KR100730127B1 - 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 화학식 1로 표시되는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 PPV계 화합물을 제공한다:
<화학식 1>
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된, C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이고, n은 1 내지 3,000의 정수이다.
또한 화학식 1의 할로 전구체 화합물, 광염기 발생제 및 용매를 포함하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물을 제공하고, 상기 PPV계 화합물을 이용하여 제조된 버퍼층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 채용한 평판 표시장치를 제공한다. 본 발명에 실리콘 함유 PPV 전구체를 이용하여 포토리소그래피 패터닝을 함으로써 유기 TFT에서 유기 반도체층 하부에 패터닝된 버퍼층을 형성할 수 있다. 따라서 유기 TFT의 제조시에 유기 반도체층의 배향 특성이 개선되어 이동도 향상을 가져옴으로써 유기 TFT 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
도 1은 본 발명에 따른 버퍼층을 구비한 박막 트랜지스터 구조를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 미세패터닝된 버퍼층을 갖는 유기 TFT의 단면을 도식적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 버퍼층의 미세패턴 방법을 표시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 미세패터닝된 버퍼층의 배열 구조를 촬영한 사진이다.
도 5는 본 발명에 의한 미세패터닝된 버퍼층의 SEM 사진을 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 평판 표시장치 일구현예의 단면도를 도시한 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11,21:기판 12,22:버퍼층
13a,13b:소스, 드레인전극 14,24:유기 반도체층
15,25:게이트 절연막 16:게이트 전극
61:기판 62:버퍼층
63:소스/드레인 전극 64:유기 반도체층
67:패시베이션 막 69:화소정의막
71:제1전극 72:제2전극
73:발광층
본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 미세패턴이 가능한 버퍼층 형성용 조성물을 사용하여 유기 반도체의 배열을 향상시킨 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 또는 무기 전계 발광 디스플레이 소자 등 평판 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하, TFT라 함)는 각 픽셀의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 픽셀을 구동시키는 구동 소자로 사용된다.
이러한 TFT는 고농도의 불순물로 도핑된 소스/드레인 영역과, 이 소스/드레인 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 가지며, 이 반도체층과 절연되어 상기 채널 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 상기 소스/드레인 영역에 각각 접촉되는 소스/드레인 전극을 갖는다.
실리콘으로 형성되는 반도체층을 구비하는 기존의 실리콘 박막 트랜지스터(silicon thin film transistor)의 경우, 제조 비용이 많이 들고, 외부의 충격에 의해 쉽게 깨지며, 300℃ 이상의 고온 공정에 의해 생산되기 때문에 플라스틱 기판 등을 사용할 수 없다는 등의 문제점이 있다.
특히 액정 디스플레이 장치(LCD : liquid display device)나 전계발광 디스플레이 장치(ELD : electroluminescence display device) 등의 평판 디스플레이 장치에는 각 화소의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 각 화소의 구동 소자로 박막 트랜지스터가 사용되는 바, 이러한 평판 디스플레이 장치에 있어서 최근 요구되고 있는 대형화 및 박형화와 더불어 플렉서블(flexible) 특성을 만족시키기 위해, 기존의 글라스재가 아닌 플라스틱재 등으로 구비되는 기판을 사용하려는 시도가 계속되고 있다. 그러나 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 전술한 바와 같이 고온 공정이 아닌 저온 공정을 사용해야 한다. 따라서, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하기가 어려운 문제가 있었다.
반면, 박막 트랜지스터의 반도체층으로 유기막을 사용할 경우에는 이러한 문제점들을 해결할 수 있기 때문에, 최근 유기막을 반도체층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
그러나 유기 박막 트랜지스터의 경우, 복수개의 유기 박막 트랜지스터를 동시에 제조함에 있어서, 상기 유기 반도체층이 균일하게 형성되지 않는다는 문제점이 있었다. 유기 박막 트랜지스터들의 경우, 각 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층의 얼라인 방향이 다르게 되고, 그 결과 각 유기 박막 트랜지스터의 문턱 전압(threshold voltage) 등의 특성들이 달라지게 된다.
그 결과, 상기와 같은 방법으로 제조된 유기 박막 트랜지스터들을 이용하여 평판 디스플레이 장치 등을 제조하였을 경우, 입력된 화상신호에 따라 정확하고 선명한 화상을 만들지 못하게 되는 등의 문제점이 있었다.
미국 특허 제2004-0056588호는 폴리(파라페닐렌비닐렌) 전구체를 이용하여 우수한 광학 필름을 형성할 수 있고, 형광성이 좋고, 효율성이 우수한 유기 EL 소자를 얻을 수 있다고 개시하고 있다. 그러나 유기 반도체 배열의 향상을 위한 방법은 기재되어 있지 않다. 따라서 상기 유기 반도체의 배열향상을 위하여 버퍼층에 대한 새로운 패터닝 방법이 요구되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 유기 반도체의 배열을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 PPV계 화합물을 제공하는 것을 목적으로 하고, 할로 전구체 폴리머, 광염기 발생제 및 용매를 포함하는 버퍼층 형성용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 버퍼층 형성용 조성물을 이용하여 제조한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 박막 트랜지스터를 채용한 평판 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,
하기 화학식 1로 표시되는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 폴리파라페닐렌비닐렌(PPV)계 화합물을 제공한다:
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된, C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이고, n은 1 내지 3,000의 정수이다.
또한 본 발명은, 상기 화학식 1의 할로 전구체 화합물인 하기 화학식 2의 화합물, 광염기 발생제 (Photobase Generator) 및 용매를 포함하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물을 제공한다:
또한 본 발명은,
게이트 전극;
상기 게이트 전극과 절연된 소스 전극 및 드레인 전극;
상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층; 및
상기 화학식 1의 PPV계 화합물을 포함한 버퍼층을 구비한 박막 트랜지스터를 제공한다.
또한 본 발명은,
기판 상에 상기의 버퍼층 형성용 조성물을 도포하고, 이를 소정 패턴대로 노광 및 현상하여 패터닝된 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 접하는 유기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 유기 반도체층을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계;
및 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은,
기판 상부에 상기의 박막 트랜지스터를 채용한 평판 표시장치를 제공한다.
이하, 본 발명을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
본 발명은, 상기와 같이 미세패터닝된 버퍼층을 제조하기 위하여 하기의 화학식 1로 표시되는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 PPV계 화합물을 제공한다:
<화학식 1>
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된, C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이다. 상기 화학식은 페닐렌 골격과 에틸렌 연결기가 계속 하여 교대로 형성된 완전 공액화된 구조임을 특징으로 한다. 치환기가 대칭적인 구조를 형성하지 않을 때에는 버퍼층을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정에서 현상액에 의해 제거될 수 있기 때문에 m은 2 또는 4가 바람직하다. 상기에서 n의 값은 당업자의 필요에 따라 유동적일 수 있어 특별히 한정을 필요로 하지 아니하나, 바람직하게는 1 내지 3,000의 정수이다.
상기 폴리머의 치환기로 도입되는 실릴기는 특별한 한정을 요하지는 않으며, 치환기로 도입된 실릴기에 시클로헥실 또는 페닐 치환기와 함께 C1 내지 C20의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하는 것도 본 발명의 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 PPV계 화합물에 포함된다.
상기 화학식 1의 화합물의 바람직한 예로서 하기 화학식을 들 수 있다:
상기 식에서 n의 값은 1 내지 3,000의 정수이다.
본 발명은, 상기 화학식 1의 할로 전구체 화합물인 화학식 2의 화합물, 광염기 발생제(Photobase Generator), 및 용매를 포함하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물을 제공한다:
<화학식 2>
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된 C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이며, X는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3,000의 정수이다.
상기 광염기 발생제는 광조사에 의하여 염기를 생성할 수 있는 물질은 모두 가능하다. 구체적으로는 에스테르(-OCO)기와 질소(N)의 결합에 의하여 아민(amine)을 생성시킬 수 있는 구조를 갖는 것이 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 상기 할로 전구체 폴리머와 반응할 수 있는 광염기 발생제는 UV 등의 광조사에 의하여 염기를 생성할 수 있는 물질로서 하기 화학식 3으로 나타낼 수 있다:
상기 식에서, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C10의 알킬기, 페닐기, C1 내지 C10의 알콕시기, N(R')2기, Si(R")3기, 또는 니트로기이 고, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기이고, R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C10의 알킬기이고, 단 R1 및 R2 중 적어도 하나는 니트로기이다.
상기 광염기 발생제의 구체적인 예로서, (2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐 디페닐아민이 있다.
본 발명에서 사용되는 상기 광염기 발생제의 함량은 전구체 폴리머 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 10 중량부일 수 있다. 0.1 중량부 미만인 경우에는 함량이 미미하여 염기 발생량이 적당하지 못하고, 10 중량부를 초과하는 경우에는 발생된 염기간의 혹은 발생된 염기와 미반응된 광염기 발생제와의 부가적인 이상 반응이 발생할 수 있으므로 바람직하지 못하다.
상기 화학식 3의 광염기 발생제는 UV로 노광된 부분에서 염기가 발생되고, 발생된 염기는 상기 화학식 2인 할로 전구체 화합물의 할로겐 부분과 반응하여 염기 촉매 탈수소 할로겐화 반응을 일으킨다(E2 reaction). 이에 의하여 염기는 상기 화학식 2의 할로 전구체 폴리머를 상기 화학식 1의 공액 폴리머(conjugated polymer)로 전환시키게 된다.
상기 용매는 통상적인 유기 용매를 사용할 수 있고, 이에 제한되는 것은 아니지만, 시클로헥사논, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이 사용될 수 있고, 바람직하게는 시클로헥사논이 사용될 수 있다. 상기 용매의 함량은 전구체 폴리머 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 20 중량부, 바람직하게는 1 내지 10 중량부일 수 있다. 상기 용매의 함량이 1 중량부 미만일 경우에는 전구체 폴리머를 제대로 용해시킬 수 없으며 20중량부를 초과할 경우에는 용액의 점도가 낮아져서 바람직하지 못하다.
본 발명은, 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 절연된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층; 및 상기 PPV계 화합물을 포함한 버퍼층을 구비한 박막 트랜지스터를 제공한다.
본 발명의 일구현예에 의하면, 상기 버퍼층은 유기 반도체층의 하부에 위치할 수 있다. 또한 상기 유기 반도체층 및 상기 버퍼층이 접하는 면에서 상기 유기 반도체층의 하부에 미세패터닝된 버퍼층이 구비될 수 있다.
본 발명의 유기 박막 트랜지스터의 경우, 도 1에 도시한 바와 같이 기판(11) 상에 소정의 미세패터닝된 버퍼층(12)이 형성되고, 상기 버퍼층(12)의 상부에는 소스 전극(13a) /드레인 전극(13b)이 각각 형성된다. 상기 소스 전극(13a)/드레인 전극(13b)의 상부에는 유기 반도체층(14)이 덮이게 된다. 상기 유기 반도체층(14)은 소스/드레인 영역과, 이 소스/드레인 영역을 연결하는 채널 영역을 구비한다.
유기 반도체층(12)이 형성된 후에는 이 층을 덮도록 절연막이 형성되고, 상기 절연막 상에 소정 패턴의 게이트 전극(16)이 형성되고, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 패시베이션막(미도시)이 형성되는데, 이 패시베이션 막은 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다. 상기 미세패터닝된 버퍼층에는 상기 소스 전극(13a)에서 상기 드레인 전극(13b) 방향으로 연장되며 서로 평행한 중심축을 갖는 복수개의 미세패턴들이 형성되어 있으므로, 상기 버퍼층(12)의 상부에 구비되는 상기 유기 반도체층(14)은 얼라인 방향이 동일하도록 형성될 수 있으며, 이를 통해 동시에 제조되는 각 유기 박막 트랜지스터의 문턱 전압 등의 특성이 균일하도록 할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 미세패터닝된 버퍼층을 갖는 유기 TFT의 일구현예를 확대하여 도식적으로 나타낸 도면이다. 기판(21) 상에 유기 박막 트랜지스터의 유기 반도체층(24)을 도포함에 있어서, 상기 유기 반도체층(24)이 도포되는 면인 버퍼층(22)에 서로 평행한 미세패턴을 형성함으로써, 상기 유기 반도체층(24)이 일정한 방향으로 얼라인되도록 할 수 있으며, 이를 절연막(25)이 덮고 있다. 이와 같은 구조를 통해 각 유기 박막 트랜지스터의 특성이 균일하도록 할 수 있는 것이다. 도 2는 미세패터닝된 버퍼층을 갖는 유기 TFT의 일구현예를 나타내는 것에 불과하므로, 본 발명의 구현예가 여기에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 버퍼층은 상기 화학식 2로 표시되는 할로 전구체 폴리머, 광염기 발생제 및 용매를 포함하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물을 도포하여 감광막을 형성하는 단계; 상기 감광막을 소정의 패턴에 따라 노광하는 단계; 및 상기 감광막이 현상되어 패터닝된 버퍼층을 형성하는 단계를 통하여 제조될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 패터닝된 버퍼층 형성방법의 일구현예를 도시한 도면이다. 단계 1에서 기판 상(30)에 본 발명의 버퍼층 형성용 조성물을 스핀코팅 및 건조하여 감광막(31)을 형성하고, 단계 2에서 포토마스크(32)를 이용하여 상기 감광막(31)을 소정 패턴에 따라 노광한 다음, 단계 3에서 상기 결과물을 현상 및 건조하여 패터닝된 버퍼층(33)을 형성할 수 있다.
본 발명의 버퍼층 형성방법은 상술한 바와 같이 패터닝된 버퍼층 형성을 위하여 통상적인 포토레지스트(photoresist: PR) 조성물을 사용하지 않고서도, 상기 버퍼층 형성용 조성물을 사용하여 패터닝된 버퍼층을 형성할 수 있기 때문에 제조공정수를 줄일 수 있으며 비용을 절감할 수 있다. 따라서 상기 기술한 할로 전구체 폴리머, 광염기 발생제 및 용매를 포함하는 조성물을 사용하여 공액 폴리머를 형성하는 미세패터닝된 버퍼층을 형성할 수 있다.
상기 도포되는 본 발명의 조성물의 두께는 30nm-1000nm (1um)의 영역이며, 전구체 폴리머의 용액 농도를 조절하여 원하는 두께를 얻을 수가 있다.
노광단계에서는 수은 램프가 장착된 파장이 500nm 이하의 자외선 노광 장치를 이용하여 1 내지 10분 동안 원하는 패턴의 Cr 포토마스크(photomask)를 이용하여 수행한다.
노광단계는 고압 수은 램프가 장착된 파장이 500nm 이하의, 고압 수은 램프가 장착된 자외선 노광 장치를 이용하여 1 내지 10분 동안 수행한다. 노광단계에서, UV에 의하여 노광된 부분은 염기 발생제에 의하여 염기가 발생되고, 발생된 염기는 상기 화학식 2로 표시되는 할로 전구체의 할로겐 부분과 반응하여 염기 촉매 탈수소 할로겐화 반응을 일으킨다(E2 reaction). 이에 의하여 염기는 할로 전구체 폴리머를 공액 폴리머(conjugated polymer)로 전환시키게 된다.
노광단계에서 광염기 발생제로부터 염기가 발생되는 과정을 하기에 나타내었다. 상기 화학식 3에서 R1 및 R2는 각각 니트로기이고, R3, R4, 및 R5는 수소인 경우를 예를 들어 표시하였으나, 반응이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다:
여기서, R6 및 R7은 화학식 3에서 정의된 바와 같다.
현상단계는 결과물을 유기 용매를 사용하여 수행한다. 사용되는 유기 용매로는 용매로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 시클로헥사논, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이 사용될 수 있다.
공액 폴리머로 전환된 부분은 유기 용매를 사용하여 현상하는 경우에도 경화되어 반응하지 않으나, 조사되지 않은 부분은 광염기 발생제가 반응을 일으키지 않아 염기를 발생하지 않는다. 따라서 할로 전구체 폴리머 및 광염기 발생제는 모두 유기 용매에 의하여 세척될 수 있어서 필요로 하는 미세패터닝된 버퍼층을 형성할 수 있다.
도 4는 상기와 같은 방법으로 제조된, 박막 트랜지스터 유기 반도체층의 하부에 일정한 방향으로 연장되고 서로 평행한 복수개의 미세패터닝된 버퍼층들을 나타내는 사진이다.
또한 본 발명은 기판 상에 상기 버퍼층 형성용 조성물을 도포하고, 포토마스크를 사용하여 소정 패턴대로 노광 및 현상하여 패터닝된 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 접하는 유기 반도체층을 형성하는 단계; 상기 유기 반도체층을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 유기 반도체층에 직접 물리적 화학적 방법을 통해 유기 반도체층의 정렬 작업을 통하지 않고 하부층에 패터닝된 버퍼층을 형성함으로서 상부의 유기반도체층에 자동으로 정렬효과를 가능하게 한다. 이는 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있으며 뿐만 아니라 유기반도체층의 정렬에 따른 균일도 향상에 의하여 트랜지스트의 Vth 및 성능의 향상을 얻을 수 있도록 하였다.
상기와 같은 패터닝된 버퍼층은 본 발명에서 상기 기술한 기판의 상부에 위치하고 유기 반도체층의 하부에만 한정되는 것이 아니라, 기판의 상부에 게이트 전극이 위치하고, 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 갖는 구조에서도 동일하게 실시할 수 있다. 즉 상기 게이트 절연막의 상부에 패터닝된 버퍼층이 형성되도록 하여, 상기 게이트 절연막의 상부에 구비되는 상기 유기 반도체층의 얼라인 방향이 동일하도록 형성할 수 있으며, 이를 통해 동시에 제조되는 각 유기 박막 트랜지스터의 문턱 전압 등의 특성이 균일하도록 할 수 있다.
상기 유기 반도체층을 형성하는 유기 반도체 물질로는, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체 등이 사용될 수 있다.
상기와 같은 구조의 유기 박막 트랜지스터의 경우, 유기 반도체층이 구비되는 버퍼층에는, 일정한 방향으로 연장되고 서로 평행한, 복수개의 미세패턴들이 형성되어 있으므로, 상기 버퍼층의 상부에 구비되는 상기 유기 반도체층의 얼라인 방향이 동일하도록 형성할 수 있으며, 이를 통해 동시에 제조되는 각 유기 박막 트랜지스터의 문턱 전압 등의 특성이 균일하도록 하여 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명에 의한 패터닝된 버퍼층의 SEM 사진을 나타낸다. 각각 10, 20, 30㎛의 간격으로 패터닝된 버퍼층의 일구현예를 나타내고 있다. 상기 구현예에 따른 유기 박막 트랜지스터들은 동일 기판 위에 복수개의 유기 박막 트랜지스터들을 동시에 제조할 시 각 유기 박막 트랜지스터의 문턱 전압 등의 특성이 균일하기에, 동일한 특성을 가진 복수개의 유기 박막 트랜지스터들을 필요로 하는 장치, 특히 평판 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.
즉, 각 화소별로 적어도 하나의 유기 박막 트랜지스터가 구비되어 각 화소의 동작을 제어하는 경우, 각 화소별로 구비된 유기 박막 트랜지스터의 특성이 다르다면 입력된 영상 신호에 따른 이미지를 정확히 구현할 수 없게 되며, 그 결과 선명한 상을 얻을 수 없게 되기 때문이다. 따라서 복수개의 유기 박막 트랜지스터들이 구비된 평판 디스플레이 장치에 있어서, 상술한 실시예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들을 이용함으로써, 정확하고 선명한 상을 구현할 수 있다.
특히 상기와 같은 유기 박막 트랜지스터들을 구비하는 평판 디스플레이 장치로는 전계발광 디스플레이 장치 또는 액정 디스플레이 장치 등을 들 수 있는 바, 상기 전계발광 디스플레이 장치의 구조를 간략하게 설명하자면 다음과 같다.
전계발광 표시장치는 발광층에서의 발광 색상에 따라 다양한 화소 패턴을 구비하는데, 예컨대 적색, 녹색 및 청색의 화소를 구비한다. 상기 적색, 녹색 및 청색으로 형성되는 각 화소부는 자발광 소자인 전계발광 소자(OLED) 및 상기 전계발광 소자에 연결되는 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터(TFT)를 구비하게 되는데, 상기 박막 트랜지스터들은 전술한 실시예들에 따른 유기 박막 트랜지스터가 될 수 있다. 물론 이 외에도 커패시터 등이 구비될 수도 있다.
상기 전계발광 소자는 전류구동 방식의 발광 소자로서, 상기 소자를 구성하는 양 전극간의 전류 흐름에 따라 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상을 구현한다. 상기 전계발광 소자의 구성을 간략히 설명하자면, 상기 전계발광 소자는 전술한 박막 트랜지스터를 구성하는 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 한 전극에 연결된 화소 전극과, 전체 화소들을 덮도록 또는 각 화소에 대응되도록 구비된 대향 전극 및 이들 화소 전극과 대향 전극의 사이에 배치되는 적어도 발광층을 포함하는 중간층으로 구성된다. 본 발명은 반드시 상기와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 전계발광 디스플레이 장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
도 6은 본 발명에 따른 평판 표시장치 일구현예의 단면도을 도시한 것이다. 상기 박막 트랜지스터는 기판(61) 상에 소정의 미세패터닝된 버퍼층(62)이 형성되고, 상기 버퍼층(62)의 상부에는 소스/드레인 전극(63)이 각각 형성된다. 상기 소스/드레인 전극(63)의 상부에는 유기 반도체층(64)이 덮이게 된다. 상기 유기 반도 체층(64)은 소스/드레인 영역과, 이 소스/드레인 영역을 연결하는 채널 영역(63')을 구비한다.
유기 반도체층(62)이 형성된 후에는 이 층을 덮도록 절연막이 형성되고, 상기 절연막 상에 소정 패턴의 게이트 전극이 형성되고, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 패시베이션막(67)이 형성되는데, 이 패시베이션 막(67)은 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다.
상기 패시베이션막(67)의 상부에는 전계발광 소자(60)의 한 전극인 화소 전극(71)이 형성되고, 그 상부로 화소정의막(69)이 형성되며 이 화소정의막(69)에 소정의 개구부를 형성한 후, 전계발광 소자(60)의 유기 발광막(73)을 형성한다.
한편, 상기 전계발광 소자(60)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극(63)에 연결된 화소전극인 화소 전극(71)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향전극인 대향 전극(72), 및 이들 화소 전극(71)과 대향 전극(72)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광층(73)으로 구성된다. 상기 화소 전극(71)과 대향 전극(72)은 서로 절연되어 있으며, 유기 발광층(73)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 발광이 이루어지도록 한다.
상기 화소 전극(71)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극(72)은 캐소드 전극의 기능을 할 수 있는 데, 물론, 이들 화소 전극(71)과 대향 전극(72)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. 그리고, 화소 전극(71)은 각 화소의 영역에 대응되도록 패터닝될 수 있고, 대향 전극(72)은 모든 화소를 덮도록 형성될 수 있다.
상기 화소 전극(71)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사층을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 투명전극층을 형성할 수 있다.
본 발명의 대향 전극(72)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명전극으로 사용될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 또는 이들의 화합물이 상기 중간층을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인이 구비되도록 할 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 사용될 때에는 상기 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 또는 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다. 넓은 의미로, 상기 보조 전극층 또는 버스 전극 라인까지 포함하여 대향 전극이라고 할 수 있으나, 본 명세서에서의 대향 전극은 유기층(73) 상부에 형성된 박막만을 의미한다. 또한, 상기 대향 전극(72) 상부에 보호층이 더 구비될 수도 있다.
한편, 상기 유기 발광층은 유기막으로 구비될 수 있으며, 저분자 유기막 또는 폴리머 유기막으로 구비될 수 있다.
저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이러한 저분자 유기막은 진공 중에서 유기물을 가열하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있다. 물론 상기 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다.
폴리머 유기막을 사용할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비될 수 있다. 상기 폴리머 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT : poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI : polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 폴리머 유기 발광층은 PPV(Poly-p-Phenylenevinylene), Soluble PPV's, Cyano-PPV, 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등으로 구비될 수 있으며, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다. 물론 이러한 폴리머 유기층의 경우에도 상기 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다.
상술한 바와 같은 구조로 이루어진 전계발광 디스플레이 장치는, 상기 전계발광 소자의 화소 전극에 전술한 것과 같이 일정한 방향으로 유기 반도체층이 얼라인되어 문턱 전압 등의 특성이 동일한 유기 박막 트랜지스터가 적어도 하나 이상 연결되어 상기 화소 전극에 유입되는 전류의 흐름을 제어함으로써 각 화소의 발광 여부를 제어하게 된다.
물론 전술한 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터들은 상기 전계발광 디스플레이 장치나 액정 디스플레이 장치 이외의 다양한 평판 디스플레이 장치에도 구비될 수 있음은 물론이며, 평판 디스플레이 장치 외의 전자 종이(electronic sheet), 스마트 카드(smart card), 상품 태그 또는 RFID 용 플라스틱 칩(smart tag, RFID) 등 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 모든 장치에 구비될 수 있음은 물론이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 명확하게 나타내기 위한 목적으로 기재되었을 뿐 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
2-디메틸페닐실릴-p-크실렌의 제조
2-브로모-p-크실렌(10.0g, 54.0mmol)을 무수 테트로히드로푸란에 넣어 녹인 용액에 80℃에서 5몰% 1,2-디브로모에탄으로 활성화시킨 후 깨끗한 마그네슘 조각(2.23g, 92.0mmol)을 천천히 가하였다. 마그네슘 조각이 완전히 소모되었을 때 클로로디메틸페닐실란(15.4ml, 92.0mmol)을 가하였다. 혼합액은 가열한 후 6시간 동안 환류하였고, 묽은 염산 수용액으로 반응을 종료시켰다. THF층은 분리시키고 수회 물로 세척하였으며, 용매는 회전 증발농축기를 사용하여 제거하였다. 잔류물은 진공증류하여 무색의 액상 화합물(수율:48%, 6.2g)을 얻었다.
2-디메틸페닐실릴-1,4-비스(브로모메틸)벤젠의 제조
2-디메틸페닐실릴-p-크실렌(7.0g, 29.0mmol)을 사염화탄소(100ml)에 넣어 녹인 용액에 N-브로모숙신이미드(11.5g, 64.0mmol)을 첨가하고 개시제로서 벤조일퍼옥사이드를 첨가하였다. 반응 혼합액은 질소 분위기하 80℃에서 4시간 동안 가열하여 환류하였다. 반응액의 표면에 숙신이미드가 관찰될 때를 표지로 하여 반응을 종료시켰다. 유기층은 물과 브라인으로 세척하고 무수 마그네슘 설페이트를 이용해 건조시켰다. 용매를 증발시킨 후 노란 빛의 오일을 얻었으며, 헥산을 용리액으로 하는 실리카 충전 칼럼 크로마토그래피를 통해 무색 오일의 형태인 브롬화 화합물의 생성(수율:52%, 6.0g)을 확인하였다.
전구체 폴리머의 합성
질소 존재하의 아세톤/얼음 중탕으로 냉각시킨 무수 THF (3ml)에 상기 2-디메틸페닐실릴-1,4-비스(브로모메틸)벤젠(0.5g, 1.26mmol)을 녹여 교반시킨 용액에 무수 THF (3ml)에 용해시킨 포타슘-tert-부톡사이드 (134mg, 1.13mmol)를 상기 용액에 첨가하여 점성이 있는 하늘색 용액을 얻었다. 반응 혼합액의 온도는 10분 후에 상온으로 조절하였고, 그 후 2시간 동안 교반하였다. 얼음으로 냉각된 메탄올(25ml)에 상기 반응 혼합액을 한방울씩 떨어뜨려 전구체 폴리머를 침전시켰다. 혼합물을 여과하여 얻어진 잔류물인 폴리머는 이후 진공건조시켰다. 그런 다음 무수 클로로포름에 용해하고 다시 과량의 메탄올을 이용해 상기 폴리머를 재침전시켰다. 혼합액을 여과한 후 잔류물을 회수하였으며 이러한 과정을 추가로 2회 더 수행한 후 하늘색 고체 폴리머(수율: 50%, 0.20g)를 얻었다.
패터닝된 버퍼층의 제조
상기 전구체 폴리머 100 중량부, 시클로헥사논 용액 5중량부 및 광염기 발생제인 (2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐 디페닐아민 혼합액 0.2중량부를 기판 상에 두께를 100nm로 스핀 코팅하고 80℃에서 2시간 동안 가열하였다. 실온의 대기 분위기에서 I-라인(365nm) 필터를 장착한 수은 아크 램프상에서 5분 동안 노광을 수행하였다. 이어서 노광된 기판상의 결과물을 100℃에서 1분 동안 열처리하여 미량의 잔류 유기 용매를 제거하였다. 상기 시클로헥사논 용액을 이용하여 노광되지 않은 부분을 현상하여 미노광된 부위를 제거하였다. 현상된 부분을 수분간 건조하여 패터닝된 버퍼층을 제조하였다.
실시예 1
기판의 상부에 상기와 같이 패터닝된 버퍼층이 형성되도록 한 뒤, 버퍼층의 상부에 표면이 산화된 MoW(두께 100nm)으로 이루어진 소스 및 드레인 전극을 구비하였다. 상기 패너닝된 버퍼층 및 소스/드레인 전극을 덮도록 유기 반도체 물질인 펜타센(70nm)을 증착하여 유기 반도체층을 형성하였다. 상기 유기 반도체층의 상부에 SiO2(두께 200nm)로 혹은 절연체(800nm)로 이루어진 절연층을 구비하도록 하고, 상기 절연층의 상부에 Al(두께 150nm)으로 이루어진 게이트 전극을 구비하도록 하였다. 본 실시예의 유기 박막 트랜지스터의 구조는 일구현예를 나타낸 것에 불과하므로 본 발명에 의한 버퍼층을 갖는 유기 박막 트랜지스터와 이에 한정되는 것은 아니다.
비교예 1
기판의 상부에 표면이 산화된 MoW(두께 100nm)으로 이루어진 소스 및 드레인 전극을 구비하였다. 상기 소스/드레인 전극을 덮도록 유기 반도체 물질인 펜타센(70nm)을 증착하여 유기 반도체층을 형성하였다. 상기 유기 반도체층의 상부에 SiO2(두께 200nm)로 혹은 절연체(800nm)로 이루어진 절연층을 구비하도록 하고, 상기 절연층의 상부에 Al(두께 150nm)으로 이루어진 게이트 전극을 구비하도록 하였다.
결과 및 평가
도 5는 본 발명의 실시예 1에 의한 미세패턴된 버퍼층의 SEM 사진을 나타내었고, 이를 살펴보면 기판 상에 10, 20, 30㎛의 수준으로 미세패턴이 가능하였다. 그러나, 비교예 1에 의한 박막 트랜지스터에서는 이와 같은 미세패턴이 구현되지 못하였다. 따라서 본 발명에 따른 실리콘을 함유한 할로 전구체를 이용하여 포토리소그래피 미세패턴이 가능하다는 것을 알 수 있다.
상기 실시예 1의 미세패터닝된 버퍼층을 포함한 트랜지스터의 경우는 전계 이동도가 0.05 cm2/Vs 수준으로 미세패터닝된 버퍼층 없이 유기반도체의 배향 효과를 도입하지 않은 트랜지스터의 경우의 전계 이동도가 0.02 cm2/Vs인 경우와 비교해 2배 이상의 트랜지스터의 이동도 특성이 향상되었다.
트랜지스터의 I on/off 특성의 경우에도 미세패턴 버퍼층을 도입하여 유기반도체 정렬을 향상시킨 경우 5 X 103으로 2 배 이상의 향상된 결과를 보였다.
본 발명에 실리콘을 함유한 할로 폴리머를 이용하여 포토리소그래피 패터닝을 함으로써 유기 TFT에서 유기 반도체층 하부에 패터닝된 버퍼층을 형성할 수 있다. 따라서 하기와 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 유기 TFT의 제조시에 유기 반도체층의 배향 특성이 개선되어 이동도 향상을 가져옴으로써 유기 TFT 특성을 향상시킬 수 있다.
둘째, 버퍼층의 두께 및 패턴의 크기를 용이하게 조절할 수 있기 때문에 유기 반도체층의 배향을 증가시킬 수 있고 이에 따라서 유기 TFT 소자 특성을 최적화할 수 있다.
셋째, 본 발명의 실리콘 함유 할로 전구체를 버퍼층 재료로 사용할 경우 높은 열안정성을 가지고 있기 때문에 유기 TFT의 제조공정에 적합하다.
넷째, 실리콘 함유 할로 전구체를 버퍼층에 사용하는 경우 유기 용매에 용해되지 않으므로 유기 반도체층을 코팅할 때 생길 수 있는 팽윤(swelling) 현상 등이 발생되지 않으므로 유기 용매에 가공가능한 유기 반도체의 재료 선택의 폭이 넓어진다.
Claims (17)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 하기 화학식 1의 할로 전구체 화합물인 하기 화학식 2의 화합물, 광염기 발생제 및 용매를 포함하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물.<화학식 1>
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된, C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이고, n은 1 내지 3,000의 정수이다.<화학식 2>
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된, C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이며, X는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3,000의 정수이다. - 제 4 항에 있어서, 상기 광염기 발생제는 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물:<화학식 3>
상기 식에서, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C10의 알킬기, 페닐기, C1 내지 C10의 알콕시기, N(R')2기, Si(R")3기, 또는 니트로기이고, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C10의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기이고, R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소, C1 내지 C10의 알킬 기이고, 단 R1 및 R2 중 적어도 하나는 니트로기이다. - 제 4 항에 있어서, 상기 광염기 발생제의 함량은 할로 전구체 폴리머 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 10 중량부인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물.
- 제 4 항에 있어서, 상기 광염기 발생제가 (2,6-디니트로벤질)옥시카르보닐 디페닐아민인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물.
- 제 4 항에 있어서, 상기 용매가 시클로헥사논이고, 상기 용매의 함량은 상기 전구체 폴리머 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 20 중량부인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 버퍼층 형성용 조성물.
- 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층; 및하기의 화학식 1로 표시되는 폴리파라페닐렌비닐렌(PPV)계 화합물을 포함한 버퍼층을 구비한 박막 트랜지스터:<화학식 1>
상기 식에서, R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된, C1 내지 C20의 실릴기이고, m은 2 또는 4의 정수이고, n은 1 내지 3,000의 정수이다. - 제 9 항에 있어서, 상기 버퍼층이 유기 반도체층의 하부에 위치한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 유기 반도체층 및 상기 버퍼층이 접하는 면에서 상기 유기 반도체층의 하부에 서로 평행한 미세패턴이 형성된 버퍼층을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 9 항에 있어서, 상기 유기 반도체층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene), 루브렌(rubrene), 코로넨(coronene), 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide), 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride), 폴리티오펜 , 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리파라페닐렌, 폴리플로렌, 폴리티오펜비닐렌, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체, 나프탈렌의 올리고아센, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌, 파이로멜리틱 디안하이드라이드, 파이로멜리틱 디이미드, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극, 드레인 전극 및 유기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막이 더 구비된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 기판 상에 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 버퍼층 형성용 조성물을 도포하고, 이를 소정 패턴대로 노광 및 현상하여 패터닝된 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 접하는 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 기판 상부에 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터를 채용한 것을 특징으로 하는 평판 표시장치.
- 제9항에 있어서, 상기 실릴기는 C1 내지 C20의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하는 것을 특징을 하는 박막 트랜지스터.
- 제9항에 있어서, 상기 화합물이 하기의 화학식으로 표시되는 것을 특징을 하는 박막 트랜지스터:
상기 식에서 n의 값은 1 내지 3,000의 정수이다.
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