JP2009143775A - 石英ガラスの表面改質方法 - Google Patents
石英ガラスの表面改質方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009143775A JP2009143775A JP2007324034A JP2007324034A JP2009143775A JP 2009143775 A JP2009143775 A JP 2009143775A JP 2007324034 A JP2007324034 A JP 2007324034A JP 2007324034 A JP2007324034 A JP 2007324034A JP 2009143775 A JP2009143775 A JP 2009143775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- film
- stress
- irregular surface
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 21
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決の手段】(1)石英ガラス基板2の平滑表面、(2)基板2の表面に半径25μm半円形の凸部が連続した凹凸面、(3)基板2の表面に50μm四角の溝が形成された凹凸面、(4)基板2の表面に頂部間隔が50μm、深さ50μmのV字溝が連続して形成された鋸歯状凹凸面に、厚さ2μmの窒化珪素膜21が生成されている。680℃の温度差を与え、石英ガラスと窒化珪素の膨張率の差異に基づく最大膜応力をQuick Welderを使用して求めたところ鋸歯状凹凸面が最小であったので、レーザー加工装置を使用して石英基板表面にV字状溝を形成して鋸歯状凹凸面とした。
【選択図】図1
Description
このため、石英ガラス治具に付着する膜の付着強度を上げ、膜の剥がれを防止してパーティクル発生を抑制するために石英ガラス表面に微小な凹凸面を形成することがおこなわれている。具体的には、サンドブラスト処理等の物理的表面処理、または、フッ化水素などの薬液で表面をエッチング処理する化学的表面処理である。
また、半導体製造工程中においても、マイクロクラック内部に反応ガスが入り込むと、マイクロクラック内部で副生成物が生成され、パーティクル汚染を引き起こす原因ともなり、好ましくない。
また、エッチングによる石英ガラス表面の凹凸の形状はディンプル状であり、ディンプルの外周部の山の部分は鋭利な形状となっている。この鋭利な山の部分はウエハーの接触などで簡単に欠け、欠けた石英粉がパーティクルとなる危険性がある。また、表面に凹凸を形成するために長時間フッ化水素水溶液に浸しておくことは、水溶液内に発生する水和物が石英ガラス表面に沈着・付着し、新たなパーティクル生成の要因となる恐れがある。
このように、従来の石英ガラス表面の粗面化方法は、新たなパーティル発生要因を副次的に生む可能性があった。また、半導体の高集積化は、石英ガラス治具自体を高精度化することが要求されており、表面凹凸面も再現性よく均一な凹凸面が要求されているが、これらの粗面化方法ではいずれも均一で再現性のある高精度凹凸面を得ることができなかった。更に、形成された凹凸面はいずれもディンプル状の形状であり、不連続なものしかできなかった。
そこで、本出願人は、石英ガラス表面にレーザーを照射して表面に規則的に制御された凹部を形成し、表面粗さRa0.5〜50μmの微細な凹凸層を形成することを提案した。(特願2007−046279号)
凹部の断面形状としてV字状の溝を形成したり、照射ピッチを狭くして照射を複数回繰り返すことで、底部の溝の断面形状を任意寸法の平面状とすることが可能である。また、被加工物とレーザーとの焦点位置を変えることによって半円状の溝としたり三角形の溝角度を変えるなど、溝形状を高精度で制御することができ、凹部の形状の再現性は高いものである。更に、レンズの種類を変えることによって、レーザービームのスポット径を任意に変更したり、アパーチャーやコリメーターレンズを使用することによって、更に任意形状の凹凸面を形成することが可能になる。
本発明は、この性質を利用し、形成される膜の性質や予想される膜に作用する応力に応じて最適な凹凸面の物理的性状(断面形状や配列)を求めることができるようにするものである。
石英ガラスの表面に形成する凹部断面形状を図1に示すように種々変更したものについて表面に膜が形成された場合を想定し、溶接施工時の構造物の温度や変形、ひずみなどを熱弾塑性有限要素法を用いて追跡するコンピュータプログラムであるQuick Welder(商品名)を使用して膜に作用する応力を2次元的に解析して求めた。石英基板上に形成された凹凸面の断面形状等の諸条件は以下である。
(2)厚さ200μmの石英ガラス基板2の表面に半径25μm半円形の凸部が連続して形成され、その凹凸面に厚さ2μmの窒化珪素(Si3N4)膜21が生成されている。
(3)厚さ200μmの石英ガラス基板2の表面に50μm四角の溝が50μmおきに形成され、その凹凸面に厚さ2μmの窒化珪素(Si3N4)膜21が生成されている。
(4)厚さ200μmの石英ガラス基板2の表面に頂部間隔が50μm、深さ50μmのV字溝が連続して形成された鋸歯状凹凸面に厚さ2μmの窒化珪素(Si3N4)膜21が生成されている。
以上の条件の対象物を、700℃の状態から室温の20℃に温度を下げて680℃の温度差を与え、石英ガラスと窒化珪素の膨張率の差異に基づく膜応力をQuick Welderを使用して求めた。結果は、応力範囲毎に膜部分を色分け表示またはプリントアウトすることができるので、膜のどの部分に最大応力が発生するかを判読することができる。凹凸面の物理的性状の異なるサンプル(1)〜(4)について、求めた最大膜応力を表1に示す。(最大応力発生位置は省略する。)
表2の如く100μm、50μm、20μmと、ピッチを小さくするに従って膜応力が小さくなる傾向が示されている。
サンプル4の鋸歯状の窒化膜は剥がれることがなかったが、他の3つのサンプルの窒化膜は熱収縮による応力で剥がれてしまった。
Quick Welderで求めた解析結果と同じく、鋸歯状の凹凸面に設けた窒化珪素膜が剥がれなかった。これは平面応力を表面立体構造化で応力緩和が生じたものと考えられ、窒化珪素(Si3N4)膜の破壊限界応力から最大膜応力を300MPa以下とすることが必要であると言える。
膜厚は300nm、900nm、2000nmの3条件とし、成膜条件は、温度700℃、圧力1.0Torr、ガス流量はSiH4(モノシラン20%希釈ガス)50cc/min、NH3(アンモニア)200cc/min、N2(窒素)50cc/min、成膜速度8.3mm/min(300nm:36分、2μm:240分)とした。
成膜前の(1)鋸歯状の凹凸面、(2)擬似サンドブラスト面の表面状態の拡大図(100倍と500倍)を図4に示す。なお、成膜前の研磨面は、透明な鏡面であり、図示を省略する。
前記の条件で石英ガラス基板面に窒化膜を成膜し、加熱・冷却後の窒化膜の状態を図5に示す。(1)研磨面では3条件とも全てクラックが入っており、(3)擬似サンドブラスト面では膜厚900nmからクラックが入っているのに比べて、(2)鋸歯状の凹凸面では3条件ともクラックは認められない。この結果を表3に示す。
図6、図7に示す例は、有限要素法用いた汎用構造解析プログラムであるNX Nastran(商品名)で3次元解析をおこなったものである。
図6は、200μm角の平面に半径25μmの半球体突起をピッチ100μmで形成し、膜厚2μmの窒化珪素膜を形成した場合の底面XYZ軸拘束時と、底面Z軸拘束、側4面XY軸拘束時における熱応力解析図である。また、図7、図8は、54μm角の平面に一辺12μmの四角体突起を間隔6μmおきに形成したものと、24μm間隔で形成したものに、膜厚2μmの窒化珪素膜を形成した場合の底面XYZ軸拘束時と、底面Z軸拘束、側4面XY軸拘束時における熱応力解析図である。
このように各種条件下における膜の許容応力内となる凹凸面の物理性状を決定し、レーザー加工装置を用いて石英ガラス基板表面にレーザー照射により最適な凹凸面を形成して、石英ガラスの表面改質をおこなうことができる。
2 石英ガラス基板
21 膜(窒化膜)
Claims (1)
- 石英ガラス表面に形成する凹凸面の物理的性状と石英ガラス面に生成される膜の種類に基づき、石英ガラスと膜の熱膨張率の違いによって膜に作用する応力を計算し、膜の許容応力内となる凹凸面の物理的性状を決定し、レーザー照射により表面に凹凸面を形成する石英ガラスの表面改質方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324034A JP5080233B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 石英ガラスの表面改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324034A JP5080233B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 石英ガラスの表面改質方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009143775A true JP2009143775A (ja) | 2009-07-02 |
JP5080233B2 JP5080233B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=40914852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007324034A Expired - Fee Related JP5080233B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 石英ガラスの表面改質方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5080233B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101805134A (zh) * | 2010-03-18 | 2010-08-18 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 二氧化钒薄膜的镀膜液和薄膜的制备方法及应用 |
CN101805131A (zh) * | 2010-03-18 | 2010-08-18 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 |
WO2014203817A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2016184716A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理装置の製造方法 |
US10475674B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-11-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light irradiation type heat treatment apparatus and method for manufacturing heat treatment apparatus |
JP6666516B1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-03-13 | 東ソー・クォーツ株式会社 | 石英ガラス製ダミーウエハ |
JP2020145279A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04181720A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置 |
JPH07182655A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-07-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 脆性表面のテクスチャ加工方法及びこの方法により加工された磁気データ記憶ディスク |
JPH11216578A (ja) * | 1996-03-25 | 1999-08-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイ |
JP2003057422A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-26 | Japan Science & Technology Corp | フェムト秒レーザー照射による周期微細構造の作成方法 |
JP2009064913A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-12-14 JP JP2007324034A patent/JP5080233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04181720A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Canon Inc | マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置 |
JPH07182655A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-07-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 脆性表面のテクスチャ加工方法及びこの方法により加工された磁気データ記憶ディスク |
JPH11216578A (ja) * | 1996-03-25 | 1999-08-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基材のレーザ加工方法、この方法によって得られる回折格子及びマイクロレンズアレイ |
JP2003057422A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-26 | Japan Science & Technology Corp | フェムト秒レーザー照射による周期微細構造の作成方法 |
JP2009064913A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101805134A (zh) * | 2010-03-18 | 2010-08-18 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 二氧化钒薄膜的镀膜液和薄膜的制备方法及应用 |
CN101805131A (zh) * | 2010-03-18 | 2010-08-18 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 |
WO2014203817A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JPWO2014203817A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2017-02-23 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
US10177259B2 (en) | 2013-06-17 | 2019-01-08 | Kaneka Corporation | Solar cell module and method for producing solar cell module |
JP2016184716A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理装置の製造方法 |
US10475674B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-11-12 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Light irradiation type heat treatment apparatus and method for manufacturing heat treatment apparatus |
JP6666516B1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-03-13 | 東ソー・クォーツ株式会社 | 石英ガラス製ダミーウエハ |
WO2020079795A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 東ソー・クォーツ株式会社 | 石英ガラス製ダミーウエハ |
JP2020145279A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
JP7134902B2 (ja) | 2019-03-05 | 2022-09-12 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5080233B2 (ja) | 2012-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5080233B2 (ja) | 石英ガラスの表面改質方法 | |
JP5154814B2 (ja) | 石英ガラス材料の製造方法 | |
TWI630999B (zh) | 用於電漿處理設備之硬性及脆性元件的靭性模式加工方法 | |
JP4546447B2 (ja) | 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
KR20070029094A (ko) | 내플라즈마 부식성이 우수한 용사 피막 피복 부재 및 그제조 방법 | |
US20140302247A1 (en) | Method of forming densified layer in spray coating, and spray coating covering member | |
KR102135664B1 (ko) | 내플라즈마성 부재 | |
KR20180125532A (ko) | 분리될 고형체의 결합된 레이저 처리 방법 | |
KR20070038935A (ko) | 반도체 처리 방법 | |
JP2009045925A (ja) | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 | |
KR101347696B1 (ko) | 종형 열처리용 보트 및 이것을 이용한 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 | |
Feoktistov et al. | Expanding the scope of SiC ceramics through its surface modification by different methods | |
JP4546448B2 (ja) | 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
JP2009054984A (ja) | 成膜装置部品及びその製造方法 | |
US20100144147A1 (en) | Sample holding tool, sample suction device using the same and sample processing method using the same | |
JP2010042991A (ja) | 半導体を製造する工程で使用するシリカガラス治具 | |
JP5260026B2 (ja) | 管状石英ガラス治具の製造方法 | |
TW200416294A (en) | Corrosion-resistant member and method for producing same | |
WO2006134779A1 (ja) | シリコンウェーハ熱処理用石英ガラス治具及びその製造方法 | |
JP5026816B2 (ja) | 石英ガラス治具及びその製造方法 | |
JP3540936B2 (ja) | 真空容器 | |
JP6957252B2 (ja) | 切断加工方法 | |
KR100607890B1 (ko) | 막두께 측정용 모니터 웨이퍼 | |
JP2016520713A (ja) | ダイヤモンド蒸着のための方法 | |
EP1193327B1 (en) | Silica glass apparatus for semiconductor industry and method for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101001 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5080233 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |