KR100787438B1 - 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기발광 디스플레이 장치 - Google Patents

유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기발광 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 반도체층의 패터닝 시 소스 전극 및 드레인 전극이 손상되는 것이 방지된 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치를 위하여, (i) 소스 전극 및 드레인 전극과, (ii) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역 외의 영역의 표면이 애시(ash)화된 유기 반도체층과, (iii) 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극과, (iv) 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치{Organic thin film transistor, method of manufacuring the same, and organic light emitting display apparatus comprising the same}
도 1은 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층을 패터닝하기 위해 레이저빔을 조사하는 것을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 유기 반도체층이 패터닝된 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극에 불량이 발생한 것을 개략적으로 보여주는 사진이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 반도체층이 패터닝된 유기 박막 트랜지스터를 제조하기 위해, 레이저빔을 유기 반도체층에 조사하는 것을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 것과 같이 레이저빔을 조사하여 유기 반도체층이 패터닝된, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 5의 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 개략적으로 도시하는 사진이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 기판 121: 게이트 전극
123: 소스 전극/드레인 전극 125: 게이트 절연막
127: 유기 반도체층 127a: 애시화된 영역
CA: 채널 영역
본 발명은 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 유기 반도체층의 패터닝 시 소스 전극 및 드레인 전극이 손상되는 것이 방지된 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자나 유기 발광 디스플레이 장치 등 평판 디스플레이 장치에 사용되는 박막 트랜지스터(thin film transistor)는 각 픽셀의 동작을 제어하 는 스위칭 소자 또는 픽셀을 구동시키는 구동 소자 등으로 사용된다.
이러한 박막 트랜지스터는 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 구비하며, 이 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층과 절연되는 게이트 전극을 구비한다.
이와 같은 구조의 박막 트랜지스터들이 어레이 형태로 구현될 경우 각 박막 트랜지스터는 독립된 스위칭 소자 등으로 작동하게 된다. 이때, 인접한 박막 트랜지스터들간의 크로스 토크를 방지하기 위해 반도체층이 패터닝되도록 하는 것이 바람직하다. 따라서 종래의 실리콘 박막 트랜지스터 등의 경우에는 포토 리소그래피법 등을 이용하여 실리콘으로 형성된 반도체층을 패터닝하고 있다.
한편, 최근 플렉서블 디스플레이 장치에 대한 연구가 활발해짐에 따라 종래의 글래스재 기판이 아닌 플라스틱재 기판을 이용하려는 시도가 계속되고 있다. 이 경우, 상기 플라스틱재 기판은 고온공정을 거칠 수 없다는 문제점이 있기에, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터를 이용하기 어렵다는 문제점이 있었다.
따라서, 저온에서 박막 트랜지스터를 플라스틱재 기판에 형성하기 위한 방법들이 제안되고 있다. 특히, 저온 공정이 가능한 유기 박막 트랜지스터, 즉 유기물로 반도체층이 형성된 박막 트랜지스터에 대한 연구가 활발해지고 있다. 그러나 이러한 유기 박막 트랜지스터의 경우에는 종래의 포토 리소그래피법을 이용하여 유기 반도체층을 패터닝할 수 없다는 문제점이 있었다. 즉, 종래의 습식 또는 건식 에칭 공정이 혼입된 방법을 사용하게 되면, 유기 반도체층이 손상되어 사용할 수 없게 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 유기 반도체층의 패터닝 시 소스 전극 및 드레인 전극이 손상되는 것이 방지된 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, (i) 소스 전극 및 드레인 전극과, (ii) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역 외의 영역의 표면이 애시화된 유기 반도체층과, (iii) 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극과, (iv) 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, (i) 소스 전극 및 드레인 전극과, (ii) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역 외의 영역의 두께가 채널 영역의 두께보다 얇은 유기 반도체층과, (iii) 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극과, (iv) 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 유기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 귀금속으로 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 상기와 같은 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, (i) 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, (ii) 유기 반도체층을 형성하고, 상기 유기 반도체층에 레이저빔을 조사하여 채널 영역 외의 영역의 표면이 애시화되도록 하는 단계와, (iii) 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 다른 구성요소로부터 절연시키는 게이트 절연막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, (i) 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, (ii) 유기 반도체층을 형성하고, 상기 유기 반도체층에 레이저빔을 조사하여 채널 영역 외의 영역의 두께가 채널 영역의 두께보다 얇아지도록 하는 단계와, (iii) 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 다른 구성요소로부터 절연시키는 게이트 절연막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계 는 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후에 이루어지는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 귀금속으로 형성되는 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층을 패터닝하기 위해 레이저빔을 조사하는 것을 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 유기 반도체층이 패터닝된 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 3은 도 2의 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극에 불량이 발생한 것을 개략적으로 보여주는 사진이다.
전술한 바와 같이 박막 트랜지스터의 제조에 있어 습식식각 공정이 혼입된 방법으로 유기 반도체층을 패터닝할 시, 유기 반도체층이 손상되어 박막 트랜지스터의 특성 등이 저하된다는 문제점이 있었다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 도 1에 도시된 바와 같이 레이저빔을 조사하여 유기 반도체층을 패터닝하는 레이저 식각법(LAT; laser ablation technique)을 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 기판(10) 상에 게이트 전극(21)을 형성하고, 이 게이트 전극(21)을 덮도록 게이트 절연막(25)을 형성한 후, 게이트 절연막(25) 상에 소스 전극 및 드레인 전극(23)을 형성 한다. 그리고 소스 전극 및 드레인 전극(23)을 덮도록 유기 반도체층(27)을 형성한 후, 이 유기 반도체층(27) 상에 레이저빔(laser beam)을 조사하여 도 2에 도시된 바와 같이 유기 반도체층(27)을 패터닝한다.
이와 같이 레이저 식각법을 이용함으로써 유기 반도체층이 손상되지 않도록 유기 반도체층을 패터닝할 수 있다. 그러나 이 경우, 레이저빔을 조사하는 과정에서 유기 반도체층 하부에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극(23)이 손상될 수 있다는 문제점이 있다. 즉, 유기 반도체층(27)을 패터닝하기 위해 레이저빔을 조사할 시 소스 전극 및 드레인 전극(23)도 이 레이저빔에 의해 간접적으로 영향을 받으며, 그 결과 소스 전극 및 드레인 전극(23)이 레이저빔으로부터의 열 등을 흡수하여 전극 표면 상에 크랙 등이 발생한다는 문제점이 있다. 도 3은 소스 전극 및 드레인 전극(23)이 귀금속으로 형성된 경우, 레이저 식각법으로 유기 반도체층을 패터닝한 후 소스 전극 및 드레인 전극(23)이 손상된 것을 보여주는 사진이다. 이와 같이 소스 전극 및 드레인 전극(23)이 손상될 경우 유기 박막 트랜지스터의 특성 등이 저하되므로, 레이저 식각법을 통한 유기 반도체층의 패터닝 중 이와 같이 전극이 손상되는 것을 방지하는 것이 필요하다.
또한, 레이저 식각법을 통해 유기 반도체층(27)을 패터닝할 경우 소스 전극과 드레인 전극(23) 사이의 영역을 제외한 부분을 모두 제거하게 되는 바, 이 과정에서 발생한 파티클이 잔존하게 되어 향후 박막 트랜지스터의 특성을 저하시킨다는 문제점이 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 반도체층이 패터닝된 유 기 박막 트랜지스터를 제조하기 위해, 레이저빔을 유기 반도체층에 조사하는 것을 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 것과 같이 레이저빔을 조사하여 유기 반도체층이 패터닝된, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 6은 도 5의 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 개략적으로 도시하는 사진이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 구비되어 있다. 그리고 이 게이트 전극(121)의 상부에, 소스 전극 및 드레인 전극(123)과, 이 소스 전극 및 드레인 전극(123)을 덮는 유기 반도체층(127)이 구비되어 있다. 그리고 게이트 전극(121)을 소스 전극 및 드레인 전극(123)과 유기 반도체층(127)으로부터 절연시키는 게이트 절연막(125)이 구비되어 있다.
기판(110)으로는 글라스재 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수도 있다.
게이트 전극(110)은 Al 또는 MoW 등과 같은 다양한 도전성 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극(123)의 경우에도 다양한 도전성 물질을 이용할 수 있는데, 특히 유기 반도체층(127)과의 오믹 컨택(ohmic contact)을 고려하여 귀금속으로 구비되도록 할 수도 있다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성할 수도 있으며, 그 외에도 다양한 유기물을 이용하여 형성할 수도 있다.
상기 유기 반도체층(127)은, 펜타센, 퓨즈된 방향족 유도체, 올리고티오펜(oligothiophene)과 그 유도체, 올리고페닐렌(oligophenylene)과 그 유도체, 티오 페닐렌 비닐렌(thiophenylene vinylene)과 그 유도체, 테트라카르복실릭 안하이드라이드(tetracarboxylic anhydride) 및 그 유도체, 프탈로시아닌(phthalocyanine) 유도체 및 퀴노다이메탄(quinodymethane) 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것으로 할 수 있다. 물론 이 외에도 다양한 다른 유기 반도체 물질로 형성될 수도 있음은 물론이다.
전술한 바와 같이 인접한 박막 트랜지스터 사이의 크로스 토크를 방지하기 위해 유기 반도체층(127)이 패터닝되어야 하는 바, 이를 위해 도 4에 도시된 바와 같이 유기 반도체층(127) 상에 레이저빔을 조사한다. 더욱 상세하게는, 유기 반도체층(127) 중, 소스 전극과 드레인 전극(123)의 상호 대향하는 부분 및 그 사이에 대응하는 부분, 즉 유기 반도체층(127)의 채널 영역을 제외한 잔여 부분에 레이저빔을 조사한다. 이 경우, 전술한 바와 같이 유기 반도체층의 레이저빔이 조사된 부분이 모두 제거되도록 레이저빔을 조사하는 것이 아니라, 유기 반도체층의 레이저빔이 조사된 부분의 표면이 애시화될 정도로만 레이저빔을 조사한다. 이를 통해, 도 5에 도시된 바와 같이, 유기 박막 트랜지스터는 소스 전극 및 드레인 전극(123)에 각각 접하며 소스 전극과 드레인 전극(123) 사이의 채널 영역(CA; channel area) 외의 영역의 표면이 애시화된 유기 반도체층(127)을 구비하게 된다.
이와 같이 유기 반도체층(127) 중 소스 전극과 드레인 전극(123) 사이의 채널 영역(CA) 외의 영역의 표면이 애시화되도록 할 경우, 애시화된 표면(127b)은 반도체 특성이 저하되어 인접한 박막 트랜지스터 사이에서 크로스 토크가 발생하지 않게 된다. 또한 유기 반도체층(127) 중 애시화되지 않은 부분(127a)에 있어서, 채 널 영역(CA)의 경우에는 게이트 전극(121)에 인가된 전기적 신호에 따라 소스 전극과 드레인 전극(123) 사이에서 채널을 형성하여 소스 전극과 드레인 전극(123) 사이에서 전기적 신호가 소통되도록 하지만, 애시화된 표면(127b) 하부의 경우에는 애시화되지는 않았더라도 레이저빔 조사에 의한 애시화에 따른 손상이 발생하여 전기적 신호가 전달되지 않아 인접한 박막 트랜지스터 사이의 크로스 토크의 발생을 방지한다.
이와 같이 유기 반도체층(127) 중 소스 전극과 드레인 전극(123) 사이의 채널 영역(CA) 외의 영역의 표면이 애시화되도록 할 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 유기 반도체층의 채널 영역 외의 영역이 제거되도록 할 경우보다 레이저빔의 세기가 상대적으로 약하게 되며, 그 결과 레이저빔 조사 중 유기 반도체층(127) 하부의 소스 전극 및 드레인 전극(123)이 손상되지 않게 된다. 특히, 금 등과 같은 귀금속의 경우에는 레이저빔의 흡수율이 높은 바, 레이저빔의 세기가 상대적으로 약하기에 소스 전극 및 드레인 전극(123)이 귀금속으로 형성되었을 경우에도 소스 전극 및 드레인 전극(123)이 손상되지 않는다.
도 6은 이와 같이 유기 반도체층(127) 중 소스 전극과 드레인 전극(123) 사이의 채널 영역(CA) 외의 영역의 표면이 애시화되도록 레이저빔을 조사하여 완성한 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극(123)의 사진으로, 도 3의 사진과 비교하였을 시 전혀 손상되지 않았음을 알 수 있다. 또한, 유기 반도체층의 소정 영역이 제거되도록 레이저빔을 조사할 경우에는 파티클이 발생하여 이 파티클이 불량을 야기하며 이를 방지하기 위해 그러한 파티클을 제거하는 공정 또는 설비를 갖추 어야만 하였으나, 유기 반도체층의 소정 영역의 표면이 애시화되도록 레이저빔을 조사할 경우에는 파티클이 발생하지 않으므로 이와 같은 불량이 발생하지 않게 되며 제조비용 등을 획기적으로 절감할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터가 전술한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터와 다른 점은, 유기 반도체층(127)의 형상이 상이하다는 것이다. 즉, 전술한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층은, 소스 전극 및 드레인 전극에 각각 접하며, 채널 영역 외의 영역의 표면이 애시화되어 있었다. 그러나 본 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층(127)은, 소스 전극 및 드레인 전극(123)에 각각 접하며, 채널 영역(CA) 외의 영역의 두께가 채널 영역(CA)의 두께보다 얇게 형성되어 있다. 이때 상기 두께변화는 소스 전극 및 드레인 전극(123)에 대응하는 부분에서 이루어진다. 도 7에서는 유기 반도체층(127)에서의 두께변화가 소스 전극 및 드레인 전극(123) 상부에서 이루어지는 것으로 도시되어 있다.
이와 같이 유기 반도체층(127)의 채널 영역(CA) 외의 영역에 레이저빔을 조사하여 채널 영역(CA) 외의 영역의 두께가 채널 영역(CA)의 두께보다 얇아지도록 함으로써, 유기 반도체층(127)의 채널 영역(CA) 외의 영역의 반도체 특성을 저하시켜 인접한 박막 트랜지스터 사이에서의 크로스 토크를 방지할 수도 있다.
이 경우에도 유기 반도체층(127)의 채널 영역(CA) 외의 영역의 두께가 채널 영역(CA)의 두께보다 얇아지도록 레이저빔을 조사하여 식각할 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 유기 반도체층의 채널 영역 외의 영역이 제거되도록 할 경우보다 레이저 빔의 세기가 상대적으로 약하게 되며, 그 결과 레이저빔 조사 중 유기 반도체층(127) 하부의 소스 전극 및 드레인 전극(123)이 손상되지 않게 된다. 특히, 금 등과 같은 귀금속의 경우에는 레이저빔의 흡수율이 높은 바, 레이저빔의 세기가 상대적으로 약하기에 소스 전극 및 드레인 전극(123)이 귀금속으로 형성되었을 경우에도 소스 전극 및 드레인 전극(123)이 손상되지 않는다.
또한, 유기 반도체층의 소정 영역이 완전히 제거되도록 레이저빔을 조사할 경우보다 발생하는 파티클의 양이 대폭 감소하게 되어, 불량률을 대폭 낮추고 수율을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
한편, 전술한 실시예들에서는 게이트 전극이 소스 전극 및 드레인 전극보다 하부에 배치된 바텀 게이트(bottom gate)형 유기 박막 트랜지스터의 구조를 기준으로 설명하였으나, 도 8에 도시된 바와 같이 게이트 전극(121)이 소스 전극 및 드레인 전극(123)의 상부에 배치된 탑 게이트(top gate)형 유기 박막 트랜지스터에도 본 발명이 적용될 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
상기와 같은 유기 박막 트랜지스터들은 플렉서블 특성이 좋은 바, 따라서 박막 트랜지스터를 구비하는 다양한 플렉서블 평판 디스플레이 장치에 이용될 수 있다. 이러한 평판 디스플레이 장치로서 액정 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 등 다양한 디스플레이 장치들이 있는 바, 이하에서는 유기 발광 디스플레이 장치에 상술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터가 구비된 경우에 대해 도9를 참조하여 간략히 설명한다.
상술한 실시예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들을 구비하는 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 유기 박막 트랜지스터 및 발광 소자는 기판(110) 상에 구비된다.
유기 발광 디스플레이 장치는 다양한 형태의 것이 적용될 수 있는 데, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 유기 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형(AM: active matrix) 발광 디스플레이 장치이다.
각 부화소들은 도 9에서 볼 수 있는 바와 같은 적어도 하나의 유기 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. 도 9를 참조하면, 기판(110) 상에 필요에 따라 SiO2 등으로 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있고, 그 상부로 전술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터가 구비된다. 물론 도 9에는 전술한 실시예 및 그 변형예 중 어느 하나의 경우의 유기 박막 트랜지스터가 도시된 것이며, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
유기 박막 트랜지스터의 상부로는 SiO2 등으로 이루어진 패시베이션막(128)이 형성되고, 패시베이션막(128)의 상부에는 아크릴, 폴리이미드 등에 의한 화소정의막(129)이 형성되어 있다. 패시베이션막(128)은 유기 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
그리고 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 유기 박막 트랜지스터에는 적어 도 하나의 커패시터가 연결될 수 있다. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 회로는 반드시 도 9에 도시된 예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형 가능함은 물론이다.
한편, 소스 전극 및 드레인 전극(123) 중 어느 한 전극에 유기 발광 소자가 연결된다. 유기 발광 소자는 상호 대향된 화소 전극(131) 및 대향 전극(134)과, 이 전극들 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(133)을 구비한다. 대향 전극(134)은 복수개의 화소들에 있어서 공통으로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 도 9에는 중간층(133)이 부화소에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나 이는 부화소의 구성을 설명하기 위해 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 중간층(133)은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있음은 물론이다. 또한 중간층(133) 중 일부의 층은 각 부화소별로 형성되고, 다른 층은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있는 등 그 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(131)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(134)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이 화소 전극(131)과 대향 전극(134)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(131)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으 로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3막이 형성된 구조를 취할 수 있다.
대향 전극(134)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명 전극으로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(133)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.
화소 전극(131)과 대향 전극(134) 사이에 구비되는 중간층(133)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 정공 주입층(HIL: hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emissive layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용한 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자 유기물의 경우에는 대개 정공 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 정공 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.
기판(110) 상에 형성된 유기 발광 소자는, 대향 부재(미도시)에 의해 밀봉된다. 대향부재는 기판(110)과 동일하게 글라스 또는 플라스틱재로 구비될 수 있는 데, 이 외에도, 메탈 캡(metal cap) 등으로 형성될 수도 있다.
이와 같은 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 전술한 실시예 및 그 변형예에 따른 유기 박막 트랜지스터들이 구비되도록 함으로써, 입력된 영상신호에 따라 정확하게 이미지를 구현하는 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있게 된다.
또한, 상기 실시예에 있어서 유기 발광 디스플레이 장치의 구조를 기준으로 본 발명을 설명하였으나, 유기 박막 트랜지스터들이 구비되는 디스플레이 장치들이라면 어떠한 디스플레이 장치들에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 인접한 유기 박막 트랜지스터 사이의 크로스 토크를 효과적으로 방지할 수 있다.
둘째, 유기 반도체층 하부에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극의 손상을 방 지할 수 있다.
셋째, 집진 설비 등이 필요치 않게 되어, 유기 박막 트랜지스터 등의 제조설비 및 공정을 대폭 단순화할 수 있으며, 이를 통해 비용을 획기적으로 절감하고 수율을 대폭 높일 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 소스 전극 및 드레인 전극;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하며, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역 외의 영역의 표면이 애시(ash)화된 유기 반도체층;
    상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극; 및
    상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  2. 소스 전극 및 드레인 전극;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮으며, 채널 영역 외의 영역의 두께가 채널 영역의 두께보다 얇고, 상기 두께변화는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 대응하는 부분에서 이루어지는 유기 반도체층;
    상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층과 절연된 게이트 전극; 및
    상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 유기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  4. 삭제
  5. 제 1항 또는 제 2항의 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치.
  6. 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    유기 반도체층을 형성하고, 상기 유기 반도체층에 레이저빔을 조사하여 채널 영역 외의 영역의 표면이 애시화되도록 하는 단계; 및
    게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 다른 구성요소로부터 절연시키는 게이트 절연막을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
  7. 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 유기 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 유기 반도체층에 레이저빔을 조사하여 채널 영역 외의 영역의 두께가 채널 영역의 두께보다 얇아지도록 하되, 상기 두께변화가 상기 유기 반도체층의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 대응하는 부분에서 이루어지도록 하는 단계; 및
    게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 다른 구성요소로부터 절연시키는 게이트 절연막을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후에 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 유기 반도체층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
  10. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8633054B2 (en) 2011-01-07 2014-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2959867B1 (fr) * 2010-05-05 2013-08-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif microelectronique a portions disjointes de semi-conducteur et procede de realisation d'un tel dispositif
KR101697370B1 (ko) * 2010-10-07 2017-01-17 서울시립대학교 산학협력단 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법
JP5574996B2 (ja) * 2011-01-19 2014-08-20 三菱重工業株式会社 エンジンシステム及びエンジンシステムの運転制御方法
CN105470388B (zh) 2015-11-18 2018-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法
CN108933179B (zh) 2018-07-05 2020-06-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092410A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Nec Corp 薄膜トランジスタ
JP2004241528A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Ricoh Co Ltd 有機半導体装置及びそれを有する表示素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1144301C (zh) * 2002-04-05 2004-03-31 中国科学院长春应用化学研究所 一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
JP2005086144A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Asahi Kasei Corp 有機導電性薄膜の形成方法、半導体装置
US7019328B2 (en) * 2004-06-08 2006-03-28 Palo Alto Research Center Incorporated Printed transistors
KR100592278B1 (ko) * 2004-06-08 2006-06-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
KR100592302B1 (ko) * 2004-11-03 2006-06-22 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법, 이에 따라제조된 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 평판 표시장치의제조방법, 및 이에 따라 제조된 평판 표시장치
JP4341529B2 (ja) * 2004-11-05 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器
KR100670255B1 (ko) * 2004-12-23 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판표시장치, 상기 박막트랜지스터의 제조방법, 및 상기 평판 표시장치의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092410A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Nec Corp 薄膜トランジスタ
JP2004241528A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Ricoh Co Ltd 有機半導体装置及びそれを有する表示素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8633054B2 (en) 2011-01-07 2014-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same

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