JP5438273B2 - 電子デバイスアレイ - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Description
Claims (15)
- トランジスタデバイスアレイを製造する方法であって、前記方法は、
基板上に第1トランジスタデバイスの第1導電性要素部、および、前記基板上に第2トランジスタデバイスの第2導電性要素部を形成する工程と、
使用の際に前記第1トランジスタデバイスの前記第1導電性要素部間における電荷キャリアの移動のための第1チャネル、および、使用の際に前記第2トランジスタデバイスの前記第2導電性要素部間における電荷キャリアの移動のための第2チャネルを設けるように、前記基板および前記第1および第2導電性要素部全体に亘って有機半導体チャネル材料の層を形成する工程とを含み、
前記第1および第2導電性要素部間における1つ以上の領域の有機半導体チャネル材料の層の1つ以上の選択された部分を除去するために、前記有機半導体チャネル材料の層に紫外線レーザを照射する工程(a)をさらに含み、
前記第1導電性要素部は、第1トランジスタデバイスのソースおよびドレイン電極を形成しており、前記第2導電性要素部は、第2トランジスタデバイスのソースおよびドレイン電極を形成しており、
前記基板、前記第1および第2導電性要素部ならびに前記1つ以上の選択された部分が除去された前記有機半導体チャネル材料の層の全体に亘って誘電体層を形成する工程(b)と、前記第1および第2チャネルそれぞれの上に延びるゲートラインを形成する工程(c)とをさらに含み、
前記紫外線レーザ照射は、前記有機半導体チャネル材料の個々の官能基によって吸収されることを特徴とする方法。 - トランジスタデバイスアレイを製造する方法であって、前記方法は、
基板上に第1トランジスタデバイスの第1導電性要素部、および、前記基板上に第2トランジスタデバイスの第2導電性要素部を形成する工程と、
使用の際に前記第1トランジスタデバイスの前記第1導電性要素部間における電荷キャリアの移動のための第1チャネル、および、使用の際に前記第2トランジスタデバイスの前記第2導電性要素部間における電荷キャリアの移動のための第2チャネルを設けるように、前記基板および前記第1および第2導電性要素部全体に亘って有機半導体チャネル材料の層を形成する工程とを含み、
前記第1および第2導電性要素部間における1つ以上の領域の有機半導体チャネル材料の層の1つ以上の選択された部分を除去するために、前記有機半導体チャネル材料の層に紫外線レーザを照射する工程(a)をさらに含み、
前記第1導電性要素部は、第1トランジスタデバイスのソースおよびドレイン電極を形成しており、前記第2導電性要素部は、第2トランジスタデバイスのソースおよびドレイン電極を形成しており、
前記基板、前記第1および第2導電性要素部ならびに前記1つ以上の選択された部分が除去された前記有機半導体チャネル材料の層の全体に亘って誘電体層を形成する工程(b)と、前記第1および第2チャネルそれぞれの上に延びるゲートラインを形成する工程(c)とをさらに含み、
前記紫外線レーザ照射は、前記基板によって吸収され、前記基板は、前記1つ以上の照射領域の前記有機半導体チャネル材料とともに除去されることを特徴とする方法。 - 前記工程(a)は、前記第1および第2導電性要素部の上に存在する前記チャネル材料の層のいずれの部分も照射せずして行われることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記第1および第2導電性要素部間の方向に実質的に垂直に延びる1つ以上のラインを備えることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記チャネル材料の層の前記選択された部分は、前記第1および第2チャネルから10μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記チャネル材料の層の前記選択された部分は、前記第1および第2チャネルから50μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記チャネル材料の層の前記選択された部分は、前記第1および第2導電性要素部から10μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記チャネル材料の前記選択された部分の領域は、前記第1および第2導電性要素部から50μmより広く隔てられていることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記ゲートライン下に連続的に延びる一連の少なくとも2本のラインを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1および第2トランジスタデバイスは、ノーマリィオフの電界効果トランジスタデバイスであり、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記ゲートラインの下に存在する部分を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記ゲートラインは、幅を持っており、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、少なくとも前記ゲートラインの幅に延びる1つ以上のラインを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1および第2トランジスタデバイスは、ノーマリィオンの電界効果トランジスタデバイスであり、そして、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記ゲートラインの下に存在する部分および前記ゲートラインの下に存在していない部分を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1導電性要素部は、複数の側面を持っている画素電極を含んでおり、前記工程(a)の前記1つ以上の選択された部分は、前記画素電極の前記側面のそれぞれに沿って延びる1つ以上のラインを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記工程(a)は、前記チャネル材料の層の前記1つ以上の選択された部分に位置する1つ以上の地点、または、前記1つ以上の選択された部分の下に存在する前記基板のそれぞれの部分に、1つ以上のレーザ光線を集束させる工程を含むことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記有機半導体チャネル材料が照射される前記基板の領域は、前記第1および/または第2トランジスタデバイスのまわりに閉経路を形成していないことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の方法。
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