JPH0818125A - 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置

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JPH0818125A
JPH0818125A JP14600494A JP14600494A JPH0818125A JP H0818125 A JPH0818125 A JP H0818125A JP 14600494 A JP14600494 A JP 14600494A JP 14600494 A JP14600494 A JP 14600494A JP H0818125 A JPH0818125 A JP H0818125A
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介和 荒谷
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    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate

Abstract

(57)【要約】 【目的】大面積基板上に同時に均一に作製でき、またゲ
ートに印加する電圧によってソース・ドレイン間電流を
大きく変調させることができ、かつ、その動作が安定
で、素子の寿命も長く、作製方法も簡便であるＦＥＴ、
その製造法及びそのようなＦＥＴを用いたコントラスト
が高く，安価，安定で長寿命の液晶表示装置を提供する
こと。 【構成】電界効果型トランジスタにおいて、半導体層に
イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ以上の共役系オリゴ
マーを用いることを特徴とする電界効果型トランジスタ
及び該電界効果型トランジスタを用いた液晶表示装置。
また、上記化合物の溶液を用い、湿式法により半導体層
を作製する電界効果型トランジスタの製造法。また、上
記化合物を用い、レーザー加工法及び紫外線照射法によ
って該半導体層をパターンニングする電界効果型トラン
ジスタの製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界効果型トランジス
タ（以下ＦＥＴと略称する）、特に半導体層に有機化合
物を用いたＦＥＴ、その製造方法及びそれを用いた液晶
表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＦＥＴは、半導体層としてシリコ
ンや、ＧａＡｓ単結晶を用いたものが知られており、実
用に供されている。しかし、これらは高価であるため、
より安価な有機半導体、即ち有機物質であり、かつ電気
的に半導体的な電気特性を有するもの、具体的にはポリ
アセチレンを使用したＦＥＴ素子が報告されている（エ
ビサワ他，ジャーナル オブ アプライド フィジック
ス，第５４巻，Ｎo.６，第３２５５頁−第３２６９頁，
F.Ebisawa et al.：Journal of Applied Physics，Ｖo
l.５４，Ｎo.６，ｐｐ３２５５−３２６９）。
【０００３】しかしながら、上記化合物を用いたＦＥＴ
では、ポリアセチレンを使用しているため空気中に放置
すると不飽和結合の多いポリアセチレンが容易に酸素，
水の攻撃を受け、比較的速やかに劣化する。従って、ポ
リアセチレンを用いたＦＥＴは、安定性に乏しく、かつ
寿命が短く、電気特性に劣ると言う問題点を有してい
る。この改善策として、下記に示す導電性高分子の提案
があった（特開昭62−31174号公報，同62−85224号公
報）。
【０００４】
【化７】
【０００５】このような複素５員環の高分子からなる有
機半導体は電解重合法で形成でき、安価で、長寿命とさ
れている。
【０００６】しかしながら、有機半導体部の膜形成が電
解重合法で行われているため、電極構造と素子構成が著
しく制約されるという問題点がある。
【０００７】従来、無機系材料（Ｓｉ，Ｇｅ）のＦＥＴ
の製造方法に関しては、それら材料のウエハの大きさで
制限されるという問題がある。アモルファスシリコン
膜，ポリシリコン膜を半導体に使ってガラス基板上にＦ
ＥＴを製造する方法が知られている。アモルファスシリ
コン膜はプラズマＣＶＤ法を、また、ポリシリコン膜は
一般に減圧ＣＶＤ法で作製される。
【０００８】プラズマＣＶＤ法ではＦＥＴなどの駆動素
子を均一に、かつ大面積に製造することは、製造装置の
制約や、プラズマ制御の難しさなどのため、困難であ
る。更に、膜作製前に高真空にする必要があり、これが
スループット低下の一因となっている。
【０００９】また、減圧ＣＶＤ法では原料ガスを４５０
〜６００℃の高温で分解することにより、膜作製をする
ために、耐熱性の高い、高価なガラス基板を使用しなけ
ればならないという欠点があった。
【００１０】無機系材料を半導体に用いて大面積ＦＥＴ
を作製することは上述のような困難が伴うため、有機高
分子を半導体に用いる技術が提案されている（特開昭58
−114465号公報）。ここで提案されている有機高分子を
用いた半導体の製造方法は、大面積の基板に触媒を塗布
しその後原料ガスを基板上に導入する方法である。しか
し、触媒を大面積に均一に塗布することは困難であり、
更に、原料ガスを大面積に均一に導入することも困難で
ある。
【００１１】また、金属フタロシアニン類（ケミカル
フィジックス レターズ（Chem.Phys. Lett.)１４２
巻，１０３頁，１９８７年）を用いたものが知られてい
る。しかしながら、金属フタロシアニンは真空蒸着法で
作製するために、多くのFETを同時に、しかも均一に作
る場合には、アモルファスシリコンを半導体層として用
いたＦＥＴ同様に問題を残す。
【００１２】そこで、最近、成型加工性に優れ、かつ安
定なπ−共役系高分子として溶媒に可溶な前駆体を有
し、その前駆体からの変換により得られるポリチエニレ
ン誘導体が注目されている（特開平4−69971号公報）。
【００１３】しかし、これにも問題がある。つまり、ア
ルカリ、又は酸性下での縮合反応であり、ソース，ドレ
イン電極を侵す可能性がある。そのため、逆スタガー型
トランジスタ構造のような、トランジスタ構造の制限を
受けてしまう。また、得られた膜の電気伝導度が大きい
ため、ＦＥＴにした場合充分なソース電極とドレイン電
極間電流いわゆるドレイン電流のオンオフ比が得られな
いという問題があった。
【００１４】最近、共役系オリゴマーの一種であるセク
シチオフェン誘導体が注目されているが（アドバンスト
マテリアルズ（Advanced Materials）第２巻，５９２
頁，１９９０年あるいは特開平4−133351 号公報）、移
動度は大きいものの電気伝導度が高く、そのため充分な
ドレイン電流のオンオフ比が取れないという問題があ
る。オンオフ比が小さい、特にオフ電流が大きい場合に
は、液晶表示装置に用いた際液晶部に印加された電圧が
速くリークしてしまい、結果として表示部のコントラス
トが低下してしまうという問題をもたらす。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、電解重
合法で得たπ−共役系高分子及び真空蒸着法で得た有機
化合物をＦＥＴの半導体層に用いる場合、ＦＥＴを大面
積基板上に同時に均一に作製することが困難となり、実
用上問題である。また、ゲート電圧を印加しないとき、
即ちＦＥＴのオフ状態の時でさえソース電極とドレイン
電極間に比較的大きい電流が流れ、その結果、ドレイン
電流のオンオフ比即ち素子のスイッチング比が小さくな
り、これら素子をスイッチング素子等に利用する場合に
大きな問題点となった。
【００１６】更に、半導体層形成時に酸，アルカリ下の
条件で縮合重合を進めるため、トランジスタ構造の制限
を受けるなど、様々な問題点を有しているのが現状であ
る。本発明は、上記の問題点を解決するためになされた
ものであり、大面積基板上に同時に均一に作製でき、ゲ
ートに印加する電圧によってドレイン電流を大きく変調
させることができるＦＥＴを提供することを目的とす
る。さらには、動作が安定で、素子の寿命も長く、作製
方法も簡便にできるＦＥＴを提供することを目的とす
る。
【００１７】また、そのようなＦＥＴを簡便に作製でき
る製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】また、そのようなＦＥＴを用いたコントラ
スト比が大きく、安価，安定で表示特性に優れた液晶表
示装置を提供することを目的とする。さらには、安価，
安定で表示特性に優れた大面積の液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を解決するために種々の検討を重ねた結果、下記のよ
うな手段が有効であることを見出した。
【００２０】第１の手段として、イオン化ポテンシャル
が４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーを半導体層に用い
ることを特徴とする電界効果型トランジスタを発明し
た。
【００２１】また、第２の手段として、第１の手段に記
載の共役系オリゴマーを半導体層に用い、該半導体層の
正孔移動度が０.２cm2／Ｖｓ以上であることを特徴とす
る電界効果型トランジスタを発明した。
【００２２】また、第３の手段として、イオン化ポテン
シャルが４.８ｅＶ 以上であり、６個以上１２個以下の
繰り返し単位からなる共役系オリゴマーを半導体層に用
いることを特徴とする電界効果型トランジスタを発明し
た。
【００２３】また、第４の手段として、下記一般式（化
１）〔但し、式中ｎは６以上１２以下の整数を表し、Ｘ
はＳおよびＳｅを表す。また、Ｒ１，Ｒ２は水素もしく
は置換基を表す。〕で表される化合物を半導体層に用い
ることを特徴とする電界効果型トランジスタを発明し
た。
【００２４】
【化８】
【００２５】また、第５の手段として、下記一般式（化
２）〔但し、式中ｎは６以上１２以下の整数を表す。ま
た、Ｒ３は水素，ハロゲン基，シアノ基，ニトロ基及び
置換されていてもよいエステル基，アシル基，アルキル
基，アルコキシ基，アルキルチオ基、アリール基，アル
ケニル基を表し、Ｒ４はハロゲン基，シアノ基，ニトロ
基，置換されていてもよいエステル基，アシル基及び電
子吸引性基で置換されているアルキル基，アルコキシ
基，アルキルチオ基，アリール基，アルケニル基を表
す。〕で表される化合物を半導体層に用いることを特徴
とする電界効果型トランジスタを発明した。
【００２６】
【化９】
【００２７】また、第６の手段として、下記一般式（化
３）〔但し、式中ｎは６以上１２以下の整数を表し、Ｒ
５，Ｒ６は水素，ハロゲン基，シアノ基，ニトロ基及び
置換されていてもよいエステル基，アシル基，アルキル
基，アルコキシ基，アルキルチオ基，アリール基，アル
ケニル基を表す。〕で表される化合物を半導体層に用い
ることを特徴とする電界効果型トランジスタを発明し
た。
【００２８】
【化１０】
【００２９】第１の手段から第６の手段に記載の共役系
オリゴマーを用いることにより、大面積基板上に同時に
均一に作製し、またドレイン電流のオンオフ比を大きく
するＦＥＴを実現することができる。さらには、動作が
安定で、素子の寿命も長く、作製方法も簡便にできるＦ
ＥＴを実現することができる。
【００３０】また、第７の手段として、第４の手段に記
載の半導体層の導電性を絶縁膜により隔てられたゲート
電極によって制御することを特徴とする電界効果型トラ
ンジスタを発明した。
【００３１】第７の手段に記載のＦＥＴによって、特に
ゲート電極に印加する電圧を大きくすることができ、ド
レイン電流を大きく変調できる、即ち大きなスイッチン
グ比を得ることができる。また、基板上での素子特性の
ばらつきを小さくすることができる。
【００３２】また、第８の手段として、イオン化ポテン
シャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーを半導体層
に用い、基板としてプラスチック基板を用いたことを特
徴とする電界効果型トランジスタを発明した。
【００３３】第８の手段に記載のＦＥＴによって、軽量
で大面積のＦＥＴ素子を実現することができる。
【００３４】また、第９の手段として、イオン化ポテン
シャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーの溶液を作
成し、浸積法により半導体層を形成する工程を含むこと
を特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法を発明
した。
【００３５】また、第１０の手段として、イオン化ポテ
ンシャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーの溶液を
作成し、印刷転写法により半導体層を形成する工程を含
むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法
を発明した。
【００３６】また、第１１の手段として、イオン化ポテ
ンシャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーの溶液を
作成し、回転塗布法により半導体層を形成する工程を含
むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法
を発明した。
【００３７】また、第１２の手段として、絶縁基板上に
ゲート電極を形成する工程（Ａ），絶縁膜を前記ゲート
電極上に形成する工程(Ｂ），イオン化ポテンシャルが
４.８ｅＶ以上の共役系オリゴマーの溶液を用いて該共
役系オリゴマーからなる半導体層を形成する工程
（Ｃ），前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極
を形成する工程（Ｄ）を含むことを特徴とする電界効果
型トランジスタの製造方法を発明した。
【００３８】また、第１３の手段として、絶縁基板上に
ソース電極及びドレイン電極を形成する工程（Ａ），前
記ソース電極及び前記ドレイン電極上にイオン化ポテン
シャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーの溶液を用
いて該共役系オリゴマーからなる半導体層を形成する工
程（Ｂ），前記半導体層上に絶縁膜を形成する工程
（Ｃ），前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程
（Ｄ）を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタ
の製造方法を発明した。
【００３９】また、第１４の手段として、絶縁基板上に
ゲート電極を形成する工程（Ａ），前記ゲート電極上に
絶縁膜を形成する工程（Ｂ），前記絶縁膜上にソース電
極及びドレイン電極を形成する工程（Ｃ），前記ソース
及び前記ドレイン電極上にイオン化ポテンシャルが４.
８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーの溶液を用いて該共役
系オリゴマーからなる半導体層を形成する工程（Ｄ）を
含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方
法を発明した。
【００４０】また、第１５の手段として、イオン化ポテ
ンシャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーからなる
半導体層をレーザー加工法によりパターンニングする工
程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製
造方法を発明した。
【００４１】また、第１６の手段として、イオン化ポテ
ンシャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーからなる
半導体層を紫外線照射により一部を絶縁化することによ
ってパターンニングする工程を含むことを特徴とする電
界効果型トランジスタの製造方法を発明した。
【００４２】第９の手段から第１６の手段に記載のＦＥ
Ｔの製造方法によって、ゲート電極に印加する電圧によ
ってドレイン電流を大きく変調させることができ、即ち
大きなスイッチング比を有し、その動作が安定で素子の
寿命も長いＦＥＴを、大面積基板上に同時に均一にかつ
簡便に作製できるＦＥＴの製造方法を実現できる。
【００４３】また、第１７の手段として、イオン化ポテ
ンシャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーを半導体
層に用いた電界効果型トランジスタを用いることを特徴
とする液晶表示装置を発明した。
【００４４】また、第１８の手段として、第１７の手段
に記載の共役系オリゴマーの正孔移動度が０.２cm2／Ｖ
ｓ以上であることを特徴とする液晶表示装置を発明し
た。
【００４５】また、第１９の手段として、第１７の手段
に記載の共役系オリゴマーが６個以上１２個以下の繰り
返し単位からなることを特徴とする液晶表示装置を発明
した。
【００４６】また、第２０の手段として、下記一般式
（化１）〔但し、式中ｎは６以上１２以下の整数を表
し、ＸはＳおよびＳｅを表す。また、Ｒ１，Ｒ２は水素
もしくは置換基を表す。〕で表される化合物を半導体層
に用いた電界効果型トランジスタを使用することを特徴
とする液晶表示装置を発明した。
【００４７】
【化１１】
【００４８】また、第２１の手段として、下記一般式
（化２）〔但し、式中ｎは６以上１２以下の整数を表
す。また、Ｒ３は水素，ハロゲン基，シアノ基，ニトロ
基及び置換されていてもよいエステル基，アシル基，ア
ルキル基，アルコキシ基，アルキルチオ基，アリール
基，アルケニル基を表し、Ｒ４はハロゲン基，シアノ
基，ニトロ基，置換されていてもよいエステル基，アシ
ル基及び電子吸引性基で置換されているアルキル基，ア
ルコキシ基，アルキルチオ基，アリール基，アルケニル
基を表す。〕で表される化合物を半導体層に用いた電界
効果型トランジスタを使用することを特徴とする液晶表
示装置を発明した。
【００４９】
【化１２】
【００５０】また、第２２の手段として、下記一般式
（化３）〔但し、式中ｎは６以上１２以下の整数を表
し、Ｒ５，Ｒ６は水素，ハロゲン基，シアノ基，ニトロ
基及び置換されていてもよいエステル基，アシル基，ア
ルキル基，アルコキシ基，アルキルチオ基，アリール
基，アルケニル基を表す。〕で表される化合物を半導体
層に用いた電界効果型トランジスタを使用することを特
徴とする液晶表示装置を発明した。
【００５１】
【化１３】
【００５２】第１７の手段から第２２の手段に記載の液
晶表示装置によって、安価，安定，大面積でかつ表示特
性に優れた液晶表示装置を実現できる。
【００５３】本発明の基板としては、絶縁性の材料であ
れば広い範囲から選択することが可能であり、具体的に
は、ガラス，アルミナ燒結体などの無機材料，ポリイミ
ドフィルム，ポリエステルフィルム，ポリエチレンフィ
ルム，ポリフェニレンスルフィド膜，ポリパラキシレン
膜等の各種絶縁性プラスチック等が使用可能である。特
にプラスチック基板を用いると、軽量でフレキシブルな
ＦＥＴを作製することができ有用である。
【００５４】本発明のゲート電極としては、金，白金，
クロム，パラジウム，アルミニウム，インジウム，モリ
ブデン等の金属や、ポリシリコン，アモルファスシリコ
ン，錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物
（ＩＴＯ）等の無機材料あるいはポリアニリン，ポリチ
オフェン等の有機材料が使用できる。もちろんこれらの
材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２
種以上併用しても差し支えない。
【００５５】ここで、ゲート電極を設ける方法としては
蒸着，スパッタリング，めっき，各種ＣＶＤ成長あるい
は浸積法，印刷転写法，回転塗布法等の方法がある。
【００５６】本発明の半導体層の材料としては、イオン
化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上の共役系オリゴマーを
用いる。望ましくは、４.８ｅＶ以上６.０ｅＶ以下であ
る。特に、正孔移動度が０.２cm2／Ｖｓ以上、さらには
０.２cm2／Ｖｓ以上１０cm2／Ｖｓ以下の共役系オリゴ
マーが望ましい。また、繰り返し単位が６個以上の共役
系オリゴマー、さらには６個以上１２個以下の共役系オ
リゴマーが望ましい。具体的な共役系オリゴマーとして
は、例えば
【００５７】
【化１４】
【００５８】
【化１５】
【００５９】
【化１６】
【００６０】
【化１７】
【００６１】
【化１８】
【００６２】
【化１９】
【００６３】
【化２０】
【００６４】
【化２１】
【００６５】
【化２２】
【００６６】
【化２３】
【００６７】
【化２４】
【００６８】
【化２５】
【００６９】
【化２６】
【００７０】
【化２７】
【００７１】
【化２８】
【００７２】
【化２９】
【００７３】
【化３０】
【００７４】
【化３１】
【００７５】
【化３２】
【００７６】
【化３３】
【００７７】
【化３４】
【００７８】
【化３５】
【００７９】
【化３６】
【００８０】
【化３７】
【００８１】
【化３８】
【００８２】
【化３９】
【００８３】
【化４０】
【００８４】本発明はもちろんこれらに限られるもので
はなく、また２種類以上混合してもよい。
【００８５】以上の有機化合物からなる半導体層は、真
空蒸着法により容易に形成できる。また、浸積法，印刷
転写法及び回転塗布法等の湿式法を用いると、より容易
に均一で大面積の半導体層が作製できる。
【００８６】湿式法を用いて有機半導体層を形成する際
の溶液濃度としては、０.１ 重量％から１０重量％まで
である。好ましい溶液濃度としては、０.１ 重量％から
５重量％である。
【００８７】本発明の絶縁膜に用いる材料として、Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3 等の無機材料やポリクロロピ
レン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレ
ン，ポリビニルアセテート，ポリビニルクロライド，ポ
リフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチ
ルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネー
ト，ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、もちろん
これらの材料に限られるわけではない。
【００８８】特に有機材料を用いると、絶縁膜の作製方
法としては、有機半導体部形成時と同様に印刷法，スピ
ンコート法、あるいはディップ法が使用でき、有用であ
る。また、ゲート電極にアルミニウムやインジウムなど
の仕事関数の小さな金属を用いた場合には、絶縁膜を用
いることなく上記金属と半導体層とのショットキー接合
を用いたＦＥＴを作製することができる。
【００８９】本発明で使用するソース電極及びドレイン
電極の材料としては、例えば、金，銀，銅，アルミニウ
ム，インジウム，クロム，モリブデン等の金属や、白金
シリサイド，インジウムシリサイド，低抵抗ポリシリコ
ン，低抵抗アモルファスシリコン，錫酸化物，インジウ
ム酸化物，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材
料やポリアニリンポリチオフェン等の有機材料を用いる
ことができる。特に、半導体層とオーミックコンタクト
が取りやすい、金，銅，クロム，モリブデン，錫酸化
物，インジウム酸化物，インジウム・錫酸化物（ＩＴ
Ｏ），ポリアニリン及びポリチオフェンが好ましい。
【００９０】ソース電極及びドレイン電極を得る方法と
しては、例えばスパッタリング，めっき，ＣＶＤ法，蒸
着法，クラスタイオンビーム蒸着法等がある。有機材料
の場合は、浸積法，回転塗布法，印刷転写法等のウエッ
ト法で作製することができる。
【００９１】
【作用】本発明によるＦＥＴが優れた特性を示す原因
を、以下のように推定する。
【００９２】従来のＦＥＴの半導体層に用いる共役系オ
リゴマーに関しては、移動度を大きくすることを中心に
数多くの検討が行われてきた。
【００９３】そのためには、π電子共役系が充分長く、
かつ適度な結晶性を有することが必要であり、それらの
検討の中から、セクシチオフェン誘導体（アドバンスト
マテリアルズ（Advanced Materials）第２巻，５９２
頁，１９９０年）等の移動度の大きな共役系オリゴマー
が見いだされてきた。
【００９４】しかしながら、それらは皆電気伝導度が大
きいため、ＦＥＴに用いた場合ドレイン電流のオンオフ
比が大きくならないという問題があった。
【００９５】材料の電気伝導度σは、σ＝ｅ(ｎｅ×μ
ｅ＋ｎｐ×μｐ)で表される（但し、ｅは素電荷、ｎｅ
は材料中の電子密度、μｅは材料中の電子移動度、ｎｐ
は材料中の正孔密度、μｐは材料中の正孔移動度を表
す。）。
【００９６】有機半導体はそのほとんどがｐ型半導体で
あり、ｎｅ，μｅは無視できるほど小さい。従って、σ
＝ｅｎｐ×μｐとなる。正孔移動度μｐが大きくなる
と、先の式から必然的に電気伝導度は大きくなってしま
う。其のため、移動度を大きくしてかつ電気伝導度を下
げるには、ｐ型半導体中の正孔密度ｎｐを小さくしなけ
ればならない。
【００９７】材料中の正孔は、電子吸引性物質と材料と
の電荷移動反応によって発生すると考えられ、空気中に
おいては、酸素がその電子吸引性物質として作用するも
のと推定される。従って、正孔濃度を小さくするには、
ｐ型半導体と酸素との電荷移動反応を起こりにくくする
必要がある。
【００９８】ｐ型半導体と酸素との電荷移動反応は、ｐ
型半導体から電子が抜け、酸素に移る反応である。従っ
て、ｐ型半導体からの電子の抜け易さと酸素の電子の受
取易さがこの電荷移動反応の起こりやすさを決定する。
【００９９】半導体からの電子の抜け易さを示す物性値
として、イオン化ポテンシャルがある。イオン化ポテン
シャルが大きいということは、材料から電子が１個抜け
る際に多くのエネルギーで必要であるということを意味
する。従って、イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
であると酸素との電荷移動反応が起こりにくくなって正
孔濃度が減少し、電気伝導度が小さくなったと考えられ
る。そのため、イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
の共役系オリゴマーを半導体層に用いることによってオ
ンオフ比の大きいＦＥＴが得られたものと考えられる。
【０１００】イオン化ポテンシャルが大きくなることに
より、電気伝導度が小さくなり、オンオフ比が大きくな
る。オンオフ比は大きい程良いため、イオン化ポテンシ
ャルも大きい程良い。イオン化ポテンシャルが大きくな
ることにより、電極とのコンタクトが悪くなるという短
所があるが、これは（１）電極との接触部分をドーピン
グするあるいは（２）半導体層と同様な構造を有する導
電性高分子を電極に用いることにより解決可能であるた
め、この短所は容易に克服できる。
【０１０１】特に、繰り返し単位が６個以上、望ましく
は、６個以上１２個以下の共役系オリゴマーを用いるこ
とにより高いオン電流が得られるようになり、さらにオ
ンオフ比の大きいＦＥＴが得られる。
【０１０２】あるいは、正孔移動度が０.２cm2／Ｖｓ以
上の共役系オリゴマーを用いることにより高いオン電流
が得られるようになり、更にオンオフ比の大きいＦＥＴ
素子を得ることが可能となる。
【０１０３】オンオフ比は大きい程良いため、正孔移動
度も大きい程良い。また、正孔移動度が大きくなること
により、ＦＥＴの大きさを小さくでき、ＬＣＤの開口率
を向上できる。開口率は大きい程良いため、正孔移動度
も大きい程良い。また、正孔移動度が大きくなることに
より、ＴＦＴ−ＬＣＤのドライバー等に用いることも可
能となる。
【０１０４】また、本発明でいうイオン化ポテンシャル
は、大気下光電子分光装置を用いて測定された値として
定義する。
【０１０５】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
【０１０６】（合成例１）２−ブロモ−５−トリフルオ
ロエトキシチオフェンをR．M．Kellogg ほか、ザジャー
ナル オブ オーガニック ケミストリ 第３３巻，７
号，２９０２ページ（１９６８年）に記載されている方
法と同様に合成した。
【０１０７】２−ブロモ−５−トリフルオロエトキシチ
オフェン０.０１モル(２.６１ｇ)を２０ｍｌのジエチル
エーテルに溶解させ、マグネシウム０.０１モル（０.２
４３ｇ）を分散させたジエチルエーテル（２０ｍｌ）中
に加えてグリニャール試薬を調製した。
【０１０８】これに触媒量の１，３−ビス（ジフェニル
フォスフィノ）プロパンニッケル（II）を加え、次いで
２，５′′′′−ジブロモクオータチオフェン０.００
４モル(１.５７ｇ）をジエチルエーテルに分散させた分
散液を滴下し一昼夜攪拌して２，５′′′′′′−ジ
（トリフルオロエトキシ）セクシチオフェンを得た。こ
の化合物の蒸着膜のイオン化ポテンシャルを大気下にお
いて光電子分光装置を用いて測定したところ、５.０ｅ
Ｖであった。
【０１０９】（実施例１）大きさが３３.７mm×３３.７
mm×１.１mm のコーニング７０５９のガラス基板上にＣ
ｒを真空蒸着法により作製し、ゲート電極とした。次
に、スパッタ法を用いて５８０ｎｍのＳｉＯ2 膜を形成
し、ゲート絶縁膜とした。次に、真空蒸着法により合成
例１の化合物の薄膜を５０ｎｍの膜厚で作製した。
【０１１０】さらに、真空蒸着法により金のソース電極
及びドレイン電極を作製した。ソース電極及びドレイン
電極の幅、すなわちチャネル幅は１mm、両電極の間隔す
なわちチャネル長は１００μｍとした。図１にこのよう
にしてできたＦＥＴの構成を示す。
【０１１１】上記ＦＥＴにおいて、ゲート電圧ＶＧを変
えたときのドレイン電圧ＶＤに対するドレイン電流ＩＤ
の特性を図２に示す。
【０１１２】図２において、横軸はドレイン電圧ＶＤで
あり、縦軸はドレイン電流ＩＤである。ゲート電圧ＶＧ
が０Ｖの時には、ドレイン電圧ＶＤが大きくなってもド
レイン電流ＩＤはほとんど流れないが、負のゲート電圧
ＶＧを印加した時には大きなドレイン電流ＩＤが流れ
た。
【０１１３】図２から分かるように、印加するゲート電
圧ＶＧによってドレイン電流ＩＤを大きく変調すること
ができた。
【０１１４】また、上記ＦＥＴのゲート電圧に対するド
レイン電流の特性からH. Akimichi他、アプライド フ
ィジックス レターズ 第５８巻，１４号 １５００ペ
ージ（１９９１年）に記載されている方法でドレイン電
圧−０.５Ｖ での正孔移動度を見積もったところ、正孔
移動度は０.２３cm2／Ｖｓであった。
【０１１５】（合成例２）２−ブロモ−５−トリフルオ
ロエトキシチオフェンの代わりに２，５−ジブロモチオ
フェンを用いた以外は合成例１と同様な反応を行い、
２，５′′′′′′−ジブロモセクシチオフェンを合成
した。
【０１１６】この化合物の蒸着膜のイオン化ポテンシャ
ルを大気下において光電子分光装置を用いて測定したと
ころ、５.６ｅＶであった。
【０１１７】（実施例２）ガラス基板上にＣｒを真空蒸
着法により作製し、ゲート電極とした。次に、アセトニ
トリルージメチルホルムアミドの１：１混合溶媒にシア
ノエチルプルランを溶解した溶液からキャスト法を用い
て８μｍのシアノエチルプルラン膜を作製して、ゲート
絶縁膜とした。次に、真空蒸着法により合成例２の化合
物の薄膜を５０ｎｍの膜厚で作製した。
【０１１８】さらに、真空蒸着法により金のソース電極
及びドレイン電極を作製した。ソース電極及びドレイン
電極の幅、即ちチャネル幅は１mm、両電極の間隔即ちチ
ャネル長は１００μｍとした。上記ＦＥＴにおいて、ゲ
ート電圧ＶＧを変えたときのドレイン電圧ＶＤに対する
ドレイン電流ＩＤの特性を図３に示す。
【０１１９】図３において、横軸はドレイン電圧ＶＤで
あり、縦軸はドレイン電流ＩＤである。ゲート電圧ＶＧ
が０Ｖの時には、ドレイン電圧ＶＤが大きくなってもド
レイン電流ＩＤはほとんど流れないが、負のゲート電圧
ＶＧを印加した時には大きなドレイン電流ＩＤが流れ
た。
【０１２０】図３から分かるように、印加するゲート電
圧ＶＧによってドレイン電流ＩＤを大きく変調すること
ができた。
【０１２１】実施例１と同様な方法でドレイン電圧−
０.５Ｖでの正孔移動度を見積もったところ、０.２０cm
2／Ｖｓであった。
【０１２２】以下の比較例１から４及び実施例３の化合
物は、合成例１，２と同様な方法で合成可能である。
【０１２３】（比較例１）半導体層の材料に下記化合物
を用いた以外は実施例１と同様にして、ＦＥＴを作製し
た。
【０１２４】
【化４１】
【０１２５】該素子のゲート電圧ＶＧを変えたときのド
レイン電圧ＶＤに対するドレイン電流ＩＤの特性を測定
した。これを図４に示す。
【０１２６】図４において、横軸はドレイン電圧ＶＤで
あり、縦軸はドレイン電流ＩＤである。
【０１２７】実施例１で得られたＦＥＴにおいては、ゲ
ート電圧ＶＧを印加しない時のドレイン電流ＩＤを小さ
くすることができ、ゲート電圧によって変調できるドレ
イン電流ＩＤは５桁以上に達したのに対し、比較例１で
作製したＦＥＴではゲート電圧ＶＧによって変調できる
ドレイン電流ＩＤは４桁程度であった。
【０１２８】また、この化合物の蒸着膜のイオン化ポテ
ンシャルを測定したところ、４.５ｅＶであった。
【０１２９】実施例１と同様な方法でドレイン電圧−
０.５Ｖでの正孔移動度を見積もった結果、０.２０cm2
／Ｖｓであった。
【０１３０】（比較例２）半導体層の材料に下記化合物
を用いた以外は実施例１と同様にして、ＦＥＴを作製し
た。
【０１３１】
【化４２】
【０１３２】この素子のオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ、１００００であり、良好なオンオフ比は得
られなかった。この化合物の蒸着膜のイオン化ポテンシ
ャルを測定したところ、４.７ｅＶであった。
【０１３３】また、実施例１と同様な方法でドレイン電
圧−０.５Ｖでの正孔移動度を見積もったところ、０.０
５cm2／Ｖｓであった。
【０１３４】（比較例３）半導体層の材料に下記化合物
を用いた以外は実施例１と同様にして、ＦＥＴを作製し
た。
【０１３５】
【化４３】
【０１３６】この素子のオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ、１３０００であり、良好なオンオフ比は得
られなかった。
【０１３７】この化合物のイオン化ポテンシャルを測定
したところ、４.８ｅＶ であった。実施例１と同様な方
法でドレイン電圧−０.５Ｖ での正孔移動度を測定した
ところ、０.１cm2／Ｖｓであった。
【０１３８】（実施例３）半導体層の材料として、化合
物「化Ａ」から「化Ｙ」を用いる以外は実施例２と同様
にＦＥＴを作製した。表１にそれらのイオン化ポテンシ
ャル、作製したＦＥＴのドレイン電圧−０.５Ｖ での正
孔移動度及びオンオフ比（ＶＤ＝−２０ＶでＶＧ＝−２
０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０ＶでＶＧ＝０
Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を示した。
【０１３９】
【表１】
【０１４０】表１のようにいずれのＦＥＴも良好なオン
オフ比を示した。
【０１４１】ここで、「化Ａ」の化学式は、
【０１４２】
【化４４】
【０１４３】「化Ｂ」の化学式は、
【０１４４】
【化４５】
【０１４５】「化Ｃ」の化学式は、
【０１４６】
【化４６】
【０１４７】「化Ｄ」の化学式は、
【０１４８】
【化４７】
【０１４９】「化Ｅ」の化学式は、
【０１５０】
【化４８】
【０１５１】「化Ｆ」の化学式は、
【０１５２】
【化４９】
【０１５３】「化Ｇ」の化学式は、
【０１５４】
【化５０】
【０１５５】「化Ｈ」の化学式は、
【０１５６】
【化５１】
【０１５７】「化Ｉ」の化学式は、
【０１５８】
【化５２】
【０１５９】「化Ｊ」の化学式は、
【０１６０】
【化５３】
【０１６１】「化Ｋ」の化学式は、
【０１６２】
【化５４】
【０１６３】「化Ｌ」の化学式は、
【０１６４】
【化５５】
【０１６５】「化Ｍ」の化学式は、
【０１６６】
【化５６】
【０１６７】「化Ｎ」の化学式は、
【０１６８】
【化５７】
【０１６９】「化Ｏ」の化学式は、
【０１７０】
【化５８】
【０１７１】「化Ｐ」の化学式は、
【０１７２】
【化５９】
【０１７３】「化Ｑ」の化学式は、
【０１７４】
【化６０】
【０１７５】「化Ｒ」の化学式は、
【０１７６】
【化６１】
【０１７７】「化Ｓ」の化学式は、
【０１７８】
【化６２】
【０１７９】「化Ｔ」の化学式は、
【０１８０】
【化６３】
【０１８１】「化Ｕ」の化学式は、
【０１８２】
【化６４】
【０１８３】「化Ｖ」の化学式は、
【０１８４】
【化６５】
【０１８５】「化Ｗ」の化学式は、
【０１８６】
【化６６】
【０１８７】「化Ｘ」の化学式は、
【０１８８】
【化６７】
【０１８９】「化Ｙ」の化学式は、
【０１９０】
【化６８】
【０１９１】である。
【０１９２】（比較例４）半導体層の材料として化合物
「化Ｉ」，「化II」を用いる以外は実施例２と同様にＦ
ＥＴを作製した。それらのＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝
−２０ＶでＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ
＝−２０ＶでＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った
値）を測定したところ、それぞれ１５０００，１４００
０であった。
【０１９３】ここで、「化Ｉ」の化学式は、
【０１９４】
【化６９】
【０１９５】「化II」の化学式は、
【０１９６】
【化７０】
【０１９７】である。
【０１９８】また、「化Ｉ」及び「化II」の薄膜のイオ
ン化ポテンシャルを大気下において光電子分光装置で測
定したところ、それぞれ４.４ｅＶ，４.３ｅＶであっ
た。また、実施例１と同様な方法でドレイン電圧−０.
５Ｖ での正孔移動度を見積もったところ、それぞれ０.
０５cm2／Ｖｓ，０.１cm2／Ｖｓであった。
【０１９９】以上、実施例１から３及び比較例１から４
のイオン化ポテンシャルに対するオンオフ比の関係を図
９に示した。
【０２００】図９のように、イオン化ポテンシャルが
４.８ｅＶ 付近でオンオフ比が大きく変化する。
【０２０１】（実施例４）基板として、ポリカーボネー
ト基板を用いた以外は実施例１と同様にＦＥＴを作製し
た。
【０２０２】該ＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ１５００００であり良好なオンオフ比を示し
た。
【０２０３】（実施例５）実施例１と同様に基板上にゲ
ート電極およびゲート絶縁膜を作製した。２，
５′′′′′′−ジ（トリフルオロエトキシ）セクシチ
オフェンの１重量％アセトニトリル溶液を用い、転写ロ
ールと基板との接地幅が１cmとなるように該基板を設置
して印刷し、半導体層を作製した。さらに実施例１と同
様にソース，ドレイン電極を作製しＦＥＴを得た。
【０２０４】該ＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ１６００００であり良好なオンオフ比を示し
た。
【０２０５】（実施例６）素子構成が図５のようである
以外は、実施例５と同様にＦＥＴを作製した。
【０２０６】該ＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ１５００００であり良好なオンオフ比を示し
た。
【０２０７】（実施例７）素子構成が図６のようである
以外は実施例５と同様にＦＥＴを作製した。
【０２０８】該ＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ１５００００であり良好なオンオフ比を示し
た。
【０２０９】（実施例８）素子構成が図７のようであ
り、ゲート電極がＡｌである以外は実施例１と同様にＦ
ＥＴを作製した。
【０２１０】該ＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ５００００であり良好なオンオフ比を示し
た。
【０２１１】（実施例９）基板の大きさが５０cm×１ｍ
×１.１mm である以外は実施例５と同様に、基板上の中
央部及び４隅に計５個のＦＥＴを同時に作製した。
【０２１２】中央部のＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２
０ＶでＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−
２０ＶでＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）
を測定したところ１５５０００であり良好なオンオフ比
を示した。
【０２１３】さらに、基板上のすべてのＦＥＴ素子のオ
ンオフ比（ＶＤ＝−２０ＶでＶＧ＝−２０Ｖの時のドレ
イン電流値をＶＤ＝−２０ＶでＶＧ＝０Ｖの時のドレイ
ン電流値で割った値）を測定したところ、オンオフ比は
１４００００〜１６５０００であり、オンオフ比のバラ
ツキは小さかった。
【０２１４】（実施例１０）実施例５と同様に基板上に
ゲ−ト電極，ゲート絶縁膜及び２，５′′′′′′−ジ
（トリフルオロエトキシ）セクシチオフェンからなる半
導体層を作製した。次にマスクを介してチャネル部分以
外にエキシマーレーザー光（ＡｒＦ，１９５ｎｍ）を５
ｍＪ／cm2 の露光量となるように照射し、半導体層をパ
ターンニングした。さらに、実施例１と同様にソース，
ドレイン電極を作製しＦＥＴを得た。該ＦＥＴのオンオ
フ比（ＶＤ＝−２０ＶでＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン
電流値をＶＤ＝−２０ＶでＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電
流値で割った値）を測定したところ１６００００であり
良好なオンオフ比を示した。
【０２１５】（実施例１１）実施例６と同様に基板上に
ゲート電極，ゲート絶縁膜及び２，５′′′′′′ージ
（トリフルオロエトキシ）セクシチオフェンからなる半
導体層を作製した。次にマスクを介してチャネル部分以
外に１００Ｗの水銀灯の光を１０分間照射し、チャネル
部分以外を絶縁体化した。
【０２１６】さらに、実施例１と同様にソース，ドレイ
ン電極を作製しＦＥＴを得た。
【０２１７】該ＦＥＴのオンオフ比（ＶＤ＝−２０Ｖで
ＶＧ＝−２０Ｖの時のドレイン電流値をＶＤ＝−２０Ｖ
でＶＧ＝０Ｖの時のドレイン電流値で割った値）を測定
したところ１６００００であり良好なオンオフ比を示し
た。
【０２１８】（実施例１２）図８に示すように、光学的
に透明な基板７上に透明なコモン電極８を形成した。基
板９にはゲート電極２，ゲート絶縁膜３，半導体層４，
ソース及びドレイン電極１０を実施例１と同じ材料を用
いて同様に作製した。
【０２１９】次に、画素電極１１，保護膜１２を設け
た。さらに、コモン電極８及び保護膜１２上に一定方向
にラビングした配向膜１３，１４を形成した。この時、
配向膜のラビング方向は１３と１４が直交するようにし
た。
【０２２０】その後、この配向膜１３，１４間にネマチ
ック液晶１５を挟持した。基板７，９の外側に偏光板１
６，１７を設けた。この時、偏光板１６，１７の偏光方
向はそれぞれ配向膜１３，１４のラビング方向と同じ方
向である。
【０２２１】さらに、コモン電圧供給回路１８，走査電
圧・信号供給回路１９，前記回路１８，１９に制御信
号，データ信号及び電源電圧の供給源２０を付設した。
【０２２２】図８の構成において、液晶には、シアノフ
ェニルシクロヘキサン系化合物を主成分とする組成物Ｚ
ＬＩ−４５８０（メルク社製）を、配向膜にはポリイミ
ドＲＮ−７１８（日産化学社製）を、偏光板にはポリビ
ニルアルコール系材料Ｇ１２２０ＤＵ（日東電工社製）
をそれぞれ用いた。
【０２２３】上記液晶表示装置を点灯評価したところ、
画素部分のコントラスト比は１５０であり、良好な表示
が得られた。
【０２２４】（実施例１３）半導体層の材料に実施例３
の化Ａ，化Ｅ及び化Ｗを用いた以外は実施例１２と同様
に液晶表示装置を作製した。これらの液晶表示装置を点
灯評価したところ、それぞれコントラスト比は、１４
０，１５０，１００であり、良好な表示が得られた。
【０２２５】
【発明の効果】本発明は、電界効果型トランジスタにお
いて、半導体層にイオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以
上の共役系オリゴマーを用いることにより、大面積基板
上に同時に均一に作製でき、ゲートに印加する電圧によ
ってドレイン電流を大きく変調させることができるＦＥ
Ｔを得ることができる。
【０２２６】さらには、動作が安定で、素子の寿命も長
く、作製方法も簡便にできるＦＥＴを提供することがで
きる。
【０２２７】また、そのようなＦＥＴを簡便に作製でき
る製造方法を提供することができる。
【０２２８】また、そのようなＦＥＴを用いたコントラ
スト比が大きく、安価，安定で表示特性に優れた液晶表
示装置を提供することができる。さらには、安価，安定
で表示特性に優れた大面積の液晶表示装置を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電界効果型トランジスタの断面図。
【図２】ドレイン電圧に対するドレイン電流の特性。
【図３】ドレイン電圧に対するドレイン電流の特性。
【図４】ドレイン電圧に対するドレイン電流の特性。
【図５】電界効果型トランジスタの断面図。
【図６】電界効果型トランジスタの断面図。
【図７】電界効果型トランジスタの断面図。
【図８】本発明の液晶表示装置の構成。
【図９】イオン化ポテンシャルに対するオンオフ比の関
係。
【符号の説明】
１，７，９…基板、２…ゲート電極、３…ゲート絶縁
膜、４…半導体層、５…ドレイン電極、６…ソース電
極、８…コモン電極、１０…ソース及びドレイン電極、
１１…画素電極、１２…保護膜、１３，１４…配向膜、
１５…ネマチック液晶、１６，１７…偏光板、１８…コ
モン電圧供給回路、１９…走査電圧・信号供給回路、２
０…制御信号，データ信号及び電源電圧の供給源。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上の
    共役系オリゴマーを半導体層に用いることを特徴とする
    電界効果型トランジスタ。
  2. 【請求項２】請求項１記載の共役系オリゴマーを半導体
    層に用い、該半導体層の正孔移動度が０.２cm2／Ｖｓ
    以上であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  3. 【請求項３】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上で
    あり、６個以上１２個以下の繰り返し単位を有する共役
    系オリゴマーを半導体層に用いることを特徴とする電界
    効果型トランジスタ。
  4. 【請求項４】下記一般式（化１）〔但し、式中ｎは６以
    上１２以下の整数を表し、ＸはＳおよびＳｅを表す。ま
    た、Ｒ１，Ｒ２は水素もしくは置換基を表す。〕で表さ
    れる化合物を半導体層に用いることを特徴とする電界効
    果型トランジスタ。 【化１】
  5. 【請求項５】下記一般式（化２）〔但し、式中ｎは６以
    上１２以下の整数を表す。また、Ｒ３は水素，ハロゲン
    基，シアノ基，ニトロ基及び置換されていてもよいエス
    テル基，アシル基，アルキル基，アルコキシ基，アルキ
    ルチオ基，アリール基，アルケニル基を表し、Ｒ４はハ
    ロゲン基，シアノ基，ニトロ基，置換されていてもよい
    エステル基，アシル基及び電子吸引性基で置換されてい
    るアルキル基，アルコキシ基，アルキルチオ基，アリー
    ル基，アルケニル基を表す。〕で表される化合物を半導
    体層に用いることを特徴とする電界効果型トランジス
    タ。 【化２】
  6. 【請求項６】下記一般式（化３）〔但し、式中ｎは６以
    上１２以下の整数を表し、Ｒ５，Ｒ６は水素，ハロゲン
    基，シアノ基，ニトロ基及び置換されていてもよいエス
    テル基，アシル基，アルキル基，アルコキシ基，アルキ
    ルチオ基，アリール基，アルケニル基を表す。〕で表さ
    れる化合物を半導体層に用いることを特徴とする電界効
    果型トランジスタ。 【化３】
  7. 【請求項７】請求項４記載の半導体層の導電性を絶縁膜
    により隔てられたゲート電極によって制御することを特
    徴とする電界効果型トランジスタ。
  8. 【請求項８】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上の
    共役系オリゴマーを半導体層に用い、基板としてプラス
    チック基板を用いたことを特徴とする電界効果型トラン
    ジスタ。
  9. 【請求項９】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上の
    共役系オリゴマーの溶液を作成し、浸積法により半導体
    層を形成する工程を含むことを特徴とする電界効果型ト
    ランジスタの製造方法。
  10. 【請求項１０】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
    の共役系オリゴマーの溶液を作成し、印刷転写法により
    半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする電界効
    果型トランジスタの製造方法。
  11. 【請求項１１】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
    の共役系オリゴマーの溶液を作成し、回転塗布法により
    半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする電界効
    果型トランジスタの製造方法。
  12. 【請求項１２】絶縁基板上にゲート電極を形成する工程
    （Ａ），絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する工程
    (Ｂ），イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ以上の共役系
    オリゴマーの溶液を用いて該共役系オリゴマーからなる
    半導体層を形成する工程（Ｃ），前記半導体層上にソー
    ス電極及びドレイン電極を形成する工程（Ｄ）を含むこ
    とを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
  13. 【請求項１３】絶縁基板上にソース電極及びドレイン電
    極を形成する工程（Ａ），前記ソース電極及び前記ドレ
    イン電極上にイオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上の
    共役系オリゴマーの溶液を用いて該共役系オリゴマーか
    らなる半導体層を形成する工程（Ｂ），前記半導体層上
    に絶縁膜を形成する工程（Ｃ），前記絶縁膜上にゲート
    電極を形成する工程（Ｄ）を含むことを特徴とする電界
    効果型トランジスタの製造方法。
  14. 【請求項１４】絶縁基板上にゲート電極を形成する工程
    （Ａ），前記ゲート電極上に絶縁膜を形成する工程
    （Ｂ），前記絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を
    形成する工程（Ｃ），前記ソース及び前記ドレイン電極
    上にイオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ以上の共役系オ
    リゴマーの溶液を用いて該共役系オリゴマーからなる半
    導体層を形成する工程（Ｄ）を含むことを特徴とする電
    界効果型トランジスタの製造方法。
  15. 【請求項１５】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
    の共役系オリゴマーからなる半導体層をレーザー加工法
    によりパターンニングする工程を含むことを特徴とする
    電界効果型トランジスタの製造方法。
  16. 【請求項１６】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
    の共役系オリゴマーからなる半導体層を紫外線照射によ
    り一部を絶縁化することによってパターンニングする工
    程を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製
    造方法。
  17. 【請求項１７】イオン化ポテンシャルが４.８ｅＶ 以上
    の共役系オリゴマーを半導体層に用いた電界効果型トラ
    ンジスタを用いることを特徴とする液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】請求項１７記載の共役系オリゴマーの正
    孔移動度が０.２cm2／Ｖｓ以上であることを特徴とする
    液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】請求項１７記載の共役系オリゴマーが６
    個以上１２個以下の繰り返し単位からなることを特徴と
    する液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】下記一般式（化１）〔但し、式中ｎは６
    以上１２以下の整数を表し、ＸはＳおよびＳｅを表す。
    また、Ｒ１，Ｒ２は水素もしくは置換基を表す。〕で表
    される化合物を半導体層に用いた電界効果型トランジス
    タを使用することを特徴とする液晶表示装置。 【化４】
  21. 【請求項２１】下記一般式（化２）〔但し、式中ｎは６
    以上１２以下の整数を表す。また、Ｒ３は水素，ハロゲ
    ン基，シアノ基，ニトロ基及び置換されていてもよいエ
    ステル基，アシル基，アルキル基，アルコキシ基，アル
    キルチオ基，アリール基，アルケニル基を表し、Ｒ４は
    ハロゲン基，シアノ基，ニトロ基，置換されていてもよ
    いエステル基，アシル基及び電子吸引性基で置換されて
    いるアルキル基，アルコキシ基，アルキルチオ基，アリ
    ール基，アルケニル基を表す。〕で表される化合物を半
    導体層に用いた電界効果型トランジスタを使用すること
    を特徴とする液晶表示装置。 【化５】
  22. 【請求項２２】下記一般式（化３）〔但し、式中ｎは６
    以上１２以下の整数を表し、Ｒ５，Ｒ６は水素，ハロゲ
    ン基，シアノ基，ニトロ基及び置換されていてもよいエ
    ステル基，アシル基，アルキル基，アルコキシ基，アル
    キルチオ基，アリール基，アルケニル基を表す。〕で表
    される化合物を半導体層に用いた電界効果型トランジス
    タを使用することを特徴とする液晶表示装置。 【化６】
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