KR101697370B1 - 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 유기발광 다이오드(OLED: Organic Light-Emitting Diode)에 관한 것으로, 특히 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드는 종이기판과, 상기 종이기판상에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성되는 유기발광층, 상기 유기발광층상에 형성되는 제2 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법은 종이를 기판으로 준비하는 단계와, 상기 종이 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 유기발광층을 형성하는 단계, 상기 유기발광층상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법{OLED with a paper substrate and mathod of manufacturing the same}

본 발명은 유기발광 다이오드(OLED: Organic Light-Emitting Diode)에 관한 것으로, 특히 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 발광소자는 조명등을 위한 광원으로부터 디스플레이 장치에 이르기까지 다양한 용도로 사용되고 있다. 그리고, 이러한 사용 용도에 따라 다양한 형태의 발광 소자가 개발되어 사용되고 있다.

종래에는 주로 광원으로서 백열등과 같은 점광원이나 형광등과 같은 선광원이 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이들 광원은 전력 소모가 많고 특히 광원의 수명이 매우 짧다는 단점이 있다.

특히, 종래의 광원은 수은이나 납과 같은 유해한 성분의 물질이 사용되기 때문에 환경을 오염시키는 단점이 있다.

최근에 이르러 저탄소 녹색산업에 대한 요구가 증대하면서 반도체 기술을 이용한 광원에 대한 관심이 급증하고 있다. 반도체 광원으로서 대표적인 것이 LED와 OLED이다. 이들은 환경 유해물질을 사용하지 않고, 저소비전력으로 고효율의 광원을 제공한다는 점에서 단순히 조명 기능의 제공에서 벗어나서 디스플레이 장치에 이르기까지 점차 그 활용 범위가 넓어지고 있다.

특히, OLED의 경우에는 LED 등의 점광원이 아닌 면광원이기 때문에 기존 점광원에서 구현하기 힘든 투명하면서도 유연한 조명이 가능하고, 또한 유기물을 이용함에 따라 유연성이 있는 디스플레이를 구현할 수 있다는 장점이 부각되면서 점차 그 활용도가 넓어지고 있다.

그러나, 상기 유기발광 다이오드(OLED)는 실리콘이나 유기물기판을 사용하기 때문에 유연성이 있다는 장점은 있으나, 유기물기판은 열에 약하기 때문에 제조 공정에 많은 제약이 있게 된다.

또한, 상기 유기발광 다이오드는 유기물기판과 별도로 발광장치 구동을 위한 구동회로용 기판이 요구되는 단점이 있게 된다.

이에, 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로 기판으로서 종이를 사용하고 강유전 트랜지스터를 이용하여 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 트랜지스터를 구현함으로써, 종이기판을 사용함에 따라 유연성 확보가 가능함은 물론 강유전 물질을 이용하여 하나의 기판을 이용하여 유기발광 다이오드를 제조하는 것이 가능하도록 된 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 그 기술적 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드는 종이기판과, 상기 종이기판상에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극상에 형성되는 유기발광층, 상기 유기발광층상에 형성되는 제2 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드는 트랜지스터로 구성되는 구동층과, 상기 구동층상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 유기발광소자층으로 구성되고, 상기 유기발광소자층은 제1 종이기판상에 제1 전극과, 유기발광층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 구성되며, 상기 구동층은 제2 종이기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제3 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드는 트랜지스터로 구성되는 구동층과, 상기 구동층상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 유기발광소자층으로 구성되고, 상기 유기발광소자층은 제1 종이기판상에 제1 전극과, 유기발광층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 구성되며, 상기 구동층은 제2 종이기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제4 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드는 트랜지스터로 구성되는 구동층과, 상기 구동층상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 유기발광소자층으로 구성되고, 상기 유기발광소자층은 제1 종이기판상에 제1 전극과, 유기발광층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 구성되며, 상기 구동층은 제2 종이기판상에 형성되는 형성되는 채널형성층, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극 사이에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제5 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드는 트랜지스터로 구성되는 구동층과, 상기 구동층상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 유기발광소자층으로 구성되고, 상기 유기발광소자층은 제1 종이기판상에 제1 전극과, 유기발광층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 구성되며, 상기 구동층은 제2 종이기판상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 게이트 전극의 양측면에 각각 형성되는 소스 및 드레인 전극 및, 상기 절연층과 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 채널형성층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제6 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법은 종이를 기판으로 준비하는 단계와, 상기 종이 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극상에 유기발광층을 형성하는 단계, 상기 유기발광층상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제7 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법은 구동층을 형성하는 단계와, 상기 구동층상에 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 제1 종이기판에 제1 전극과 유기발광층 및 제2 전극이 순차적으로 형성된 유기발광소자층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 구동층을 형성하는 단계는 제2 종이기판을 준비하는 단계와, 상기 제2 종이기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층상에 채널형성층을 형성하는 단계 및, 상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제8 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법은 구동층을 형성하는 단계와, 상기 구동층상에 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 제1 종이기판에 제1 전극과 유기발광층 및 제2 전극이 순차적으로 형성된 유기발광소자층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 구동층을 형성하는 단계는 제2 종이기판을 준비하는 단계와, 상기 제2 종이 기판상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 종이 기판과 소스 및 드레인 전극 상에 채널형성층을 형성하는 단계, 상기 채널형성층상에 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제9 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법은 구동층을 형성하는 단계와, 상기 구동층상에 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 제1 종이기판에 제1 전극과 유기발광층 및 제2 전극이 순차적으로 형성된 유기발광소자층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 구동층을 형성하는 단계는 제2 종이기판을 준비하는 단계와, 상기 제2 종이 기판상에 채널형성층을 형성하는 단계, 상기 채널형성층상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 채널형성층상의 소스 및 드레인 전극의 사이 구간에 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제10 관점에 따른 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법은 구동층을 형성하는 단계와, 상기 구동층상에 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 제1 종이기판에 제1 전극과 유기발광층 및 제2 전극이 순차적으로 형성된 유기발광소자층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 구동층을 형성하는 단계는 제2 종이기판을 준비하는 단계와, 상기 제2 종이 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극상에 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극의 양측면에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 채널형성층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면 종이를 사용하고 강유전 트랜지스터를 이용하여 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 트랜지스터를 구현함으로써, 종이기판을 사용함에 따라 유연성 확보가 가능함은 물론 강유전 물질을 이용하여 하나의 기판을 이용하여 유기발광 다이오드를 제조하는 것이 가능하도록 된 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공할 수 있게 된다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 다이오드의 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 다이오드의 구조예를 나타낸 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 구동층(10)의 구조를 나타낸 단면도.
도 4는 도 2에 도시된 구동층(10)의 또 다른 구조예를 나타낸 단면도.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다. 단, 이하에서 설명하는 실시예들은 본 발명의 하나의 바람직한 구현예들을 나타낸 것으로서, 이러한 실시예의 예시는 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 발명은 그 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

본 발명에서 종이라 함은 펄프를 주원료로 하여 제조된 일체의 종이와 더불어, 이러한 종이에 실리콘 등의 내열성 물질이 코팅된 것을 포함한다.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광 다이오드의 개략적인 구조를 나타낸 것이다.

도 1에서 참조번호 1은 종이 기판이다. 이 종이 기판(1)상에는 제1 전극(2)이 형성된다.

상기 제1 전극(2)은 광을 반사하는 도전물질로 구성된다. 예컨대, 제1 전극(2)으로서는 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO₃)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등의 재질이 이용된다.

이때, 상기 제1 전극(2)은 종이 기판(1)상에 진공증착방법을 통해 형성된다. 또한, 이때의 진공증착공정에 있어서 만일 종이의 조직내에 수분이나 산소를 포함하는 공기가 흡착되어 있는 경우 증착공정에서 가해지는 열에 의해 종이가 연소될 수 있다. 따라서, 종이 기판(1)에 제1 전극(2)을 형성하기 전에 종이 기판(1)을 진공상태 또는 예컨대 아르곤(Ar), 네온(Ne) 등의 비활성 가스분위기 내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분이나 공기를 제거하는 방법도 바람직하다.

이어, 상기 제1 전극(2)상에 유기발광층(3) 및 제2 전극(4)을 형성함으로써, 유기발광 다이오드를 완성하게 된다.

상기 유기발광층(3)은 적색, 녹색 및 청색 화소로 구성되어 진다.

상기 제2 전극(4)은 광을 투과할 수 있는 투명한 도전물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 전극(4)은 ITO 또는 IZO로 구성될 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서는 도시되지는 않았지만 상기 제1 전극(2)과 유기발광층(3) 사이에 제1 전하주입층 및 제1 전하수송층 중 적어도 어느 하나를 포함하도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 유기발광층(3)과 제2 전극(4) 사이에 제2 전하주입층 및 제2 전하수송층 중 적어도 어느 하나를 포함하도록 구성될 수 있다. 이는 유기발광 다이오드의 발광효율 및 수명을 향상시키기 위한 것이다.

또한, 상기 실시예에 있어서는 종이기판(1)상에 전극을 진공증착공정으로 형성하였으나, 도전성 유기물 등을 잉크젯이나 스크린인쇄 등의 인쇄방법을 통해 형성하는 것도 가능하다.

한편, 상기한 유기발광 다이오드는 일반적으로 유기발광층(3)을 구동하기 위한 구동층(10)을 포함하여 구성되게 된다.

도2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광 다이오드의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.

도2에 도시된 바와 같이 유기발광 다이오드는 구동층(10)의 상측에 절연층(20)이 형성되고, 이 절연층(20)의 상측에는 제1 종이기판(1)상에 제1 전극(2), 유기발광층(3) 및 제2 전극(4)으로 형성되는 유기발광소자층(30)가 결합되어 구성된다.

여기서, 상기 절연층(20)은 상기 절연층(30)은 플라스틱 등의 유연성을 갖는 각종 재질의 절연물질로 구성될 수 있다.

상기 구동층(10)은 트랜지스터로 구성될 수 있다. 그리고, 상기 트랜지스터(10)는 상기 유기발광소자층(30)의 제2 전극(4)과 전기적으로 결합된다.

또한, 트랜지스터(10)는 종이를 기판으로 이용하여 구성될 수 있다.

도 3은 상기 구동층(10)의 구조를 설명하기 위한 도면으로, 보다 상세하게는 종이를 기판으로 이용하는 트랜지스터(10)의 구조를 설명하기 위한 것이다.

즉, 상기 트랜지스터(10)는 도3에 도시된 바와 같이 기판(11), 보다 상세하게는 제2 제2 종이 기판(11)상에는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag) 등의 도전성 금속으로 이루어지는 금속배선(12)이 형성된다.

상기 금속배선(12)은 트랜지스터의 게이트 전극으로서 제공된 것으로서, 이는 제2 종이 기판(11)상에 진공증착방법을 통해 형성된다. 또한, 이때의 진공증착공정에 있어서 만일 종이의 조직내에 수분이나 산소를 포함하는 공기가 흡착되어 있는 경우 증착공정에서 가해지는 열에 의해 종이가 연소될 수 있다. 따라서, 제2 종이 기판(11)에 금속배선(12)을 형성하기 전에 제2 종이 기판(11)을 진공상태 또는 예컨대 아르곤(Ar), 네온(Ne) 등의 비활성 가스분위기내에서 열처리함으로써 종이에 흡착되어 있는 수분이나 공기를 제거하는 방법도 바람직하다.

이어, 상기 금속배선(12)이 형성되어 있는 구조체상에 절연층(13)을 도포하고, 절연층(13)상에 채널형성층(14)을 형성한다. 이때, 채널형성층(14)으로서는 펜타센(Pentacene) 등의 유기물 반도체를 진공증착 또는 스핀코팅하여 형성하게 된다.

또한, 상기 유기물 반도체로서는 펜타센 이외에 예컨대 Cu-프탈로시아닌(Cu-phthalocyanine), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 메로시아닌(Merocyanine), 폴리티오펜(Polythiophene), 프탈로시아닌(Phthalocyanine), 폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene)], 폴리(3-알킬티오펜) [Poly(3-alkylthiophene)], α-섹시티오펜(α-sexithiophene), α-ω-디헥실-섹시티오펜(α-ω-dihexyl-sexithiophene), 폴리티닐렌비닐렌(Polythienylenevinylene), Bis(dithienothiophene), α-ω-디헥실-쿼터티오펜(α-ω-dihexyl-quaterthiophene), 디헥실-안트라디티오펜(Dihexyl-anthradithiophene), α-ω-디헥실-퀸퀘티오펜(α-ω-dihexyl-quinquethiophene), F8T2, Pc₂Lu, Pc₂Tm, C₆₀/C₇₀, TCNQ, C₆₀, PTCDI-Ph, TCNNQ, NTCDI, NTCDA, PTCDA, F16CuPc, NTCDI-C8F, DHF-6T, PTCDI-C8 등을 이용할 수 있다.

또한, 상기 채널형성층(14)으로서는 절연층을 이용하는 것도 가능하다. 이때 절연층으로서는 ZrO₂, SiO₄, Y₂O₃, CeO₂ 등의 무기물이나, BCB, 폴리이미드(Polyimide), 아크릴(Acryl), 파릴린 C(Parylene C), PMMA, CYPE 등의 유기물이 이용될 수 있다.

그리고, 상기 채널형성층(14)상에는 소스전극(15) 및 드레인전극(16)을 형성하여 트랜지스터를 완성하게 된다.

이때, 상기 소스전극(15) 및 드레인전극(16)으로는 금, 은, 알루미늄, 플라티늄, 인듐주석화합물(ITO), 스트론튬티타네이트화합물(SrTiO₃)이나, 그 밖의 전도성 금속 산화물과 이것들의 합금 및 화합물, 또는 전도성 중합체를 기재로 하는 예컨대 폴리아닐린, 폴리(3, 4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술포네이트(PEDOT:PSS) 등의 혼합물이나 화합물 또는 다층물 등의 재질이 이용된다.

상술한 실시예에 있어서는 종이 기판(1)상에 금속 배선을 이용하여 게이트 전극(2)을 형성하고, 이 위에 절연층(3)과 채널형성층(4)을 순차 형성하는 인버티드 스태거드 구조(Inverted staggered)의 트랜지스터를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 상기 구조 이외에 스태거드(Staggered) 구조, 코플래너(Coplanar) 구조 및 인버티드 코플래너(Inverted coplanar) 구조의 트랜지스터에 대해서도 동일한 방식으로 적용할 수 있다.

도 4는 본 발명이 적용될 수 있는 트랜지스터의 다른 구조예를 나타낸 단면도로서, 도 4a는 스태거드 구조, 도 4b는 코플래너 구조, 도 4c는 인버티드 코플래너 구조를 나타낸 것이다. 또한, 도 4에서 도 3과 대응하는 부분에는 동일한 참조번호가 부가되어 있다.

도 4a에 나타낸 스태거드 구조에 있어서는, 제2 종이 기판(11)상에 진공증착을 이용하여 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)을 형성하고, 이들 전극(15, 16)이 형성된 구조체 상에 예컨대 진공증착 또는 스핀코팅을 이용하여 전체적으로 채널형성층(14)을 형성하게 된다.

물론, 이 경우에 있어서도 상기 채널형성층(14)으로서는 유기물 반도체층이나 절연층을 이용할 수 있다.

그리고, 상기 채널형성층(14)상에 절연층(13) 및 게이트 전극(12)을 순차 형성하여 트랜지스터를 구성하게 된다.

도 4b에 나타낸 코플래너 구조에 있어서는, 제2 종이 기판(11)상에 유기물 반도체 또는 절연층의 채널형성층(14)을 형성하고, 이 위에 소스 및 드레인 전극(15, 16)을 형성한다.

그리고, 상기 채널형성층(14)상의 소스 및 드레인 전극(15, 16) 사이에 절연층(13)을 형성한 후, 절연층(13)상에 게이트 전극(12)을 형성하여 트랜지스터를 구성하게 된다.

도 4c에 나타낸 인버티드 코플래너 구조에 있어서는 제2 종이 기판(11)상에 진공증착법으로 금속 배선 등의 게이트 전극(12)을 형성하고, 이 게이트 전극(12)상에 절연층(13)을 형성하게 된다. 그리고, 이 절연층(13)상에 유기물 반도체 또는 절연층의 채널형성층(14)을 형성함과 더불어, 그 양측에 소스 및 드레인 전극(15, 16)을 형성하여 트랜지스터를 구성하게 된다.

이상으로 본 발명에 따른 실시예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

예를 들어, 상술한 실시예에 있어서는 게이트 전극의 형성을 금속 배선을 이용하여 형성하는 것에 대하여 설명하였으나, 도전성 유기물 등을 잉크젯이나 스크린인쇄 등의 인쇄방법을 통해 형성하는 것도 가능하다.

따라서, 본 발명에 의하면 종이기판을 이용하여 유기발광소자 및 구동층을 형성함으로써, 유연성 있는 유기발광 다이오드의 제조가 가능하게 된다.

1 : 종이기판, 2 : 제1 전극,
3 : 유기발광층, 4 : 제2 전극,
10 : 구동층, 11 : 제2 종이기판,
12 : 금속배선, 13 : 절연층,
14 : 채널형성층, 15 :소스전극,
16 : 드레인전극, 20 : 절연층,
30 : 유기발광소자층.

Claims (51)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 트랜지스터로 구성되는 구동층과,
   상기 구동층상에 형성되는 절연층,
   상기 절연층상에 형성되는 유기발광소자층으로 구성되고,
   상기 유기발광소자층은 제1 종이기판상에 제1 전극과, 유기발광층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 구성되며,
   상기 구동층은 제2 종이기판상에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극상에 형성되는 절연층, 상기 절연층상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성되고,
   상기 게이트 전극이 금속을 포함하여 구성되며,
   상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되고,
   상기 채널형성층이 절연층으로 구성되며,
   상기 게이트 전극이 도전성 유기물로 구성되고,
   상기 제2 종이 기판이 내열성 물질이 코팅된 종이인 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드.
   
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 트랜지스터로 구성되는 구동층과,
    상기 구동층상에 형성되는 절연층,
    상기 절연층상에 형성되는 유기발광소자층으로 구성되고,
    상기 유기발광소자층은 제1 종이기판상에 제1 전극과, 유기발광층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 구성되며,
    상기 구동층은 제2 종이기판상에 형성되는 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극과 제2 종이 기판상에 형성되는 채널형성층 및, 상기 채널형성층상에 형성되는 절연층 및, 상기 절연층상에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성되고,
    상기 소스 및 드레인 전극이 금속을 포함하여 구성되며,
    상기 채널형성층이 유기물 반도체로 구성되고,
    상기 채널형성층이 절연층으로 구성되며,
    상기 소스 및 드레인 전극이 도전성 유기물로 구성되고,
    상기 제2 종이 기판이 내열성 물질이 코팅된 종이인 것을 특징으로 하는 종이를 기판으로 하는 유기발광 다이오드.
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