CN105470388B - 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法 - Google Patents

有机半导体薄膜晶体管及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105470388B
CN105470388B CN201510802435.2A CN201510802435A CN105470388B CN 105470388 B CN105470388 B CN 105470388B CN 201510802435 A CN201510802435 A CN 201510802435A CN 105470388 B CN105470388 B CN 105470388B
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating layer
organic semiconductor
film transistor
transfer area
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510802435.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105470388A (zh
Inventor
徐洪远
苏长义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201510802435.2A priority Critical patent/CN105470388B/zh
Priority to US14/906,017 priority patent/US9887374B2/en
Priority to PCT/CN2015/100234 priority patent/WO2017084187A1/zh
Publication of CN105470388A publication Critical patent/CN105470388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105470388B publication Critical patent/CN105470388B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开一种有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括基板、数据线、中转区、源极、漏极、主动层图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层以及透明电极。所述数据线以及所述中转区设置于所述基板之上。所述源极以及所述漏极设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上。所述主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板、所述源极以及所述漏极之上。通过设置所述主动层图案所述源极以及所述漏极之上进而避免所述源极以及所述漏极受到等离子体轰击。

Description

有机半导体薄膜晶体管及其制作方法
【技术领域】
本发明涉及有机半导体薄膜晶体管的技术领域，特别是涉及一种应用于有机半导体薄膜晶体管及其制作方法。
【背景技术】
OTFT(Organic Thin Film Transistor)是一种使用有机物作为半导体材料的薄膜晶体管，多用于塑料基板，因其具有可卷曲、制程成本低等特点，成为当前最具潜力的下一代柔性显示器的新型Array板技术。有机薄膜晶体管制作方法相对传统无机薄膜晶体管更为简单，其对成膜气氛的条件及纯度的要求都很低，因此其制作成本更低；有机薄膜晶体管有优异的柔韧性，适用于柔性显示、电子皮肤、柔性传感器等领域。
为了降低注入势垒，OTFT源漏电极的材料一般选择金或银等金属。但金因其价格高昂，并不适合应用于大量生产。银相对金成本要低廉，但银表面在被等离子体(plasma)轰击时，会容易发生氧化导致导电能力急剧下降。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机半导体薄膜晶体管以及其制作方法，以解决上述技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种有机半导体薄膜晶体管，所述有机半导体薄膜晶体管包括基板、数据线、中转区、源极、漏极、主动层图案、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层以及透明电极。
所述数据线以及所述中转区设置于所述基板之上。所述源极以及所述漏极，设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上。所述主动层图案设置于所述数据线、所述中转区、所述基板、所述源极以及所述漏极之上。所述第一绝缘层，设置于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上。所述栅极以及扫描线，设置于所述第一绝缘层之上。所述第二绝缘层，设置于所述栅极以及所述第一绝缘层之上。所述透明电极设置于所述第二绝缘层之上并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的通孔电性连接所述中转区。
在一优选实施例中，所述数据线以及所述中转区是钛或钼。
在一优选实施例中，所述源极以及所述漏极是银。
在一优选实施例中，所述栅极是铝或铜。
在一优选实施例中，所述透明电极是氧化铟锡。
为实现上述目的，本发明另提供一种有机半导体薄膜晶体管的制作方法，包括：
首先，设置基板；接着，沉积第一金属层于所述基板之上；使用第一掩膜对所述第一金属层进行蚀刻以形成数据线以及中转区；接着，沉积第二金属层于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上；接着，使用第二掩膜对所述第二金属层进行蚀刻以形成源极以及漏极；接着，涂布有机半导体层于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上；接着，使用第三掩膜对所述有机半导体层以形成主动层图案；接着，涂布第一绝缘层于所述数据线以及所述中转区之上；接着，沉积第三金属层于所述第一绝缘层之上；接着，使用第四掩膜对所述第三金属层进行蚀刻以形成栅极以及扫描线；接着，涂布第二绝缘层于所述第三金属层以及所述第一绝缘层之上；接着，于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层形成通孔；最后，沉积透明电极于所述第二绝缘层之上并通过所述通孔电性连接所述中转区。
在一优选实施例中，所述第一金属层是钛或钼。
在一优选实施例中，所述第二金属层是银。
在一优选实施例中，所述第三金属层是铝或铜。
在一优选实施例中，所述透明电极是氧化铟锡。
相较于现有技术，本发明先于所述基板上设置所述数据线以及所述中转区，接着在所述数据线以及所述中转区上形成所述源极以及所述漏极，接着再使用所述主动层图案包覆所述源极以及所述漏极。因為所述主动层图案包覆所述源极以及所述漏极，所以可以保護所述源极以及所述漏极不受等离子体轰击而氧化。
【附图说明】
图1绘示本发明的有机半导体薄膜晶体管的侧视图；
图2-图14绘示本发明的有机半导体薄膜晶体管的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
参考图1，绘示本发明的有机半导体薄膜晶体管100的侧视图。所述有机半导体薄膜晶体管100包括基板110、数据线121、中转区122、源极131、漏极132、主动层图案141、第一绝缘层142、栅极151、第二绝缘层152、通孔160以及透明电极171。
所述数据线121以及所述中转区122，设置于所述基板110之上。优选地，所述数据线121以及所述中转区122是钛或钼。
所述源极131以及所述漏极132设置于所述基板110、所述数据线121以及所述中转区122之上。详细地，所述源极131以及所述漏极132个别设置于部分的所述数据线121以及所述中转区122之上。所述源极131以及所述漏极132並未連接。优选地，所述源极131以及所述漏极132可以是银。
所述主动层图案141设置于所述数据线121、所述中转区122、所述基板110所述源极131以及所述漏极132之上。详细地，所述主动层图案141会完整的包覆所述源极131以及所述漏极132，进而达到保护所述源极131以及所述漏极132免于受到等离子体轰击。优选地，所述主动层图案141可以是有机半导体。
所述第一绝缘层142，设置于所述数据线121、所述中转区122以及所述主动层图案141之上。详细地，所述第一绝缘层142必须完整包覆所述数据线121、所述中转区122以及所述主动层图案141。一般而言，所述第一绝缘层142可以是有机绝缘体。
所述栅极151以及扫描线(未圖示)设置于所述第一绝缘层142之上。通过所述第一绝缘层142的隔绝，可以避免所述栅极151以及所述扫描线与所述数据线121、所述基板110所述源极131以及所述漏极132之间形成短路。优选地，所述栅极151可以是铝或铜。
所述第二绝缘层152设置于所述栅极151以及所述第一绝缘层142之上。一般而言，所述第二绝缘层142亦可以是有机绝缘体。
所述透明电极171设置于所述第二绝缘层152之上并通过贯穿所述第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152的所述通孔160电性连接所述中转区122。优选地，所述透明电极171是氧化铟锡。
通过于所述基板110上设置所述数据线121以及所述中转区122，接着在所述数据线121以及所述中转区122上形成所述源极131以及所述漏极132，接着再使用所述主动层图案141包覆所述源极131以及所述漏极132，进而达到避免避免所述源极131以及所述漏极132被等离子体轰击而氧化。
参考图2-14，绘示本发明的有机半导体薄膜晶体管100的制作方法的流程图。其中依照附图数字的增加表示制作方法的步骤，图号若无英文数字或英文数字为a表示为该步骤所形成產物的侧视图，图号若有英文数字b表示为该步骤所形成產物的上视图。
首先，参考图2，设置基板110。
参考图3，沉积第一金属层120于所述基板110之上。参考图3、图4a以及图4b，使用第一掩膜(未图示)对所述第一金属层120进行蚀刻以形成数据线121以及中转区122。
接着，参考图5，沉积第二金属层130于所述基板110、所述数据线121以及所述中转区122之上。参考图5、图6a以及图6b，使用第二掩膜(未图示)对所述第二金属层130进行蚀刻以形成源极131以及漏极132。
参考图7，涂布有机半导体层140于所述数据线121、所述中转区122、所述基板110所述源极121以及所述漏极122之上。接着，参考图7、图8a以及图8b，使用第三掩膜(未图示)对所述有机半导体层140以形成主动层图案141。
接着，参考图9，涂布第一绝缘层142于所述数据线121、所述中转区122以及所述主动层图案141之上。
接着，参考图10，沉积第三金属层150于所述第一绝缘层142之上。参考图10、图11a以及图11b，使用第四掩膜(未图示)对所述第三金属层150进行蚀刻以形成栅极151以及扫描线153。所述柵極151以及所述掃描线153是電性連接。
参考图12，涂布第二绝缘层152于所述第三金属层151以及所述第一绝缘层142之上。接着，参考图13，于所述第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152形成所述通孔160，通孔160貫穿第一绝缘层142以及所述第二绝缘层152。参考图1以及图14，图14是本发明的有机半导体薄膜晶体管的最终结构的上视图，而图1是本发明的有机半导体薄膜晶体管的最终结构的侧视图。沉积透明电极170于所述第二绝缘层152之上并通过所述通孔160电性连接所述中转区122。接下來使用第五掩膜對透明电极170進行蝕刻以形成有机發光二極管的阳电极。
本发明先于基板100上设置数据线121以及中转区122，接着在数据线121以及中转区122上形成源极131以及漏极132，接着再形成主动层图案141以包覆源极131以及漏极132。因為主动层图案141包覆源极131以及漏极132，所以可以保護源极131以及漏极132不受等离子体轰击而氧化。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管包括：
基板；
数据线以及中转区，设置于所述基板之上；
源极以及漏极，设置于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上；
主动层图案，设置于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上，所述主动层图案包覆所述源极以及所述漏极；
第一绝缘层，设置于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上；
栅极以及扫描线，设置于所述第一绝缘层之上；
第二绝缘层，设置于所述栅极以及所述第一绝缘层之上；
透明电极，设置于所述第二绝缘层之上并通过贯穿所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的通孔电性连接所述中转区，所述透明电极为有机发光二极管的阳电极。
2.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线以及所述中转区是钛或钼。
3.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述源极以及所述漏极是银。
4.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极是铝或铜，所述栅极以及所述扫描线是电性连接，通过所述第一绝缘层的隔绝，可以避免所述栅极以及所述扫描线与所述数据线、所述基板、所述源极以及所述漏极之间形成短路。
5.如权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述透明电极是氧化铟锡。
6.一种有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
设置基板；
沉积第一金属层于所述基板之上；
使用第一掩膜对所述第一金属层进行蚀刻以形成数据线以及中转区；
沉积第二金属层于所述基板、所述数据线以及所述中转区之上；
使用第二掩膜对所述第二金属层进行蚀刻以形成源极以及漏极；
涂布有机半导体层于所述数据线、所述中转区、所述基板所述源极以及所述漏极之上；
使用第三掩膜对所述有机半导体层以形成主动层图案，所述主动层图案包覆所述源极以及所述漏极；
涂布第一绝缘层于所述数据线、所述中转区以及所述主动层图案之上；
沉积第三金属层于所述第一绝缘层之上；
使用第四掩膜对所述第三金属层进行蚀刻以形成栅极以及扫描线；
涂布第二绝缘层于所述第三金属层以及所述第一绝缘层之上；
于所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层形成通孔；
沉积透明电极于所述第二绝缘层之上并通过所述通孔电性连接所述中转区；以及
使用第五掩膜对所述透明电极进行蚀刻以形成有机发光二极管的阳电极。
7.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属层是钛或钼。
8.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二金属层是银。
9.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第三金属层是铝或铜。
10.如权利要求6所述的有机半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述透明电极是氧化铟锡。
CN201510802435.2A 2015-11-18 2015-11-18 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法 Active CN105470388B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510802435.2A CN105470388B (zh) 2015-11-18 2015-11-18 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法
US14/906,017 US9887374B2 (en) 2015-11-18 2015-12-31 Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same
PCT/CN2015/100234 WO2017084187A1 (zh) 2015-11-18 2015-12-31 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510802435.2A CN105470388B (zh) 2015-11-18 2015-11-18 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105470388A CN105470388A (zh) 2016-04-06
CN105470388B true CN105470388B (zh) 2018-09-28

Family

ID=55607899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510802435.2A Active CN105470388B (zh) 2015-11-18 2015-11-18 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9887374B2 (zh)
CN (1) CN105470388B (zh)
WO (1) WO2017084187A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI637504B (zh) * 2017-01-25 2018-10-01 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN108807229B (zh) * 2018-06-08 2020-11-03 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种键合机台的监测方法
TWI787720B (zh) * 2021-01-25 2022-12-21 友達光電股份有限公司 有機半導體基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1983662A (zh) * 2005-12-12 2007-06-20 三星Sdi株式会社 有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件
CN101136454A (zh) * 2006-08-28 2008-03-05 财团法人工业技术研究院 有机半导体元件及其制造方法
CN102779942A (zh) * 2011-05-24 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101279296B1 (ko) * 2006-04-17 2013-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한표시장치
GB0706653D0 (en) * 2007-04-04 2007-05-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors
JP2010040897A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sony Corp 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
KR101803720B1 (ko) * 2008-10-03 2017-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5397175B2 (ja) * 2009-11-13 2014-01-22 セイコーエプソン株式会社 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器
TW201119110A (en) * 2009-11-18 2011-06-01 Metal Ind Res & Dev Ct Fabrication method of organic thin-film transistors
TWI671911B (zh) * 2011-05-05 2019-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102008902B1 (ko) * 2012-03-05 2019-10-21 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법
JP2014082386A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Tokyo Electron Ltd 有機トランジスタ及びその製造方法
KR102131195B1 (ko) * 2013-07-16 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20160053001A (ko) * 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
US9716135B2 (en) * 2015-07-24 2017-07-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof
US20170104033A1 (en) * 2015-10-13 2017-04-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method for the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1983662A (zh) * 2005-12-12 2007-06-20 三星Sdi株式会社 有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件
CN101136454A (zh) * 2006-08-28 2008-03-05 财团法人工业技术研究院 有机半导体元件及其制造方法
CN102779942A (zh) * 2011-05-24 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105470388A (zh) 2016-04-06
US20170237028A1 (en) 2017-08-17
US9887374B2 (en) 2018-02-06
WO2017084187A1 (zh) 2017-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106803547B (zh) 顶发射型oled显示器件的制作方法及结构
CN104953044B (zh) 柔性oled及其制作方法
CN104681629B (zh) 薄膜晶体管、阵列基板及其各自的制备方法、显示装置
CN103715267A (zh) 薄膜晶体管、tft阵列基板及其制造方法和显示装置
CN103219469B (zh) 发光组件
CN105470388B (zh) 有机半导体薄膜晶体管及其制作方法
CN109378326A (zh) 显示面板及其制作方法
CN104716156A (zh) 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN104485351A (zh) 一种柔性有机发光显示器及其制作方法
TWI228384B (en) Active matrix organic light emitting diode
CN106098786A (zh) 双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法
CN107123751B (zh) 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
US9466655B2 (en) Display unit and electronic apparatus
CN110491929A (zh) 显示基板、制备方法及显示装置
CN102651339A (zh) 一种tft阵列基板及其制造方法和显示装置
CN105990398A (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN104538421A (zh) Oled显示基板及其制造方法
CN103107286A (zh) 一种采用非光刻工艺制备图形化ito电极的方法
CN105529275A (zh) 薄膜晶体管及其制造方法
CN110534660A (zh) 一种显示基板及制备方法、显示装置
CN104485428A (zh) 一种oled及其制作方法
CN105633100A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法
WO2016074241A1 (zh) 一种基于oled的tft阵列基板结构
US10224382B2 (en) Method for manufacturing an OLED display screen integrated with touch function
CN104538349A (zh) 一种oled及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant