surface (front surface, back surface, or outer peripheral surface) of the workpiece 1.
  • the laser light L here passes through the workpiece 1 and is particularly absorbed near the condensing point inside the workpiece 1, thereby forming the modified region 7 in the workpiece 1. (Ie, internal absorption laser processing). Therefore, since the laser beam L is hardly absorbed by the surface 3 of the workpiece 1, the surface 3 of the workpiece 1 is not melted. In general, when a removed portion such as a hole or a groove is formed by being melted and removed from the front surface 3 (surface absorption laser processing), the processing region gradually proceeds from the front surface 3 side to the back surface side.
  • the modified region formed in the present embodiment refers to a region in which density, refractive index, mechanical strength, and other physical characteristics are different from the surroundings.
  • the modified region include a melt treatment region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, and the like, and there is a region where these are mixed.
  • the modified region there are a region in which the density of the modified region in the material to be processed is changed as compared with the density of the non-modified region, and a region in which lattice defects are formed (collectively these are high-density regions). Also known as the metastatic region).
  • the area where the density of the melt treatment area, the refractive index change area, the modified area has changed compared to the density of the non-modified area, and the area where lattice defects are formed are further included in these areas and the modified areas.
  • cracks are included in the interface between the non-modified region and the non-modified region.
  • the included crack may be formed over the entire surface of the modified region, or may be formed in only a part or a plurality of parts.
  • the modified region 7 is formed by forming a plurality of modified spots (processing marks) along the planned cutting line 5.
  • the modified spot is a modified portion formed by one pulse shot of pulsed laser light (that is, one pulse of laser irradiation: laser shot).
  • Examples of the modified spot include a crack spot, a melting treatment spot, a refractive index change spot, or a mixture of at least one of these.
  • the workpiece 1 is a wafer including a single crystal sapphire substrate 31 having a circular plate shape (for example, 2 to 6 inches in diameter and 50 to 200 ⁇ m in thickness).
  • the single crystal sapphire substrate 31 has a hexagonal crystal structure, and the c-axis is an angle ⁇ (for example, 0.1 mm with respect to the thickness direction of the single crystal sapphire substrate 31). °) Inclined. That is, the single crystal sapphire substrate 31 has an off angle of the angle ⁇ .
  • ⁇ for example, 0.1 mm with respect to the thickness direction of the single crystal sapphire substrate 31.
  • the single crystal sapphire substrate 31 has a front surface 31a and a back surface 31b that form an angle ⁇ corresponding to the c-plane and an off angle.
  • the m plane is inclined at an angle ⁇ with respect to the thickness direction of the single crystal sapphire substrate 31 (see FIG. 9A), and the a plane is the thickness of the single crystal sapphire substrate 31. It is parallel to the vertical direction (see FIG. 9B).
  • the workpiece 1 includes an element layer 33 including a plurality of light emitting element portions 32 arranged in a matrix on the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31.
  • a cutting planned line (first cutting planned line) 51 and a cutting planned line (second cutting planned line) 52 for cutting the processing target 1 for each light emitting element part 32 are in a grid pattern (for example, 300 ⁇ m ⁇ 300 ⁇ m).
  • a plurality of scheduled cutting lines 51 are set to be parallel to the a-plane and the back surface 31b (in other words, to be parallel to the a-plane and the front surface 31a).
  • a plurality of scheduled cutting lines 52 are set to be parallel to the m-plane and the back surface 31b (in other words, to be parallel to the m-plane and the front surface 31a).
  • an orientation flat 31c is formed on the single crystal sapphire substrate 31 so as to be parallel to the a-plane.
  • each light emitting element portion 32 is stacked on the n-type semiconductor layer (first conductivity type semiconductor layer) 34 stacked on the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31 and on the n-type semiconductor layer 34.
  • P-type semiconductor layer (second conductivity type semiconductor layer) 35 P-type semiconductor layer (second conductivity type semiconductor layer) 35.
  • the n-type semiconductor layer 34 is continuously formed over all the light-emitting element portions 32, and the p-type semiconductor layer 35 is separated for each light-emitting element portion 32 and formed in an island shape.
  • the n-type semiconductor layer 34 and the p-type semiconductor layer 35 are made of a III-V group compound semiconductor such as GaN, for example, and are pn-junctioned with each other. As shown in FIG.
  • an electrode pad 36 is formed for each light emitting element portion 32 in the n-type semiconductor layer 34, and an electrode pad 37 is formed for each light emitting element portion 32 in the p-type semiconductor layer 35.
  • the n-type semiconductor layer 34 has a thickness of about 6 ⁇ m, for example, and the p-type semiconductor layer 35 has a thickness of about 1 ⁇ m, for example.
  • a street region 38 having a predetermined width extends in a lattice shape between the light emitting element portions 32 and 32 adjacent to each other in the element layer 33.
  • the street region 38 has a member having an outer edge closest to the other light emitting element portion 32B among the members exclusively occupied by one light emitting element portion 32A and the other light emitting element. This is a region between the member exclusively used by the portion 32B and the member having the outer edge closest to the one light emitting element portion 32A.
  • the member having the outer edge closest to the light emitting element portion 32B among the members exclusively used by the light emitting element portion 32A is the p-type semiconductor layer 35, and among the members exclusively occupied by the light emitting element portion 32B.
  • Members having the outer edge closest to the light emitting element portion 32 ⁇ / b> A are the electrode pad 36 and the p-type semiconductor layer 35.
  • the street region 38 in this case is a region between the p-type semiconductor layer 35 of the light-emitting element portion 32A and the electrode pad 36 and the p-type semiconductor layer 35 of the light-emitting element portion 32B.
  • the n-type semiconductor layer 34 shared by the light emitting element portion 32 ⁇ / b> A and the light emitting element portion 32 ⁇ / b> B is exposed in the street region 38.
  • the member having the outer edge closest to the light emitting element portion 32B among the members exclusively used by the light emitting element portion 32A is the n-type semiconductor layer 34, and among the members exclusively occupied by the light emitting element portion 32B.
  • the member having the outer edge closest to the light emitting element portion 32 ⁇ / b> A is the n-type semiconductor layer 34.
  • the street region 38 in this case is a region between the n-type semiconductor layer 34 of the light-emitting element portion 32A and the n-type semiconductor layer 34 of the light-emitting element portion 32B.
  • the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31 is exposed in the street region 38.
  • a processing object cutting method for manufacturing a plurality of light emitting elements by cutting the processing object 1 configured as described above for each light emitting element section 32 will be described below.
  • a protective tape 41 is attached to the workpiece 1 so as to cover the element layer 33, and the workpiece is placed on the support base 107 of the laser processing apparatus 100 described above via the protective tape 41. 1 is placed.
  • the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L in the single crystal sapphire substrate 31, and the condensing point P of the laser light L is aligned in the single crystal sapphire substrate 31, and each of the planned cutting lines 51
  • the condensing point P is relatively moved along.
  • a modified region (first modified region) 71 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 51, and a crack (first crack) 81 generated from the modified region 71 is formed. Reach the back surface 31b (first step). At this time, the crack 81 does not reach the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 71 to the surface 31a side.
  • the side formed by the acute angle between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is one side, and the angle formed by the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an obtuse angle.
  • the condensing point P of the laser light L is relatively moved from one side to the other side in all the scheduled cutting lines 51 with the side as the other side.
  • the distance (first distance) from the back surface 31b to the position where the condensing point P is aligned is, for example, a distance less than half the thickness of the single crystal sapphire substrate 31, and is, for example, 30 to 50 ⁇ m.
  • the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L on the single crystal sapphire substrate 31, and the condensing point P of the laser light L is aligned in the single crystal sapphire substrate 31.
  • the condensing point P is relatively moved along each of the scheduled cutting lines 52.
  • a modified region (second modified region) 72 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 52, and a crack (second crack) 82 generated from the modified region 72 is formed.
  • the crack 82 does not reach the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31, but also extends from the modified region 72 to the surface 31 a side.
  • the distance from the center line CL of the street region 38 extending in the direction parallel to the m-plane between the adjacent light emitting element portions 32, 32 to the position where the condensing point P is aligned is “from the direction perpendicular to the back surface 31b.
  • ⁇ Y thickness of single crystal sapphire substrate 31: t
  • distance from back surface 31b to position where converging point P is aligned Z
  • width of street region 38 d
  • the center line CL is a center line in the width direction of the street region 38 (that is, the direction in which the adjacent light emitting element portions 32 and 32 are arranged).
  • the meandering amount m of the crack 82 on the surface 31a is an “assumed maximum value” of the swing width of the crack 82 meandering on the surface 31a (the swing width in the width direction of the street region 38), for example, ⁇ 5 to +5 ⁇ m. It is.
  • the direction in which the crack 82 extends is the direction in which the r-plane is inclined with respect to the direction perpendicular to the back surface 31b, but the angle formed between the direction perpendicular to the back surface 31b and the direction in which the crack 82 extends.
  • ⁇ does not necessarily coincide with the angle between the direction perpendicular to the back surface 31b and the r-plane, and is, for example, 5 to 7 °.
  • the operation of the laser processing apparatus 100 in this process is as follows. First, the laser processing apparatus 100 detects a street region 38 extending from the back surface 31b side of the single crystal sapphire substrate 31 in a direction parallel to the m-plane between the adjacent light emitting element portions 32 and 32. Subsequently, the laser processing apparatus 100 applies the laser beam to the processing target 1 so that the position where the condensing point P is aligned is located on the center line CL of the street region 38 when viewed from the direction perpendicular to the back surface 31b. Adjust the irradiation position of L.
  • the laser processing apparatus 100 when viewed from the direction perpendicular to the back surface 31b, causes the laser beam L for the workpiece 1 so that the position where the converging point P is aligned is offset from the center line CL by ⁇ Y. Adjust the irradiation position. Subsequently, the laser processing apparatus 100 starts irradiating the processing target 1 with the laser beam L, and when viewed from a direction perpendicular to the back surface 31b, the position where the condensing point P is aligned is the center line CL (here, The condensing point P is relatively moved along each of the planned cutting lines 52 in a state offset by ⁇ Y with respect to the planned cutting line 52).
  • the modified regions 71 and 72 formed in the single crystal sapphire substrate 31 include a melt processing region.
  • the crack 81 generated from the modified region 71 and the crack 82 generated from the modified region 72 can reach the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 by appropriately adjusting the irradiation condition of the laser light L. It is.
  • the irradiation conditions of the laser beam L for causing the cracks 81 and 82 to reach the back surface 31b include, for example, the distance from the back surface 31b to the position where the condensing point P of the laser beam L is aligned, the pulse width of the laser beam L, and the laser beam L pulse pitch (a value obtained by dividing “the moving speed of the condensing point P of the laser beam L relative to the workpiece 1” by “the repetition frequency of the laser beam L”), the pulse energy of the laser beam L, and the like.
  • the crack 81 is difficult to extend and the crack 81 is likely to meander in the planned cutting line 51 set so as to be parallel to the a-plane and the back surface 12b.
  • the crack 82 is easy to extend and the crack 82 is difficult to meander.
  • the pulse pitch of the laser light L on the planned cutting line 51 side may be smaller than the pulse pitch of the laser light L on the planned cutting line 52 side.
  • the expanded tape 42 is applied to the workpiece 1 so as to cover the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31, and a three-point bending break is applied.
  • the workpiece 1 is placed on the receiving member 43 of the apparatus via the expanded tape 42.
  • the knife edge 44 is pressed against the workpiece 1 via the protective tape 41 from the surface 31 a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the scheduled cutting lines 51.
  • an external force is applied to the workpiece 1 along each of the scheduled cutting lines 51.
  • the crack 81 generated from the modified region 71 is extended to the surface 31a side, and the workpiece 1 is cut into a bar shape along each of the scheduled cutting lines 51 (second step).
  • the knife edge 44 is pushed to the workpiece 1 through the protective tape 41 from the surface 31 a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 52.
  • an external force is applied to the workpiece 1 along each of the scheduled cutting lines 52.
  • the crack 82 generated from the modified region 72 is extended to the surface 31a side, and the workpiece 1 is cut into a chip shape along each of the scheduled cutting lines 52 (fourth step).
  • the protective tape 41 is removed from the workpiece 1 and the expanded tape 42 is expanded outward. Thereby, the some light emitting element 10 obtained by cut
  • the crack 82 generated from the modified region 71 formed along each of the plurality of scheduled cutting lines 51 parallel to the a-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 Variations in the meandering amount can be suppressed.
  • the meandering amount of the crack 81 generated from the modified region 71 is the swing width of the crack 81 meandering on the front surface 31a or the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 (the swing width in the width direction of the street region 38).
  • the side where the angle formed between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an acute angle is one side, and the side where the angle is an obtuse angle is the other side.
  • the focusing point P of the laser beam L is relatively moved from one side to the other side along each of the planned cutting lines 51 to form the modified region 71 in the single crystal sapphire substrate 31,
  • the crack 81 generated from the modified region 71 is made to reach the back surface 31b.
  • the condensing point P of the laser beam L is relatively moved from the side where the angle between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an obtuse angle to the side where the angle is an acute angle. Further, the meandering amount of the crack 81 that reaches the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 from the modified region 71 can be suppressed small.
  • the cutting scheduled line is formed by pressing the knife edge 44 against the workpiece 1 from the surface 31 a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the scheduled cutting lines 51 and 52.
  • An external force is applied to the workpiece 1 along each of 51 and 52.
  • an external force acts on the workpiece 1 so that the cracks 81 and 82 that have reached the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 are opened, so that the cutting target lines 51 and 52 can be easily and accurately aligned.
  • the workpiece 1 can be cut.
  • ⁇ Y (tan ⁇ ) ⁇ (t ⁇ Z) ⁇ [(d / 2) in each of the plurality of scheduled cutting lines 52 set to be parallel to the m-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31. ) -M] to irradiate the workpiece 1 with the laser beam L to form the modified region 72 in the single crystal sapphire substrate 31, and the crack 82 generated from the modified region 72 reaches the back surface 31b.
  • the crack 82 can be contained in the street region 38 on the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31, It is possible to prevent the crack 81 from reaching the light emitting element portion 32. This is because "the extension direction of the crack 82 generated from the modified region 72 formed along the planned cutting line 52 parallel to the m-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is greater than the influence of the m-plane. It is based on the knowledge that it is strongly influenced by the r-plane inclined with respect to the surface and is pulled in the direction of inclination of the r-plane.
  • the position where the condensing point P is aligned is offset by ⁇ Y with respect to the center line CL of the street region 38, so that the position where the condensing point P is aligned is a single crystal. Even if it is separated from the surface 31 a of the sapphire substrate 31, the crack 82 generated from the modified region 72 can be accommodated in the street region 38, so that the characteristics of the light emitting element portion 32 deteriorate due to the irradiation with the laser light L. Can be prevented.
  • t thickness of the single crystal sapphire substrate 31: 150 ⁇ m
  • Z distance from the back surface 31b to the position where the converging point P is aligned
  • d width of the street region 38
  • 20 20 ⁇ m
  • m front surface 31a
  • Meandering amount of the crack 82 3 ⁇ m
  • ⁇ angle formed by the direction perpendicular to the back surface 31b and the direction in which the crack 82 extends
  • ⁇ Y (tan ⁇ ) ⁇ (t ⁇ Z ) ⁇ [(d / 2) ⁇ m]
  • ⁇ Y 10 ⁇ 7 ⁇ m.
  • the cut line 52 is aligned with each of the planned cutting lines 52 in a state where the position where the converging point P is aligned is offset by 3 to 17 ⁇ m with respect to the center line CL of the street region 38.
  • the focusing point P may be moved relatively.
  • the workpiece cutting method of the second embodiment is different from the workpiece cutting method of the first embodiment described above in the step of forming the modified region 72 and the step of cutting the workpiece 1.
  • the processing object cutting method of the second embodiment will be described mainly with respect to the different steps.
  • the laser beam L is irradiated to the processing object 1 along each of the planned cutting lines 51, thereby along each of the planned cutting lines 51.
  • the modified region 71 is formed in the single crystal sapphire substrate 31, and the crack 81 generated from the modified region 71 is made to reach the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 (first step).
  • the back surface 31 b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L on the single crystal sapphire substrate 31, and the condensing point P of the laser light L is aligned in the single crystal sapphire substrate 31.
  • the condensing point P is relatively moved along each of the scheduled cutting lines 52.
  • the modified region 72 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 52, and the crack 82 generated from the modified region 72 reaches the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31 ( (3rd process).
  • the crack 82 does not reach the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 72 to the back surface 31b side.
  • the width of the street region 38 extending in the direction parallel to the m-plane between the light emitting element portions 32 and 32, d, the amount of meandering of the crack 82 on the front surface 31a: m, and the direction perpendicular to the back surface 31b that is, single crystal sapphire Cutting is performed so as to satisfy t ⁇ [(d / 2) ⁇ m] / tan ⁇ ⁇ Z ⁇ te, where ⁇ is an angle formed between the thickness direction of the substrate 31 and the direction in which the crack 82 extends.
  • the workpiece 1 is irradiated with the laser beam L along each of the planned lines 52.
  • the allowable minimum distance e from the position where the condensing point P is aligned to the surface 31a is reduced by the irradiation of the laser beam L when the distance from the position where the condensing point P is aligned to the surface 31a is smaller than the allowable minimum distance e.
  • the distance that may deteriorate the characteristics of the light emitting element section 32 for example, 40 to 60 ⁇ m.
  • the crack 82 generated from the modified region 72 can reach the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31 by appropriately adjusting the irradiation condition of the laser light L.
  • irradiation conditions of the laser beam L for causing the crack 82 to reach the front surface 31a for example, the distance from the back surface 31b to the position where the condensing point P of the laser beam L is aligned, the pulse width of the laser beam L, the laser beam L There are a pulse pitch, pulse energy of the laser beam L, and the like.
  • the expanded tape 42 is attached to the workpiece 1 so as to cover the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31.
  • the workpiece 1 is placed on the receiving member 43 of the point bending break device via the expanded tape 42.
  • the knife edge 44 is pressed against the workpiece 1 via the protective tape 41 from the surface 31a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 51, so that each of the planned cutting lines 51 is cut.
  • An external force is applied to the workpiece 1 along the line. Thereby, the crack 81 generated from the modified region 71 is extended to the surface 31a side, and the workpiece 1 is cut into a bar shape along each of the scheduled cutting lines 51 (second step).
  • the workpiece 1 is reversed, and the workpiece 1 is placed on the receiving member 43 of the three-point bending break device via the protective tape 41. Then, the knife edge 44 is pressed against the workpiece 1 through the expanded tape 42 from the back surface 31b side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 52, so that each of the planned cutting lines 52 is cut. An external force is applied to the workpiece 1 along the line. Thereby, the crack 82 generated from the modified region 72 is extended to the back surface 31b side, and the workpiece 1 is cut into a chip shape along each of the scheduled cutting lines 52 (fourth step).
  • the protective tape 41 is removed from the workpiece 1 and the expanded tape 42 is expanded outward. Thereby, the some light emitting element 10 obtained by cut
  • the above-described first embodiment also relates to the plurality of scheduled cutting lines 51 set so as to be parallel to the a-plane and the back-surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 also by the workpiece cutting method of the second embodiment described above. The same effect as the method for cutting an object to be processed is obtained.
  • the cutting line 52 is pressed by pressing the knife edge 44 against the workpiece 1 from the back surface 31 b side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the cutting lines 52.
  • An external force is applied to the workpiece 1 along each of the above.
  • an external force acts on the workpiece 1 so that the crack 82 reaching the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31 is opened. Therefore, the workpiece 1 is easily and accurately along the planned cutting line 52. Can be cut off.
  • the laser beam L is irradiated to the workpiece 1 along each of the planned cutting lines 52 so as to satisfy ⁇ e, thereby forming the modified region 72 in the single crystal sapphire substrate 31 and generating from the modified region 72
  • the crack 82 is made to reach the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31.
  • the crack 82 can be stored in the street region 38 on the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31, and the crack 81 can be prevented from reaching the light emitting element portion 32. And especially the cutting quality of the element layer 33 can be improved by making the crack 82 generated from the modified region 72 reach the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31.
  • e minimum allowable distance from the position where the condensing point P is aligned to the surface 31a: 50 ⁇ m
  • t thickness of the single crystal sapphire substrate 31
  • d width of the street region 38
  • m t-[(d / 2) From ⁇ m] / tan ⁇ ⁇ Z ⁇ te, 30 ⁇ m ⁇ Z ⁇ 100 ⁇ m.
  • the condensing point P of the laser beam L is aligned with the position in the single crystal sapphire substrate 31 that is 30 to 100 ⁇ m away from the back surface 31b, and the condensing point P can be relatively moved along the planned cutting line 52. That's fine.
  • the modified region 71 is formed along the scheduled cutting line 51 as follows, it is not necessary to invert the processing object 1 in the process of cutting the processing object 1. That is, as shown in FIG. 17, the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L in the single crystal sapphire substrate 31, and the condensing point P of the laser light L is aligned in the single crystal sapphire substrate 31. The focusing point P is relatively moved along each of the scheduled cutting lines 51.
  • the modified region 71 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 51, and contrary to the case of the processing object cutting method of the first embodiment,
  • the generated crack 81 is caused to reach the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31 (first step). At this time, the crack 81 does not reach the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 71 to the back surface 31b side.
  • the side formed by the acute angle between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is one side, and the angle formed by the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an obtuse angle.
  • the condensing point P of the laser light L is set from the other side to the one side in all the scheduled cutting lines 51, contrary to the case of the workpiece cutting method of the first embodiment. Move relative.
  • the distance from the position where the condensing point P is aligned to the surface 31a is, for example, a distance less than half the thickness of the single crystal sapphire substrate 31, and is, for example, 50 to 70 ⁇ m.
  • the distance from the position where the condensing point P is aligned to the surface 31a should not be smaller than the allowable minimum distance e.
  • the knife edge 44 is pressed against the workpiece 1 through the expanded tape 42 from the back surface 31 b side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the scheduled cutting lines 51 and 52.
  • the workpiece 1 can be cut along each of the scheduled cutting lines 51 and 52. Thus, in the process of cutting the workpiece 1, it is not necessary to reverse the workpiece 1.
  • the laser beam L is collected from the other side to the one side, contrary to the case of the processing object cutting method of the first embodiment.
  • the meandering amount of the crack 81 reaching the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31 from the modified region 71 can be suppressed to be small.
  • the r-plane of the single crystal sapphire substrate 31 and the surface are formed.
  • the workpiece cutting method according to the third embodiment is different from the workpiece cutting method according to the first embodiment described above in the step of forming the modified regions 71 and 72.
  • the processing object cutting method of the third embodiment will be described mainly with respect to the different steps.
  • the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is the incident surface of the laser light L on the single crystal sapphire substrate 31, and the single crystal sapphire substrate 31 separated from the back surface 31b by a distance (second distance) Zd1.
  • the condensing point P of the laser beam L is aligned with the inner position, and the condensing point P is relatively moved along one cutting scheduled line 51.
  • a modified region (third modified region) 73 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along the one scheduled cutting line 51.
  • the crack (third crack) 83 generated from the modified region 73 does not reach the front surface 31a and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 73 to the front surface 31a side and the back surface 31b side. To do.
  • the side where the angle formed between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an acute angle is one side, and the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 are If the other side is the side where the formed angle is an obtuse angle, the condensing point P is relatively moved from the other side to the one side along the one scheduled cutting line 51.
  • the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L in the single crystal sapphire substrate 31, and the single crystal sapphire substrate 31 is separated from the back surface 31b by a distance (first distance) Zs1 smaller than the distance Zd1.
  • the condensing point P of the laser beam L is aligned with the position of, and the condensing point P is relatively moved along the one scheduled cutting line 51.
  • the modified region 71 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along the one scheduled cutting line 51, and the crack 81 generated from the modified region 71 is made to reach the back surface 31b.
  • the crack 81 generated from the modified region 71 does not reach the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 71 to the surface 31a side.
  • the side where the angle between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an acute angle is one side, and the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 are Assuming that the other side is an obtuse angle, the condensing point P is relatively moved from one side to the other side along the one scheduled cutting line 51.
  • the above reformed regions 71 and 73 are sequentially formed for every planned cutting line 51 for each planned cutting line 51 (first step).
  • the distance from the position where the condensing point P is aligned to the surface 31a is made not to be smaller than the allowable minimum distance e.
  • the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L in the single crystal sapphire substrate 31, and is located at a position in the single crystal sapphire substrate 31 away from the back surface 31b by a distance Zd2.
  • the condensing point P of the laser beam L is matched, and the condensing point P is relatively moved along one cutting scheduled line 52.
  • a modified region (second modified region) 74 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along the one scheduled cutting line 52.
  • the crack 84 generated from the modified region 74 does not reach the front surface 31a and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 74 to the front surface 31a side and the back surface 31b side.
  • the workpiece 1 is cut along the planned cutting line 52, the surface of the single crystal sapphire substrate 31 even if the extension direction of the crack 84 generated from the modified region 74 is pulled in the direction of the r-plane inclination.
  • the crack 84 can be accommodated in the street region 38 in 31a, and the crack 81 can be prevented from reaching the light emitting element portion 32.
  • the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is used as the incident surface of the laser light L on the single crystal sapphire substrate 31, and the laser light is positioned at a position in the single crystal sapphire substrate 31 that is separated from the back surface 31b by a distance Zs2 smaller than the distance Zd2.
  • the condensing point P of L is put together, and the condensing point P is relatively moved along the one scheduled cutting line 52.
  • the modified region 72 is formed in the single crystal sapphire substrate 31 along the one scheduled cutting line 52, and the crack 82 generated from the modified region 72 reaches the back surface 31b.
  • the crack 82 generated from the modified region 72 does not reach the surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31, but extends from the modified region 71 to the surface 31a side.
  • the modified region 72 In forming the modified region 72, the inclined surface 45 and the back surface of each of the planned cutting lines 52 with respect to the inclined surface 45 that passes through the modified region 74 and is parallel to the r-plane of the single crystal sapphire substrate 31.
  • the modified region 72 is positioned on the side where the angle formed with 31b is an acute angle. More specifically, when viewed from a direction perpendicular to the back surface 31b, the crack 82 reaching the back surface 31b is positioned on the center line CL (here, coincides with the planned cutting line 52) of the street region 38.
  • the modified region 72 is positioned on the side away from the inclined surface 45 with respect to the center line CL. However, as shown in FIG.
  • the crack 82 reaching the back surface 31b is located between the center line CL of the street region 38 and the inclined surface 45 reaching the back surface 31b.
  • the modified region 72 may be positioned on the side closer to the inclined surface 45 with respect to the center line CL.
  • the crack 82 reaching the back surface 31b is formed in the street region 38 or between the center line CL of the street region 38 and the inclined surface 45 reaching the back surface 31b.
  • the modified region 72 may be formed along the planned cutting line 52 so as to be positioned.
  • the above reformed regions 72 and 74 are formed sequentially for all the planned cutting lines 52 for each planned cutting line 52 (third step).
  • the distance from the position where the condensing point P is aligned to the back surface 31b is, for example, a distance less than half the thickness of the single crystal sapphire substrate 31, and is, for example, 30 to 50 ⁇ m.
  • the expanded tape 42 is attached to the workpiece 1 so as to cover the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31.
  • the three-point bending break device by pressing the knife edge 44 against the workpiece 1 via the protective tape 41 from the surface 31a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the scheduled cutting lines 51, An external force is applied to the workpiece 1 along each of the scheduled cutting lines 51. Thereby, the crack 81 generated from the modified region 71 and the crack 83 generated from the modified region 73 are extended, and the workpiece 1 is cut into a bar shape along each of the scheduled cutting lines 51 (second). Process).
  • the knife edge 44 is pressed against the workpiece 1 via the protective tape 41 from the surface 31a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the planned cutting lines 52.
  • An external force is applied to the workpiece 1 along the line.
  • the crack 82 generated from the modified region 72 and the crack 84 generated from the modified region 74 are extended to the surface 31a side, and the workpiece 1 is cut into chips along each of the planned cutting lines 52. (4th process).
  • the protective tape 41 is removed from the workpiece 1 and the expanded tape 42 is expanded outward. Thereby, the some light emitting element 10 obtained by cut
  • the above-described first embodiment also relates to the plurality of scheduled cutting lines 51 set so as to be parallel to the a-surface and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 also by the workpiece cutting method of the third embodiment described above. The same effect as the method for cutting an object to be processed is obtained.
  • the modified region 73 is formed for each planned cutting line 51, and then the modified region 71 is formed continuously. Then, the condensing point P of the laser beam L is moved in the opposite direction when the modified region 73 is formed and when the modified region 71 is formed. Thereby, the condensing point P of the laser beam L can be moved efficiently. More specifically, the condensing point P that is relatively moved from the other side to the one side when forming the modified region 73 in the one scheduled cutting line 51 forms the modified region 71. In this case, the relative movement from one side to the other side returns to the other side. Therefore, the irradiation of the laser beam L can be started quickly in the scheduled cutting line 51 adjacent to the one scheduled cutting line 51.
  • the workpiece 1 can be cut with high accuracy.
  • the pulse energy of the laser beam L for forming one of the modified regions 71 and 73 and one of the modified regions 72 and 74 can be reduced, the light emitting element portion is caused by the irradiation of the laser beam L. It is possible to prevent the characteristics of 32 from deteriorating.
  • the cutting scheduled line is formed by pressing the knife edge 44 against the workpiece 1 from the surface 31 a side of the single crystal sapphire substrate 31 along each of the scheduled cutting lines 51 and 52.
  • An external force is applied to the workpiece 1 along each of 51 and 52.
  • an external force acts on the workpiece 1 so that the cracks 81 and 82 that have reached the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 are opened, so that the cutting target lines 51 and 52 can be easily and accurately aligned.
  • the workpiece 1 can be cut.
  • each of the plurality of scheduled cutting lines 52 set to be parallel to the m-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 passes through the modified region 74 and extends to the r-plane of the single crystal sapphire substrate 31.
  • the modified region 72 is positioned on the side where the angle formed by the inclined surface 45 and the back surface 31b becomes an acute angle with respect to the parallel inclined surface 45.
  • the crack 84 extending from the modified region 74 to the back surface 31b side extends to the modified region 72 side
  • the crack 82 extending from the modified region 72 to the surface 31a side extends to the modified region 74 side.
  • the crack 84 and the crack 82 are connected in the single crystal sapphire substrate 31.
  • the crack 84 generated from the modified region 74 on the front surface 31a side is suppressed from extending to the front surface 31a of the single crystal sapphire substrate 31 while the crack 82 generated from the modified region 72 on the back surface 31b side is suppressed to the street region 38. It is possible to prevent the cracks 82 and 84 from reaching the light emitting element portion 32.
  • the processing object cutting method of the first to third embodiments of the present invention has been described above. However, the processing object cutting method of the present invention is limited to the processing object cutting method of the first to third embodiments. It is not something.
  • the laser is changed from the side where the angle between the r-plane and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 is an obtuse angle to the side where the angle is an acute angle.
  • the crack 81 generated from the modified region 71 when the modified region 71 is formed may not reach the back surface 31b. Also in these cases, it is possible to suppress a change in the meandering amount of the crack 81 generated from the modified region 71 formed along each of the scheduled cutting lines 51. At least this effect is exhibited regardless of how the modified region is formed along the planned cutting line 52.
  • the single crystal sapphire substrate 31 when the single crystal sapphire substrate 31 is relatively thick, etc., a plurality of rows (not limited to two rows, depending on the case) Three or more modified regions may be formed.
  • the angle formed between the r-plane of the single crystal sapphire substrate 31 and the back surface 31b is an obtuse angle from the side that becomes an acute angle. If the condensing point P of the laser beam L is relatively moved to the side, the modification closest to the back surface 31b compared to the case where the condensing point P of the laser beam L is relatively moved in the opposite direction.
  • the meandering amount of the crack 81 reaching the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 from the region 71 can be suppressed to a small value.
  • the other modified region such as the modified region 73 is formed from one side to the other along the planned cutting line 51.
  • the condensing point P of the laser beam L may be moved relatively to the side of the laser beam L. In this way, the condensing point P of the laser beam L is moved in the same direction when the modified region 71 is formed and when the modified region 73 is formed, so that the crack 81 is simply formed when the modified region 71 is formed.
  • the back surface 31b of the crystal sapphire substrate 31 can be reliably reached.
  • the modified regions are continuously formed for each scheduled cutting line, and this is sequentially performed for all the scheduled cutting lines. May be.
  • the modified region located at the same distance from the back surface 31b may be continuously formed, and then another modified region located at the same distance from the back surface 31b may be continuously formed.
  • This step may be performed first.
  • Either step may be performed first.
  • the support base 107 of the laser processing apparatus 100 may be moved, or the laser processing apparatus 100 may be moved.
  • the laser light source 101 side (the laser light source 101, the dichroic mirror 103, the condensing lens 105, etc.) may be moved, or both the support base 107 and the laser light source 101 side may be moved.
  • the workpiece 1 includes a single crystal sapphire substrate 31, an n-type semiconductor layer (first conductivity type semiconductor layer) 34 stacked on the surface 31 a of the single crystal sapphire substrate 31, and an n-type semiconductor layer 34. And an p-type semiconductor layer (second conductivity type semiconductor layer) 35 laminated on the active layer.
  • the n-type semiconductor layer 34, the active layer, and the p-type semiconductor layer 35 are made of a III-V group compound semiconductor such as GaN, for example, and constitute a quantum well structure.
  • the element layer 33 may further include a contact layer for electrical connection with the electrode pads 36 and 37.
  • the first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type.
  • the off-angle of the single crystal sapphire substrate 31 may be 0 °. In this case, the front surface 31a and the back surface 31b of the single crystal sapphire substrate 31 are parallel to the c-plane.

Abstract

　この加工対象物切断方法は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点Ｐを相対的に移動させることで、各ライン５１に沿って基板３１内に改質領域７１を形成する工程と、その後に、各ライン５１に沿って加工対象物１に外力を作用させることで、改質領域７１から発生した亀裂８１を伸展させて、各ライン５１に沿って加工対象物１を切断する工程と、を備える。

Description

加工対象物切断方法
　本発明は、単結晶サファイア基板を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法に関する。
　上記技術分野における従来の加工対象物切断方法として、特許文献１には、ダイシングやスクライビングによってサファイア基板の表面及び裏面に分離溝を形成すると共に、レーザ光の照射によってサファイア基板内に加工変質部を多段的に形成し、分離溝及び加工変質部に沿ってサファイア基板を切断する方法が記載されている。
特開２００６－２４５０４３号公報
　ところで、ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断するために、レーザ光の照射によって単結晶サファイア基板内に改質領域を形成すると、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量（単結晶サファイア基板の表面又は裏面において蛇行する亀裂の振れ幅）にばらつきが生じ、それにより、製造された発光素子の品質が低下する場合があった。
　そこで、本発明は、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することができる加工対象物切断方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量にばらつきが生じるのは、当該切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を相対的に移動させる方向と、単結晶サファイア基板のｒ面が傾斜する方向との関係に起因していることを突き止めた。つまり、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鋭角となる側からその反対側にレーザ光の集光点を相対的に移動させた場合と、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鈍角となる側からその反対側にレーザ光の集光点を相対的に移動させた場合とで、改質領域の形成状態が変化し、その結果、改質領域から発生した亀裂の蛇行量が変化するのである。本発明者らは、この知見に基づいて更に検討を重ね、本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明の一側面の加工対象物切断方法は、ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板と、表面上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部を含む素子層と、を備える加工対象物を発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法であって、裏面を単結晶サファイア基板におけるレーザ光の入射面として、裏面から第１距離だけ離れた単結晶サファイア基板内の位置にレーザ光の集光点を合わせて、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成する第１工程と、第１工程の後に、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１改質領域から発生した第１亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断する第２工程と、を備える。
　この加工対象物切断方法では、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれにおいて、一方の側から他方の側にレーザ光の集光点を相対的に移動させる。これにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された第１改質領域から発生した第１亀裂の蛇行量が変化するのを抑制することができる。よって、この加工対象物切断方法によれば、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することが可能となる。なお、オフ角は０°の場合を含むものとする。この場合、単結晶サファイア基板の表面及び裏面はｃ面に平行となる。
　ここで、第１工程では、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つｒ面と裏面との成す角度が鈍角となる側を他方の側として、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成すると共に、第１亀裂を裏面に到達させてもよい。これによれば、単結晶サファイア基板のｒ面と裏面との成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光の集光点を相対的に移動させた場合に比べ、第１改質領域から単結晶サファイア基板の裏面に到達する第１亀裂の蛇行量を小さく抑えることができる。
　このとき、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って表面側から加工対象物にナイフエッジを押し当てることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させてもよい。これによれば、単結晶サファイア基板の裏面に到達した第１亀裂が開くように加工対象物に外力が作用することになるので、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。
　また、加工対象物切断方法は、第２工程の前に、裏面を入射面として、単結晶サファイア基板内に集光点を合わせて、単結晶サファイア基板のｍ面及び裏面に平行となるように設定された複数の第２切断予定ラインのそれぞれに沿って集光点を相対的に移動させることにより、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第２改質領域を形成する第３工程と、第１工程及び第３工程の後に、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第２改質領域から発生した第２亀裂を伸展させて、第２切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断する第４工程と、を更に備えてもよい。これによれば、第１切断予定ライン及び第２切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。なお、第３工程は、第２工程の前であれば、第１工程の前に実施してもよいし、第１工程の後に実施してもよい。また、第４工程は、第１工程及び第３工程の後であれば、第４工程の前に実施してもよいし、第４工程の後に実施してもよい。
　また、第１工程では、裏面を入射面として、裏面から第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた単結晶サファイア基板内の位置に集光点を合わせて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って他方の側から一方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１亀裂、及び第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断してもよい。これによれば、単結晶サファイア基板が比較的厚い場合であっても、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。更に、第１改質領域の形成時と第３改質領域の形成時とで、レーザ光の集光点を逆の方向に移動させることで、例えば、第１切断予定ラインごとに、第３改質領域を形成し、その後連続して、第１改質領域を形成するような場合に、レーザ光の集光点を効率良く移動させることができる。
　或いは、第１工程では、裏面を入射面として、裏面から第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた単結晶サファイア基板内の位置に集光点を合わせて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に集光点を相対的に移動させることにより、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、第２工程では、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物に外力を作用させることにより、第１亀裂、及び第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、第１切断予定ラインのそれぞれに沿って加工対象物を切断してもよい。これによれば、単結晶サファイア基板が比較的厚い場合であっても、第１切断予定ラインに沿って容易に且つ精度良く加工対象物を切断することができる。更に、第１改質領域の形成時と第３改質領域の形成時とで、レーザ光の集光点を同じ方向に移動させることで、第１改質領域の形成時に第１亀裂を単結晶サファイア基板の裏面に確実に到達させることができる。
　本発明によれば、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することができる加工対象物切断方法を提供することが可能となる。
改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。 改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。 図２の加工対象物のIII－III線に沿っての断面図である。 レーザ加工後の加工対象物の平面図である。 図４の加工対象物のV－V線に沿っての断面図である。 図４の加工対象物のVI－VI線に沿っての断面図である。 本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法の対象となる加工対象物の平面図である。 図７の加工対象物の単結晶サファイア基板のユニットセル図である。 本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 図７の加工対象物のストリート領域を説明するための加工対象物の平面図である。 本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。 本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の断面図である。
　以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
　本発明の一実施形態の加工対象物切断方法では、切断予定ラインに沿って加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成する。そこで、まず、この改質領域の形成について、図１～図６を参照して説明する。
　図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
　このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定ライン５に沿った改質領域が加工対象物１に形成されることとなる。
　図２に示すように、加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５が設定されている。切断予定ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４～図６に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成され、切断予定ライン５に沿って形成された改質領域７が切断起点領域８となる。
　なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。
　ちなみに、ここでのレーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。
　ところで、本実施形態で形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域としては、加工対象物の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高密転移領域ともいう）。
　また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。
　また、本実施形態においては、切断予定ライン５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することによって、改質領域７を形成している。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分であり、改質スポットが集まることにより改質領域７となる。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも１つが混在するもの等が挙げられる。
　この改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することが好ましい。
［第１実施形態］
　次に、本発明の第１実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。図７に示すように、加工対象物１は、円形板状（例えば、直径２～６インチ、厚さ５０～２００μｍ）の単結晶サファイア基板３１を備えるウェハである。図８に示すように、単結晶サファイア基板３１は、六方晶系の結晶構造を有しており、そのｃ軸は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に対して角度θ（例えば０．１°）傾斜している。つまり、単結晶サファイア基板３１は、角度θのオフ角を有している。図９に示すように、単結晶サファイア基板３１は、ｃ面とオフ角分の角度θを成す表面３１ａ及び裏面３１ｂを有している。単結晶サファイア基板３１においては、ｍ面は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に対して角度θ傾斜しており（図９（ａ）参照）、ａ面は、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向に平行となっている（図９（ｂ）参照）。
　図７及び図９に示すように、加工対象物１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部３２を含む素子層３３を備えている。加工対象物１には、加工対象物１を発光素子部３２ごとに切断するための切断予定ライン（第１切断予定ライン）５１及び切断予定ライン（第２切断予定ライン）５２が格子状（例えば３００μｍ×３００μｍ）に設定されている。切断予定ライン５１は、ａ面及び裏面３１ｂに平行となるように（換言すれば、ａ面及び表面３１ａに平行となるように）複数設定されている。切断予定ライン５２は、ｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように（換言すれば、ｍ面及び表面３１ａに平行となるように）複数設定されている。なお、単結晶サファイア基板３１には、ａ面に平行となるようにオリエンテーションフラット３１ｃが形成されている。
　図９に示すように、各発光素子部３２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上に積層されたｎ型半導体層（第１導電型半導体層）３４と、ｎ型半導体層３４上に積層されたｐ型半導体層（第２導電型半導体層）３５と、を有している。ｎ型半導体層３４は、全ての発光素子部３２に渡って一続きに形成されており、ｐ型半導体層３５は、発光素子部３２ごとに分離されてアイランド状に形成されている。ｎ型半導体層３４及びｐ型半導体層３５は、例えばＧａＮ等のIII－V族化合物半導体からなり、互いにｐｎ接合されている。図１０に示すように、ｎ型半導体層３４には、発光素子部３２ごとに電極パッド３６が形成されており、ｐ型半導体層３５には、発光素子部３２ごとに電極パッド３７が形成されている。なお、ｎ型半導体層３４の厚さは例えば６μｍ程度であり、ｐ型半導体層３５の厚さは例えば１μｍ程度である。
　素子層３３において隣り合う発光素子部３２，３２間には、所定の幅（例えば１０～３０μｍ）を有するストリート領域３８が格子状に延在している。ストリート領域３８は、隣り合う発光素子部３２Ａ，３２Ｂに着目した場合に、一方の発光素子部３２Ａが専有する部材のうち他方の発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材と、他方の発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち一方の発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材との間の領域である。
　例えば、図１０（ａ）の場合、発光素子部３２Ａが専有する部材のうち発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材はｐ型半導体層３５であり、発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材は電極パッド３６及びｐ型半導体層３５である。従って、この場合におけるストリート領域３８は、発光素子部３２Ａのｐ型半導体層３５と、発光素子部３２Ｂの電極パッド３６及びｐ型半導体層３５との間の領域となる。なお、図１０（ａ）の場合、ストリート領域３８には、発光素子部３２Ａ及び発光素子部３２Ｂが共有するｎ型半導体層３４が露出している。
　また、図１０（ｂ）の場合、発光素子部３２Ａが専有する部材のうち発光素子部３２Ｂに最も近い外縁を有する部材はｎ型半導体層３４であり、発光素子部３２Ｂが専有する部材のうち発光素子部３２Ａに最も近い外縁を有する部材はｎ型半導体層３４である。従って、この場合におけるストリート領域３８は、発光素子部３２Ａのｎ型半導体層３４と、発光素子部３２Ｂのｎ型半導体層３４との間の領域となる。なお、図１０（ｂ）の場合、ストリート領域３８には、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａが露出している。
　以上のように構成された加工対象物１を発光素子部３２ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法について、以下、説明する。まず、図１１に示すように、素子層３３を覆うように加工対象物１に保護テープ４１を貼り付け、上述したレーザ加工装置１００の支持台１０７上に、保護テープ４１を介して加工対象物１を載置する。そして、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第１改質領域）７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂（第１亀裂）８１を裏面３１ｂに到達させる（第１工程）。このとき、亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
　この工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側として、全ての切断予定ライン５１において、一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。なお、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離（第１距離）は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば３０～５０μｍである。
　続いて、図１２に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第２改質領域）７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂（第２亀裂）８２を裏面３１ｂに到達させる（第３工程）。このとき、亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７２から表面３１ａ側にも伸展する。
　この工程では、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の中心線ＣＬから、集光点Ｐを合わせる位置までの「裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合における距離」：ΔＹ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、ストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ－Ｚ）±［（ｄ／２）－ｍ］を満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。
　ここで、中心線ＣＬは、ストリート領域３８の幅方向（すなわち、隣り合う発光素子部３２，３２が並ぶ方向）における中心線である。また、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量ｍは、表面３１ａにおいて蛇行する亀裂８２の振れ幅（ストリート領域３８の幅方向における振れ幅）の「想定される最大値」であり、例えば－５～＋５μｍである。また、亀裂８２が伸展する方向は、裏面３１ｂに垂直な方向に対してｒ面が傾斜する側に傾斜する方向であるが、裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度αは、裏面３１ｂに垂直な方向とｒ面とのなす角度に必ずしも一致するものではなく、例えば５～７°である。
　この工程でのレーザ加工装置１００の動作は次のとおりである。まず、レーザ加工装置１００は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８を検出する。続いて、レーザ加工装置１００は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置がストリート領域３８の中心線ＣＬ上に位置するように、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射位置を調整する。続いて、レーザ加工装置１００は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置がΔＹだけ中心線ＣＬに対してオフセットするように、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射位置を調整する。続いて、レーザ加工装置１００は、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射を開始し、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、集光点Ｐを合わせる位置が中心線ＣＬ（ここでは、切断予定ライン５２に一致する）に対してΔＹだけオフセットした状態で、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。
　なお、単結晶サファイア基板３１内に形成される改質領域７１，７２は、溶融処理領域を含むものとなる。また、改質領域７１から発生した亀裂８１、及び改質領域７２から発生した亀裂８２は、レーザ光Ｌの照射条件を適宜調整することによって単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達させることが可能である。亀裂８１，８２を裏面３１ｂに到達させるためのレーザ光Ｌの照射条件としては、例えば、裏面３１ｂからレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせる位置までの距離、レーザ光Ｌのパルス幅、レーザ光Ｌのパルスピッチ（「加工対象物１に対するレーザ光Ｌの集光点Ｐの移動速度」を「レーザ光Ｌの繰り返し周波数」で除した値）、レーザ光Ｌのパルスエネルギー等がある。また、単結晶サファイア基板３１では、ａ面及び裏面１２ｂに平行となるように設定された切断予定ライン５１においては、亀裂８１が伸展し難く、亀裂８１が蛇行し易い。一方、ｍ面及び裏面１２ｂに平行となるように設定された切断予定ライン５２においては、亀裂８２が伸展し易く、亀裂８２が蛇行し難い。その観点から、切断予定ライン５１側でのレーザ光Ｌのパルスピッチは、切断予定ライン５２側でのレーザ光Ｌのパルスピッチよりも小さくしてもよい。
　以上のように改質領域７１，７２を形成した後、図１３に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付け、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、当該エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１を載置する。そして、図１３（ａ）に示すように、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第２工程）。
　続いて、図１３（ｂ）に示すように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第４工程）。
　加工対象物１を切断した後、図１４に示すように、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
　以上説明したように、第１実施形態の加工対象物切断方法では、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１のそれぞれにおいて、一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化するのを抑制することができる。これは、「単結晶サファイア基板３１では、ｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側からその反対側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合と、ｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側からその反対側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合とで、改質領域７１の形成状態が変化し、その結果、改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化する」との知見に基づくものである。よって、この加工対象物切断方法によれば、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行な複数の切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８２の蛇行量のばらつきを抑制することが可能となる。なお、改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量とは、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ又は裏面３１ｂにおいて蛇行する亀裂８１の振れ幅（ストリート領域３８の幅方向における振れ幅）である。
　また、改質領域７１を形成する工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ当該角度が鈍角となる側を他方の側として、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させ、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させる。これにより、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合に比べ、改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。
　また、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達した亀裂８１，８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５１，５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
　なお、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいては、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ－Ｚ）±［（ｄ／２）－ｍ］を満たすように加工対象物１にレーザ光Ｌを照射し、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂに到達させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。これは、「単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行な切断予定ライン５２に沿って形成された改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向は、ｍ面の影響よりも、ｍ面に対して傾斜するｒ面の影響を強く受けて、ｒ面の傾斜方向に引っ張られる」との知見に基づくものである。そして、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８の中心線ＣＬに対して、集光点Ｐを合わせる位置をΔＹだけオフセットさせることで、集光点Ｐを合わせる位置を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａから離しても、改質領域７２から発生した亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができるので、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止ことが可能となる。
　例えば、ｔ（単結晶サファイア基板３１の厚さ）：１５０μｍ、Ｚ（裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離）：５０μｍ、ｄ（ストリート領域３８の幅）：２０μｍ、ｍ（表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量）：３μｍ、α（裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度）の正接：１／１０であれば、ΔＹ＝（tanα）・（ｔ－Ｚ）±［（ｄ／２）－ｍ］より、ΔＹ＝１０±７μｍとなる。従って、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８の中心線ＣＬに対して、集光点Ｐを合わせる位置を３～１７μｍオフセットさせた状態で、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させればよい。
［第２実施形態］
　次に、本発明の第２実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。第２実施形態の加工対象物切断方法は、改質領域７２を形成する工程、及び加工対象物１を切断する工程において、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と相違する。以下、この相違する工程を主として、第２実施形態の加工対象物切断方法について説明する。
　まず、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と同様に、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達させる（第１工程）。
　続いて、図１５に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させる（第３工程）。このとき、亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７２から裏面３１ｂ側にも伸展する。
　この工程では、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離：ｅ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ｔ－［（ｄ／２）－ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ－ｅを満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。
　ここで、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離ｅは、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離が許容最小距離ｅよりも小さくなると、レーザ光Ｌの照射によって発光素子部３２の特性を劣化させるおそれのある距離であり、例えば４０～６０μｍである。
　なお、改質領域７２から発生した亀裂８２は、レーザ光Ｌの照射条件を適宜調整することによって単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させることが可能である。亀裂８２を表面３１ａに到達させるためのレーザ光Ｌの照射条件としては、例えば、裏面３１ｂからレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせる位置までの距離、レーザ光Ｌのパルス幅、レーザ光Ｌのパルスピッチ、レーザ光Ｌのパルスエネルギー等がある。
　以上のように改質領域７１，７２を形成した後、図１６（ａ）に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付け、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、当該エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１を載置する。そして、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第２工程）。
　続いて、図１６（ｂ）に示すように、加工対象物１を反転させて、三点曲げブレーク装置の受け部材４３上に、保護テープ４１を介して加工対象物１を載置する。そして、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第４工程）。
　加工対象物１を切断した後、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
　以上説明した第２実施形態の加工対象物切断方法によっても、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１に関し、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と同様の効果が奏される。
　加えて、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達した亀裂８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
　なお、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいては、ｔ－［（ｄ／２）－ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ－ｅを満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射し、単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させる。これにより、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止しつつ、改質領域７２から発生した亀裂８２の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８２をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。そして、改質領域７２から発生した亀裂８２を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させることで、特に素子層３３の切断品質を向上させることができる。
　例えば、ｅ（集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離）：５０μｍ、ｔ（単結晶サファイア基板３１の厚さ）：１５０μｍ、ｄ（ストリート領域３８の幅）：３０μｍ、ｍ（表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量）：３μｍ、α（裏面３１ｂに垂直な方向と亀裂８２が伸展する方向との成す角度）の正接：１／１０であれば、ｔ－［（ｄ／２）－ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ－ｅより、３０μｍ＜Ｚ＜１００μｍとなる。従って、裏面３１ｂから３０～１００μｍだけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５２に沿って集光点Ｐを相対的に移動させればよい。
　ところで、次のように切断予定ライン５１に沿って改質領域７１を形成すれば、加工対象物１を切断する工程において、加工対象物１を反転させることが不要となる。すなわち、図１７に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、単結晶サファイア基板３１内にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、第１実施形態の加工対象物切断方法の場合とは逆に、改質領域７１から発生した亀裂８１を単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達させる（第１工程）。このとき、亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７１から裏面３１ｂ側にも伸展する。
　この工程では、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側とすると、第１実施形態の加工対象物切断方法の場合とは逆に、全ての切断予定ライン５１において、他方の側から一方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させる。なお、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば５０～７０μｍである。ただし、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離は、許容最小距離ｅよりも小さくならないようにする。
　これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２だけでなく、改質領域７１から発生した亀裂８１も、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達することになる。従って、図１８に示すように、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂ側から、エキスパンドテープ４２を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てて、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１を切断することができる。このように、加工対象物１を切断する工程において、加工対象物１を反転させることが不要となる。
　なお、切断予定ライン５１に沿って改質領域７１を形成する工程においては、第１実施形態の加工対象物切断方法の場合とは逆に、他方の側から一方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させることで、改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。このように、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂのうち、改質領域７１から発生した亀裂８１を到達させるべき面に着目し、単結晶サファイア基板３１のｒ面と当該面との成す角度が鋭角となる側から、単結晶サファイア基板３１のｒ面と当該面との成す角度が鈍角となる側に、レーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させれば、当該面に到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。
［第３実施形態］
　次に、本発明の第３実施形態の加工対象物切断方法について詳細に説明する。第３実施形態の加工対象物切断方法は、改質領域７１，７２を形成する工程において、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と相違する。以下、この相違する工程を主として、第３実施形態の加工対象物切断方法について説明する。
　まず、図１９に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離（第２距離）Ｚｄ１だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、一本の切断予定ライン５１に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５１に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第３改質領域）７３を形成する。このとき、改質領域７３から発生した亀裂（第３亀裂）８３は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７３から表面３１ａ側及び裏面３１ｂ側に伸展する。
　改質領域７３を形成するに際しては、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側とすると、当該一本の切断予定ライン５１に沿って他方の側から一方の側に集光点Ｐを相対的に移動させる。
　続いて、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離Ｚｄ１よりも小さい距離（第１距離）Ｚｓ１だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、当該一本の切断予定ライン５１に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５１に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７１を形成すると共に、改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させる。このとき、改質領域７１から発生した亀裂８１は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
　改質領域７１を形成するに際しては、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側を一方の側とし、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側を他方の側とすると、当該一本の切断予定ライン５１に沿って一方の側から他方の側に集光点Ｐを相対的に移動させる。
　以上の改質領域７１，７３の形成を全ての切断予定ライン５１について切断予定ライン５１ごとに順次実施する（第１工程）。なお、改質領域７３を形成するに際し、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの距離は、許容最小距離ｅよりも小さくならないようにする。
　続いて、図２０に示すように、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離Ｚｄ２だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、一本の切断予定ライン５２に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５２に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域（第２改質領域）７４を形成する。このとき、改質領域７４から発生した亀裂８４は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂには到達しないものの、改質領域７４から表面３１ａ側及び裏面３１ｂ側に伸展する。
　改質領域７４を形成するに際しては、集光点Ｐを合わせる位置から表面３１ａまでの許容最小距離：ｅ、単結晶サファイア基板３１の厚さ：ｔ、裏面３１ｂから集光点Ｐを合わせる位置までの距離：Ｚ、隣り合う発光素子部３２，３２間においてｍ面に平行な方向に延在するストリート領域３８の幅：ｄ、表面３１ａにおける亀裂８２の蛇行量：ｍ、裏面３１ｂに垂直な方向（すなわち、単結晶サファイア基板３１の厚さ方向）と亀裂８２が伸展する方向との成す角度：αとした場合に、ｔ－［（ｄ／２）－ｍ］／tanα＜Ｚ＜ｔ－ｅを満たすように、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１にレーザ光Ｌを照射する。これにより、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止することができる。また、切断予定ライン５２に沿って加工対象物１を切断する際に、改質領域７４から発生した亀裂８４の伸展方向がｒ面の傾斜方向に引っ張られても、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａにおいて亀裂８４をストリート領域３８内に収めることができ、当該亀裂８１が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。
　続いて、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを単結晶サファイア基板３１におけるレーザ光Ｌの入射面として、裏面３１ｂから距離Ｚｄ２よりも小さい距離Ｚｓ２だけ離れた単結晶サファイア基板３１内の位置にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせて、当該一本の切断予定ライン５２に沿って集光点Ｐを相対的に移動させる。これにより、当該一本の切断予定ライン５２に沿って単結晶サファイア基板３１内に改質領域７２を形成すると共に、改質領域７２から発生した亀裂８２を裏面３１ｂに到達させる。このとき、改質領域７２から発生した亀裂８２は、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａには到達しないものの、改質領域７１から表面３１ａ側にも伸展する。
　改質領域７２を形成するに際しては、切断予定ライン５２のそれぞれにおいて、改質領域７４を通り、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面に平行となる傾斜面４５に対して、傾斜面４５と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側に、改質領域７２を位置させる。より具体的には、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、裏面３１ｂに到達した亀裂８２がストリート領域３８の中心線ＣＬ（ここでは、切断予定ライン５２に一致する）上に位置するように、中心線ＣＬに対して傾斜面４５から離れる側に改質領域７２を位置させる。ただし、図２１に示すように、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、裏面３１ｂに到達した亀裂８２がストリート領域３８の中心線ＣＬと裏面３１ｂに到達した傾斜面４５との間に位置するように、中心線ＣＬに対して傾斜面４５に近付く側に改質領域７２を位置させてもよい。要は、裏面３１ｂに垂直な方向から見た場合に、ストリート領域３８内、又はストリート領域３８の中心線ＣＬと裏面３１ｂに到達した傾斜面４５との間に、裏面３１ｂに到達した亀裂８２が位置するように、切断予定ライン５２に沿って改質領域７２を形成すればよい。
　以上の改質領域７２，７４の形成を全ての切断予定ライン５２について切断予定ライン５２ごとに順次実施する（第３工程）。なお、改質領域７２を形成するに際し、集光点Ｐを合わせる位置から裏面３１ｂまでの距離は、例えば単結晶サファイア基板３１の厚さの半分以下の距離であり、例えば３０～５０μｍである。
　以上のように改質領域７１～７４を形成した後、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂを覆うように加工対象物１にエキスパンドテープ４２を貼り付ける。そして、三点曲げブレーク装置において、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７１から発生した亀裂８１、及び改質領域７３から発生した亀裂８３を伸展させて、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って加工対象物１をバー状に切断する（第２工程）。続いて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から、保護テープ４１を介して加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることで、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、改質領域７２から発生した亀裂８２、及び改質領域７４から発生した亀裂８４を表面３１ａ側に伸展させて、切断予定ライン５２のそれぞれに沿って加工対象物１をチップ状に切断する（第４工程）。
　加工対象物１を切断した後、加工対象物１から保護テープ４１を取り除き、エキスパンドテープ４２を外側に拡張させる。これにより、加工対象物１がチップ状に切断されることで得られた複数の発光素子１０を互いに離間させる。
　以上説明した第３実施形態の加工対象物切断方法によっても、単結晶サファイア基板３１のａ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５１に関し、上述した第１実施形態の加工対象物切断方法と同様の効果が奏される。
　加えて、改質領域７１，７３を形成する工程では、切断予定ライン５１ごとに、改質領域７３を形成し、その後連続して、改質領域７１を形成する。そして、改質領域７３の形成時と改質領域７１の形成時とで、レーザ光Ｌの集光点Ｐを逆の方向に移動させる。これにより、レーザ光Ｌの集光点Ｐを効率良く移動させることができる。より具体的には、一本の切断予定ライン５１において、改質領域７３を形成する際に他方の側から一方の側に相対的に移動した集光点Ｐは、改質領域７１を形成する際に一方の側から他方の側に相対的に移動して、他方の側に戻ることになる。そのため、当該一本の切断予定ライン５１に隣り合う切断予定ライン５１において、迅速にレーザ光Ｌの照射を開始することができる。
　また、一本の切断予定ライン５１に対して複数列の改質領域７１，７３を形成することで、単結晶サファイア基板３１が比較的厚い場合であっても、切断予定ライン５１に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。同様に、一本の切断予定ライン５２に対して複数列の改質領域７２，７４を形成することで、単結晶サファイア基板３１が比較的厚い場合であっても、切断予定ライン５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。また、改質領域７１，７３の一つや改質領域７２，７４の一つを形成するためのレーザ光Ｌのパルスエネルギーを落とすことができるので、レーザ光Ｌの照射に起因して発光素子部３２の特性が劣化するのを防止ことが可能となる。
　また、加工対象物１を切断する工程では、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ側から加工対象物１にナイフエッジ４４を押し当てることにより、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿って加工対象物１に外力を作用させる。これにより、単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達した亀裂８１，８２が開くように加工対象物１に外力が作用することになるので、切断予定ライン５１，５２に沿って容易に且つ精度良く加工対象物１を切断することができる。
　なお、単結晶サファイア基板３１のｍ面及び裏面３１ｂに平行となるように設定された複数の切断予定ライン５２のそれぞれにおいては、改質領域７４を通り、且つ単結晶サファイア基板３１のｒ面に平行となる傾斜面４５に対して、傾斜面４５と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側に、改質領域７２を位置させる。これにより、改質領域７４から裏面３１ｂ側に伸展する亀裂８４が改質領域７２側に伸展し、改質領域７２から表面３１ａ側に伸展する亀裂８２が改質領域７４側に伸展し、当該亀裂８４と当該亀裂８２とが単結晶サファイア基板３１内において繋がることになる。従って、裏面３１ｂ側の改質領域７２から発生した亀裂８２が単結晶サファイア基板３１の表面３１ａに伸展するのを抑制しつつ、表面３１ａ側の改質領域７４から発生した亀裂８４をストリート領域３８内に収めることができ、亀裂８２，８４が発光素子部３２に至るのを防止することが可能となる。
　以上、本発明の第１～第３実施形態の加工対象物切断方法について説明したが、本発明の加工対象物切断方法は、上記第１～第３実施形態の加工対象物切断方法に限定されるものではない。
　例えば、改質領域７１を形成する工程では、切断予定ライン５１のそれぞれにおいて、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鈍角となる側から当該角度が鋭角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させてもよい。更に、改質領域７１の形成時に改質領域７１から発生した亀裂８１を裏面３１ｂに到達させなくてもよい。これらの場合にも、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って形成された改質領域７１から発生した亀裂８１の蛇行量が変化するのを抑制することができる。なお、少なくともこの効果は、切断予定ライン５２に沿って改質領域をどのように形成するのかとは無関係に奏される。
　また、上記第３実施形態で述べたように、単結晶サファイア基板３１が比較的厚い場合等には、一本の切断予定ラインに対して複数列（二列に限定されず、場合によっては、三列以上）の改質領域を形成してもよい。この場合、切断予定ライン５１においては、少なくとも裏面３１ｂに最も近い改質領域７１の形成時に、単結晶サファイア基板３１のｒ面と裏面３１ｂとの成す角度が鋭角となる側から当該角度が鈍角となる側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させれば、その反対方向にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させた場合に比べ、裏面３１ｂに最も近い改質領域７１から単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに到達する亀裂８１の蛇行量を小さく抑えることができる。更に、切断予定ライン５１においては、改質領域７１の形成時と同様に、改質領域７３等の他の改質領域の形成時にも、切断予定ライン５１のそれぞれに沿って一方の側から他方の側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させてもよい。このように、改質領域７１の形成時と改質領域７３の形成時とで、レーザ光Ｌの集光点Ｐを同じ方向に移動させることで、改質領域７１の形成時に亀裂８１を単結晶サファイア基板３１の裏面３１ｂに確実に到達させることができる。
　なお、一本の切断予定ラインに対して複数列の改質領域を形成する場合には、切断予定ラインごとに改質領域を連続して形成し、これを全ての切断予定ラインについて順次実施してもよい。或いは、裏面３１ｂから同じ距離に位置する改質領域を連続して形成し、続いて、裏面３１ｂから他の同じ距離に位置する改質領域を連続して形成するようにしてもよい。
　また、加工対象物１を切断する工程の前であれば、切断予定ライン５１に沿って改質領域を形成する工程、及び切断予定ライン５２に沿って改質領域を形成する工程のうち、どちらの工程を先に実施してもよい。また、改質領域を形成する工程の後であれば、切断予定ライン５１に沿って加工対象物１を切断する工程、及び切断予定ライン５２に沿って加工対象物１を切断する工程のうち、どちらの工程を先に実施してもよい。
　また、切断予定ライン５１，５２のそれぞれに沿ってレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対的に移動させるために、レーザ加工装置１００の支持台１０７を移動させてもよいし、レーザ加工装置１００のレーザ光源１０１側（レーザ光源１０１、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５等）を移動させてもよいし、或いは、支持台１０７及びレーザ光源１０１側の両方を移動させてもよい。
　また、発光素子として半導体レーザを製造することができる。その場合、加工対象物１は、単結晶サファイア基板３１と、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ上に積層されたｎ型半導体層（第１導電型半導体層）３４と、ｎ型半導体層３４上に積層された活性層と、活性層上に積層されたｐ型半導体層（第２導電型半導体層）３５と、を備えている。ｎ型半導体層３４、活性層及びｐ型半導体層３５は、例えばＧａＮ等のIII－V族化合物半導体からなり、量子井戸構造を構成している。
　また、素子層３３は、電極パッド３６，３７との電気的な接続のためのコンタクト層等が更に備えていてもよい。また、第１導電型がｐ型とされ、第２導電型がｎ型とされてもよい。また、単結晶サファイア基板３１のオフ角は０°の場合もある。この場合、単結晶サファイア基板３１の表面３１ａ及び裏面３１ｂはｃ面に平行となる。
　本発明によれば、単結晶サファイア基板のａ面及び裏面に平行な複数の切断予定ラインのそれぞれに沿って形成された改質領域から発生した亀裂の蛇行量のばらつきを抑制することができる加工対象物切断方法を提供することが可能となる。
　１…加工対象物、１０…発光素子、３１…単結晶サファイア基板、３１ａ…表面、３１ｂ…裏面、３２…発光素子部、３３…素子層、４４…ナイフエッジ、５１…切断予定ライン（第１切断予定ライン）、５２…切断予定ライン（第２切断予定ライン）、７１…改質領域（第１改質領域）、７２，７４…改質領域（第２改質領域）、７３…改質領域（第３改質領域）、８１…亀裂（第１亀裂）、８２…亀裂（第２亀裂）、８３…亀裂（第３亀裂）、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。

Claims (6)

  1. 　ｃ面とオフ角分の角度を成す表面及び裏面を有する単結晶サファイア基板と、前記表面上にマトリックス状に配列された複数の発光素子部を含む素子層と、を備える加工対象物を前記発光素子部ごとに切断して複数の発光素子を製造するための加工対象物切断方法であって、
    　前記裏面を前記単結晶サファイア基板におけるレーザ光の入射面として、前記裏面から第１距離だけ離れた前記単結晶サファイア基板内の位置に前記レーザ光の集光点を合わせて、前記単結晶サファイア基板のａ面及び前記裏面に平行となるように設定された複数の第１切断予定ラインのそれぞれに沿って一方の側から他方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第１改質領域を形成する第１工程と、
    　前記第１工程の後に、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１改質領域から発生した第１亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する第２工程と、を備える、加工対象物切断方法。
  2. 　前記第１工程では、前記単結晶サファイア基板のｒ面と前記裏面との成す角度が鋭角となる側を前記一方の側とし、且つ前記ｒ面と前記裏面との成す角度が鈍角となる側を前記他方の側として、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記一方の側から前記他方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に前記第１改質領域を形成すると共に、前記第１亀裂を前記裏面に到達させる、請求項１記載の加工対象物切断方法。
  3. 　前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記表面側から前記加工対象物にナイフエッジを押し当てることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させる、請求項２記載の加工対象物切断方法。
  4. 　前記第２工程の前に、前記裏面を前記入射面として、前記単結晶サファイア基板内に前記集光点を合わせて、前記単結晶サファイア基板のｍ面及び前記裏面に平行となるように設定された複数の第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第２改質領域を形成する第３工程と、
    　前記第１工程及び前記第３工程の後に、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第２改質領域から発生した第２亀裂を伸展させて、前記第２切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する第４工程と、を更に備える、請求項１～３のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
  5. 　前記第１工程では、前記裏面を前記入射面として、前記裏面から前記第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた前記単結晶サファイア基板内の位置に前記集光点を合わせて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記他方の側から前記一方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、
    　前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１亀裂、及び前記第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１～４のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
  6. 　前記第１工程では、前記裏面を前記入射面として、前記裏面から前記第１距離よりも大きい第２距離だけ離れた前記単結晶サファイア基板内の位置に前記集光点を合わせて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記一方の側から前記他方の側に前記集光点を相対的に移動させることにより、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記単結晶サファイア基板内に第３改質領域を形成し、
    　前記第２工程では、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物に外力を作用させることにより、前記第１亀裂、及び前記第３改質領域から発生した第３亀裂を伸展させて、前記第１切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１～４のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
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