TWI630999B - 用於電漿處理設備之硬性及脆性元件的靭性模式加工方法 - Google Patents

用於電漿處理設備之硬性及脆性元件的靭性模式加工方法 Download PDF

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Abstract

本文揭露一種電漿處理設備元件的靭性模式加工方法，其中該元件係 由非金屬的硬脆性材料製成。該方法包含：使用金剛石切削工具單點車削該元件，使得一部分非金屬的硬脆性材料於切屑形成期間受到高壓相變，而形成該硬脆性材料的靭性相部分，其中經車削的表面係由經相變之材料形成，而該經車削面係經相變之材料的溝槽紋理表面。

Description

用於電漿處理設備之硬性及脆性元件的靭性模式加工方法
本發明係與加工電漿處理設備元件相關，且更具體而言係與單點車削用於電漿處理設備之元件相關，該元件係由非金屬的硬脆性材料所形成。
在半導體材料處理之領域中，例如，包含真空處理腔室之半導體材料處理設備係用於執行各種不同的製程，如：基板上之各種不同材料的蝕刻及沉積、及光阻的剝離。隨著半導體技術演進，電晶體尺寸的降低在晶圓製程及製程設備上需要更高的準確度、再現性、及潔淨度。存在著各種不同類型的設備，以供半導體處理，其包含涉及電漿使用之應用，如：電漿蝕刻、反應離子蝕刻、電漿增強化學氣相沉積(PECVD，plasma-enhanced chemical vapor deposition)、及光阻剝離。這些製程所需的設備類型會包含設置在電漿腔室內且必須在此環境中運行之元件。電漿腔室內的環境可包含：電漿的暴露、蝕刻劑氣體的暴露、紫外線光的暴露、及熱循環。用於如此元件的材料必須可經得起腔室內的環境條件，且對於可包含每晶圓多重處理步驟的諸多晶圓之處理而 言亦然。為了成本效益，如此元件往往須經得起數百或數千次晶圓循環，且同時保持其功能性與潔淨度。對會產生微粒之元件的容忍度實質上係極低的，即便微粒稀少且不大於數十奈米。對於為了在電漿處理腔室內使用而挑選出的元件而言，也需要以最具成本效益的方式滿足這些需求。
為此，形成例如噴淋頭電極的脆性元件將受到機械加工操作，以修整該元件的表面。然而，經由機械加工操作的表面處理會在脆性元件的表面中造成微小、近乎看不見的的微裂縫及孔洞。這些微裂縫或次表面損害會不利地影響不同的後續半導體加工製程(如：半導體層的沉積、或高溫回火)，這是因為各種汙染可能會累積在這些微裂縫中，如此的污染在半導體製程期間可能會從這些微裂縫中釋出，因而汙染了晶圓上的半導體層沉積。例如，由於會造成次表面微裂縫相連並釋出微粒的表面侵蝕及/或腐蝕所致，具有次表面損害的腔室元件之表面可能釋出微粒。釋出微粒的情況將造成產品品質顯著地降低，或造成產品的報廢。
本文揭露一種電漿處理設備元件的靭性模式加工方法，其中該元件係由非金屬的硬脆性材料製成。該方法包含：使用金剛石切削工具單點車削該元件，使得一部分非金屬的硬脆性材料於切屑形成期間受到高壓相變，而形成該硬脆性材料的靭性相部分，其中經車削面係由經相變之材料形成，且該經車削面係經相變之材料的溝槽紋理表面。該元件係電漿處理設備之一介電腔室部件。
10‧‧‧電漿處理腔室
12‧‧‧基板支持部
14‧‧‧支持面
16‧‧‧基板
18‧‧‧真空泵
20‧‧‧泵口
22‧‧‧氣體源
24‧‧‧氣體分配構件
26‧‧‧平面天線
31‧‧‧高密度電漿
32‧‧‧介電窗
40‧‧‧圓柱體
42‧‧‧平坦面
43‧‧‧凸緣部
44‧‧‧側面
46‧‧‧貫穿通道
47‧‧‧氣孔
48‧‧‧O形環溝槽
50‧‧‧氣體注入器
51‧‧‧O形環溝槽
100‧‧‧噴淋頭組件
101‧‧‧熱控板
102‧‧‧背襯構件
103‧‧‧頂部電極
105‧‧‧內部電極/內部電極構件
107‧‧‧外部電極/外部電極構件
110‧‧‧電漿侷限環
111‧‧‧頂板
160‧‧‧基板支持部
162‧‧‧半導體基板
163‧‧‧邊緣環
400‧‧‧矽元件
401‧‧‧靭性相部分
402‧‧‧非晶相部分
403‧‧‧車削面
405‧‧‧切削工具
404‧‧‧脆性斷裂
600‧‧‧矽元件
圖1說明半導體電漿處理設備之一噴淋頭電極組件，該噴淋頭電極組件可包含依照本文所揭露之靭性模式加工方法形成之非金屬的硬脆性材料之元件。
圖2說明一半導體電漿處理設備，該半導體電漿處理設備可包含依照本文所揭露之靭性模式加工方法形成之非金屬的硬脆性材料的元件。
圖3A、3B說明一介電窗及氣體注入器，該介電窗及氣體注入器可包含依照本文揭露之靭性模式加工方法所形成之表面。
圖4A說明在靭性模式加工硬脆性材料元件期間發生的高壓相變之示例性模型；圖4B說明矽元件之α-金剛石的晶體結構；圖4C說明矽元件之β-錫的晶體結構；及圖4D說明在靭性模式加工區域之外加工的實施例，其中脆性斷裂發生。
圖5A、5B說明在進行本文所揭露之靭性模式加工實施例之前及之後的Si元件。
本文揭露一種靭性模式加工電漿處理設備之元件的方法，其中該元件係由非金屬的硬脆性材料製成。如本文所指，非金屬之硬脆性材料指的是適用於在半導體處理腔室中之元件的陶瓷材料、含矽材料(含有單晶矽或多晶矽的材料)、及/或石英材料，且更具體而言指的是包含石英、矽、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、碳化硼、氧化釔、氧化鋯、金剛石、藍寶石、玻璃、或 類似者之材料。在常態下，半導體材料及陶瓷材料為硬脆性，而不容易塑性變形。
為達成這些硬脆性材料的塑性變形(即：靭性模式)，較佳將元件一部分的表面進行高壓相變。較佳是，本實施例的靭性模式加工方法，藉由在單點車削製程期間對元件的一部分控制參數(如：切口深度、進料率、元件轉動速度、及工具的幾何結構)，利用小尺寸尺度之靭性塑性回應，其中進行單點車削製程，使得元件之部分非金屬的硬脆性材料受到高壓相變，而形成脆性材料的靭性相部分。
使用單點金剛石切削工具(較佳為單晶金剛石切削工具)進行單點車削(single point turning)製程，其中單點車削製程形成元件之非金屬硬脆性材料的塑性變形部分。在單點車削製程中，將元件之非金屬硬脆性材料的靭性相部分移除，使得經車削面係由經相變之材料形成，其中經車削面為經相變之材料的溝槽紋理表面。
車削製程可以從元件中移除非金屬之硬脆性材料的靭性相部分，使得元件之經車削面為加工成預定形狀的靭性狀態，其中非晶相的剩餘部分會形成溝槽紋理表面。元件經車削面的經相變之材料會形成一經修整面，其中倘若元件係由高純度矽製成，經相變之材料則可以包含：非晶矽(α-Si)、Si-III、Si-XII、或其混合物，且經相變之材料可包含預定的波狀表面幾何結構、及預定的表面粗糙度(Ra)。元件之經車削面的預定表面粗糙度會形成經車削元件的溝槽紋理表面。較佳地，元件之經車削面的表面粗糙度於形成時具有0.001到0.2μm的粗糙度。當使用於此處，用語「表面粗糙度」係表示表面粗糙度測量結果的算術平均值(Ra)。此外，當使用於此處，用語「約」表示±10%。
較佳地，靭性模式加工電漿處理設備元件之方法的實施例會形成具有由高壓相變所形成之經修整車削面的元件，其中經相變之材料形成經修整的車削面，而其中形成經修整車削面的經相變之材料具有約0.01到2μm之厚度，及更佳為約0.01到0.5μm的厚度。
使用在電漿處理設備中的合適元件係由陶瓷材料、含矽材料、及/或石英材料形成，而該等元件可以包含：邊緣環、噴淋頭電極、腔室窗、腔室襯、氣體注射器、電漿侷限環、及靜電夾盤。
圖1描繪平行板電容耦合電漿腔室(真空腔室)之半部的噴淋頭組件100，該噴淋頭組件包含：一頂部電極103；一選用性的背襯構件102，固定至該頂部電極103；一熱控板101；及一頂板111。可將熱阻流部設置在熱控板101的上表面上。此外，噴淋頭組件100可以包含複數個電漿侷限環110。將頂部電極103設置在具有靜電夾盤嵌入於其中的基板支持部160上方。基板支持部160係用於支撐半導體基板162(如：半導體晶圓)，及可將邊緣環163安裝在半導體基板162的邊緣，以在半導體基板162處理期間增強蝕刻均勻度。包含靜電夾盤於其中的基板支持部160的上表面可為一平坦表面，其中該表面較佳以本文所揭露之靭性模式加工方法形成。在另一實施例中，基板支持部160的上表面可以包含用於對基板背側供應氦的溝槽，其中該上表面較佳以本文所揭露之靭性模式加工方法形成。在共同轉讓美國專利案第7,869,184號中可發現包含對基板背側供應氦之溝槽的基板支持部之細部，其內容於此藉由參照整體納入本案揭示內容。
頂板111可以形成電漿處理設備(如：電漿蝕刻腔室)之一可拆卸式的頂壁。如所示，頂部電極103可為一噴淋頭電極，該頂部電極包含一內部電極構件105、及一選用性的外部電極構件107。內部電極構件105一般係由單晶矽所 製成。倘若需要，內部及外部電極105及107可以由單件材料製成，例如：CVD碳化矽、單晶矽、或其他合適材料，如包含氧化鋁等之矽基電極材料。
對內部電極構件105及外部電極構件107的電漿曝露面而言，單晶矽為較佳的材料。由於高純度的單晶矽僅引入極少量非期望的元素到反應腔室中，且在電漿處理期間亦平緩地磨損，因而將微粒降至最低，故高純度的單晶矽在電漿處理期間最小化基板的汙染。
為了處理大基板(如：具有300mm直徑的半導體晶圓)，可以改變噴淋頭電極組件100的尺寸。對300mm的晶圓而言，頂部電極103之直徑至少為300mm。然而，可加以改變噴淋頭電極組件的尺寸，以處理其他晶圓尺寸或具有非圓形結構之基板。
圖2係電漿處理腔室10之另一實施例的橫剖面圖，其中電漿處理腔室10為感應耦合電漿處理腔室。ICP電漿處理腔室的其中一例為TCP®蝕刻或沉積系統，其係由Lam Research Corporation，Fremont，California所製造。例如，在共同轉讓美國專利案第6,805,952中也描述ICP電漿處理腔室，該美國專利案內容於此藉由參照整體納入本案揭示內容。處理腔室10包含帶有支持面14的基板支持部12。支持面14係用於支持基板16。真空泵18係附接於泵口20，以將處理腔室10的內部維持在低壓下(如：約1mTorr到約50mTorr之間)。氣體源22經由氣體分配板、噴淋頭裝置、注射器或其他合適的裝置將製程氣體供應至處理腔室10的內部中。可利用氣體分配構件24，將製程氣體導入鄰近基板16的區域。
在一實施例中，介電窗32位於平面天線26之下，並形成電漿處理腔室10的頂壁。介電窗32可具有延伸通過其中的貫穿通道，其中可插入氣體注入 器，且氣體注入器可對電漿處理腔室10提供製程氣體。高密度電漿31產生在介電窗32和基板16之間的區域，以供基板16的沉積或蝕刻。
圖3A顯示示例性的介電窗32，其包含：平行的平坦面42(其可依本文所揭露之靭性模式加工方法平坦化)、一側面44、及一貫穿通道46。介電窗可由石英或陶瓷材料製成，其中靭性模式加工製程會在平行平坦面42之至少一個電漿暴露面(即：下部平行平坦面)上形成一修整面，且更佳為在平行平坦面42二者上皆形成修整面。較佳地，氣體注入器50延伸通過貫穿通道46。如圖3B之橫剖面圖所示，氣體注入器50包含：一圓柱體40，於其上端處具有凸緣部43；一中央口45，延伸通過上部軸端；複數個氣孔47，在中央口與下部軸端的外部表面之間延伸；及O形環溝槽48和51。氣體注入器可由介電材料製成(例如：陶瓷、或石英材料)，其中氣體注入器50包含用於輸送製程氣體通過其中之的氣孔47。在共同轉讓美國專利申請案第2010/0041238中可發現一示例性可調式多重區域氣體注入系統之細部，該系統包含一雙重區域氣體注入器及介電窗，其可依據本文所揭露方法形成，該美國專利申請案內容於此藉由參照整體納入本案揭露內容。
根據較佳的實施例，電漿處理設備之非金屬的硬脆性元件包含經由靭性模式加工製程形成的電漿暴露面。本文揭露之靭性模式加工方法可用於在電漿處理設備之任一元件(如：噴淋頭電極、氣體分配板、氣體注入器、邊緣環、或介電窗)上形成波狀的幾何表面或平坦的表面，其中該元件係由非金屬的硬脆性材料製成，如：石英、矽、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、碳化硼、氧化釔、氧化鋯、金剛石、藍寶石、玻璃等。例如，波狀表面幾何結構可為該元件之斜角、倒角、或倒圓角的三維表面。或者，平坦面可形成在一元件 上，其中經靭性模式加工的表面具有小於約1.4μm的平坦面之平坦度變化，或更佳為具有約小於0.3μm的平坦面之平坦度變化。
該方法包含以金剛石切削工具來單點車削元件，並同時控制切口的深度，使得一部分的非金屬之硬脆性材料於切屑形成期間遭受高壓相變，而形成硬脆性材料的靭性相部分及非晶相部分。該方法更包含移除硬脆性材料的一些非晶相部分，使得該元件表面被車削成預定的形狀。較佳地，經車削面係帶有溝槽紋理(紋理溝槽表面)，並具有約0.001到0.2μm的預定表面粗糙度，其中經車削面的表面粗糙部會形成溝槽。經車削面的表面粗糙度可藉由製程參數控制，例如：進料率、元件轉速、切削工具的幾何形狀、及切口的深度，其中例如可挑選出預定的表面粗糙度，使得經車削面能增加非揮發性蝕刻副產物及處理殘餘物的附著。較佳地，當形成非金屬之硬脆性材料元件之經靭性模式加工之表面時，該表面係次表面無損害，其中元件的溝槽紋理表面係由具有約0.01到2μm厚度之經相變之材料形成，且較佳由約0.01到0.5μm厚度之經相變之材料形成，而其中經相變之材料形成元件的經修整車削面。
較佳地，在靭性模式加工製程期間，由非金屬之硬性及靭性材料形成之元件遭受高壓相變，使得加工係以靭性模式而非脆性模式加以進行，其中靭性模式在加工期間可降低硬脆性材料的脆性斷裂。在例如發生在切削工具和元件間之接觸介面處的極度高壓下，介電質、半導體、導體、石英、含矽、及陶瓷之材料將由共價鍵及/或離子鍵結構轉變成高壓相變金屬結構。進行單點車削的金剛石切削工具因此在非金屬的硬脆性材料元件上提供壓力，使得一部分的元件遭受相變而轉變成高壓金屬相部分。
圖4說明於本文揭露之靭性模式加工方法期間，矽元件400及切削工具405間的接觸點處的高壓相變。高壓相變會在該矽元件的上表面上形成靭性相部分401及周圍的非晶相部分402。在矽的單點車削製程期間，非晶相的表層在切屑形成期間被移除，同時剩餘的經相變之材料會形成矽元件400的車削面403。發生在切削工具及矽元件間之接觸點處的高壓相變會將矽轉變成高壓靭性相。在矽的靭性模式加工期間，矽具有α-金剛石結構(當壓力到達11GPa該結構會轉變成β-錫結構)，而當壓力釋放時，則會形成非晶相的Si-III及Si-XII相。圖4C中所顯示的是Si的過渡β-Sn相的晶體結構，及圖4B中所顯示的是矽的α-金剛石相的晶體結構。
圖4D說明切削製程，其中使用不足的壓力，及同所示，發生矽元件400的脆性斷裂404。較佳地，金剛石切削工具為具有約0.1到7mm刀尖半徑的單點金剛石切削工具。較佳地，單點金剛石切削工具的該單點係單晶天然金剛石，其中刀尖半徑係由金剛石之晶體結構所決定。或者，單點金剛石切削工具可為合成金剛石。由於金剛石切削工具的銳度所致，在車削製程期間藉由將金剛石切削工具與非金屬的硬脆性材料之元件接觸，在該金剛石切削工具及該元件之間的接觸點處發生高壓靭性相變。
較佳地，利用單點車削製程，以金剛石切削工具進行加工。金剛石切削工具可為車床或飛切(flycutting)機，包含單晶天然金剛石切削工具或合成金剛石切削工具。可將金剛石切削工具固定，並同時旋轉非金屬之硬脆性材料元件。較佳地，硬脆性材料元件係以每分鐘約500到1500轉數轉動，且更佳地，該元件係以每分鐘約500到1000轉數轉動。單點車削製程係用於將平面狀或波狀的幾何形狀加工成硬脆性材料所形成之元件的表面。在進一步的實施例中，實 現旋轉研磨切削工具的車床係用於初步加工(即：研磨)或粗加工非金屬的硬脆性材料之元件為預定的形狀。接著，在下一步驟中，將車床的研磨切削工具換成金剛石切削工具。車床可接著進行本文所揭露之靭性模式加工方法，使得在不須移開或搬送非金屬的硬脆性材料之元件的情況下，單機可進行起始塑形步驟(如：研磨)及修整步驟(如：單點車削)。
可使用雷射輔助切削工具，其中以雷射輻射照射元件之高壓相變部分及周圍部分。較佳是，在高壓相變下，雷射輻射被元件表面部分吸收掉，如此情形會加熱元件的高壓相變部分並導致其硬度降低。因高壓相變部分吸收掉雷射輻射，同時該元件的剩餘部分透射雷射，故高壓相變部分會選擇性地加熱及軟化，而同時該元件的剩餘部分會較少被影響到，使得經選擇性加熱的部分可更容易地轉變成高壓相(如：非晶相及/或靭性相部分)。較佳地，雷射輻射具有約400到1500奈米的波長。
進料率係影響靭性模式加工製成的一因素，如：降低及/或控制加工中之元件表面的表面粗糙度。表面處理的品質可藉由控制切削工具及元件之間的進料率而達成。較佳地，進料率係約0.1到50μm/rev，且更佳地，進料率係約0.2到3μm/rev，其中較大的進料率會增加表面粗糙度。在元件的靭性模式加工期間，可將進料率增加及/或減少，使得元件之表面粗糙度可能會上升或降低。非金屬的硬脆性材料元件之表面的表面粗糙度也可根據切削工具的切口深度加以控制，其中較大的切口深度導致較大的表面粗糙度。較佳地，切口深度係約0.25到50μm。在元件的靭性模式加工期間，可將切口的深度增加及/或減少，使得元件之表面粗糙度可能會上升或降低。
當切口深度及進料率下降時，切力亦降低。切力可係表面粗糙度的函數，其中較高的切力係由於較粗糙的表面所致，其中較高的切力可以導致縮短切削工具的壽命。因此，加工期間的切口深度及進料率之減少可以提供帶有較低表面粗糙度的元件表面，並可藉由降低加工期間所施加之切力延長切削工具的壽命。
單點車削非金屬之硬脆性材料之元件的操作會形成溝槽紋理表面，其中經車削面之紋理較佳為螺旋圖樣。溝槽紋理表面之螺旋圖樣可以螺旋向內圖樣、螺旋向外圖樣、或如有需要以螺旋向內及螺旋向外圖樣之結合而形成。溝槽紋理表面附帶地展現光學折射圖樣。較佳地，光學折射圖樣係光柵形式的，其中光柵係以螺紋圖樣之溝槽形成。螺紋圖樣溝槽的尺寸係取決於切削工具輪廓、進料率、元件轉速、及切口深度，其中螺紋圖樣溝槽之尺寸可依據元件之表面幾何結構而變化。
可經由裸眼視覺、散射測定法、干涉測定法、或顯微鏡數據，收集及說明元件之經靭性模式加工表面的缺陷及品質控制信息。不平整部(如：不均勻的表面粗糙度、及/或溝槽圖樣中之暴露的次表面損害)可在散射測定影像中顯示成亮點或暗點。例如，不具有溝槽的元件區域(即：未經過靭性模式加工之元件的區域)主要地將光鏡面式散射，而當由入射角約等於反射角之處的角度觀察時，經散射之光呈現明亮。可使用約630nm波長的雷射收集散射測定數據。較佳地，雷射相對於元件法線傾斜約30到45度，且散射測定數據係在元件繞其中心旋轉時於固定的半徑加以收集。較佳地，在轉動時靭性模式加工元件會展現相同的散射圖樣。
圖5A顯示經靭性模式加工之前的矽元件600。圖5B顯示在進行如本文所揭露之靭性模式加工之實施例之後的矽元件600。如圖5B所示，矽元件600包含為光柵形式的光學折射圖樣，其中該光柵係由以單點車削製程所形成之螺旋圖樣溝槽形成。
本文進一步地揭露一種更換電漿處理設備之元件的方法。該方法包含：當一經使用的元件(如：噴淋頭電極)被腐蝕時，從電漿處理設備中移除該經使用的元件；及以根據本文揭露方法所形成之元件更換該經使用的元件。此外，當一脆性材料元件腐蝕時(如：噴淋頭電極)，可從電漿處理設備中移除該脆性材料元件，並以刷新的元件更換，其中該刷新的元件係根據本文揭露之方法形成。
此外，本文揭露一種在電漿處理設備中蝕刻半導體基板之方法。該法包含：將根據本文揭露之靭性模式加工實施例所形成的元件安裝在電漿處理設備之電漿腔室中，並在該電漿腔室中電漿蝕刻至少一個半導體基板。
熟習本技術領域者將察知本發明可以其他特定型式加以實施，且不背離其中的精神及本質特徵。因此，當前揭示之實施例在各方面應視其為舉例性而非限制性者。本發明之範疇係由隨附之申請專利範圍而非由上述說明所指示，所有與申請專利範圍意義相等之變化均應包含於本發明之中。

Claims (20)

  1. 一種方法，用於電漿處理設備之元件的靭性模式加工，其中該元件係由非金屬的硬脆性材料製成，該方法包含：使用一金剛石切削工具單點車削該元件，使得該非金屬的硬脆性材料之一部分於切屑形成期間受到高壓相變，而形成該非金屬的硬脆性材料的靭性相部分，其中一經車削面係由一經相變之材料形成，而該經車削面係經相變之材料的一溝槽紋理表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中(a)該元件之經車削面的預定表面粗糙度(Ra)形成經車削之該元件的該溝槽紋理表面；(b)該經車削面的預定表面粗糙度係約0.001到0.2μm；(c)該經車削面的溝槽紋理表面係呈螺旋圖樣；(d)該經車削面的溝槽紋理表面展現光學折射圖樣；(e)該經車削面的溝槽紋理表面形成一經修整的車削面；及/或(f)該元件係由Si形成，及形成該經車削面的該經相變之材料包含非晶矽(α-Si)、Si-III、及Si-XII。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該溝槽紋理表面係無次表面損害(subsurface damage free)。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中以雷射輻射照射受到高壓相變的該部分，使得(a)該雷射輻射被該靭性相部分吸收，以加熱該靭性相部分，而造成該靭性相部分硬度降低；及/或(b)該雷射輻射具有約400到1500奈米的波長。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中(a)切口深度係約0.25到50μm，進料率係約0.1到50μm/rev，及該元件係以每分鐘約500到1,500轉數轉動；(b)切口深度係約0.25到50μm，進料率係約0.2到3μm/rev，及該元件係以每分 鐘約500到1,000轉數轉動；及/或(c)當單點車削該元件時，將切口深度增加或減少；及/或(d)當單點車削該元件時，將進料率增加或減少。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該非金屬的硬脆性材料係選自由陶瓷材料、含矽材料、及石英材料組成之群組。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該元件包含一邊緣環、一噴淋頭電極、一窗、一氣體注入器、一電漿侷限環、一腔室襯、或一靜電夾盤。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該元件係該電漿處理設備之一介電腔室部件。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中(a)該元件的經車削面具有一波狀表面幾何結構；及/或(b)該元件的經車削面形成一平坦面。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該波狀表面幾何結構為斜角、倒角、或曲面的三維表面。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中(a)該平坦面的平坦度變化係小於約1.4μm；或(b)該平坦面的平坦度變化係小於約0.3μm。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中(a)形成經靭性模式加工之元件的車削面的該經相變之材料具有約0.01到2μm之厚度；及/或(b)形成經靭性模式加工之元件的車削面的該經相變之材料具有約0.01到0.5μm的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，更包含收集該經車削面的光學數據，及處理該光學數據，藉以偵測不平整。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中(a)經由裸眼視覺、散射測定法、顯微術、或干涉測定法收集該光學數據；及/或(b)偵測不平整的步驟包含偵測非均勻的表面粗糙度或偵測暴露的次表面損害。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，更包含(a)在靭性模式加工該元件之前，以安裝在一車床的研磨工具將由該非金屬的硬脆性材料製成的該元件研磨或粗加工成一預定形狀；及/或(b)將安裝在該車床的研磨工具換成該金剛石切削工具，使得該元件被金剛石車削成一預定的形狀。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中進行單點車削步驟之該金剛石切削工具係(a)單晶天然金剛石切削工具；或(b)合成金剛石切削工具。
  17. 一種方法，用於更換電漿處理設備的一使用之元件，該方法包含：當該使用之元件被腐蝕時，由該電漿處理設備中移除該使用之元件；及以申請專利範圍第1項之方法所形成之元件更換該使用之元件。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中以一刷新的元件的更換該使用之元件，其中根據申請專利範圍第1項之方法將元件表面刷新。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其中該元件之材料係選自由陶瓷材料、含矽材料、及石英材料組成之群組。
  20. 一種方法，其係在電漿處理設備中蝕刻半導體基板，該方法包含：將由申請專利範圍第1項之方法所形成之該元件安裝在該電漿處理設備之一電漿蝕刻腔室中；及在該電漿蝕刻腔室中電漿蝕刻至少一個半導體基板。
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