JP2006179855A - 薄膜トランジスタ、それを備えた平板表示装置、前記薄膜トランジスタの製造方法、及び前記平板表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 18
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 8
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims description 7
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,4-f]isoindole-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)NC(=O)C2=CC2=C1C(=O)NC2=O UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 7
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 6
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 claims 6
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 abstract 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
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- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、ゲート電極と絶縁され、ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層を含み、有機半導体層は、少なくともチャンネル領域の周囲に、他部と少なくともその結晶構造が異なって変質した変性領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【選択図】図1
Description
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁膜
14、14’ ソース/ドレイン電極
15 有機有機半導体層
15a、15a’ チャンネル領域
15b、15b’ ソース/ドレイン領域
15c 変性領域
Claims (38)
- ゲート電極と、
該ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、を備え、
前記有機半導体層は、少なくともチャンネル領域の周囲に、他部と少なくともその結晶構造が異なって変質した変性領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記変性領域の結晶のサイズは、他部の結晶のサイズより小さいことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記変性領域は、他部より電流移動度が小さいことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記変性領域は、該変性領域が形成される領域に対する光照射によって備えられていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記変性領域は、該変性領域が形成される領域に対する熱処理によって備えられていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記変性領域は、少なくともその境界が前記チャンネル領域を取り囲んだ閉曲線状になるように備えられていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記変性領域は、少なくともその境界が、その間に前記チャンネル領域が位置した少なくとも一対の平行線状からなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記変性領域は、少なくともその境界が、少なくとも前記ソース領域、チャンネル領域及びドレイン領域を連結する線にほぼ平行に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート電極を覆うように絶縁膜が備えられ、
前記有機半導体層は、前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート電極を覆うように絶縁膜が備えられ、
前記ソース及びドレイン電極は前記絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜とソース及びドレイン電極とを覆い、前記ゲート電極に対応するように開口部を有する保護膜更に備えられ、
前記有機半導体層は、前記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 基板上に前記ソース及びドレイン電極が備えられ、
前記有機半導体層は、前記ソース及びドレイン電極を覆うように前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 基板上に前記有機半導体層が備えられ、
前記ソース及びドレイン電極は、前記有機半導体層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有するか、または含有しないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジイミド及びそれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板と、
該基板上に備えられたものであって、ゲート電極と、該ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層を含む少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち、何れか一方と電気的に連結された画素電極と、を含み、
前記有機半導体層は、少なくともチャンネル領域の周囲に、他部と少なくともその結晶構造が異なって変質した変性領域を有することを特徴とする平板表示装置。 - 前記変性領域の結晶のサイズは、他部の結晶のサイズより小さいことを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記変性領域は、他部より電流移動度が小さいことを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記変性領域は、該変性領域が形成される領域に対する光照射により備えられていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記変性領域は、該変性領域が形成される領域に対する熱処理により備えられていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記変性領域は、少なくともその境界が前記チャンネル領域を取り囲んだ閉曲線状になるように備えられていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記変性領域は、少なくともその境界が、その間に前記チャンネル領域が位置した少なくとも一対の平行線状からなることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記変性領域は、少なくともその境界が、少なくとも前記ソース領域、チャンネル領域、及びドレイン領域を連結する線にほぼ平行に備えられていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記ゲート電極を覆うように絶縁膜が備えられ、
前記有機半導体層は、前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。 - 前記ゲート電極を覆うように絶縁膜が備えられ、
前記ソース及びドレイン電極は前記絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜とソース及びドレイン電極とを覆い、前記ゲート電極に対応するように開口部を有する保護膜が更に備えられ、
前記有機半導体層は、前記保護膜上に形成されていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。 - 基板上に前記ソース及びドレイン電極が備えられ、
前記有機半導体層は、前記ソース及びドレイン電極を覆うように前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。 - 基板上に前記有機半導体層が備えられ、
前記ソース及びドレイン電極は、前記有機半導体層上に形成されていることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。 - 前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有するか、または含有しないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジイミド及びそれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- ゲート電極と、該ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、を含む薄膜トランジスタの製造方法において、
前記有機半導体層を形成した後には、前記有機半導体層の少なくともチャンネル領域の周囲を光照射するステップを更に含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記光照射するステップは、前記有機半導体層にレーザーを照射するステップであることを特徴とする請求項27に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記光照射するステップは、前記有機半導体層に紫外線を照射するステップであることを特徴とする請求項27に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有するか、または含有しないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジイミド及びそれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項27に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- ゲート電極と、該ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、を含む薄膜トランジスタの製造方法において、
前記有機半導体層を形成した後には、前記有機半導体層の少なくともチャンネル領域の周囲を熱処理するステップを更に含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有するか、または含有しないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジイミド及びそれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項31に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上に、ゲート電極と、前記ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、を含む薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち、何れか一方と電気的に連結された画素電極を形成するステップと、を含み、
前記有機半導体層を形成した後には、前記有機半導体層の少なくともチャンネル領域の周囲を光照射するステップを更に含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。 - 前記光照射するステップは、前記有機半導体層にレーザーを照射するステップであることを特徴とする請求項33に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記光照射するステップは、前記有機半導体層にUV紫外線を照射するステップであることを特徴とする請求項33に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有するか、または含有しないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジイミド及びそれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項33に記載の平板表示装置の製造方法。
- 基板上に、ゲート電極と、該ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極にそれぞれ接する有機半導体層と、を含む薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち、何れか一方と電気的に連結された画素電極を形成するステップと、を含み、
前記有機半導体層を形成した後には、前記有機半導体層の少なくともチャンネル領域の周囲を熱処理するステップを更に含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。 - 前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有するか、または含有しないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジアンヒドリド及びその誘導体、ピロメリットジイミド及びそれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項37に記載の平板表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040111097A KR100670255B1 (ko) | 2004-12-23 | 2004-12-23 | 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판표시장치, 상기 박막트랜지스터의 제조방법, 및 상기 평판 표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006179855A true JP2006179855A (ja) | 2006-07-06 |
JP4504877B2 JP4504877B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=36075536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005190559A Active JP4504877B2 (ja) | 2004-12-23 | 2005-06-29 | 薄膜トランジスタ、それを備えた平板表示装置、前記薄膜トランジスタの製造方法、及び前記平板表示装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060138405A1 (ja) |
EP (1) | EP1675196B1 (ja) |
JP (1) | JP4504877B2 (ja) |
KR (1) | KR100670255B1 (ja) |
CN (1) | CN1819299B (ja) |
DE (1) | DE602005019839D1 (ja) |
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US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
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- 2005-12-09 US US11/298,211 patent/US20060138405A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-20 EP EP05112462A patent/EP1675196B1/en active Active
- 2005-12-20 DE DE602005019839T patent/DE602005019839D1/de active Active
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US20100099215A1 (en) | 2010-04-22 |
KR100670255B1 (ko) | 2007-01-16 |
US20060138405A1 (en) | 2006-06-29 |
JP4504877B2 (ja) | 2010-07-14 |
CN1819299B (zh) | 2013-01-30 |
CN1819299A (zh) | 2006-08-16 |
DE602005019839D1 (de) | 2010-04-22 |
EP1675196B1 (en) | 2010-03-10 |
EP1675196A1 (en) | 2006-06-28 |
US8043887B2 (en) | 2011-10-25 |
KR20060072451A (ko) | 2006-06-28 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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