JP2008524839A - 電子デバイスアレイ - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (29)
- 電子デバイスアレイを製造する方法であって、前記方法は、基板上に第1電子デバイスの1つ以上の第1導電性要素部、および、前記基板上に第2電子デバイスの1つ以上の第2導電性要素部を形成する工程と、使用の際に前記第1電子デバイスの導電性要素部間における電荷キャリアの移動のための第1チャネル、および、使用の際に前記第2電子デバイスの導電性要素部間における電荷キャリアの移動のための第2チャネルを設けるように、前記基板および前記第1および第2導電性要素部全体に亘ってチャネル材料の層を形成する工程とを含み、(a)前記第1および第2導電性要素部間における1つ以上の領域のチャネル材料の層の1つ以上の選択された部分の導電性を、単一の工程で低減するための照射技術を使う工程をさらに含むことを特徴とする方法。
- 前記工程(a)は、前記1つ以上の選択された部分の導電性を低減するために、前記チャネル材料の層の前記1つ以上の選択された部分を単一の工程で除去するための照射技術を使う工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記工程(a)は、前記第1および第2導電性要素部の上に存在する前記チャネル材料の層のいずれの部分も照射せずして行われることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記チャネル材料は、半導体材料であることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。
- 前記工程(a)は、前記第1および第2導電性要素部間で前記チャネル材料の層の前記1以上の選択された部分、および/または、前記チャネル材料の層の前記1つ以上の選択された部分の下に存在する前記基板のそれぞれの部分で、局所的に熱を生成するための照射技術を使う工程を含み、前記熱は、前記チャネル材料の光熱的および/または光化学的変性プロセスを含むと共に、前記チャネル材料の層の前記1つ以上の選択された部分の導電性を低くするように作用することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記工程(a)は、前記チャネル材料の前記部分を除去する工程を伴うことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。
- 前記チャネル材料の前記部分を除去する工程は、紫外線レーザ照射を使うことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記第1および第2導電性要素部間の方向に実質的に垂直に延びる1つ以上のラインを備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 一対の第1導電性要素部および一対の第2導電性要素部を前記基板上に形成する工程を含み、前記チャネル材料の層は、前記一対の第1の導電性要素部間に前記第1チャネルおよび前記一対の第2導電性要素部間に前記第2チャネルを提供することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記チャネル材料の層の前記選択された部分の領域は、前記第1および第2チャネルから10μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記チャネル材料の層の前記選択された部分は、前記第1および第2チャネルから50μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記チャネル材料の層の前記選択された部分は、前記第1および第2導電性要素部から10μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記チャネル材料の前記選択された部分の領域は、前記第1および第2導電性要素部から50μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第1の一対の導電性要素部は、第1電界効果トランジスタデバイスのソースおよびドレイン電極を形成しており、前記第2の一対の導電性要素部は、第2電界効果トランジスタデバイスのソースおよびドレイン電極を形成していることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、ゲートライン下に連続的に延びる一連の少なくとも2本のラインを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- (b)前記基板、前記第1および第2導電性要素部ならびに前記チャネル材料の層の全体に亘って誘電体層を形成する工程と、(c)前記第1および第2チャネルのそれぞれに亘って延びるゲートラインを形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第1および第2電子デバイスは、ノーマリィオフの電界効果トランジスタデバイスであり、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記ゲートラインの下に存在する部分を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記ゲートラインは、幅を持っており、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、少なくとも前記ゲートラインの幅に延びる1つ以上のラインを含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記第1および第2電子デバイスは、ノーマリィオンの電界効果トランジスタデバイスであり、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、(i)前記ゲートラインの下に存在する部分および(ii)前記ゲートラインの下に存在していない部分を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記1つ以上の第1導電性要素部は、複数の側面を持っている画素電極を含んでおり、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記画素電極の前記側面のそれぞれに沿って延びる1つ以上のラインを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記工程(a)は、前記チャネル材料の層の前記1つ以上の選択された部分に位置する1つ以上の地点、または、前記1つ以上の選択された部分の下に存在する前記基板のそれぞれの部分に、1つ以上のレーザ光線を集束させる工程を含むことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。
- 前記チャネル材料が照射される前記基板の領域は、前記第1および/または第2電子デバイスのまわりに閉経路を形成していないことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。
- 前記チャネル材料を除去する工程はまた前記基板の材料の一部も除去することを特徴とする前記請求項5に従属する前記請求項のいずれかに記載の方法。
- 基板上に少なくとも1つの第1および1つの第2電子デバイスを備える電子デバイスアレイであって、前記第1および第2電子デバイスのそれぞれは、チャネル材料のパターンニングされた層を備え、前記チャネル材料のパターンニングされた層はまた、使用の際に、第1および第2電子デバイス間に1つ以上の伝導経路を作るが、前記チャネル材料の前記層のパターンは、前記第1および第2電子デバイス間の最短の伝導経路が、前記第1および第2電子デバイス間の最短の物理的距離の少なくとも50%分だけ長くなるように形成されていることを特徴とする電子デバイスアレイ。
- 基板上に少なくとも1つの第1および1つの第2電子デバイスを備え、前記第1および第2電子デバイスのそれぞれがチャネル材料のパターンニングされた層を備える電子デバイスアレイであって、前記第1電子デバイスは、前記チャネル材料の前記パターンニングされた層の少なくとも一部の上に存在しかつ前記第2電子デバイスの一部の全体に亘って延びるゲート電極を備え、前記チャネル材料のパターンニングされた層は、使用の際に、前記第1および第2電子デバイス間に1つ以上の伝導経路を作るが、前記1つ以上の伝導経路のそれぞれの少なくとも一部は、前記ゲート電極が存在していない前記チャネル材料のパターンニングされた層の領域を通ることを特徴とする電子デバイスアレイ。
- 前記チャネル材料のパターンは、チャネル材料のレーザ除去によって作られることを特徴とする請求項24または25に記載の電子デバイスアレイ。
- 前記レーザ除去の工程は、前記基板上に予め定義された前記第1および第2電子デバイスの導電性要素部の上に存在する前記チャネル材料の層のいずれの部分も除去せずして行われることを特徴とする請求項26に記載の電子デバイスアレイ。
- 請求項1から23のいずれかに記載の方法によって製造される電子デバイスアレイ。
- 請求項28に記載の電子デバイスアレイを含むディスプレイまたはメモリデバイス。
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