CN100461486C - 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物 - Google Patents

用于有机薄膜晶体管的取向聚合物 Download PDF

Info

Publication number
CN100461486C
CN100461486C CNB008107955A CN00810795A CN100461486C CN 100461486 C CN100461486 C CN 100461486C CN B008107955 A CNB008107955 A CN B008107955A CN 00810795 A CN00810795 A CN 00810795A CN 100461486 C CN100461486 C CN 100461486C
Authority
CN
China
Prior art keywords
polymer
layer
orientation
electronic device
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB008107955A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1364323A (zh
Inventor
亨宁·斯林豪斯
理查德·亨利·弗雷德
理查德·约翰·威尔森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge University Technical Services Ltd CUTS
Cambridge Enterprise Ltd
Original Assignee
Cambridge Enterprise Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB9914489.1A external-priority patent/GB9914489D0/en
Application filed by Cambridge Enterprise Ltd filed Critical Cambridge Enterprise Ltd
Publication of CN1364323A publication Critical patent/CN1364323A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100461486C publication Critical patent/CN100461486C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/731—Liquid crystalline materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/02—Alignment layer characterised by chemical composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/06—Substrate layer characterised by chemical composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

一种形成具有含聚合物的半导体活性层的电子器件的方法，该方法包括：通过使聚合物形成液晶相，使聚合物链取向为互相平行。

Description

用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
技术领域
本发明涉及取向聚合物，尤其是涉及适用于诸如聚合物薄膜晶体管之类的器件的取向聚合物，以及使聚合物取向的方法。该取向聚合物优选地是基本上平行取向的、液晶共轭聚合物。
背景技术
半导体共轭聚合物场效应晶体管(FET)具有象集成逻辑电路的关键元件(C.Drury，et al.，APL 73，108(1998))和基于柔性塑料衬底上的溶液加工的光电器件(H.Sirringhaus，et al.，Science 280，1741(1998))一样的潜在用途。已发现得到高电荷载流子迁移率的一个主要标准是活性半导体聚合物中的高度结构有序性。
已公知，对于一些聚合物来说，可以通过使用诸如Langmuir-Blodgett(LB)淀积(R.Silerova，Chem.Mater.10，2284(1998))、拉伸取向(D.Bradley，J.Phys.D 20，1389(1987))、共轭聚合物膜摩擦(M.Hamaguchi，etal.，Appl.Phys.Lett.67，3381(1995))之类的加工技术在薄膜中诱导聚合物链的单轴取向。聚合物FET器件已采用通过拉伸取向(P.Dyreklev，et al.，Solid State Communications 82，317(1992))和LB淀积(J.Paloheimo，et al.，Thin Solid State Films 210/211，283(1992))制造的单轴取向聚合物膜制造出来。然而，这些研究中的场效应迁移率较低(<10-5cm2/Vs)。
薄聚合物膜中的局部有序性可以通过利用一些聚合物的自有序化趋势获得。一个例子是聚-3-己基噻吩(P3HT)，其中通过刚性主链和柔性侧链的相偏析可以形成薄层型有序结构。通过采用适当的淀积技术和衬底化学处理，有可能诱导聚合物有序区相对于衬底表面的优先取向。目前，P3HT产生对于聚合物FET已知的最高场效应迁移率0.05-0.1cm2/Vs(H.Sirringhaus，et al.，Science 280，1741(1998))。在这些器件中，还没有膜平面中聚合物链的优先的、单轴的取向。
一些共轭聚合物和小分子表现出液晶(LC)相。液晶相的定义，是一种物质状态，其中分子具有优先的空间取向。取向通常认为是相对于一个称为方向标(divector)的向量的取向。与在固体中不同，晶体状态LC相中的分子定位是以至少一种方向随机分布的。根据取向类型和残基定位的方向，可以区分向列的、手征性的、近晶的LC相。向列相具有长程取向的有序性但无定位的有序性。近晶相的特征在于二维(2D)分层结构，其中分子自行排列成堆层，每一层具有相对于正常层的统一取向，但在2D层中既无点位有序性也无较低层次的点位有序性。LC相主要在具有显著形状各向异性的聚合物和分子中出现。共轭LC聚合物的例子是有刚性-杆共轭骨架和短柔性侧链的主链聚合物，即所谓的多毛-杆(hairy-rod)或刚性-杆聚合物。实例有聚-烷基-芴(fluorenes)(M.Grell，et al.，Adv.Mat.9，798(1998))或梯形聚-侧亚苯基(U.Scherf，et al.，Makromol.Chem.Commu.12，489(1991))。LC聚合物的另一种类型是有柔性非共轭骨架和侧链中有刚性共轭单元的侧链聚合物。
液晶有机分子的一个特殊类型是有一刚性2D共轭核心和柔性侧链的圆盘状分子，如六苯并苯(hexabenzocoronenes，HBC)(P.Herwig，et al.，Adv.Mater.8，510(1996))或苯并菲(D.Adam，et al.，Nature 371，141(1994))。这些分子倾向于形成所谓的圆盘中间相，其中1维列通过圆盘形共轭核心π-π堆积形成(图8)。
LC相通常在高温下、未稀释的有机物质中(热致相)，或在有机物质以足够高的浓度溶于溶剂中时(易溶相)出现(参见例如，A.M.Donald，A.H.Windle，Liquid Crystalline Polymers，Cambridge Solid State Science Series，ed.R.W.Cahn，E.A.Davis，I.M.Ward，Cambridge University Press，Cambridge，UK(1992))。
LC相可通过适当加工技术使之单轴取向。在一个取向样品中，方向标的取向，即，例如，主链LC聚合物中聚合物链的优先取向，在>μm-mm的肉眼可见距离之上是相同的。这是FET器件中实际沟道长度的数值范围。取向可通过剪力、流动、或者通过在具有在衬底平面中表现单轴各向异性的取向层的衬底上淀积LC聚合物来诱导得到。取向可以是机械摩擦的有机层如聚酰亚胺(M.Grell，et al.，Adv.Mat.9，798(1998))、以斜角在衬底上蒸镀的层、或者带有槽平面的层。可用于使LC分子取向的各种技术的综述参见例如J.Cognard，J.Molec.Cryst.Liq.Cryst.Suppl.Ser.1，1(1982)。
一种特别有吸引力的技术是光取向，这种技术比摩擦更不易于受机械损伤。通过暴露于线偏振光使光敏聚合物聚合。光的偏振面限定了光敏聚合物链的优先取向。这样的聚合物层用作大量聚合物和小分子液晶的取向层(M.Schadt，et al.，Nature 381，212(1996))。
单轴取向的液晶聚合物已作为有源发光层加入聚合物发光二极管以产生线偏振光(M.Grell，et al.，Adv.Mat.9，798(1998)；G.Lüssem，et al.Liquid Crystals 21，903(1996))。
EP 0786 820 A2公开了一种有机薄膜晶体管的器件结构，其中有机半导体层与取向膜如经摩擦的聚酰亚胺层相接触。取向膜是在有机半导体层淀积在取向膜上部时用于诱导有机半导体层的取向。然而，对于大多数有机半导体物质，特别是从溶液中加工共轭聚合物，仅仅是取向膜上的淀积不足以诱导有机半导体中的取向。
WO99/10929和WO99/10939公开了一种形成聚合物场效应晶体管的方法，包括建立交联层结构和在这样的结构中形成互连的方法。每一层在下一层溶液淀积之前被转化成不溶的形式。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种形成具有源电极、漏电极、含聚合物的半导体活性层、栅绝缘体层和栅电极的晶体管的方法，该方法包括：通过使聚合物形成液晶相而使聚合物链取向在一个平面内，源和漏电极被设置成使得当在源和漏电极两端加电压时，在源和漏电极之间电流流动的方向在该平面内。
根据本发明的另一方面，提供一种具有半导体活性层的电子器件，其中：通过使聚合物形成液晶相，使聚合物链取向为互相平行。优选地，使这些链取向为互相平行。
这些链的取向可适当地称为单轴取向，因为至少在局部的取向畴内，更优选地在更广的范围内，聚合物链平行取向表明了单一取向轴。
优选地，电子器件是开关装置。优选地，电子器件是晶体管，最优选地是薄膜晶体管。因此，该器件可以是聚合物晶体管。
上述液晶相可以是向列相或近晶相。
使聚合物形成液晶相的步骤，适当地包括加热聚合物。优选地，有一个随后的冷却聚合物的步骤以固定其结构。优选地，此冷却足够快以使聚合物在冷却后保持在优选的单轴方向上的上述取向。冷却可以足够快以使聚合物在冷却后为非晶体的、玻璃状的状态。冷却可以包括使聚合物淬火。优选地，从聚合物的玻璃转变温度以上开始冷却。通常冷却到环境温度，例如室温(20℃)。
上述方法可以包括：在与活性层相关的部位形成晶体管的源极和漏极，以使晶体管的沟道取向为与聚合物链的取向方向平行。因此，上述器件可具有取向为与聚合物链的取向方向平行的沟道。
该方法优选地包括使聚合物淀积到能诱导上述聚合物取向的取向层之上。该方法优选地包括，例如通过对衬底机械摩擦，形成取向层的步骤。
优选地，聚合物链的平行取向延伸到覆盖至少100nm，更优选地至少1μm，最优选地，至少10μm的距离/畴大小。
优选地，聚合物链具有覆盖电子器件区域的单畴、单轴取向。然而，即使取向仅局部出现，即聚合物即使在具有几个畴(以位于器件活性区内的随机取向方向)的多畴结构中，也可实现性能改进。在每个畴中，聚合物链在被转化为LC相时，被定向为与此方向单轴平行。在多层结构中形成薄膜不需要取向。
聚合物可以是半导体聚合物。聚合物可以是刚性-杆液晶聚合物。聚合物可以是共轭聚合物。聚合物可以是多聚芴(polyfluorene)聚合物，例如多聚芴均聚物或以多聚芴为基础的嵌段共聚物。聚合物可以是例如F8或F8T2。
半导体聚合物可以适当地从溶液中淀积。优选地，它在非极性有机溶剂中可溶，但在极性溶剂中不溶。
该方法也可包括，通过第二聚合物层的溶液淀积形成晶体管的活性界面的步骤。第二聚合物层可以淀积到在第二聚合物层淀积之前尚未转化成不溶形式的用溶液加工的聚合物层之上。用溶液加工的聚合物层可以是上述取向层和/或半导体活性层。
第二层可以提供晶体管的栅绝缘体。第二层可以从极性有机溶剂中淀积，表面上看上述用溶液加工的聚合物层是不可溶的。第二聚合物层的溶液淀积优选地在上述取向步骤之后进行。第二层可以是酒精溶剂如异丙醇或丁醇中可溶的。它可以包含聚乙烯苯酚(PVP)。
本发明的一个方面还提供包含上述晶体管的逻辑电路。这样的逻辑电路也可包含至少一个光学器件。本发明的一个方面也提供包含上述晶体管的有源矩阵显示器，例如显示器像素的电压控制电路的一部分。
根据本发明进一步的方面，提供一种形成电子器件(例如晶体管)的方法，该方法包括形成器件的活性界面的步骤，通过聚合物层直接在第二聚合物层淀积之前尚未转化成不溶形式的用溶液加工的聚合物层之上的溶液淀积。
根据本发明进一步的方面，提供一种具有源电极、漏电极、半导体活性层、栅绝缘体层和栅电极的电子器件，所述半导体活性层包含聚合物，其中，通过使聚合物形成液晶相而使聚合物链取向在一个平面内，源和漏电极被设置成使得当在源和漏电极两端加电压时，在源和漏电极之间电流流动的方向在该平面内。根据本发明进一步的方面，提供一种形成具有含聚合物的半导体活性层的电子器件的方法，该方法包括使聚合物形成液晶相的步骤。
根据本发明进一步的方面，提供一种形成具有含聚合物的半导体活性层的电子器件的方法，该方法包括：通过使聚合物形成液晶相，使畴内聚合物链取向。
一种形成具有含聚合物的半导体活性层的电子器件的方法，该方法包括：通过使聚合物形成液晶相，使聚合物链取向为电子器件聚合物层内的以优先的单轴方向取向的单畴。
本发明上述进一步方面的优选方面同样地包括与本发明其它方面相关的所有上述的内容。
现参照附图、通过举例来描述本发明。
附图说明
图1是LC聚合物TFT的顶栅型(top-gate)器件结构以及器件在衬底上相对于摩擦方向的取向的示意图；
图2表示在无金属区域内、利用与摩擦方向平行和垂直的光的偏振现象测量的单轴取向的T2/PVP TFT的偏振光吸收谱；
图3表示正交偏光镜下观察到的取向的T2/PVP TFT的光学显微照片。源极和漏极通过光刻形成(沟道长度L＝20μm)；
图4表示底栅型(bottom-gate)(a)和顶栅型(b)TFT结构的示意图；
图5表示在玻璃衬底上的顶栅型P3HT/PVP TFT的输出特性；
图6表示取向的顶栅型T2/PVP TFT的输出特性(a)和传输特性(b)(L＝210μm，沟道宽度W＝1.5mm)；
图7表示具有取向为与摩擦方向平行和垂直的沟道的T2/PVP TFT的饱和(a)和线性(b)传输特性(L＝210μm，W＝1.5mm)；
图8表示圆盘状液晶分子六苯并苯(HBC)的结构以及圆盘列在取向层相对于面内FET电荷传输方向的所希望的取向；
图9表示取向聚合物TFT的替换结构。
具体实施方式
本方法提供形成单轴取向聚合物的方法，该聚合物适于用作例如电子器件(如晶体管，尤其是聚合物薄膜晶体管(TFT))中的活性半导体层。该方法涉及借助于液晶相的聚合物的取向。
在用这样的聚合物作为活性层的器件如TFT中，电流，适当地或者是优选地，沿聚合物链或者是垂直于聚合物链流动(图1)。这可以在相关方向上具有电荷传输特性的有用的均一性。
以下具体参照以多聚芴为基础的(polyfluorene-based)均聚物(如聚-9，9-二辛基芴(F8))或嵌段共聚物(聚-9，9-二辛基芴-共-二噻吩(F8T2))来描述本方法。这些主链LC聚合物分别在160℃(F8)和265℃(F8T2)以上的温度下出现向列LC相。然而，本方法不限于这些物质或那些类型的物质，并且适用于更广范围的刚性-杆和LC聚合物。
在本方法的一个重要的优选步骤中，聚合物的栅绝缘体可以通过在取向半导体聚合物的上部淀积溶液、在半导体和绝缘体之间形成突变活性界面来淀积。
现描述具有顶栅型薄膜晶体管(TFT)结构的取向聚合物FET的制造(见图1)，其中附图标记1-6分别表示源极、漏极、栅极、取向层、LC聚合物和PVP。其它器件和其它构成的器件也可选择性地制造。在第一步骤中，将薄(500
Figure C00810795D0011150908QIETU
)聚酰亚胺前体膜(Merck ZLI2630聚酰亚胺试剂盒)旋涂在玻璃衬底(7059玻璃，Corning)上，并通过在65℃下加热15分钟、300℃下加热1小时使之转化为聚酰亚胺。此聚酰亚胺前体因其高热稳定性和玻璃转变温度而被选用以提供高温状态下的良好取向性能。也可使用其它物质。然后，用装在机械鼓上的尼龙布机械摩擦聚酰亚胺膜以使之如下述那样地成为取向层。形成这样的取向层的适当方法描述于M.Grell，et al.，Adv.Mat.9，798(1998)。优选地，在摩擦过程中，注意尽量减少粒子污染，因为据信这些粒子是导致器件失效和成品器件中栅泄漏的主要原因。
也可使用其它制造取向层的技术替代上述技术。一种特别有吸引力的技术是光取向，因为其不包括任何可能导致膜机械损坏和降低器件产量的取向层的机械处理(M.Schadt，et al.，Nature 381，212(1996))。
接着，或者通过经由掩模的蒸镀，或者通过常规的光刻，在聚酰亚胺/玻璃衬底上形成金的源-漏电极。对于金电极的光刻构图，去除(lift-off)技术是优选的。已发现金膜的直接蚀刻将会不利于下层聚酰亚胺的取向性能，推测是由于与蚀刻溶液(王水)接触时对聚酰亚胺表面的改变。用去除技术(其中聚酰亚胺表面只与丙酮溶液接触，利用其去除光刻胶和金膜)，源极和漏极之间的LC聚合物取向(图3)与无源-漏电极的平滑衬底上的一样高。
其它电极的淀积和构图技术如导电性聚合物的直接喷墨印刷技术(例如用磺酸聚苯乙烯涂步聚乙烯二氧噻吩(PEDOT/PSS))也可使用。在同一衬底上形成器件，其中TFT沟道与摩擦方向平行或垂直。
至于下一步，LC半导体多聚芴聚合物通过在混合的二甲苯中从1％(重量百分比)溶液旋涂淀积。聚合物膜的厚度是大约150-1000
Figure C00810795D0012151050QIETU
薄聚合物膜优选的是，尽量减少由通过大部分半导体膜从源-漏接点到活性界面的电荷载流子传输引起的接触电阻效应。然后，分别在200℃下加热24-48小时(F8)、280℃下加热1-15分钟(F8T2)，将聚合物膜加热成其LC相。在退火的过程中，聚合物在摩擦的聚酰亚胺表面上取向。然后，通过迅速淬火至室温，使膜成为玻璃态。通过在室温下将衬底迅速从高温阶段移至金属表面来进行淬火。淬火步骤被认为是用来保持LC相的单轴取向并防止结晶以及晶界的形成，如果膜在LC相和晶相之间的相变过程中缓慢冷却，将会形成晶界。晶界可能成为电荷载流子的陷阱，并且对晶体管性能有不利影响。在退火过程中，注意不要污染聚合物膜的表面，可在真空中或不活泼气氛中进行退火。
为进一步加强聚合物膜中的结构有序性以及单轴取向的质量，可以在较低温度下进行额外的退火。取向后，样品也可以在高温下保存在饱和的溶剂环境中。
图2表示在完成的TFT衬底的无金属区域内测量的光吸收谱。2.5-3eV之间的吸收谱属于T2聚合物。与摩擦方向平行的偏振光的吸收比与之垂直的偏振光的吸收更强。因为光跃迁是沿着聚合物链偏振的，所以得出结论聚合物链是与摩擦方向平行取向的。从吸收谱推算的二色性比是≈9.6，这是聚合物膜高度单轴取向的量度。
图3表示具有单轴取向T2层的完成的TFT器件的沟道区的光学显微照片。图像是以反射模式通过玻璃衬底观察到的。在正交偏光镜下，叉指金源-漏电极较暗。如果偏光镜使之与摩擦方向成45°(与沟道长度平行)，那么入射光的偏振面在通过单轴取向聚合物膜时会发生旋转，并且一些反射光可以通过第二偏光镜。结果，膜在发暗的源-漏电极之间表现较亮(图3a)。然而，如果正交偏光镜之一沿摩擦方向取向，那么不会出现入射光偏振面的旋转，并且沟道区也较暗(图3b)。在图3b中，加强了入射光的强度(相对于图3a)，以使Au叉指电极与沟道区之间的对比差异可以看到。这些观察结果清楚地表明聚合物链在TFT的沟道中是单轴取向的。
在活性半导体聚合物取向的加工和退火步骤之后，通过对上面的栅绝缘层和金属栅极进行溶液淀积完成TFT器件的制造。为了允许在取向LC聚合物膜上表面上制成晶体管沟道，不得不解决一些关键问题。为制成具有光电特性的器件，非常优选的是，(a)下面的各层不会被用于栅绝缘体淀积的溶剂所溶解或溶胀，和(b)同时，溶液在下面的各层上的润湿性应允许淀积平滑、连续的绝缘膜。
应当强调，优选的特征(a)是特别关键的，因为TFT中的电流局限在通常10nm厚的界面层(在活性半导体与栅绝缘体之间的界面处，即积聚层形成的地方)。TFT性能取决于此界面层的结构和电子特性，而大部分半导体层的特性仅仅是第二重要的。TFT性能对活性界面的结构特性和突变性非常敏感。在溶液淀积的过程中半导体与绝缘体之间的任何混合都将导致高界面突变性以及积聚层电子特性的降低。优选的特征(b)意味着，栅绝缘层需要是平滑、连续、无针孔并且具有高介电强度的，以便允许将高电场应用于形成积聚层。
上述优选的特征(a)和(b)不仅如上所述地，与制造液晶聚合物TFT有关，而且广泛适用于带顶栅结构的溶液加工的全聚合物(all-polymer)TFT(图4b)，并且类似地也适用于带有更常规的底栅结构的薄膜晶体管(图4a)，图中的附图标记7和8分别表示栅绝缘体和聚合物半导体。
以往的制造全聚合物TFT的方法已使用前体途径。可溶的前体物质是作为第一层溶液淀积的，然后被转化成在常用有机溶剂中不可溶的最终聚合物。转化可以包括溶解侧基的去除、形成更刚性聚合物骨架的链内化学反应、或者交联反应。转化通常包括加热处理和/或与化学试剂的接触。为制造底栅型全聚合物TFT，已使用前体途径绝缘层(图4a)，例如聚酰亚胺(Z.Chem.Mat.9，1299(1997))。对于顶栅型器件，已使用前体途径聚-thienylene-亚乙烯(PTV)作为活性半导体(C.Drury，et al.，APL73，108(1998))。然而，前体途径的使用严重地限制了半导体的和绝缘的聚合物的选择。对于许多聚合物如聚-3-己基噻吩(P3HT)，仍不知道适当的前体途径。就我们目前所知道的范围，还未制造出用可溶聚合物作为活性半导体全聚合物顶栅型FET。目前还不清楚并且尚未证明是否可以通过溶液淀积技术形成足够突变的界面。
在此我们阐述一种方法，采用这种方法、利用半导体的和绝缘的聚合物在极性和非极性溶剂中的不同溶解性，可以用可溶液处理的聚合物制造高迁移率全聚合物顶栅型TFT。我们使用在极性溶剂(例如二甲基甲酰胺(DMF)、丙烯-乙二醇-甲基-醚-醋酸盐(pygma)、水或酒精)中具低溶解性的非极性半导体共轭聚合物，例如P3HT、F8、F8T2或聚(9，9＇-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)。我们使用能在极性溶剂中溶解的绝缘聚合物，例如聚乙烯苯酚(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚异基-甲基-甲基丙烯酸酯(PiBuMA)。PVP以前曾与通过前体途经制造的不溶半导体聚合物(PTV)相结合来制造全聚合物顶栅型TFT(C.Drury，et al.，APL 73，108(1998))。
具体的溶剂/绝缘聚合物组合根据溶剂的极性和下层半导体聚合物表面上溶液的润湿性来决定。已发现醇类如甲醇、乙醇、丁醇或异丙醇是特别适合的。大多数非极性半导体聚合物在醇类中的溶解性异乎寻常地低。这部分地是因为醇类羟基的高极性，部分地是因为溶液中醇类分子间的氢键相互作用。这进一步降低了那些不能参与氢键相互作用的疏水聚合物的溶解性。绝缘聚合物如PVP溶液在醇类中的溶液也倾向于表现相对较高的粘性。适当高的粘性有助于连续、平滑膜的淀积，帮助克服极性溶液在非极性衬底上的润湿问题。具不同沸点的醇类可被采用。由高沸点醇类如丁醇制成的膜具有比那些由低沸点醇类如异丙醇或甲醇制成的膜更平滑的膜表面形态。然而，据观察，用由不同醇类溶剂淀积的相同栅绝缘聚合物制成的器件的TFT迁移率没有显著差异。这表明，活性界面的完整性和突变性可以用醇类溶剂很好保持。
其它极性溶剂如聚-丙烯-乙二醇-醚-醋酸盐(pygma)也已成功地得到应用。尽管这些器件运行得相当的好，但是其TFT迁移率通常比用醇类溶剂低2倍。这归因于多聚芴聚合物在pygma溶剂中有某些小的残余溶解性。为测试这一假说，将F8T2膜在pygma浸几分钟。之后，观察到膜光吸收谱的小变动，表明溶剂与F8T2膜的表面(通过溶解或溶胀)相互作用。在醇类溶剂的情况下没有观察到这样的变化。
用由醇类溶剂淀积的PVP栅绝缘体，制造了具有与在标准SiO2/Si FET衬底上制成的对照器件相同的性能的TFT。在PVP淀积之前，用与PVP溶液和离心干燥所用醇类溶剂相同的溶剂涂覆衬底。此步骤是为了洗去聚合物膜的任何可溶于醇的残余成分。然后，用5-10％(重量百分比)溶液，优选地在醇类如异丙醇或丁醇中，旋涂PVP栅绝缘体。如由在金属-绝缘体-半导体(MIS)二极管上的阻抗波谱所测量的，1.2μm厚PVP膜的性能是大约3-5nF/cm2。厚度200-500nm的更薄的PVP栅绝缘体是优选的，并且也已制成。通过用掩模淀积金顶栅电极完成器件。
TFT的源极、漏极和栅极也可由导电聚合物制造，导电聚合物通过适当技术如喷墨印刷、软刻构图或丝网印刷来构图。
图5表示在标准玻璃衬底(无多聚芴取向层)上制成的顶栅型P3HT/PVP TFT的输出特性。器件特性与在常规TFT衬底上、用底栅SiO2绝缘体进行的相同淀积中制造的器件的特性相当。从饱水动态(saturationregime)中的传输特性中求出的迁移率为约0.01-0.02cm2/Vs。器件的OFF-导电性有时高于相应的底栅器件，据信这是由于P3HT表面的表面被残余氧浸涂所致。这与特定器件结构无关，并且可以通过在PVP淀积、在肼(hydrozine)中对P3HT进行还原去涂覆处理来解决(H.Sirringhaus，et al.，Science 280，1741(1998))。
器件也可用F8T2作为半导体聚合物来制造。在平滑的玻璃衬底(即无取向层)上，0.003-0.005cm2/Vs的迁移率和开-关电流比都与那些在SiO2上制成的底栅型晶体管相当。
这些结果清楚地表明，有可能在两层用溶液加工的聚合物层之间制成突变界面并且保持高度界面有序性，这是在TFT积聚层中得到10-3-10-2cm/Vs高电荷载流子迁移率所需的。
用极性溶剂淀积聚合物栅绝缘体的方法已应用于在单轴取向的LC聚合物上制造顶栅型TFT器件。图6表示具有取向为与摩擦方向平行的沟道的取向T2/PVP TFT的输出特性(a)和传输特性(b)。器件特性表明了很好的电流饱和，并且开-关电流比大于10-4-10-5。图7比较了在具有与摩擦方向平行和垂直的沟道的取向的T2/PVP TFT器件的饱和(a)和线性(b)状态中的传输特性。器件在相同的衬底上制成。如果电流沿摩擦方向，即沿聚合物骨架的优先方向，晶体管电流通常高5-8倍。从传输特性中求出的迁移率是0.009-0.02cm2/Vs(对于与聚合物链优先取向的方向平行的传输)和0.001-0.002cm2/Vs(对于与聚合物链优先取向的方向垂直的传输)。
这些迁移率数值可与各向同性TFT器件的相媲美，各向同性TFT器件要进行与单轴取向器件相同的热处理，但不表现单畴取向。这些各向同性、多畴的器件(x)是在未被聚酰亚胺涂覆的衬底区域上制造的，并且通常具有迁移率μX＝0.003-0.005cm2/Vs，μ⊥<μX<μ∥。
这表明，单轴取向导致迁移率的明显改进，与各向同性的器件相比，通常提高3倍。然而，各向同性的器件表现比其中F8T2膜未进行热处理的器件高得多的迁移率和更好的开启电压稳定性(μas-spun<10-3cm2/Vs).在多畴、各向同性的器件中，如从光学显微照片测算的，畴大小为约0.1-1μm，即TFT沟道含有几个LC畴界。这表明，在向列玻璃中，LC畴界没有像刚旋涂后的膜中的微晶晶界的程度地同样地作用为载流子陷阱。
显著的迁移率各向异性的观察结果表明，用此处所说明的器件结构，有可能使用形成LC相并可以通过使用取向层取向的共轭聚合物来实现沿聚合物链的快速链内传输。取向方法的进一步优化，将包括退火和摩擦步骤的优化以及用溶剂蒸镀处理取向膜，很可能导致沟道区二色性比的进一步增加和更高的迁移率。
也可使用其它LC聚合物。预计在表现更强相互作用并有助于相邻聚合物链间的电荷载流子链间跳动的物质中有更高的迁移率。得到高迁移率最有利的取向，是其中π-π堆积的方向是在与摩擦方向垂直的膜平面中优先取向的结构。这将需要二轴性液晶聚合物，它在与聚合物骨架的取向方向平行的平面中表现各向异性和分子的优选取向(参见例如，A.M.Donald，A.H.Windle，Liquid Crystalline Polymers，Cambridge Solid State ScienceSeries，ed.R.W.Cahn，E.A.Davis，I.M.Ward，Cambridge University Press，Cambridge，UK(1992))。
产生沿聚合物链的更高程度取向和更长相关长度的LC聚合物也有望产生更高的迁移率(M.Grell，et al.，Macromolecules 32，5810(1999))。
为了允许从源-漏电极有效地注入空穴，LC聚合物应具有足够低的电离电位，优选地低于5.5eV，这与常规源-漏电极材料如无机金属电极(金、铂、铝等)或导电聚合物如PEDOT的功函数很好地相匹配。
适用于这种TFT制造方法的其它类型的分子是具有形成圆盘中间相的柔性侧链的圆盘形共轭分子。可以沿1维列堆积得到高电荷载流子迁移率(D.Adam，et al.，Nature 371，141(1994))。在一些圆盘状分子如六苯并苯(HBC)(P.Herwig，et al.，Adv.Mater.8，510(1996))中，这些列倾向于在膜平面中取向，使得可以在面内晶体管传输中利用沿这些列的高迁移率(图8)。HBC在极性溶剂中也具有低溶解性。采用取向层使圆盘状分子取向的技术已被开发(Mori，Hiroyuki，European patent application 94116645.6；Kamada，et al.，European patent application 94114956.9)。
可以对器件结构进行多种变更。可以在LC聚合物的淀积/和取向之后淀积源/漏电极(图9a)。这将利于电荷载流子在源/漏电极的注入，并改善聚合物在电极附近的取向。无论是在单层(图9c)或双层(图9b)结构的传统底栅型结构中，取向层都可以用作栅绝缘物本身。在后者中第二绝缘层还提供额外的介电强度。由于活性界面的缺陷，底栅型结构中不太适合用机械摩擦形成取向层，但适合用其它取向技术如光取向。
根据本发明的聚合物TFT可以用在聚合物TFT逻辑电路(C.Drury，etal.，APL 73，108(1998))中或在高分辨的有源矩阵显示器中用作象素驱动晶体管(H.Sirringhuas et at.，Science 280，1741(1998))。这些显示器的例子有有源矩阵LED显示器、液晶显示器(LCD)或电泳显示器。比各向同性膜的迁移率大的沿聚合物链的优选单轴取向的方向上的电荷载流子迁移率可以用来提高动作速度和TFT的驱动电流能力。
下面说明选择用于上述用途的半导体聚合物的一些优选情况。
优选地，聚合物应在300℃以下，更优选为200/150℃以下的温度下在取向层上形成单畴。为了注入电荷载流子和获得稳定的TFT特性，材料的电离电势应优选为5.8eV以下，更优选为5.5eV以下，最优选为5.1eV以下。
优选地，聚合物应具有良好的稳定性，以防止在高温退火步骤中与空气(氧、水)等化学反应。聚合物的电离电势应优选为4.9eV以上，更优选为5.1eV以上。TFT的开-关电流切换比应大于103，更优选地，大于104，开启栅电压V0应小于-30V，更优选地，小于-10V。
获得良好的环境稳定性和高迁移率的一类优选材料是包含规则的A段和B段的序列的A-B刚性杆嵌段共聚物。合适的A段是具有高带隙(例如大于2.5eV)的结构整齐的梯形部分(moieties)，其作为均聚物具有大于5.5eV的高电离电势和良好的环境稳定性。这些特征优选为独立的并相互结合。合适的A段的例子为芴衍生物(例如在US 5777070中公开的那些)、茚并芴衍生物、或亚苯基的或梯形亚苯基的衍生物(例如在J.Grimmeet.Al.，Adv.Mat.7，292(1995)中公开的那些)。合适的B段是具有低带隙(例如小于2.5eV)、含异类原子如硫或氮，以及作为均聚物具有小于5.5eV的高电离电势的空穴传输部分。这些特征优选为独立的并相互结合。合适的空穴传输B段的例子为噻吩衍生物、或三芳基胺衍生物。B段的作用是减小段共聚物的电离电势。嵌段共聚物的电离电势优选为4.9eV≤IP≤5.5eV。这些共聚物的例子是F8T2(电离电势5.5eV)或TFB(US 5777070)
除了空穴传输半导体聚合物之外，还可以使用可溶的电子传输材料。它们需要大于3eV、优选为大于3.5eV的高的电子亲和力，以防止残余的空气杂质如氧成为载流子陷阱。具有电离电势大于5.5eV结构整齐的梯形A段、和把共聚物的电子亲和力提高到大于3eV、优选大于3.5eV的B段的AB型嵌段共聚物是优选的。合适的A段的例子为芴衍生物(例如在US5777070中公开的那些)、茚并芴衍生物、或亚苯基的或梯形亚苯基的衍生物(例如在J.Grimme et.Al.，Adv.Mat.7，292(1995)中公开的那些)。合适的空穴传输B段的例子为苯硫二唑(benzothiadiazole)衍生物(例如在US 5777070中公开的那些)、三嵌萘苯(perylene)衍生物、萘四羧偶氮(naphthalenetetracarboxylic diimide)衍生物或氟化噻吩衍生物。这些嵌段共聚物中的一些(F8、F8T2)在高温下形成液晶相，而另一些如TFB不形成LC相。在顶栅型器件结构中已得到0.002cm2/Vs的TFB场效应迁移率。已经发现，在TFB的情形中，200-290℃即玻璃转变温度以上的温度下的退火步骤和之后的快速淬火提高迁移率和阈值电压稳定性。尽管在TFB的情形中检测不到LC转变，这种顶栅型TFB器件的提高可归因于在聚合物制备成无定形玻璃态时，结构缺陷如晶畴边界处的电荷捕获的减少。
总而言之，基于多聚芴的嵌段共聚物是迄今尚未在聚合物晶体管器件中应用的大有作为的一类新的共轭聚合物。由于上述的原因，基于多聚芴的嵌段共聚物是用于上述的器件的取向的半导体层的一类优选材料。
本发明可明显地或不明显地包含在此披露的任何特征或其组合，不管它是否涉及现在要保护的范围。基于上面的描述，本领域技术人员可以在本发明的范围内做出种种变更。

Claims (37)

1.一种形成具有源电极、漏电极、含聚合物的半导体活性层、栅绝缘体层和栅电极的晶体管的方法，该方法包括：通过使聚合物形成液晶相而使聚合物链取向在一个平面内，源和漏电极被设置成使得当在源和漏电极两端加电压时，在源和漏电极之间电流流动的方向在该平面内。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述液晶相是向列相或近晶相。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述使聚合物形成液晶相的步骤包括加热该聚合物。
4.如权利要求3所述的方法，包括在所述加热之后使聚合物淬火的步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述淬火步骤是用于使聚合物形成非晶玻璃态。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物链被取向在所述电流方向上。
7.如权利要求1所述的方法，包括使所述聚合物淀积到能诱导所述聚合物取向的取向层之上。
8.如权利要求1所述的方法，包括所述通过对衬底机械摩擦形成取向层的步骤。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物是半导体聚合物。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物是多毛-杆液晶聚合物。
11.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物是刚性杆液晶聚合物。
12.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物是共轭聚合物。
13.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体聚合物是多聚芴均聚物或基于多聚芴的共聚物。
14.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体聚合物是多聚芴均聚物或基于多聚芴的嵌段共聚物。
15.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体聚合物是聚-9，9-二辛基芴或聚-9，9-二辛基芴-共-二噻吩。
16.如权利要求1所述的方法，包括由溶液淀积半导体聚合物的步骤。
17.如权利要求1所述的方法，包括通过在用溶液加工的聚合物层之上用溶液淀积第二聚合物层来形成晶体管的活性界面的步骤，其中用溶液加工的聚合物层在第二聚合物层淀积之前尚未转化成不溶的形式。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第二聚合物层形成晶体管的栅绝缘体。
19.如权利要求17所述的方法，其中，所述第二聚合物层包含聚乙烯苯酚。
20.如权利要求17所述的方法，其中，所述半导体活性层是所述用溶液加工的聚合物层。
21.如权利要求17所述的方法，其中，所述用溶液加工的聚合物层在非极性有机溶剂中可溶，但在极性溶剂中不溶。
22.如权利要求21所述的方法，其中，所述第二聚合物层从极性有机溶剂中淀积，其中所述用溶液加工的聚合物层是不可溶的。
23.如权利要求17所述的方法，其中，所述第二聚合物层的溶液淀积在所述取向步骤之后进行。
24.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物链以单轴取向排列。
25.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物链以单轴、单畴取向排列。
26.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物链在局部平行取向的畴中取向。
27.一种具有源电极、漏电极、半导体活性层、栅绝缘体层和栅电极的电子器件，所述半导体活性层包含聚合物，其中，通过使聚合物形成液晶相而使聚合物链取向在一个平面内，源和漏电极被设置成使得当在源和漏电极两端加电压时，在源和漏电极之间电流流动的方向在该平面内。
28.一种逻辑电路，包含权利要求27中所述的晶体管电子器件。
29.如权利要求28中所述的逻辑电路，包含至少一个光学器件。
30.一种有源矩体显示器，包含权利要求28中所述的晶体管电子器件。
31.一种如权利要求27所述的聚合物晶体管电子器件。
32.如权利要求27所述的电子器件，其中所述器件是晶体管。
33.如权利要求32所述的电子器件，其中所述器件是薄膜晶体管。
34.如权利要求32所述的电子器件，其中已使所述晶体管的沟道取向为与取向聚合物链的方向基本上平行。
35.如权利要求27所述的电子器件，包括直接在活性层之下的取向层。
36.如权利要求27所述的电子器件，其中所述聚合物是半导体聚合物。
37.如权利要求27所述的电子器件，其中所述聚合物处于非晶玻璃态。
CNB008107955A 1999-06-21 2000-06-21 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物 Expired - Lifetime CN100461486C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9914489.1 1999-06-21
GBGB9914489.1A GB9914489D0 (en) 1999-06-21 1999-06-21 Transistors
GBGB9928435.8A GB9928435D0 (en) 1999-06-21 1999-12-01 Aligned polymers
GB9928435.8 1999-12-01

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710106579XA Division CN101106179B (zh) 1999-06-21 2000-06-21 用于形成晶体管的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1364323A CN1364323A (zh) 2002-08-14
CN100461486C true CN100461486C (zh) 2009-02-11

Family

ID=26315688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB008107955A Expired - Lifetime CN100461486C (zh) 1999-06-21 2000-06-21 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物

Country Status (8)

Country Link
US (4) US6723394B1 (zh)
EP (1) EP1192676A1 (zh)
JP (1) JP5167569B2 (zh)
CN (1) CN100461486C (zh)
AU (1) AU777444B2 (zh)
BR (1) BR0011888A (zh)
CA (1) CA2374236C (zh)
WO (1) WO2000079617A1 (zh)

Families Citing this family (231)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100461486C (zh) * 1999-06-21 2009-02-11 剑桥企业有限公司 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
GB9930217D0 (en) * 1999-12-21 2000-02-09 Univ Cambridge Tech Solutiion processed transistors
AU781584B2 (en) * 1999-12-21 2005-06-02 Flexenable Limited Solution processed devices
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
GB0024294D0 (en) * 2000-10-04 2000-11-15 Univ Cambridge Tech Solid state embossing of polymer devices
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
GB2373095A (en) * 2001-03-09 2002-09-11 Seiko Epson Corp Patterning substrates with evaporation residues
GB0111423D0 (en) * 2001-05-10 2001-07-04 Koninkl Philips Electronics Nv An electronic device including a thin film transistor
EP2315289A3 (en) * 2001-05-23 2011-09-28 Plastic Logic Limited Laser patterning of devices
US20040253836A1 (en) * 2001-07-09 2004-12-16 Henning Sirringhaus Low melting point alignment
KR20030010508A (ko) 2001-07-25 2003-02-05 메르크 파텐트 게엠베하 모노-, 올리고- 및 폴리-4-플루오로티오펜 및 전하 이동물질로서의 이들의 용도
US6824706B2 (en) 2001-07-25 2004-11-30 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrank Haftung Mono-, Oligo- and poly-difluorovinyl-(hetero)arylenes, their synthesis and their use as charge transport materials
DE60229090D1 (de) 2001-07-25 2008-11-13 Merck Patent Gmbh Mono-, Oligo and Poly-3-(1,1-difluoroalkyl)thiophene und ihre Verwendung als Ladungstransportmaterial
DE60235679D1 (de) 2001-08-17 2010-04-29 Merck Patent Gmbh Konjugierte Copolymere aus Dithienothiophen und Vinylen oder Acetylen
TWI245795B (en) 2001-08-17 2005-12-21 Merck Patent Gmbh Mono-, oligo- and polyalkylidenefluorenes and their use as charge transport materials
GB0122022D0 (en) * 2001-09-12 2001-10-31 Univ Cambridge Tech Aligned discotic liquid crystals for devices
ATE473251T1 (de) 2001-09-29 2010-07-15 Merck Patent Gmbh Mono-, oligo- und polymere aus benzo(b)thiophen und 2,2'-bisbenzothiophen und ihre verwendung als ladungstransportmaterial
DE10151036A1 (de) * 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
US6946676B2 (en) * 2001-11-05 2005-09-20 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with polymeric interface
GB0126757D0 (en) * 2001-11-07 2002-01-02 Univ Cambridge Tech Organic field effect transistors
US7482620B2 (en) * 2001-11-30 2009-01-27 Acreo Ab Electrochemical device
DE60204205T2 (de) 2001-12-10 2006-02-02 Merck Patent Gmbh Oligomere und Polymere enthaltend eine 2,6-azulene Gruppe und ihre Verwendung als Ladungstransport Materialien
JP2004002288A (ja) 2001-12-13 2004-01-08 Merck Patent Gmbh オキサジアゾール誘導体並びに電荷移動および発光材料としてのこの使用
CA2469912A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-26 Avecia Limited Organic field effect transistor with an organic dielectric
DE10257711B4 (de) 2001-12-27 2019-09-26 Merck Patent Gmbh Polymerisierbare monocyclische Verbindungen enthaltende Flüssigkristallmischungen
JP2003234473A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Canon Inc 有機半導体素子の製造方法
AU2003207185A1 (en) 2002-02-08 2003-09-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic semiconductor structure, process for producing the same, and organic semiconductor device
JP4572501B2 (ja) * 2002-02-27 2010-11-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法
US7847284B2 (en) 2002-03-26 2010-12-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic semiconductor material, organic semiconductor structure, and organic semiconductor device
ATE328050T1 (de) 2002-04-24 2006-06-15 Merck Patent Gmbh Reaktive mesogene benzodithiophene
JP5016190B2 (ja) * 2002-05-02 2012-09-05 株式会社イデアルスター 線状素子及びその製造方法
JP4144271B2 (ja) 2002-07-09 2008-09-03 住友化学株式会社 高分子薄膜およびそれを用いた高分子薄膜素子
US7118692B2 (en) 2004-10-04 2006-10-10 Air Products And Chemicals, Inc. Substituted thienothiophene monomers and conducting polymers
GB2391385A (en) * 2002-07-26 2004-02-04 Seiko Epson Corp Patterning method by forming indent region to control spreading of liquid material deposited onto substrate
US6784017B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-31 Precision Dynamics Corporation Method of creating a high performance organic semiconductor device
TWI297553B (zh) * 2002-08-28 2008-06-01 Ind Tech Res Inst
JP4867168B2 (ja) 2002-09-05 2012-02-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法
EP1411563B1 (en) 2002-10-15 2010-12-29 Merck Patent GmbH Use of poly-3,3"-dialkyl-2,2':5',2"-terthiophenes in a field effect transistor
US6890868B2 (en) 2002-10-17 2005-05-10 Xerox Corporation Process for depositing gelable composition that includes dissolving gelable composition in liquid with agitating to disrupt gelling
US6803262B2 (en) 2002-10-17 2004-10-12 Xerox Corporation Process using self-organizable polymer
GB0226010D0 (en) * 2002-11-08 2002-12-18 Cambridge Display Tech Ltd Polymers for use in organic electroluminescent devices
EP1852922A3 (en) * 2002-12-04 2010-03-10 Merck Patent GmbH Mono-, oligo- and poly-bis(thienyl)arylenes and their use as charge transport materials
EP1434281A3 (en) * 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
GB0301089D0 (en) * 2003-01-17 2003-02-19 Plastic Logic Ltd Active layer islands
TW200413803A (en) * 2003-01-30 2004-08-01 Ind Tech Res Inst Organic transistor array substrate and its manufacturing method, and LCD including the organic transistor array substrate
EP1450420A1 (en) * 2003-02-24 2004-08-25 Sony International (Europe) GmbH Discotic liquid crystal based electronic device using interdigit structure electrode
ATE432306T1 (de) * 2003-03-07 2009-06-15 Merck Patent Gmbh Fluorene und arylgruppen enthaltende mono-, oligo-und polymere
TW582059B (en) * 2003-03-11 2004-04-01 Ind Tech Res Inst Organic component, method for forming organic semiconductor layer with aligned molecules, and method for forming organic component
KR100995451B1 (ko) * 2003-07-03 2010-11-18 삼성전자주식회사 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
JP4325479B2 (ja) * 2003-07-17 2009-09-02 セイコーエプソン株式会社 有機トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法
DE602004016858D1 (de) 2003-08-06 2008-11-13 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von regioregulären polymeren
WO2005022660A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機半導体膜、それを用いた電子デバイス、およびそれらの製造方法
JP2005136383A (ja) * 2003-10-09 2005-05-26 Canon Inc 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
KR101001471B1 (ko) * 2003-10-10 2010-12-14 삼성전자주식회사 표면요철구조에 의해 향상된 전하 이동도를 갖는 유기박막트랜지스터
US7465955B2 (en) 2003-11-11 2008-12-16 Panasonic Corporation Thin-film transistor and method of fabricating same
JP4415653B2 (ja) * 2003-11-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
KR101007787B1 (ko) 2003-12-08 2011-01-14 삼성전자주식회사 퀴녹살린환을 주쇄에 포함하는 유기박막 트랜지스터용유기반도체 고분자
KR101002332B1 (ko) 2003-12-30 2010-12-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
GB0400997D0 (en) * 2004-01-16 2004-02-18 Univ Cambridge Tech N-channel transistor
JP2005268449A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Asahi Kasei Corp 縮合多環芳香族化合物薄膜の改質方法，縮合多環芳香族化合物薄膜，及び有機半導体素子
US6930322B1 (en) * 2004-03-26 2005-08-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Combination insulator and organic semiconductor formed from self-assembling block co-polymers
TWI229383B (en) * 2004-04-13 2005-03-11 Ind Tech Res Inst The muti-passivation layers for organic thin film transistor
GB0410921D0 (en) * 2004-05-14 2004-06-16 Plastic Logic Ltd Self-aligned active layer island
JP2006005036A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Sony Corp 有機化合物結晶及び電界効果型トランジスタ
JP2006008454A (ja) 2004-06-25 2006-01-12 Fuji Xerox Co Ltd 炭素微粒子構造体とその製造方法、およびこれを製造するための炭素微粒子転写体と炭素微粒子構造体製造用溶液、並びに炭素微粒子構造体を用いた炭素微粒子構造体電子素子とその製造方法、そして集積回路
KR101069519B1 (ko) 2004-07-08 2011-09-30 삼성전자주식회사 올리고티오펜과 ｎ-형 방향족 화합물을 주쇄에 교호로 포함하는 유기 반도체 고분자
DE102004036971B4 (de) * 2004-07-30 2009-07-30 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Technik zur Bewertung lokaler elektrischer Eigenschaften in Halbleiterbauelementen
KR101001441B1 (ko) 2004-08-17 2010-12-14 삼성전자주식회사 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기절연체 조성물
US20060044500A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Organic thin film, method of producing the same, and field effect transistor using the same
EP1831205A4 (en) * 2004-09-14 2010-12-01 Univ Northwestern CARBONYL-FUNCTIONALIZED THIOPHENE-BASED COMPOUNDS AND ASSOCIATED DEVICE STRUCTURES
KR100691319B1 (ko) * 2004-09-15 2007-03-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
US7211824B2 (en) * 2004-09-27 2007-05-01 Nitto Denko Corporation Organic semiconductor diode
US7094365B2 (en) 2004-10-04 2006-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Pentafluorosulfanyl-substituted thienothiophene monomers and conducting polymers
US7060846B2 (en) 2004-10-04 2006-06-13 Air Products And Chemicals, Inc. Pentafluorosulfanyl-substituted thienothiophene monomers and conducting polymers
JP5588096B2 (ja) 2004-10-11 2014-09-10 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 極性半導体正孔輸送材料
GB0423006D0 (en) 2004-10-15 2004-11-17 Cambridge Display Tech Ltd Organic transistor
KR101224708B1 (ko) 2004-10-19 2013-01-21 삼성전자주식회사 (올리고티오펜-아릴렌) 유도체 및 이를 이용한유기박막트랜지스터
US7291522B2 (en) * 2004-10-28 2007-11-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor devices and methods of making
JP4341529B2 (ja) * 2004-11-05 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器
JP2006165533A (ja) * 2004-11-11 2006-06-22 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
WO2006051874A1 (ja) 2004-11-11 2006-05-18 Mitsubishi Chemical Corporation 電界効果トランジスタ
KR101151082B1 (ko) * 2004-11-29 2012-06-01 삼성전자주식회사 스타형 (올리고티오펜-아릴렌) 유도체 및 이를 이용한유기박막 트랜지스터
JP4966203B2 (ja) 2004-12-24 2012-07-04 シーディーティー オックスフォード リミテッド 発光装置
KR100730127B1 (ko) * 2005-01-29 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시장치
JP2006232898A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Ricoh Co Ltd 導電性高分子材料、それを用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2006232986A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Mitsubishi Chemicals Corp 導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ
US7619242B2 (en) * 2005-02-25 2009-11-17 Xerox Corporation Celluloses and devices thereof
KR101133767B1 (ko) 2005-03-09 2012-04-09 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP4922563B2 (ja) * 2005-03-14 2012-04-25 株式会社リコー 有機薄膜トランジスタ
JP4349307B2 (ja) * 2005-03-16 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 有機半導体装置の製造方法、有機半導体装置、電子デバイスおよび電子機器
GB2424421A (en) * 2005-03-22 2006-09-27 Seiko Epson Corp Dedoping of organic semiconductors
JP2006303423A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
KR20060116534A (ko) * 2005-05-10 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 구비한 평판 표시장치
JP2006352083A (ja) * 2005-05-18 2006-12-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜トランジスタ及びアクティブマトリックス表示装置
JP4910314B2 (ja) * 2005-06-13 2012-04-04 ソニー株式会社 機能性分子素子及び機能性分子装置
KR101139038B1 (ko) 2005-06-28 2012-05-02 삼성전자주식회사 피리미도피리미딘 유도체 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터
KR100786947B1 (ko) * 2005-06-30 2007-12-17 주식회사 엘지화학 파이렌 유도체 및 파이렌 유도체를 이용한 유기전자소자
ATE509055T1 (de) 2005-08-16 2011-05-15 Merck Patent Gmbh Verfahren zur polymerisation von thiophen- oder selenophenderivaten
EP1754736B1 (en) 2005-08-16 2011-05-11 Merck Patent GmbH Process for the polymerisation of thiophene or selenophene derivatives
TWI405789B (zh) * 2005-08-30 2013-08-21 Ricoh Co Ltd 芳基胺聚合物與有機薄膜電晶體
JP4860980B2 (ja) * 2005-10-20 2012-01-25 ローム株式会社 モータ駆動回路およびそれを用いたディスク装置
US20080275212A1 (en) 2005-11-24 2008-11-06 Martin Heeney Process of Preparing Regioregular Polymers
DE602006020322D1 (de) 2005-11-24 2011-04-07 Merck Patent Gmbh Regioreguläre polyselenophene
WO2007120312A2 (en) * 2005-12-15 2007-10-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Sensing devices from molecular electronic devices
US20070292601A1 (en) * 2005-12-15 2007-12-20 Colin Nuckolls Thin Film Devices Utilizing Hexabenzocoronenes
DE102006055067B4 (de) 2005-12-29 2017-04-20 Lg Display Co., Ltd. Organische Dünnfilmtransistoren und Verfahren zu deren Herstellung
KR101186740B1 (ko) 2006-02-17 2012-09-28 삼성전자주식회사 뱅크형성 방법 및 이에 의해 형성된 뱅크를 함유하는 유기박막 트랜지스터
CN100555702C (zh) * 2006-04-29 2009-10-28 中国科学院长春应用化学研究所 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
KR101249097B1 (ko) * 2006-05-04 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기절연막 조성물, 유기절연막의 형성방법 및 이에 의해형성된 유기절연막을 함유하는 유기박막 트랜지스터
US20070264747A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-15 Kuo-Hsi Yen Patterning process and method of manufacturing organic thin film transistor using the same
KR20080006316A (ko) * 2006-07-12 2008-01-16 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터와 그의 제조 방법
WO2008015426A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Cambridge Display Technology Limited Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
CN101501080B (zh) * 2006-08-04 2011-05-11 三菱化学株式会社 绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚
JP5121355B2 (ja) * 2006-08-25 2013-01-16 住友化学株式会社 有機薄膜の製造方法
KR101314931B1 (ko) 2006-10-30 2013-10-04 삼성전자주식회사 유기 고분자 반도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 양극성 유기 박막 트랜지스터
ITBO20060771A1 (it) * 2006-11-13 2008-05-14 Alma Mater Studiorum Uni Di Bologna Metodo per il trattamento di un materiale, materiale trattato cosi' ottenuto e dispositivi contenenti tale materiale
KR101249090B1 (ko) 2006-11-14 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기 절연막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 유기절연막
US7850382B2 (en) * 2007-01-18 2010-12-14 Sanford, L.P. Valve made from two materials and writing utensil with retractable tip incorporating same
KR101430260B1 (ko) 2007-01-24 2014-08-14 삼성전자주식회사 티아졸 함유 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및 이를이용한 유기박막트랜지스터
US7488130B2 (en) * 2007-02-01 2009-02-10 Sanford, L.P. Seal assembly for retractable instrument
JP2008235435A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ricoh Co Ltd π共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法
KR20080101229A (ko) 2007-05-16 2008-11-21 삼성전자주식회사 액정성을 가지는 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및이를 이용한 유기박막트랜지스터
JP5223294B2 (ja) * 2007-10-26 2013-06-26 株式会社リコー 有機薄膜トランジスタの製造方法
KR101377924B1 (ko) 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-올리고아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
KR101377842B1 (ko) 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-바이아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
GB2456298A (en) 2008-01-07 2009-07-15 Anthony Ian Newman Electroluminescent materials comprising oxidation resistant fluorenes
JP2009200479A (ja) * 2008-01-22 2009-09-03 Dainippon Printing Co Ltd 有機半導体素子の製造方法
GB0802916D0 (en) 2008-02-18 2008-03-26 Newman Anthony I Materials
US8226312B2 (en) * 2008-03-28 2012-07-24 Sanford, L.P. Valve door having a force directing component and retractable instruments comprising same
WO2010020329A1 (en) 2008-08-18 2010-02-25 Merck Patent Gmbh, Indacenodithiophene and indacenodiselenophene polymers and their use as organic semiconductors
KR101640620B1 (ko) 2008-09-19 2016-07-18 메르크 파텐트 게엠베하 벤조비스(실로로티오펜) 유래 중합체 및 그의 유기 반도체로서의 용도
EP2331600A1 (en) 2008-09-19 2011-06-15 Merck Patent GmbH Polymers derived from bis(thienocyclopenta)benzothiadiazole and their use as organic semiconductors
US8221012B2 (en) 2008-11-07 2012-07-17 Sanford, L.P. Retractable instruments comprising a one-piece valve door actuating assembly
EP2359420A1 (en) * 2008-12-18 2011-08-24 Imec Methods for controlling the crystalline nanofibre content of organic layers used in organic electronic devices
US8393814B2 (en) 2009-01-30 2013-03-12 Sanford, L.P. Retractable instrument having a two stage protraction/retraction sequence
US20120232238A1 (en) * 2009-08-03 2012-09-13 The Johns Hopkins University Ladder-type oligo-p-phenylene-containing copolymers with high open-circuit voltages and ambient photovoltaic activity
GB2485127A (en) 2009-08-12 2012-05-02 Merck Patent Gmbh Phenanthro [1,10,9,8-C,D,E,F,G] carbazole polymers and their use as organic semiconductors
JP5799498B2 (ja) 2009-12-04 2015-10-28 ソニー株式会社 セパレータおよび電池
EP2536700B1 (en) 2010-02-15 2019-10-02 Merck Patent GmbH Semiconducting polymers
CN103097429B (zh) 2010-03-24 2015-05-27 默克专利股份有限公司 8,9-二氢苯并[def]咔唑的聚合物及其作为有机半导体的用途
SG184448A1 (en) 2010-04-19 2012-11-29 Merck Patent Gmbh Polymers of benzodithiophene and their use as organic semiconductors
CN102985428A (zh) 2010-07-08 2013-03-20 默克专利股份有限公司 半导体聚合物
KR101837791B1 (ko) 2010-08-13 2018-04-19 메르크 파텐트 게엠베하 안트라[2,3-b:7,6-b']디티오펜 유도체 및 유기 반도체로서의 이의 용도
TW201212320A (en) * 2010-09-01 2012-03-16 Nat Univ Chung Cheng Organic field effect transistor with block copolymer layer
DE112011102915T5 (de) 2010-09-04 2013-07-11 Merck Patent Gmbh Konjugierte Polymere
JP2013544755A (ja) 2010-09-10 2013-12-19 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング アントラ［２，３−ｂ：７，６−ｂ’］ジチオフェン誘導体および有機半導体としてのそれらの使用
DE112011103524T5 (de) 2010-10-20 2013-10-17 Merck Patent Gmbh Konjugierte Polymere
KR20130124347A (ko) 2010-12-06 2013-11-13 메르크 파텐트 게엠베하 비선형 아센 유도체 및 이의 유기 반도체로서의 용도
SG191179A1 (en) 2010-12-17 2013-07-31 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers
KR20140011325A (ko) 2011-01-28 2014-01-28 메르크 파텐트 게엠베하 플라반트렌 유도체 및 유기 반도체로서의 이의 용도
KR20140011375A (ko) 2011-03-11 2014-01-28 메르크 파텐트 게엠베하 디나프토［２,３-ａ：２’,３’-ｈ］페나진 및 유기 반도체로서의 이의 용도
JP2014515043A (ja) 2011-03-11 2014-06-26 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 共役ポリマー
EP2689428A1 (en) 2011-03-25 2014-01-29 Merck Patent GmbH Pyrrolo[3,2-b]pyrrole-2,5-diones and their use as organic semiconductors
JP2014517853A (ja) 2011-04-18 2014-07-24 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 共役ポリマー
JP2014513743A (ja) 2011-05-16 2014-06-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 共役ポリマー
US8963131B2 (en) * 2011-06-13 2015-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device
US10186661B2 (en) 2015-03-02 2019-01-22 The Regents Of The University Of California Blade coating on nanogrooved substrates yielding aligned thin films of high mobility semiconducting polymers
US9573158B2 (en) * 2014-01-03 2017-02-21 The Regents Of The University Of California High mobility polymer thin-film transistors with capillarity-mediated self-assembly
JP6301830B2 (ja) 2011-06-28 2018-03-28 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 有機半導体としてのインダセノ誘導体
KR20140068009A (ko) 2011-07-08 2014-06-05 메르크 파텐트 게엠베하 공액 중합체
BR112014001176A2 (pt) 2011-07-19 2017-01-10 Merck Patent Gmbh semicondutores orgânicos
EP2734527B1 (en) 2011-07-21 2018-01-10 Merck Patent GmbH Conjugated polymers
US20140319428A1 (en) 2011-07-27 2014-10-30 Merck Patent Gmbh Small molecules and their use as organic semiconductors
WO2013045014A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers
IN2014KN01048A (zh) 2011-10-20 2015-10-09 Merck Patent Gmbh
CN104136484B (zh) 2012-02-15 2017-02-22 默克专利股份有限公司 共轭聚合物
WO2013120591A2 (en) 2012-02-15 2013-08-22 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers
CN104114599A (zh) 2012-02-16 2014-10-22 默克专利股份有限公司 有机半导体聚合物
TWI635111B (zh) 2012-03-16 2018-09-11 馬克專利公司 共軛聚合物
EP2841484B1 (en) 2012-04-25 2021-02-10 Flexenable Limited Conjugated polymers
JP6345649B2 (ja) 2012-04-25 2018-06-20 メルク パテント ゲーエムベーハー 共役ポリマー
EA027806B1 (ru) * 2012-05-25 2017-09-29 Джонсон Мэтью Плс Способ печати капель жидкого кристалла для лазерных резонаторов на жидком полимерном растворе и устройство, получаемое указанным способом
JP2015529689A (ja) 2012-06-04 2015-10-08 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 有機半導体
EP2856529A1 (en) 2012-06-05 2015-04-08 Merck Patent GmbH Small molecules and their use as organic semiconductors
CN104395372B (zh) 2012-07-02 2017-04-05 默克专利股份有限公司 共轭聚合物
US10053542B2 (en) 2012-08-24 2018-08-21 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers
US10128441B2 (en) * 2012-09-07 2018-11-13 The Regents Of The University Of California Field-effect transistors based on macroscopically oriented polymers
WO2014039847A2 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 The Regents Of The University Of California Field-effect transistors based on macroscopically oriented polymers
EP2928939A1 (en) 2012-12-07 2015-10-14 Merck Patent GmbH Polymer comprising a naphthalene group and its use in organic electronic devices
EP2935427B1 (en) 2012-12-18 2018-12-26 Merck Patent GmbH Polymer comprising a thiadiazol group, the production of such polymer and its use in organic electronic devices
CN103022356A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 青岛艾德森能源科技有限公司 一种有机薄膜晶体管
JP6438946B2 (ja) 2013-06-21 2018-12-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 共役ポリマー
CN105359288B (zh) 2013-07-31 2017-09-12 富士胶片株式会社 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、电子纸及显示器件
EP3044217B1 (en) 2013-09-11 2019-03-13 Merck Patent GmbH Cyclohexadiene fullerene derivatives
CN104513262A (zh) 2013-09-30 2015-04-15 默克专利股份有限公司 氮杂硼杂苯衍生物,它们的合成及其在有机电子器件中的用途
JP6588429B2 (ja) 2013-10-22 2019-10-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 共役系ポリマー
KR20160084844A (ko) 2013-11-06 2016-07-14 메르크 파텐트 게엠베하 공액 중합체
CN105764957B (zh) 2013-11-28 2020-04-21 默克专利股份有限公司 包含噻吩单元的多环聚合物、这类聚合物的生产方法和用途
JP2017510066A (ja) 2014-02-19 2017-04-06 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ メトキシアリール表面改質剤およびかかるメトキシアリール表面改質剤を含む有機電子デバイス
EP3119776B1 (en) 2014-03-17 2019-12-11 Merck Patent GmbH Organic semiconducting compounds
CN106458815B (zh) 2014-03-31 2019-11-15 默克专利股份有限公司 稠合的双-芳基富勒烯衍生物
US10636974B2 (en) 2014-04-24 2020-04-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Molecular compositions, materials, and methods for efficient multiple exciton generation
EP3157895B9 (en) 2014-06-17 2022-03-30 Nano-C, Inc. Fullerene derivatives for organic semiconductors
US9914742B2 (en) 2014-07-29 2018-03-13 Merck Patent Gmbh Tetra-heteroaryl indacenodithiophene-based polycyclic polymers and their use
US10326090B2 (en) 2014-09-30 2019-06-18 Merck Patent Gmbh Semiconductor composition comprising an inorganic semiconducting material and an organic binder
EP3070756B9 (en) 2015-03-18 2021-11-03 Raynergy Tek Inc. Semiconductor mixtures comprising nanoparticles
JP6562398B2 (ja) * 2015-03-19 2019-08-21 三菱ケミカル株式会社 半導体デバイス、太陽電池、太陽電池モジュール、及び組成物
EP3294795B1 (en) 2015-05-12 2020-11-25 Flexenable Limited Thiadiazolopyridine polymers, their synthesis and their use
EP3332432B1 (en) 2015-08-06 2019-08-21 Merck Patent GmbH Organic electronic device and the production of organic electronic devices
US11130837B2 (en) 2016-03-15 2021-09-28 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconductors
US20190088891A1 (en) 2016-03-15 2019-03-21 Merck Patent Gmbh Organic semiconductors
WO2018007479A1 (en) 2016-07-08 2018-01-11 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
US20200115387A1 (en) 2016-07-08 2020-04-16 Merck Patent Gmbh Organic semiconductors
KR102436596B1 (ko) 2016-08-11 2022-08-25 메르크 파텐트 게엠베하 테트라아자피렌 코어를 포함하는 유기 반도체성 화합물
WO2018029160A1 (en) 2016-08-11 2018-02-15 Merck Patent Gmbh Method to achieve efficient charge injection for electron and/or hole transport in semiconducting layers
WO2018033241A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Innovationlab Gmbh Process for the preparation of flat films with controlled surface energy
CN109563104B (zh) 2016-08-22 2023-04-04 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
WO2018041768A1 (en) 2016-08-29 2018-03-08 Merck Patent Gmbh 1,3-dithiolo[5,6-f]benzo-2,1,3-thiadiazole or 1,3-dithiolo[6,7-g]quinoxaline based organic semiconductors
EP3306690B1 (en) 2016-10-05 2022-09-07 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting compounds
EP3523836A1 (en) 2016-10-05 2019-08-14 Merck Patent GmbH Organic semiconducting compounds
BR112019004555B1 (pt) 2016-10-05 2023-04-18 Raynergy Tek Incorporation Compostos semicondutores orgânicos e seus usos, composição, heterojunção de massa, formulação, dispositivo eletrônico ou optoeletrônico, componente e montagem
US20200066998A1 (en) 2016-10-31 2020-02-27 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting componds
EP3333170B1 (en) 2016-12-06 2020-04-29 Merck Patent GmbH Asymmetrical polycyclic compounds for use in organic semiconductors
US11289663B2 (en) 2017-03-09 2022-03-29 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconducting compounds
WO2019030382A1 (en) 2017-08-11 2019-02-14 Merck Patent Gmbh ORGANIC SEMICONDUCTOR POLYMER
US20200361955A1 (en) 2017-09-13 2020-11-19 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconducting compounds
CN111315796B (zh) 2017-11-02 2023-11-24 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
CN111315797A (zh) 2017-11-10 2020-06-19 默克专利股份有限公司 有机半导体化合物
WO2019130336A1 (en) * 2017-12-27 2019-07-04 Indian Institute Of Technology, Guwahati Method for the fabrication of solution process, ultra-low operating voltage, stable organic field effect transistor
WO2019154973A1 (en) 2018-02-12 2019-08-15 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
CN112236882B (zh) 2018-03-28 2023-06-30 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
US20210070770A1 (en) 2018-03-28 2021-03-11 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting compounds
CN112368316A (zh) 2018-04-27 2021-02-12 天光材料科技股份有限公司 有机半导体聚合物
US20220131078A1 (en) 2018-07-13 2022-04-28 Flexenable Ltd Organic semiconducting compounds
CN112955456A (zh) 2018-09-06 2021-06-11 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
WO2020161052A1 (en) 2019-02-06 2020-08-13 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting polymers
WO2020178298A1 (en) 2019-03-07 2020-09-10 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting composition
US20220173321A1 (en) 2019-03-19 2022-06-02 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconductors
KR102240669B1 (ko) * 2019-05-08 2021-04-16 (주)플렉솔루션 유기 전기화학 트랜지스터 소자 및 그 제조방법
US11930694B2 (en) 2020-06-08 2024-03-12 University Of Waterloo Polymer semiconductors containing acrylyl or acrylyl-like side chain and their devices
US20220045274A1 (en) * 2020-08-06 2022-02-10 Facebook Technologies Llc Ofets having organic semiconductor layer with high carrier mobility and in situ isolation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0786820A2 (en) * 1996-01-29 1997-07-30 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6293974A (ja) * 1985-10-19 1987-04-30 Nitto Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ
CA1302675C (en) * 1986-05-20 1992-06-09 Masakazu Uekita Thin film and device having the same
US4943471A (en) * 1986-05-20 1990-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Patterned thin film and process for preparing the same
JPS63258672A (ja) 1987-04-16 1988-10-26 Nippon Paint Co Ltd ２コ−ト１ベ−ク塗装系による塗膜形成方法
US5032883A (en) 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
GB8811935D0 (en) 1988-05-20 1988-06-22 Time & Data Systems Internatio Card/badge for carrying data & reader therefor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
JP3117511B2 (ja) 1991-10-16 2000-12-18 旭硝子株式会社 塗料用組成物および塗装方法
JPH0619144A (ja) 1992-06-30 1994-01-28 Mita Ind Co Ltd 電子写真感光体およびその製造方法
GB9215929D0 (en) 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP2640083B2 (ja) 1993-09-22 1997-08-13 富士写真フイルム株式会社 光学補償シート及びそれを用いた液晶表示装置
JP3325973B2 (ja) 1993-10-22 2002-09-17 富士写真フイルム株式会社 光学異方素子およびそれを用いた液晶表示素子
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
JPH0983040A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
DE19543637A1 (de) * 1995-11-23 1997-05-28 Basf Ag Verwendung von in der plastisch-kolumnar diskotischen flüssigkristallinen Phase vorliegenden organischen Verbindungen zum Transport elektrischer Ladungen
JPH09203803A (ja) 1996-01-25 1997-08-05 Asahi Glass Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子
US5789027A (en) 1996-11-12 1998-08-04 University Of Massachusetts Method of chemically depositing material onto a substrate
JP3339334B2 (ja) 1996-12-05 2002-10-28 松下電器産業株式会社 反射型液晶表示素子
US6107117A (en) 1996-12-20 2000-08-22 Lucent Technologies Inc. Method of making an organic thin film transistor
JP3552466B2 (ja) 1997-06-12 2004-08-11 日産自動車株式会社 自動車内板用塗膜形成方法
EP0968537B1 (en) * 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
WO1999012989A1 (en) * 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Ltd. Compounds for electronic devices
EP1027723B1 (en) 1997-10-14 2009-06-17 Patterning Technologies Limited Method of forming an electric capacitor
GB2376565B (en) 1997-10-14 2003-02-05 Patterning Technologies Ltd Method of forming an electronic device
US5936259A (en) 1997-10-16 1999-08-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistor and organic semiconductor material thereof
WO1999021233A1 (en) 1997-10-17 1999-04-29 The Regents Of The University Of California Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
US5777070A (en) * 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
JP3328297B2 (ja) 1998-03-17 2002-09-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB2336839A (en) * 1998-04-30 1999-11-03 Sharp Kk Triazine Compounds And Their Use In Electrolumiescent, Electronic and Liquid Crystal Devices
US6094605A (en) * 1998-07-06 2000-07-25 Storage Technology Corporation Virtual automated cartridge system
CA2355869C (en) 1999-01-15 2009-12-08 The Dow Chemical Company Semiconducting polymer field effect transistor
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
CN100461486C (zh) 1999-06-21 2009-02-11 剑桥企业有限公司 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
EP1089596A3 (en) * 1999-09-28 2003-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Conductive liquid crystal device, and organic electroluminescence device
JP5073141B2 (ja) * 1999-12-21 2012-11-14 プラスティック ロジック リミテッド 内部接続の形成方法
AU781584B2 (en) * 1999-12-21 2005-06-02 Flexenable Limited Solution processed devices
EP1243032B1 (en) * 1999-12-21 2019-11-20 Flexenable Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
JP4633906B2 (ja) * 2000-05-23 2011-02-16 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 円偏光板および液晶表示装置
WO2002009201A1 (en) * 2000-07-24 2002-01-31 Northwestern University n-TYPE THIOPHENE SEMICONDUCTORS
DE10039232A1 (de) * 2000-08-11 2002-02-21 Basf Ag Flüssigkristalline Perylen-3,4:9,10-tetracarbonsäurediimide
US7439096B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-21 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device encapsulation
US7026643B2 (en) * 2001-05-04 2006-04-11 International Business Machines Corporation Organic n-channel semiconductor device of N,N' 3,4,9,10 perylene tetracarboxylic diimide
US20040253836A1 (en) * 2001-07-09 2004-12-16 Henning Sirringhaus Low melting point alignment
US20030227014A1 (en) 2002-06-11 2003-12-11 Xerox Corporation. Process for forming semiconductor layer of micro-and nano-electronic devices
US6784017B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-31 Precision Dynamics Corporation Method of creating a high performance organic semiconductor device
US6733883B2 (en) * 2002-09-18 2004-05-11 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Fluorinated dendrons and self-organizing ultrahigh density nanocylinder compositions
KR100572926B1 (ko) * 2002-12-26 2006-04-24 삼성전자주식회사 폴리티에닐티아졸 유도체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터
KR100995451B1 (ko) * 2003-07-03 2010-11-18 삼성전자주식회사 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
US6927108B2 (en) * 2003-07-09 2005-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Solution-processed thin film transistor formation method
US7063994B2 (en) * 2003-07-11 2006-06-20 Organic Vision Inc. Organic semiconductor devices and methods of fabrication including forming two parts with polymerisable groups and bonding the parts
US6861664B2 (en) * 2003-07-25 2005-03-01 Xerox Corporation Device with n-type semiconductor
US6867081B2 (en) * 2003-07-31 2005-03-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Solution-processed thin film transistor formation method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0786820A2 (en) * 1996-01-29 1997-07-30 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility

Also Published As

Publication number Publication date
BR0011888A (pt) 2004-03-09
EP1192676A1 (en) 2002-04-03
AU777444B2 (en) 2004-10-14
US8071180B2 (en) 2011-12-06
US20040247814A1 (en) 2004-12-09
US20070264748A1 (en) 2007-11-15
CA2374236A1 (en) 2000-12-28
WO2000079617A1 (en) 2000-12-28
JP5167569B2 (ja) 2013-03-21
CN1364323A (zh) 2002-08-14
CA2374236C (en) 2014-12-23
AU5549600A (en) 2001-01-09
US8541257B2 (en) 2013-09-24
US6723394B1 (en) 2004-04-20
US20110008929A1 (en) 2011-01-13
JP2003502874A (ja) 2003-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100461486C (zh) 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
Sirringhaus Device physics of solution‐processed organic field‐effect transistors
Kim et al. Organic TFT array on a paper substrate
Tripathi et al. Facile fabrication of large area oriented conjugated polymer films by ribbon-shaped FTM and its implication on anisotropic charge transport
US20040263739A1 (en) Progressive aligned deposition
Labram et al. In‐situ monitoring of the solid‐state microstructure evolution of polymer: fullerene blend films using field‐effect transistors
CN102144311A (zh) 用于顶栅有机薄膜晶体管的经表面处理的基板
Deng et al. Optical absorptions of polyfluorene transistors
CA2829416A1 (en) Solution processed devices
Chang et al. Organic field-effect transistor: Device physics, materials, and process
CN101106179B (zh) 用于形成晶体管的方法
CN116569668A (zh) 有机薄膜晶体管
KR101183964B1 (ko) 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 제조 방법
Horowitz Physics of Organic Field‐Effect Transistors
Newsome et al. Phase behavior of polymer semiconductor films and its influence on the mobility in FET devices
Lee et al. All-polymer FET based on simple photolithographic micro-patterning of electrically conducting polymer
Sirringhaus et al. Polymer transistor circuits fabricated by solution processing and direct printing
Buergi Henning Sirringhaus and Richard Friend Cavendish Laboratory, University of Cambridge, and Plastic Logic Ltd., Cambridge, United Kingdom Takeo Kawase Cavendish Laboratory, University of Cambridge, and Epson Cambridge
Garnier Organic-based thin-film transistors
Hamilton et al. Development of polymer semiconductors for field-effect transistor devices in displays
Lee et al. Liquid Crystal Technologies for All Organic Displays
O’Neill et al. Liquid Crystals for Organic Photovoltaics
Hsu Polymer Light Emitting Transistors: Control over Charge Injection, Recombination, and Morphology toward High Performance
Brotherton et al. Organic TFTs

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090211

CX01 Expiry of patent term