JP6180975B2 - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態の電子デバイスの断面図である。
図11は、第2の実施形態の電子デバイスの断面図である。
図12は、第3の実施形態の電子デバイスの断面図である。
Claims (15)
- 基板上に、ナノ粒子導電材料からなる下部電極、ソース電極、及びドレイン電極を備え、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に有機半導体層を備え、前記有機半導体層上にゲート絶縁層を介してゲート電極を備える電子デバイスの製造方法において、
前記有機半導体層上及び前記下部電極上に、前記ゲート絶縁層としての非感光性樹脂層を形成する工程と、
前記非感光性樹脂層上に、前記ゲート絶縁層としての感光性樹脂層を形成する工程と、
前記下部電極上の前記感光性樹脂層にスルーホールを形成する工程と、
前記感光性樹脂層に前記スルーホールを形成する工程の後、
前記感光性樹脂層上及び前記非感光性樹脂層上に撥液層を形成する工程と、
前記撥液層をパターニングして前記ゲート電極及び上部電極が形成される領域の前記撥液層、及び前記スルーホール底部の前記非感光性樹脂層を前記撥液層と共に除去する工程と、
を具備することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記スルーホールを形成する工程は、前記感光性樹脂層を露光、現像、及び硬化する工程であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記感光性樹脂層上、前記スルーホール内、及び撥液層上に導電インクを印刷することにより、前記ゲート電極を形成すると共に、前記下部電極上の前記感光性樹脂層上に前記上部電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記下部電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成は、
前記基板上の樹脂層上に撥液層を形成し、撥液層をパターニングする工程と、
前記撥液層をマスクに用いて前記樹脂層を親液化した後、前記樹脂層上に導電インクを印刷し、前記下部電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記感光性樹脂層は、光が照射されると酸が発生する光酸発生剤を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記光酸発生剤は、トリアリールスルホニウム塩系、ナフタレンイミド系、チオキサントン誘導体、トリアジン、ニトロベンジルエステル、ジアゾメタン、オニウム塩のいずれかを含むことを特徴とする請求項5に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記撥液層は、フッ素を含むガスを放電分解して形成することを特徴とする請求項3または4に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記撥液層のパターニングは、レーザーアブレーションにより行うことを特徴とする請求項3または4に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記ナノ粒子導電材料は、Agナノ粒子を含むことを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
- 基板上に形成されたナノ粒子導電材料からなる、下部電極、ソース電極、及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された有機半導体層と、
前記有機半導体層上及び前記下部電極上に形成された非感光性樹脂層と、前記非感光性樹脂層上に形成された感光性樹脂層とを含むゲート絶縁層と、
前記有機半導体層上の前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記下部電極上の前記感光性樹脂層上に形成された上部電極と、
前記下部電極上の前記ゲート絶縁層内に形成され、前記下部電極と前記上部電極とを電気的に接続する導電膜と、
を具備し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記有機半導体層と、前記ゲート電極との間に前記感光性樹脂層が配置されていることを特徴とする電子デバイス。 - 前記感光性樹脂層は、光が照射されると酸が発生する光酸発生剤を有することを特徴とする請求項10に記載の電子デバイス。
- 前記光酸発生剤は、トリアリールスルホニウム塩系、ナフタレンイミド系、チオキサントン誘導体、トリアジン、ニトロベンジルエステル、ジアゾメタン、オニウム塩のいずれかを含むことを特徴とする請求項11に記載の電子デバイス。
- 前記上部電極は、ナノ粒子導電材料を含むことを特徴とする請求項10乃至12のいずれかに記載の電子デバイス。
- 前記ナノ粒子導電材料は、Agナノ粒子を含むことを特徴とする請求項10乃至13のいずれかに記載の電子デバイス。
- 前記上部電極は、前記ゲート絶縁層上の前記撥液層をパターニングして前記ゲート絶縁層の表面に親撥パターンを形成し、前記親撥パターンに前記導電インクを塗布して形成された導電パターンであることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイスの製造方法。
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