JP2014141416A - 化合物、電界効果トランジスタ及びその製造方法、太陽電池、有機発光素子、組成物、表示装置用アレイ並びに表示装置 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 211
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 144
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 284
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 118
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 35
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 30
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 20
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 7
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims abstract description 7
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims abstract description 6
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 152
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 24
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 17
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 14
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 323
- 239000010408 film Substances 0.000 description 208
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 35
- -1 2,2-dimethylbutyl group Chemical group 0.000 description 27
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 23
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 21
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 9
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 8
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 125000001834 xanthenyl group Chemical group C1=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3C(C12)* 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001460 carbon-13 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000009815 homocoupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 2
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000005543 phthalimide group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WJKHJLXJJJATHN-UHFFFAOYSA-N triflic anhydride Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OS(=O)(=O)C(F)(F)F WJKHJLXJJJATHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTZLWIFNHUJNJS-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromo-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(Br)C(Br)=C1 NTZLWIFNHUJNJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 150000004782 1-naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000004338 2,2,3-trimethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003562 2,2-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical class N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003660 2,3-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003764 2,4-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 28804-46-8 Chemical compound ClC1CC(C=C2)=CC=C2C(Cl)CC2=CC=C1C=C2 VRBFTYUMFJWSJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004336 3,3-dimethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- 125000004337 3-ethylpentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003469 3-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004860 4-ethylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N Methyl butyrate Chemical compound CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- UFCVADNIXDUEFZ-UHFFFAOYSA-N O=C(c1cc(cccc2)c2cc11)c2cc(cccc3)c3cc2C1=O Chemical compound O=C(c1cc(cccc2)c2cc11)c2cc(cccc3)c3cc2C1=O UFCVADNIXDUEFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000286 Poly(2-decyloxy-1,4-phenylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000280 Poly(3-octylthiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006161 Suzuki-Miyaura coupling reaction Methods 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000006887 Ullmann reaction Methods 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000748 anthracen-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([H])=C([*])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006547 cyclononyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002330 electrospray ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002960 margaryl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002941 palladium compounds Chemical class 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000327 poly(triphenylamine) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004587 thienothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CS2)* 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- YVRYYVDHGQKMMU-BQYQJAHWSA-N trichloro-[(e)-oct-1-enyl]silane Chemical compound CCCCCC\C=C\[Si](Cl)(Cl)Cl YVRYYVDHGQKMMU-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】大気雰囲気下での安定性が高く、有機半導体材料として好適な新規化合物、並びに該化合物を用いた半導体デバイス及び表示装置の提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物(式中、R1〜R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基である。);かかる化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタ;かかる電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えた表示装置用アレイ。
[化1]
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物(式中、R1〜R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基である。);かかる化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタ;かかる電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えた表示装置用アレイ。
[化1]
【選択図】なし
Description
本発明は、新規の化合物、該化合物を用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに該化合物を用いた太陽電池、有機発光素子、電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物、太陽電池の有機半導体層用組成物、有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物、表示装置用アレイ及び表示装置に関する。
ユビキタス情報社会を迎え、情報端末としてフレキシブル、軽量、かつ安価なデバイスが求められている。さらに、このような情報端末としてのアプリケーションを想定した場合、大量生産のみならず、様々なユーザーの要求に対して迅速にカスタマイズできるデバイスやプロセスが必要となる。こうしたデバイスやプロセスは、従来からあるシリコン系デバイス技術の延長ではその要望に十分に対応できない。そこで近年、このような要望に応え得る技術として、有機材料を半導体等に用いた電子デバイス技術の研究が盛んに行われている。その中でも、有機半導体材料を用いた有機トランジスタ(OFET)、有機発光ダイオード(OLED)、有機太陽電池などの有機電子デバイスが注目され、すでに実用化が始まっている。
電界効果トランジスタ(FET)などの半導体デバイスの活性層に用いる有機半導体材料としては、これまでに正孔輸送特性を有する各種の化合物が知られている。
例えば、特許文献1には、有機半導体装置の半導体層にペンタセンを用いることが開示されている。また、特許文献2には、電界効果トランジスタの半導体層に用いる高分子有機半導体として、ポリ(3−オクチルチオフェン)が開示されている。
例えば、特許文献1には、有機半導体装置の半導体層にペンタセンを用いることが開示されている。また、特許文献2には、電界効果トランジスタの半導体層に用いる高分子有機半導体として、ポリ(3−オクチルチオフェン)が開示されている。
しかし、特許文献1及び2で開示されている有機半導体材料は、大気雰囲気下で酸化され易く、不安定であるため、これら材料を用いた半導体デバイスは、特性が低下し易いという問題点があった。例えば、引用文献1で開示されているペンタセンは、イオン化ポテンシャルが小さく、大気中では以下に示すように容易に酸化され、その結果、電気的特性が低下してしまう。
このような大気雰囲気下で不安定な有機半導体材料をデバイスに用いる場合、耐環境性を高めるために、保護膜を設けることが考えられる。例えば、シリコン酸化膜、アルミナ膜、窒化シリコン膜、エポキシ樹脂フィルム等をデバイス表面に積層させて、保護膜を設ける技術が開示されている(特開2005−191077号公報)。しかし、このような保護膜を用いても、大気中の酸素や水分に対して有機半導体層を十分には保護できず、また、有機半導体層にダメージを与えることなく保護膜を形成するための材料や、このような保護膜の形成方法は従来知られていない。
このように、安価でかつ優れた特性を有する半導体デバイスを製造するためには、デバイスの製造過程から製造後に至るまで、大気雰囲気下での安定性が高い有機半導体材料が必要となるが、これまでに提案されている有機半導体材料は、実用的な安定性及び電気的特性を共に有しているとは言えない。
このように、安価でかつ優れた特性を有する半導体デバイスを製造するためには、デバイスの製造過程から製造後に至るまで、大気雰囲気下での安定性が高い有機半導体材料が必要となるが、これまでに提案されている有機半導体材料は、実用的な安定性及び電気的特性を共に有しているとは言えない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、大気雰囲気下での安定性が高く、有機半導体材料として好適な新規化合物、並びに該化合物を用いた半導体デバイス及び表示装置を提供することを課題とする。
本発明は、下記一般式(1)で表される化合物を提供する。
また、本発明は、かかる化合物において、前記R1〜R18が水素原子である化合物を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記ソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層上に接するように設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記有機半導体層が、前記ソース電極及びドレイン電極上を覆うように設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、前記化合物を含む組成物を用いて浸漬法、塗布法又は印刷法によって前記有機半導体層を形成する工程を含み、前記組成物は、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジクロロメタン及びクロロホルムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記ソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層上に接するように設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、前記有機半導体層が、前記ソース電極及びドレイン電極上を覆うように設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、前記化合物を含む組成物を用いて浸漬法、塗布法又は印刷法によって前記有機半導体層を形成する工程を含み、前記組成物は、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジクロロメタン及びクロロホルムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、かかる太陽電池において、前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、かかる太陽電池において、前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、かかる太陽電池において、前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、かかる太陽電池において、前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする有機発光素子を提供する。
また、本発明は、かかる有機発光素子において、前記キャリヤ輸送層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする有機発光素子を提供する。
また、本発明は、かかる有機発光素子において、前記キャリヤ輸送層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする有機発光素子を提供する。
また、本発明は、かかる有機発光素子において、前記キャリヤ輸送層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする有機発光素子を提供する。
また、本発明は、かかる有機発光素子において、前記キャリヤ輸送層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする有機発光素子を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物を提供する。
また、本発明は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物を提供する。
また、本発明は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、かかる化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物を提供する。
また、本発明は、かかる化合物を含むことを特徴とする有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物を提供する。
また、本発明は、かかる電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする表示装置用アレイを提供する。
また、本発明は、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、かかる有機発光素子であることを特徴とする表示装置を提供する。
また、本発明は、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、かかる有機発光素子であることを特徴とする表示装置を提供する。
本発明によれば、大気雰囲気下での安定性が高く、有機半導体材料として好適な新規化合物、並びに該化合物を用いた半導体デバイス及び表示装置を提供できる。
<化合物>
本発明に係る化合物は、下記一般式(1)で表され(以下、化合物(1)と略記する)、10,10’−ビ(ベンゾ[k,l]キサンテン)骨格を有する。
本発明に係る化合物は、下記一般式(1)で表され(以下、化合物(1)と略記する)、10,10’−ビ(ベンゾ[k,l]キサンテン)骨格を有する。
式中、R1〜R18はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基、アミノ基、又は置換基を有していてもよい芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基もしくは炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基である。
R1〜R18における前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。
R1〜R18における前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。
前記直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であればよく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、2,2−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、2,2−ジメチルペンチル基、2,3−ジメチルペンチル基、2,4−ジメチルペンチル基、3,3−ジメチルペンチル基、3−エチルペンチル基、2,2,3−トリメチルブチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が例示できる。
前記直鎖状又は分岐鎖状の不飽和脂肪族炭化水素基としては、炭素数が2〜20であればよく、ビニル基(エテニル基)、アリル基(2−プロペニル基)、1−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基等、前記直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基において、一つ以上の炭素原子間の単結合(C−C)が、不飽和結合である二重結合(C=C)又は三重結合(C≡C)に置換されたものが例示でき、不飽和結合の数及び位置は特に限定されない。
前記直鎖状又は分岐鎖状の不飽和脂肪族炭化水素基としては、炭素数が2〜20であればよく、ビニル基(エテニル基)、アリル基(2−プロペニル基)、1−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基、3−ブテニル基等、前記直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基において、一つ以上の炭素原子間の単結合(C−C)が、不飽和結合である二重結合(C=C)又は三重結合(C≡C)に置換されたものが例示でき、不飽和結合の数及び位置は特に限定されない。
前記環状の脂肪族炭化水素基(脂環式炭化水素基)は、炭素数が3〜20であればよく、単環状及び多環状のいずれでもよい。
前記環状の飽和脂肪族炭化水素基(シクロアルキル基)としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が例示できる。
前記環状の不飽和脂肪族炭化水素基としては、前記環状の飽和脂肪族炭化水素基において、一つ以上の炭素原子間の単結合(C−C)が、不飽和結合である二重結合(C=C)又は三重結合(C≡C)に置換されたものが例示でき、不飽和結合の数及び位置は特に限定されない。
前記環状の飽和脂肪族炭化水素基(シクロアルキル基)としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が例示できる。
前記環状の不飽和脂肪族炭化水素基としては、前記環状の飽和脂肪族炭化水素基において、一つ以上の炭素原子間の単結合(C−C)が、不飽和結合である二重結合(C=C)又は三重結合(C≡C)に置換されたものが例示でき、不飽和結合の数及び位置は特に限定されない。
R1〜R18における芳香族基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、芳香族炭化水素基(アリール基)及び芳香族複素環式基(ヘテロアリール基)のいずれでもよい。
R1〜R18における前記アリール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−プロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−アントリル基等が例示できる。
R1〜R18における前記ヘテロアリール基は、芳香族環を構成する原子としてヘテロ原子を有するものであれば特に限定されず、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子等が例示できる。好ましいヘテロアリール基としては、ピリジル基、フリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、チエノチエニル基、セレノチエニル基等が例示できる。
R1〜R18における前記アリール基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−プロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−アントリル基等が例示できる。
R1〜R18における前記ヘテロアリール基は、芳香族環を構成する原子としてヘテロ原子を有するものであれば特に限定されず、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子等が例示できる。好ましいヘテロアリール基としては、ピリジル基、フリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、チエノチエニル基、セレノチエニル基等が例示できる。
R1〜R18におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基等、R1〜R18における前記アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。
R1〜R18における芳香族オキシ基(アリールオキシ基及びヘテロアリールオキシ基)としては、フェノキシ基、1−ナフトキシ基、2−ナフトキシ基等、R1〜R18における前記芳香族基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。
R1〜R18におけるアルキル置換アミノ基としては、アミノ基(−NH2)の一つ又は二つの水素原子がアルキル基で置換された一価の基が例示でき、この時のアルキル基は、R1〜R18における前記アルキル基と同様である。そして、二つの水素原子がアルキル基で置換されたアミノ基(ジアルキルアミノ基)の場合、これら二つのアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
R1〜R18における芳香族置換アミノ基(アリール置換アミノ基及びヘテロアリール置換アミノ基)としては、アミノ基(−NH2)の一つ又は二つの水素原子が芳香族基で置換された一価の基が例示でき、この時の芳香族基は、R1〜R18における前記芳香族基と同様である。そして、二つの水素原子が芳香族基で置換されたアミノ基の場合、これら二つの芳香族基は、互いに同一でも異なっていてもよい。例えば、これら二つの芳香族基は、アリール基及びヘテロアリール基の組み合わせであっても良い。
R1〜R18におけるアシル基は、オキソ酸から一つ以上のヒドロキシル基(−OH)が除去された基であり、前記オキソ酸はカルボン酸であることが好ましく、アルキル基又は芳香族基がカルボニル基(−C(=O)−)に結合した一価の基が例示できる。この時のアルキル基及び芳香族基は、R1〜R18における前記アルキル基及び芳香族基と同様である。
R1〜R18におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が例示できる。
R1〜R18における前記芳香族基、アルコキシ基、芳香族オキシ基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基及び炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基は、一つ以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、すべての水素原子が置換基で置換されていてもよい。
例えば、前記脂肪族炭化水素基が有する好ましい置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ヒドロキシル基;メルカプト基;ニトロ基;アミノ基;アルコキシ基;芳香族基;アルキル置換アミノ基;芳香族置換アミノ基;アシル基等が例示できる。また、前記芳香族基が有する好ましい置換基としては、アルキル基が例示できる。置換基で置換される水素原子の位置及び数は、特に限定されない。そして、置換基が複数の場合、これら複数の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一でもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基だけが異なっていてもよい。
R1〜R18における前記置換基としてのアルコキシ基、芳香族基、アルキル置換アミノ基、芳香族置換アミノ基、アシル基及びアルキル基は、それぞれ上記のR1〜R18として説明したものと同様である。
R1〜R18のうち、R1、R2、R3、R10、R11及びR12は、それぞれ水素原子であることが好ましい。このような化合物(1)は、R1〜R3及びR10〜R12に嵩高い基が存在しないことで、二つのベンゾ[k,l]キサンテン骨格同士の立体反発が抑制され、これら骨格同士を結合している炭素原子間の結合(C−C)を軸とする分子のねじれが抑制されるので、化合物(1)の分子全体にπ電子共役系がより大きく広がる。
好ましい化合物(1)の具体例を以下に示すが、化合物(1)はこれらに限定されるものではない。
これらのなかでも化合物(1)としては、下記式(1−1)で表されるものが特に好ましい。すなわち、前記一般式(1)においては、R1〜R18がすべて水素原子であることが特に好ましい。
化合物(1)は、耐酸化性が高いなど、大気雰囲気下でも安定である。したがって、後述するように、電界効果トランジスタ、太陽電池、有機発光素子等の有機電子デバイス(半導体デバイス)の有機半導体材料として、特に好適である。
化合物(1)の耐酸化性が高いのは、主骨格を10,10’−ビ(ベンゾ[k,l]キサンテン)骨格とすることで、HOMOレベルが低下したことによると推測される。
また、化合物(1)は、分子内におけるπ電子共役系の広がりが大きく、有機薄膜を形成した時に、隣接する分子との間で大きな分子間相互作用が発現すると推測され、キャリア移動度が高い。
化合物(1)の耐酸化性が高いのは、主骨格を10,10’−ビ(ベンゾ[k,l]キサンテン)骨格とすることで、HOMOレベルが低下したことによると推測される。
また、化合物(1)は、分子内におけるπ電子共役系の広がりが大きく、有機薄膜を形成した時に、隣接する分子との間で大きな分子間相互作用が発現すると推測され、キャリア移動度が高い。
[化合物(1)の製造方法]
化合物(1)は、例えば、下記一般式(1a)で表される化合物(以下、化合物(1a)と略記する)と、下記一般式(1b)で表される化合物(以下、化合物(1b)と略記する)とを用いてカップリング反応させ、化合物(1)を合成する工程(以下、化合物(1)合成工程と略記する)を有する方法により製造できる。
化合物(1)は、例えば、下記一般式(1a)で表される化合物(以下、化合物(1a)と略記する)と、下記一般式(1b)で表される化合物(以下、化合物(1b)と略記する)とを用いてカップリング反応させ、化合物(1)を合成する工程(以下、化合物(1)合成工程と略記する)を有する方法により製造できる。
式中、R1〜R18は、前記一般式(1)におけるR1〜R18と同様である。
式中、Y1及びY2はそれぞれ独立してハロゲン原子、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基(CF3S(=O)2−O−)又は一般式「−B(OX)2(式中、Xは水素原子又はアルキル基であり、二つのXは互いに同一でも異なっていてもよく、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが相互に結合して環を形成していても良い。)」で表される基であり、Y1及びY2のいずれか一方が前記一般式「−B(OX)2」で表される基である場合、他方はハロゲン原子である。
Y1及びY2におけるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましい。
Xにおけるアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、炭素数が1〜6であることが好ましい。また、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが相互に結合して、これら二つのXと、これら二つのXが結合している酸素原子と、かかる酸素原子が結合しているホウ素原子とで環を形成していてもよく、かかる環は単環状及び多環状のいずれでもよい。
式中、Y1及びY2はそれぞれ独立してハロゲン原子、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基(CF3S(=O)2−O−)又は一般式「−B(OX)2(式中、Xは水素原子又はアルキル基であり、二つのXは互いに同一でも異なっていてもよく、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが相互に結合して環を形成していても良い。)」で表される基であり、Y1及びY2のいずれか一方が前記一般式「−B(OX)2」で表される基である場合、他方はハロゲン原子である。
Y1及びY2におけるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましい。
Xにおけるアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましく、炭素数が1〜6であることが好ましい。また、二つのXが共にアルキル基である場合、これら二つのXが相互に結合して、これら二つのXと、これら二つのXが結合している酸素原子と、かかる酸素原子が結合しているホウ素原子とで環を形成していてもよく、かかる環は単環状及び多環状のいずれでもよい。
化合物(1a)及び(1b)として同じものを使用する場合には、例えば、Y1及びY2を共にハロゲン原子とし、金属銅の存在下、ホモカップリング反応(ウルマン(Ullmann)反応)を行うことで、または、Y1及びY2を共にトリフルオロメチルスルホニルオキシ基とし、金属亜鉛やニッケル化合物等の存在下、ホモカップリング反応を行うことで、それぞれ化合物(1)を合成できる。
化合物(1a)及び(1b)として異なるものを使用する場合には、例えば、Y1及びY2のいずれか一方を前記一般式「−B(OX)2」で表される基とし、他方をハロゲン原子として、パラジウム化合物やニッケル化合物等の金属触媒の存在下、クロスカップリング反応(鈴木−宮浦カップリング(Suzuki−Miyaura coupling)反応)を行うことで、化合物(1)を合成できる。
化合物(1a)として合成品を用いる場合には、例えば、後述する実施例で示すように、対応する1−ナフトール類とジハロゲン化ベンゼン類とを、パラジウム触媒存在下で反応させ、化合物(1a)を合成する工程を有する方法により、化合物(1a)を製造できる。化合物(1b)も同様の方法で製造できる。
化合物(1)合成工程での反応条件は、化合物(1)の生成量が最大となるように調節すればよいが、60〜100℃で5〜36時間反応させる条件が例示できる。反応は、溶媒を使用して行ってもよく、無溶媒で行ってもよい。溶媒は、使用原料と反応しないものであれば、特に限定されない。また、反応は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
また、化合物(1a)及び(1b)として異なるものを使用する場合、これら化合物の使用量は、化合物(1a):化合物(1b)のモル比が7:3〜3:7であることが好ましい。金属触媒の使用量は、例えば、化合物(1a)及び(1b)の総量に対して、0.5〜5モル%とすることが好ましく、定法に従って、リガンドや塩基等を併用することが好ましい。
反応終了後は、必要に応じて後処理を行い、生成物である化合物(1)を取り出せばよい。ここで、「後処理」とは、ろ過、濃縮、抽出、脱水、pH調整等の操作を指し、これら操作のいずれか一つを単独で、又は二つ以上を組み合わせて行えばよい。
化合物(1)合成工程後の化合物(1)の取り出しは、濃縮、結晶化、カラムクロマトグラフィー、減圧下での昇華精製等の操作で行えばよく、必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、結晶化、抽出、溶媒による結晶の撹拌洗浄等の操作を一回以上繰り返して、精製を行ってもよい。
化合物(1a)及び(1b)、並びに化合物(1)等は、核磁気共鳴分光法(1H−NMR、13C−NMR)等の公知の手法で構造を確認できる。
<有機薄膜用組成物>
前記化合物(1)は、有機薄膜の形成に好適である。例えば、前記化合物(1)と有機溶媒とを含む有機薄膜用組成物は、以下に示す有機半導体層、キャリヤ輸送層等を構成する有機薄膜の形成に用いられる。
前記化合物(1)は、有機薄膜の形成に好適である。例えば、前記化合物(1)と有機溶媒とを含む有機薄膜用組成物は、以下に示す有機半導体層、キャリヤ輸送層等を構成する有機薄膜の形成に用いられる。
(1)電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物
本発明に係る電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物は、前記化合物(1)を含むことを特徴とする。
化合物(1)は、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、芳香族基若しくは脂肪族炭化水素基等であるか、又はこれら基を有するなど、疎水性基であることにより、有機溶媒に対する溶解性がより高くなる。したがって、化合物(1)を溶媒に溶解させた、本実施形態の有機半導体層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、電界効果トランジスタの有機半導体層を、浸漬法、塗布法、印刷法等の簡便な方法で形成できる。有機半導体層は、後述するように、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成することもできるが、上記のように真空装置等を用いずに簡便に成膜することで、電界効果トランジスタの製造コストを大幅に低減できる。
本発明に係る電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物は、前記化合物(1)を含むことを特徴とする。
化合物(1)は、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、芳香族基若しくは脂肪族炭化水素基等であるか、又はこれら基を有するなど、疎水性基であることにより、有機溶媒に対する溶解性がより高くなる。したがって、化合物(1)を溶媒に溶解させた、本実施形態の有機半導体層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、電界効果トランジスタの有機半導体層を、浸漬法、塗布法、印刷法等の簡便な方法で形成できる。有機半導体層は、後述するように、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成することもできるが、上記のように真空装置等を用いずに簡便に成膜することで、電界効果トランジスタの製造コストを大幅に低減できる。
本実施形態の有機半導体層用組成物は、溶媒成分として、トルエン等の炭化水素;ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素を含むことが好ましい。
また、有機半導体層用組成物は、溶媒成分以外に、化合物(1)のみを含むものでもよいし、化合物(1)以外の成分を含むものでもよい。ただし、溶媒成分以外のすべての成分に占める化合物(1)の比率は、90質量%以上であることが好ましく、100質量%である(化合物(1)のみを含む)ことがより好ましい。
有機半導体層用組成物に含まれる化合物(1)は、一種でもよいし、二種以上でもよい。二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、目的に応じて適宜設定すればよい。
有機半導体層用組成物は、化合物(1)の含有量が0.2〜5質量%であることが好ましい。
有機半導体層用組成物は、化合物(1)の含有量が0.2〜5質量%であることが好ましい。
(2)太陽電池の有機半導体層用組成物
本発明に係る太陽電池の有機半導体層用組成物は、前記化合物(1)を含むことを特徴とし、用途が異なること以外は、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様である。例えば、化合物(1)を溶媒に溶解させた、本実施形態の有機半導体層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、太陽電池の有機半導体層を簡便な方法で形成できる。
本発明に係る太陽電池の有機半導体層用組成物は、前記化合物(1)を含むことを特徴とし、用途が異なること以外は、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様である。例えば、化合物(1)を溶媒に溶解させた、本実施形態の有機半導体層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、太陽電池の有機半導体層を簡便な方法で形成できる。
また、本発明に係る有機半導体層用組成物は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、前記化合物(1)を含むことを特徴とする。かかる組成物は、バルクヘテロ接合型太陽電池の有機半導体層を形成するためのものであり、化合物(1)を溶媒に溶解させた本実施形態の有機半導体層用組成物も容易に調製できるので、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様に、太陽電池の有機半導体層を簡便な方法で形成できる。
太陽電池の有機半導体層は、後述するように、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成することもできるが、上記のように真空装置等を用いずに簡便に成膜することで、太陽電池の製造コストを大幅に低減できる。
前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料は、化合物(1)のみからなるものでもよいし、化合物(1)以外の成分を含むものでもよい。ただし、前記半導体材料に占める化合物(1)の比率は、90質量%以上であることが好ましく、100質量%である(化合物(1)のみからなる)ことがより好ましい。
前記半導体材料に含まれる化合物(1)は、一種でもよいし、二種以上でもよい。二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、目的に応じて適宜設定すればよい。
前記半導体材料に含まれる化合物(1)は、一種でもよいし、二種以上でもよい。二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は、目的に応じて適宜設定すればよい。
前記化合物(1)以外のn型半導体材料は、後述する太陽電池におけるn型半導体層の材質として例示したものが挙げられ、好ましいものとして具体的には、フラーレン;[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM)等のフラーレン誘導体;フタルイミド環を構成している一つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されたフッ素化フタロシアニン等が例示できる。前記フッ素化フタロシアニンは、フタルイミド環を構成しているすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
有機半導体層用組成物は、溶媒成分として、トルエン等の炭化水素;ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素を含むことが好ましい。
有機半導体層用組成物は、前記p型半導体材料の含有量が0.2〜5質量%であることが好ましい。そして、同様に前記n型半導体材料の含有量が0.2〜5質量%であることが好ましい。
(3)有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物
本発明に係る有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物は、前記化合物(1)を含むことを特徴とし、用途が異なること以外は、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様である。例えば、化合物(1)を溶媒に溶解させた、本実施形態のキャリヤ輸送層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、有機発光素子のキャリヤ輸送層を簡便な方法で形成できる。
本発明に係る有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物は、前記化合物(1)を含むことを特徴とし、用途が異なること以外は、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物と同様である。例えば、化合物(1)を溶媒に溶解させた、本実施形態のキャリヤ輸送層用組成物は容易に調製でき、かかる組成物を用いることにより、有機発光素子のキャリヤ輸送層を簡便な方法で形成できる。
<電界効果トランジスタ>
本発明に係る電界効果トランジスタは、化合物(1)を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする。そして、かかる有機半導体層を備えたこと以外は、従来の電界効果トランジスタと同様の構成とすることができる。ここでは、化合物(1)は、主にp型半導体として利用されるが、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合、あるいは電極の材料の選択によっては、化合物(1)をn型半導体として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る電界効果トランジスタは、化合物(1)を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする。そして、かかる有機半導体層を備えたこと以外は、従来の電界効果トランジスタと同様の構成とすることができる。ここでは、化合物(1)は、主にp型半導体として利用されるが、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合、あるいは電極の材料の選択によっては、化合物(1)をn型半導体として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。
図1は、第一の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。
ここに示す電界効果トランジスタ1Aは、基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、ソース電極14、ドレイン電極15及び有機半導体層16が積層され、概略構成されている。より具体的には、基板11上の一部にゲート電極12が設けられ、さらにゲート電極12を覆うように、基板11上にゲート絶縁膜13が設けられている。そして、ゲート絶縁膜13上には、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、さらにソース電極14及びドレイン電極15上を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16が設けられている。有機半導体層16は、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられている。なお、有機半導体層16の配置形態はここに示すものに限定されず、少なくとも、離間して設けられた前記ソース電極14及びドレイン電極15間の領域に、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられていればよい。このように有機半導体層16が配置された電界効果トランジスタとしては、後述する表示装置用アレイの図18における有機半導体装置42に備えられたものが例示できる。電界効果トランジスタ1Aは、ボトムゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタ構造を有する。
ここに示す電界効果トランジスタ1Aは、基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、ソース電極14、ドレイン電極15及び有機半導体層16が積層され、概略構成されている。より具体的には、基板11上の一部にゲート電極12が設けられ、さらにゲート電極12を覆うように、基板11上にゲート絶縁膜13が設けられている。そして、ゲート絶縁膜13上には、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、さらにソース電極14及びドレイン電極15上を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16が設けられている。有機半導体層16は、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられている。なお、有機半導体層16の配置形態はここに示すものに限定されず、少なくとも、離間して設けられた前記ソース電極14及びドレイン電極15間の領域に、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられていればよい。このように有機半導体層16が配置された電界効果トランジスタとしては、後述する表示装置用アレイの図18における有機半導体装置42に備えられたものが例示できる。電界効果トランジスタ1Aは、ボトムゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタ構造を有する。
基板11の材質は、デバイスの構成及び性能等に応じて適宜選択できる。例えば、ガラス;石英;シリコン単結晶;多結晶シリコン;アモルファスシリコン;ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリテトラフルオロエチレン等の絶縁性の高分子化合物等が例示できる。
基板11は一種の材質からなる単層構造でもよいし、二種以上の材質が積層された複数層構造でもよい。
基板11は一種の材質からなる単層構造でもよいし、二種以上の材質が積層された複数層構造でもよい。
ゲート電極12の材質は特に限定されず、当該分野で通常使用されるものでよい。具体的には、金、白金、銀、銅、アルミニウム、タンタル、ドープシリコン等の低抵抗の金属;3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(以下、PEDOTと略記する)/ポリスチレンサルフォネイト(以下、PSSと略記する)等の有機導電体等が例示できる。
前記有機半導体層をp型半導体とする場合、ソース電極14及びドレイン電極15の材質としては、これらの仕事関数が、有機半導体層用組成物の最高占有分子軌道(HOMO:Highest Occupied Molecular Orbital)レベルに近いものが例示できる。そして、前記有機半導体層をn型半導体とする場合、ソース電極14及びドレイン電極15の材質としては、これらの仕事関数が、最低非占有分子軌道(LUMO:Lowest Unocuppied Molecular Orbital)レベルに近いものが例示できる。
仕事関数が有機半導体層用組成物のHOMOレベルに近い材質としては、金、白金、銀、又はこれらの一種以上を含む合金等の比較的仕事関数が高い金属;インジウム・スズ酸化物(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明酸化物導電体;PEDOT/PSS等の有機導電体が例示できる。
仕事関数が有機半導体層用組成物のHOMOレベルに近い材質としては、金、白金、銀、又はこれらの一種以上を含む合金等の比較的仕事関数が高い金属;インジウム・スズ酸化物(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明酸化物導電体;PEDOT/PSS等の有機導電体が例示できる。
仕事関数が有機半導体層用組成物のLUMOレベルに近い材質としては、アルミニウム、チタン、アルカリ金属、又はこれらの一種以上を含む合金等の比較的仕事関数が低い金属等が例示できる。前記アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が例示できる。
ソース電極14及びドレイン電極15は、密着層(図示略)を介してゲート絶縁膜13上に形成してもよい。密着層の材質としては、クロム等が例示できる。
ゲート電極12、ソース電極14、ドレイン電極15の膜厚は、特に限定されず、通常のトランジスタにおける膜厚であればよく、目的に応じて適宜調節することが好ましい。例えば、材質が金属である場合には、30〜200nmであることが好ましい。
これら電極は、材質に応じて、例えば、蒸着、スパッタ、塗布等で成膜できる。
これら電極は、材質に応じて、例えば、蒸着、スパッタ、塗布等で成膜できる。
また、ソース電極14、ドレイン電極15等の電極の表面に、自己集合単分子膜(self−assembled monolayer:SAM)からなる表面修飾層を形成することで、電極表面の表面エネルギーを低下させることができ、これにより、電極表面上における有機半導体材料の結晶成長若しくは結晶配列、又は有機半導体材料の電極に対する濡れ性等を改善できる。たとえば、金電極の表面は、アルカンチオール等を用いて表面修飾することが好ましい。
ゲート絶縁膜13の材質は、誘電率が高く、薄膜形成時にピンホール等の欠陥が生じにくいものが好ましい。誘電率が高いことで、電界効果トランジスタの閾値をより低減できる。また、薄膜形成時にピンホール等の欠陥を少なくすることで、ゲート絶縁膜13の機能低下が抑制され、特性がより良好な電界効果トランジスタが得られる。
このような材質の膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、五酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜;ポリイミド膜、パリレン膜、ポリビニルフェノール膜等の有機絶縁膜等が例示できる。
ゲート絶縁膜13の膜厚は、単位面積あたりの静電容量が大きくなるように設定することが好ましく、また、膜厚を薄くすることで、電界効果トランジスタの閾値電圧をより低減できる。そして、ゲート絶縁膜13の膜厚は、材質の比誘電率、絶縁性等に応じて適宜調節することが好ましく、例えば、50〜300nmであることが好ましい。このようにすることで、単位面積あたりの静電容量を大きくでき、かつ電界効果トランジスタの閾値電圧を低減できる。
ゲート絶縁膜13は、材質に応じて、例えば、蒸着、スパッタ、塗布等で成膜できる。
このような材質の膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、五酸化タンタル膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜;ポリイミド膜、パリレン膜、ポリビニルフェノール膜等の有機絶縁膜等が例示できる。
ゲート絶縁膜13の膜厚は、単位面積あたりの静電容量が大きくなるように設定することが好ましく、また、膜厚を薄くすることで、電界効果トランジスタの閾値電圧をより低減できる。そして、ゲート絶縁膜13の膜厚は、材質の比誘電率、絶縁性等に応じて適宜調節することが好ましく、例えば、50〜300nmであることが好ましい。このようにすることで、単位面積あたりの静電容量を大きくでき、かつ電界効果トランジスタの閾値電圧を低減できる。
ゲート絶縁膜13は、材質に応じて、例えば、蒸着、スパッタ、塗布等で成膜できる。
ゲート絶縁膜13を酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等とする場合には、その有機半導体層16と接する表面をシランカップリング剤等で処理することが好ましい。このようにすることで、ゲート絶縁膜13に接する有機半導体層16の膜質が向上し、有機半導体素子の移動度をより向上させることできる。また、リーク電流が少なくなる。
有機半導体層16は、化合物(1)を含む。そして、例えば、上記の有機半導体層用組成物を用いて、浸漬法、塗布法、印刷法等の低コストの薄膜形成法で形成されたものであってもよく、真空蒸着法等で化合物(1)が蒸着されて形成されたものであってもよい。
有機半導体層16の膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
上記のように化合物(1)は耐酸化性が高い。したがって、化合物(1)を含む有機半導体層16は、大気雰囲気下で安定である。
有機半導体層16の膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
上記のように化合物(1)は耐酸化性が高い。したがって、化合物(1)を含む有機半導体層16は、大気雰囲気下で安定である。
電界効果トランジスタ1Aにおいては、さらに、少なくとも有機半導体層16上に保護膜が設けられていてもよい。保護膜を設けることにより、有機半導体層16を酸素や水分などによる浸食から保護できるので、電界効果トランジスタ1Aは、さらに安定した半導体特性を示す。
図2に示す電界効果トランジスタ1A’は、図1に示す電界効果トランジスタにおいて、有機半導体層16上の全面が保護膜17で覆われたものである。
保護膜17は、有機膜及び無機膜のいずれでもよい。
有機膜の材質としては、ポリパリレン(パラキシリレン系ポリマー);エポキシ樹脂;アクリル樹脂;ポリパラキシレン;ポリパーフルオロオレフィン、ポリパーフルオロエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン等のフッ素系高分子;ポリイミド等が例示できる。
無機膜の材質としては、金属窒化物、金属酸化物、炭素、シリコン等が例示できる。より具体的には、SiN、AlN、GaN等の窒化物;SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等の酸化物;SiON等の酸化窒化物;SiCN等の炭化窒化物等が例示でき、前記金属はケイ素であることが好ましい。
保護膜17は、単層構造及び多層構造のいずれでもよい。
保護膜17は、有機膜及び無機膜のいずれでもよい。
有機膜の材質としては、ポリパリレン(パラキシリレン系ポリマー);エポキシ樹脂;アクリル樹脂;ポリパラキシレン;ポリパーフルオロオレフィン、ポリパーフルオロエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン等のフッ素系高分子;ポリイミド等が例示できる。
無機膜の材質としては、金属窒化物、金属酸化物、炭素、シリコン等が例示できる。より具体的には、SiN、AlN、GaN等の窒化物;SiO、Al2O3、Ta2O5、ZnO、GeO等の酸化物;SiON等の酸化窒化物;SiCN等の炭化窒化物等が例示でき、前記金属はケイ素であることが好ましい。
保護膜17は、単層構造及び多層構造のいずれでもよい。
図3は、第二の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。なお、図3において、図1に示すものと同様の構成要素には、図1の場合と同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。これは、以降の図においても同様である。
ここに示す電界効果トランジスタ1Bは、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾層18が設けられ、表面修飾層18に有機半導体層16が接するように構成された点以外は、図1に示す電界効果トランジスタ1Aと同様である。表面修飾層18は、例えば、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾剤を作用させることで形成でき、有機分子及び無機分子のいずれから構成されていてもよい。この場合の好ましい表面修飾材としては、ドデカンチオール等のアルキルチオールが例示できるが、これらに限定されない。
表面修飾層18が設けられることで、ソース電極14及びドレイン電極15の表面エネルギーを低下させることができ、これにより、これら電極表面上における有機半導体材料の結晶成長若しくは結晶配列、又は有機半導体材料のこれら電極に対する濡れ性等を改善できる。その結果、有機半導体層16の膜質がより均一になり、特に、上記の有機半導体層用組成物を塗布して有機半導体層16を形成する場合に、顕著な上記効果が得られる。
ここに示す電界効果トランジスタ1Bは、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾層18が設けられ、表面修飾層18に有機半導体層16が接するように構成された点以外は、図1に示す電界効果トランジスタ1Aと同様である。表面修飾層18は、例えば、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾剤を作用させることで形成でき、有機分子及び無機分子のいずれから構成されていてもよい。この場合の好ましい表面修飾材としては、ドデカンチオール等のアルキルチオールが例示できるが、これらに限定されない。
表面修飾層18が設けられることで、ソース電極14及びドレイン電極15の表面エネルギーを低下させることができ、これにより、これら電極表面上における有機半導体材料の結晶成長若しくは結晶配列、又は有機半導体材料のこれら電極に対する濡れ性等を改善できる。その結果、有機半導体層16の膜質がより均一になり、特に、上記の有機半導体層用組成物を塗布して有機半導体層16を形成する場合に、顕著な上記効果が得られる。
図3においては、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾層18が設けられた例を示しているが、表面修飾層を設ける位置はこれに限定されない。例えば、図1及び3に示すように、有機半導体層16がゲート絶縁膜13上に形成される場合には、表面修飾層がゲート絶縁膜13上に別途設けられていてもよい。
図4に示す電界効果トランジスタ1B’は、図1に示す電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜13上のうち、ソース電極14及びドレイン電極15が設けられていない部位に、表面修飾層18が設けられ、表面修飾層18に有機半導体層16が接するように構成されたものである。電界効果トランジスタ1B’においては、電界効果トランジスタ1Aに対する電界効果トランジスタ1Bと同様に、有機半導体層16の膜質がより均一になる。また、界面トラップの減少や密着性向上の効果も得られる。
図4に示す電界効果トランジスタ1B’は、図1に示す電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜13上のうち、ソース電極14及びドレイン電極15が設けられていない部位に、表面修飾層18が設けられ、表面修飾層18に有機半導体層16が接するように構成されたものである。電界効果トランジスタ1B’においては、電界効果トランジスタ1Aに対する電界効果トランジスタ1Bと同様に、有機半導体層16の膜質がより均一になる。また、界面トラップの減少や密着性向上の効果も得られる。
表面修飾層18を形成するための表面修飾剤としては、例えば、酸化物系のゲート絶縁膜に対して使用するものであれば、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、オクチルトリクロロシラン(OTS)、7−オクテニルトリクロロシラン(VTS)、トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロオクチルトリクロロシラン(FTS)、ベンジルトリクロロシラン(BTS)等のシラン系材料が例示できるが、これらに限定されない。
図5は、第三の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。
ここに示す電界効果トランジスタ1Cは、基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、有機半導体層16、ソース電極14及びドレイン電極15が積層され、概略構成されている。より具体的には、基板11上の一部にゲート電極12が設けられ、さらにゲート電極12を覆うように、基板11上にゲート絶縁膜13が設けられ、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16が設けられている。そして、有機半導体層16上には、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられている。有機半導体層16は、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられている。電界効果トランジスタ1Cは、トップコンタクト型のトランジスタ構造を有する。
ここに示す電界効果トランジスタ1Cは、基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、有機半導体層16、ソース電極14及びドレイン電極15が積層され、概略構成されている。より具体的には、基板11上の一部にゲート電極12が設けられ、さらにゲート電極12を覆うように、基板11上にゲート絶縁膜13が設けられ、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16が設けられている。そして、有機半導体層16上には、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられている。有機半導体層16は、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極12と対向するように設けられている。電界効果トランジスタ1Cは、トップコンタクト型のトランジスタ構造を有する。
有機半導体層16の膜質は、有機半導体層16の直下にある層(下地)の影響を受ける可能性がある。例えば、図1に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ(電界効果トランジスタ1A)の場合、有機半導体層16は、これと接するゲート絶縁膜13、ソース電極14及びドレイン電極15の影響を受けて、それぞれと接する部位において膜質が変化する可能性がある。
これに対して、図5に示すようなトップコンタクト型構造の電界効果トランジスタ(電界効果トランジスタ1C)の場合には、有機半導体層16がすべてゲート絶縁膜13上に形成されているので、有機半導体層16の膜質がより均一となり、電界効果トランジスタは一層安定した半導体特性を示す。
さらに、図5に示すようなトップコンタクト型構造の電界効果トランジスタ(電界効果トランジスタ1C)の場合には、ソース電極14及びドレイン電極15を有機半導体層16上に形成するので、例えば、製造時にゲート絶縁膜13に与えるダメージや、残渣等の発生を低減できる。その結果、ゲート絶縁膜13と有機半導体層16との界面を、より良好な状態とすることができる。
これに対して、図5に示すようなトップコンタクト型構造の電界効果トランジスタ(電界効果トランジスタ1C)の場合には、有機半導体層16がすべてゲート絶縁膜13上に形成されているので、有機半導体層16の膜質がより均一となり、電界効果トランジスタは一層安定した半導体特性を示す。
さらに、図5に示すようなトップコンタクト型構造の電界効果トランジスタ(電界効果トランジスタ1C)の場合には、ソース電極14及びドレイン電極15を有機半導体層16上に形成するので、例えば、製造時にゲート絶縁膜13に与えるダメージや、残渣等の発生を低減できる。その結果、ゲート絶縁膜13と有機半導体層16との界面を、より良好な状態とすることができる。
電界効果トランジスタ1Cは、ソース電極14、ドレイン電極15及び有機半導体層16の積層順が異なる点以外は、電界効果トランジスタ1Aと同様である。したがって、例えば、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように、有機半導体層16上に保護膜が設けられていてもよい。
図6は、第四の実施形態に係る電界効果トランジスタの要部を例示する概略断面図である。
ここに示す電界効果トランジスタ1Dは、ゲート絶縁膜13の表面に表面修飾層18が設けられている点以外は、図5に示す電界効果トランジスタ1Cと同様である。すなわち、電界効果トランジスタ1Dにおいては、有機半導体層16が表面修飾層18に接している。このようにすることで、電界効果トランジスタ1Aに対する電界効果トランジスタ1Bと同様に、有機半導体層16の膜質をより均一にすることができる。また、界面トラップの減少や密着性向上の効果も得られる。
表面修飾層18は、図4におけるものと同様である。
ここに示す電界効果トランジスタ1Dは、ゲート絶縁膜13の表面に表面修飾層18が設けられている点以外は、図5に示す電界効果トランジスタ1Cと同様である。すなわち、電界効果トランジスタ1Dにおいては、有機半導体層16が表面修飾層18に接している。このようにすることで、電界効果トランジスタ1Aに対する電界効果トランジスタ1Bと同様に、有機半導体層16の膜質をより均一にすることができる。また、界面トラップの減少や密着性向上の効果も得られる。
表面修飾層18は、図4におけるものと同様である。
本発明に係る電界効果トランジスタは、図1〜6に示すものに限定されず、これらの構成の一部が変更されたものでもよい。例えば、以下に示すものが挙げられる。
(I)図7に例示するように、基板11上に有機半導体層16が設けられ、有機半導体層16上に、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、ソース電極14及びドレイン電極15間の有機半導体層16上に、ゲート絶縁膜13及びゲート電極12がこの順で設けられた電界効果トランジスタ1E(第五の実施形態)。
(II)図8に例示するように、基板11上にソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、ソース電極14及びドレイン電極15上を覆うように、基板11上に有機半導体層16が設けられ、有機半導体層16上にゲート絶縁膜13が設けられ、ゲート絶縁膜13上の一部にゲート電極12が設けられた電界効果トランジスタ1F(第六の実施形態)。
(I)図7に例示するように、基板11上に有機半導体層16が設けられ、有機半導体層16上に、ソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、ソース電極14及びドレイン電極15間の有機半導体層16上に、ゲート絶縁膜13及びゲート電極12がこの順で設けられた電界効果トランジスタ1E(第五の実施形態)。
(II)図8に例示するように、基板11上にソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、ソース電極14及びドレイン電極15上を覆うように、基板11上に有機半導体層16が設けられ、有機半導体層16上にゲート絶縁膜13が設けられ、ゲート絶縁膜13上の一部にゲート電極12が設けられた電界効果トランジスタ1F(第六の実施形態)。
本発明に係る電界効果トランジスタは、有機半導体層が大気雰囲気下で安定なので、同様に大気雰囲気下で、長期間に渡り安定に動作可能である。
本発明に係る電界効果トランジスタは、例えば、以下の方法で製造できる。
まず、図1に示す電界効果トランジスタ1Aの製造方法について説明する。図9は、電界効果トランジスタ1Aの製造方法を説明するための概略断面図である。
まず、図1に示す電界効果トランジスタ1Aの製造方法について説明する。図9は、電界効果トランジスタ1Aの製造方法を説明するための概略断面図である。
基板11上に、ゲート電極12を構成する材質からなる膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、前記膜を所望のパターンに形成して、図9(a)に示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。膜の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
次いで、図9(b)に示すように、ゲート電極12を覆うように基板11上にゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
次いで、ゲート絶縁膜13上に、スピンコート法等により、レジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィー法で露光及び現像を行うことにより、図9(c)に示すように、所定のパターンのフォトレジスト膜90を形成する。フォトレジスト膜90は、ソース電極14及びドレイン電極15を形成するためのものであり、これらの形状に対応して開口部を有する。
次いで、フォトレジスト膜90を覆うように、ゲート絶縁膜13上にソース電極14及びドレイン電極15の材質からなる金属膜を形成し、フォトレジスト膜90を除去することにより、図9(d)に示すように、ゲート絶縁膜13上の所定の箇所にソース電極14及びドレイン電極15を形成する。この時、前記金属膜を形成する前に、フォトレジスト膜90を覆うように、ゲート絶縁膜13上に密着層(図示略)を形成しておき、この密着層上に前記金属膜を形成してもよい。密着層の材質としては、クロム等の金属が例示できる。前記金属膜、密着層の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。フォトレジスト膜90の除去により、この上に形成された前記金属膜、さらに密着層を形成した場合には、この密着層も、フォトレジスト膜90とともに除去される。フォトレジスト膜90の除去方法としては、基板11をアセトン等の有機溶媒中に浸漬するリフトオフ法が例示できる。
次いで、図9(e)に示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16は、例えば、化合物(1)を含む、上記の電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物をゲート絶縁膜13上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。前記組成物を用いて有機半導体層16を形成する方法としては、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、有機半導体層16は、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成してもよい。
上記工程を行うことで、図1に示す電界効果トランジスタ1Aが得られる。この時、さらに、有機半導体層16上に保護膜17を形成することで、図2に示す電界効果トランジスタ1A’が得られる。
次に、図3に示す電界効果トランジスタ1Bの製造方法について説明する。図10は、電界効果トランジスタ1Bの製造方法を説明するための概略断面図である。
図9(a)〜(d)を参照して説明した方法と同様の方法で、図10(a)〜(d)に示すように、ゲート絶縁膜13上の所定の箇所にソース電極14及びドレイン電極15を形成する。
図9(a)〜(d)を参照して説明した方法と同様の方法で、図10(a)〜(d)に示すように、ゲート絶縁膜13上の所定の箇所にソース電極14及びドレイン電極15を形成する。
次いで、図10(e)に示すように、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成する。
次いで、図10(f)に示すように、表面修飾されたソース電極14及びドレイン電極15を覆うように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16の形成方法は、電界効果トランジスタ1Aの場合と同様である。
上記工程を行うことで、図3に示す電界効果トランジスタ1Bが得られる。この時、さらに、有機半導体層16上に保護膜を形成してもよい。
図4に示す電界効果トランジスタ1B’は、例えば、図10(e)において、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に代えて、ゲート絶縁膜13上のうち、ソース電極14及びドレイン電極15が設けられていない部位に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成すること以外は、上記の電界効果トランジスタ1Bの製造方法と同様の方法で製造できる。
図4に示す電界効果トランジスタ1B’は、例えば、図10(e)において、ソース電極14及びドレイン電極15の表面に代えて、ゲート絶縁膜13上のうち、ソース電極14及びドレイン電極15が設けられていない部位に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成すること以外は、上記の電界効果トランジスタ1Bの製造方法と同様の方法で製造できる。
次に、図5に示す電界効果トランジスタ1Cの製造方法について説明する。図11は、電界効果トランジスタ1Cの製造方法を説明するための概略断面図である。
基板11上に、ゲート電極12を構成する材質からなる膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、前記膜を所望のパターンに形成して、図11(a)に示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。膜の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
基板11上に、ゲート電極12を構成する材質からなる膜を形成し、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、前記膜を所望のパターンに形成して、図11(a)に示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。膜の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
次いで、図11(b)に示すように、ゲート電極12を覆うように基板11上にゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
次いで、図11(c)に示すように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16は、例えば、化合物(1)を含む前記有機半導体層用組成物をゲート絶縁膜13上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。前記組成物を用いて有機半導体層16を形成する方法としては、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、有機半導体層16は、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成してもよい。
次いで、有機半導体層16上に、所定の開口部を有する金属マスク(図示せず)を介して真空蒸着法等により、図11(d)に示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。
上記工程を行うことで、図5に示す電界効果トランジスタ1Cが得られる。この時、さらに、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように有機半導体層16上に保護膜を形成してもよい。
次に、図6に示す電界効果トランジスタ1Dの製造方法について説明する。図12は、電界効果トランジスタ1Dの製造方法を説明するための概略断面図である。
図11(a)を参照して説明した方法と同様の方法で、図12(a)に示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。
図11(a)を参照して説明した方法と同様の方法で、図12(a)に示すように、基板11上の所定箇所にゲート電極12を形成する。
次いで、図12(b)に示すように、ゲート電極12を覆うように基板11上にゲート絶縁膜13を形成する。ゲート絶縁膜13の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。さらに、ゲート絶縁膜13の表面に表面修飾剤を作用させて、表面修飾層18を形成する。表面修飾層18は、表面修飾剤の蒸気をゲート絶縁膜13の表面に接触させる方法、表面修飾剤を含む溶液中にゲート絶縁膜13が形成された基板11を浸漬する方法、表面修飾剤を含む溶液をゲート絶縁膜13の表面にスピンコート法で塗布する方法等で形成できる。
次いで、図12(c)に示すように、表面修飾層18上に有機半導体層16を形成する。有機半導体層16は、図11(c)を参照して説明した方法と同様の方法で形成できる。表面修飾層18上で、有機半導体層16の膜質はより均一となる。
次いで、図12(d)に示すように、有機半導体層16上に、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。ソース電極14及びドレイン電極15は、図11(d)を参照して説明した方法と同様の方法で形成できる。
上記工程を行うことで、図6に示す電界効果トランジスタ1Dが得られる。この時、さらに、ソース電極14及びドレイン電極15を覆うように有機半導体層16上に保護膜を形成してもよい。
<太陽電池>
本発明に係る太陽電池は、前記化合物(1)を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする。そして、かかる有機半導体層を備えたこと以外は、従来の太陽電池と同様の構成とすることができる。ここでは、化合物(1)は、主にp型半導体として利用されるが、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合には、化合物(1)をn型半導体として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る太陽電池は、前記化合物(1)を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする。そして、かかる有機半導体層を備えたこと以外は、従来の太陽電池と同様の構成とすることができる。ここでは、化合物(1)は、主にp型半導体として利用されるが、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合には、化合物(1)をn型半導体として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。
図13は、本発明に係る太陽電池の要部を例示する概略断面図である。
ここに示す太陽電池2Aは、ガラス基板21上に、アノード電極22、p型半導体層24、n型半導体層25及びカソード電極23がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板21上に、アノード電極22及びカソード電極23からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された、pn接合したp型半導体層24及びn型半導体層25と、が設けられたものである。
ここに示す太陽電池2Aは、ガラス基板21上に、アノード電極22、p型半導体層24、n型半導体層25及びカソード電極23がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板21上に、アノード電極22及びカソード電極23からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された、pn接合したp型半導体層24及びn型半導体層25と、が設けられたものである。
p型半導体層24は、前記化合物(1)を含む。そして、例えば、上記のp型半導体層用組成物を用いて、浸漬法、塗布法、印刷法等の低コストの薄膜形成法で形成されたものであってもよく、真空蒸着法等で化合物(1)が蒸着されて形成されたものであってもよい。
p型半導体層24の膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
上記のように化合物(1)は耐酸化性が高い。したがって、化合物(1)を含むp型半導体層24は、大気雰囲気下で安定である。
p型半導体層24の膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
上記のように化合物(1)は耐酸化性が高い。したがって、化合物(1)を含むp型半導体層24は、大気雰囲気下で安定である。
n型半導体層25の材質としては、上記のn型半導体材料で例示したフラーレン、フラーレン誘導体、フッ素化フタロシアニン等が例示できる。
n型半導体層25の膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
n型半導体層25の膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
アノード電極22の材質としては、透明電極であるITO、有機導電体であるPEDOT/PSS等が例示できる。
アノード電極22の膜厚は、10〜500nmであることが好ましい。
アノード電極22の膜厚は、10〜500nmであることが好ましい。
カソード電極23の材質としては、銀、アルミニウム等が例示できる。
カソード電極23の膜厚は、10〜500nmであることが好ましい。
カソード電極23の膜厚は、10〜500nmであることが好ましい。
また、本発明に係る太陽電池は、p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、前記化合物(1)を含むことを特徴とする。すなわち、いわゆるバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池である。図14は、かかる太陽電池の要部を例示する概略断面図である。
ここに示す太陽電池2Bは、ガラス基板21上に、アノード電極22、有機半導体層26及びカソード電極23がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板21上に、アノード電極22及びカソード電極23からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機半導体層26と、が設けられたものである。
有機半導体層26は、例えば、上記の太陽電池の有機半導体層用組成物を用いて、太陽電池2Aにおけるp型半導体層24の場合と同様の方法で形成できる。
ここに示す太陽電池2Bは、ガラス基板21上に、アノード電極22、有機半導体層26及びカソード電極23がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板21上に、アノード電極22及びカソード電極23からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機半導体層26と、が設けられたものである。
有機半導体層26は、例えば、上記の太陽電池の有機半導体層用組成物を用いて、太陽電池2Aにおけるp型半導体層24の場合と同様の方法で形成できる。
本発明に係る太陽電池は、有機半導体層が大気雰囲気下で安定なので、同様に大気雰囲気下で、長期間に渡り安定に動作可能である。
本発明に係る太陽電池は、例えば、以下の方法で製造できる。
図15は、太陽電池2Aの製造方法を説明するための概略断面図である。
まず、図15(a)に示すように、ガラス基板21上にアノード電極22を形成する。アノード電極22の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
図15は、太陽電池2Aの製造方法を説明するための概略断面図である。
まず、図15(a)に示すように、ガラス基板21上にアノード電極22を形成する。アノード電極22の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
次いで、図15(b)に示すように、アノード電極22上にp型半導体層24を形成する。p型半導体層24は、例えば、化合物(1)を含む、上記のp型半導体層用組成物をアノード電極22上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。前記組成物を用いてp型半導体層24を形成する方法は、電界効果トランジスタの製造時に、有機半導体層用組成物を用いて有機半導体層を形成する方法と同様であり、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、p型半導体層24は、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成してもよい。
次いで、図15(c)に示すように、p型半導体層24上にn型半導体層25を形成する。n型半導体層25の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
次いで、図15(d)に示すように、n型半導体層25上にカソード電極23を形成する。カソード電極23の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
上記工程を行うことで、図15に示す太陽電池2Aが得られる。この時、さらに、カソード電極23上に保護膜を形成してもよい。この保護膜は、上記の電界効果トランジスタにおいて用いるものと同様でよい。
次いで、図15(d)に示すように、n型半導体層25上にカソード電極23を形成する。カソード電極23の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
上記工程を行うことで、図15に示す太陽電池2Aが得られる。この時、さらに、カソード電極23上に保護膜を形成してもよい。この保護膜は、上記の電界効果トランジスタにおいて用いるものと同様でよい。
なお、ここではp型半導体層24として、前記化合物(1)を含むものについて説明したが、前記化合物(1)を含まないものとする場合には、p型半導体層24は公知のものでよい。また、ここではn型半導体層25として、公知の材質からなるものについて説明したが、前記化合物(1)を含むものとしてもよく、この場合のn型半導体層25は、上記の化合物(1)を含むp型半導体層24の場合と同様の方法で形成できる。
<有機発光素子>
本発明に係る有機発光素子は、前記化合物(1)を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする。そして、かかるキャリヤ輸送層を備えたこと以外は、従来の有機発光素子と同様の構成とすることができる。ここでは、化合物(1)は、主にp型半導体(正孔輸送層用の材料)として利用されるが、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合には、化合物(1)をn型半導体(電子輸送層用の材料)として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る有機発光素子は、前記化合物(1)を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする。そして、かかるキャリヤ輸送層を備えたこと以外は、従来の有機発光素子と同様の構成とすることができる。ここでは、化合物(1)は、主にp型半導体(正孔輸送層用の材料)として利用されるが、例えば、R1〜R18の一部又はすべてが、フッ素原子であるか、又はフッ素原子を有するなど、電子吸引性が高い基である場合には、化合物(1)をn型半導体(電子輸送層用の材料)として機能させることも可能である。以下、図面を参照しながら説明する。
図16は、本発明に係る有機発光素子の要部を例示する概略断面図である。
ここに示す有機発光素子3Aは、ガラス基板31上に、アノード電極32、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する)部34及びカソード電極33がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板31上に、アノード電極32及びカソード電極33からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機EL部34と、が設けられたものである。
ここに示す有機発光素子3Aは、ガラス基板31上に、アノード電極32、有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する)部34及びカソード電極33がこの順に積層され、概略構成されている。すなわち、ガラス基板31上に、アノード電極32及びカソード電極33からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機EL部34と、が設けられたものである。
アノード電極32及びカソード電極33は、それぞれ、上記の太陽電池におけるアノード電極及びカソード電極と同様のものである。
有機EL部34は、アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層34a、正孔輸送層34b、発光層34c、電子輸送層34d及び電子注入層34eがこの順に積層され、概略構成されている。
正孔注入層34a、正孔輸送層34b、発光層34c、電子輸送層34d、電子注入層34eは、それぞれ単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。
正孔注入層34a、正孔輸送層34b、発光層34c、電子輸送層34d、電子注入層34eは、それぞれ単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。
正孔輸送層34bは、前記化合物(1)を含む。そして、例えば、上記のキャリヤ(正孔)輸送層用組成物を用いて、浸漬法、塗布法、印刷法等の低コストの薄膜形成法で形成されたものであってもよく、真空蒸着法等で化合物(1)が蒸着されて形成されたものであってもよい。
正孔輸送層34bの膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
上記のように化合物(1)は耐酸化性が高い。したがって、化合物(1)を含む正孔輸送層34bは、大気雰囲気下で安定である。
正孔輸送層34bの膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
上記のように化合物(1)は耐酸化性が高い。したがって、化合物(1)を含む正孔輸送層34bは、大気雰囲気下で安定である。
正孔注入層34aにおいて、正孔注入輸送材料は、有機EL用又は有機光導電体用として公知のものでよい。好ましい正孔注入輸送材料としては、酸化バナジウム(V2O5)、酸化モリブデン(MoO2)等の酸化物や無機p型半導体材料;ポリアニリン(PANI)、ポリアニリン−樟脳スルホン酸(PANI−CSA)、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDOT/PSS)、ポリ(トリフェニルアミン)誘導体(Poly−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)、ポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン)(PNV)等の高分子材料等が例示できる。
また、正孔注入層34aに適用する正孔注入輸送材料としては、陽極からの正孔の注入・輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層34bに適用する正孔注入輸送材料よりも、最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギー準位が低い材料が好ましい。
正孔注入層34aの膜厚は、1〜500nmであることが好ましい。
また、正孔注入層34aに適用する正孔注入輸送材料としては、陽極からの正孔の注入・輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層34bに適用する正孔注入輸送材料よりも、最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギー準位が低い材料が好ましい。
正孔注入層34aの膜厚は、1〜500nmであることが好ましい。
発光層34cの材質は、有機EL用の公知のものでよく、例えば、低分子発光材料及び高分子発光材料等に分類できる。
前記低分子発光材料の好ましいものとしては、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)等の芳香族ジメチリデン化合物;5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)等のトリアゾール誘導体;1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;フルオレノン誘導体;4,4’−N,N’−ジカルバソル−ビフェニル(CBP)等のカルバゾール誘導体等の蛍光性有機材料等が例示できる。また、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(PPY)3)等の燐光性材料等も例示できる。
前記高分子発光材料の好ましいものとしては、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP)等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF)等のポリスピロ誘導体等が例示できる。
発光層34cの膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
前記低分子発光材料の好ましいものとしては、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)等の芳香族ジメチリデン化合物;5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)等のトリアゾール誘導体;1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;フルオレノン誘導体;4,4’−N,N’−ジカルバソル−ビフェニル(CBP)等のカルバゾール誘導体等の蛍光性有機材料等が例示できる。また、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(PPY)3)等の燐光性材料等も例示できる。
前記高分子発光材料の好ましいものとしては、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP)等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF)等のポリスピロ誘導体等が例示できる。
発光層34cの膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。
電子輸送層34d及び電子注入層34eにおいて、電子注入輸送材料は、有機EL用又は有機光導電体用として公知のものでよい。好ましい電子注入輸送材料としては、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体、(8−ヒドロキシキノリンアルミニウム)(A1q3)等の低分子材料;ポリ(オキサジアゾール)(Poly−OXZ)、ポリスチレン誘導体(PSS)等の高分子材料が例示できる。特に、電子注入材料としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化バリウム(BaF2)等のフッ化物;酸化リチウム(Li2O)等の酸化物等が例示できる。
また、電子注入層34eに適用する電子注入輸送材料としては、陰極からの電子の注入・輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層34dに適用する電子注入輸送材料よりも、最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギー準位が高い材料が好ましい。そして、電子輸送層34dに適用する電子注入輸送材料としては、電子注入層34eに適用する電子注入輸送材料よりも、電子の移動度が高い材料が好ましい。
電子輸送層34dの膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。また、電子注入層34eの膜厚は、0.1〜100nmであることが好ましい。
また、電子注入層34eに適用する電子注入輸送材料としては、陰極からの電子の注入・輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層34dに適用する電子注入輸送材料よりも、最低非占有分子軌道(LUMO)のエネルギー準位が高い材料が好ましい。そして、電子輸送層34dに適用する電子注入輸送材料としては、電子注入層34eに適用する電子注入輸送材料よりも、電子の移動度が高い材料が好ましい。
電子輸送層34dの膜厚は、5〜500nmであることが好ましい。また、電子注入層34eの膜厚は、0.1〜100nmであることが好ましい。
本発明に係る有機発光素子は、図16に示すものに限定されず、その構成の一部が変更されたものでもよい。例えば、有機EL部34の構成を以下のようにしたものが挙げられる。
(i)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。
(ii)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。
(iii)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。
(iv)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL部。
(v)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL部。
(i)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。
(ii)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。
(iii)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層及び電子輸送層がこの順に積層された有機EL部。
(iv)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL部。
(v)アノード電極32側からカソード電極33側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された有機EL部。
前記正孔防止層及び電子防止層は、有機EL用として公知のものでよい。
本発明に係る有機発光素子は、正孔輸送層が大気雰囲気下で安定なので、同様に大気雰囲気下で、長期間に渡り安定に動作可能である。
本発明に係る有機発光素子は、例えば、以下の方法で製造できる。
図17は、有機発光素子3Aの製造方法を説明するための概略断面図である。
まず、図17(a)に示すように、ガラス基板31上にアノード電極32を形成する。アノード電極32の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
図17は、有機発光素子3Aの製造方法を説明するための概略断面図である。
まず、図17(a)に示すように、ガラス基板31上にアノード電極32を形成する。アノード電極32の形成方法としては、スパッタリング法が例示できる。
次いで、図17(b)に示すように、アノード電極32上に正孔注入層34aを形成する。正孔注入層34aの形成方法としては、スピンコート法が例示できる。
次いで、図17(c)に示すように、正孔注入層34a上に正孔輸送層34bを形成する。正孔輸送層34bは、例えば、化合物(1)を含む、上記のキャリヤ(正孔)輸送層用組成物を正孔注入層34a上に載せることで、さらに、必要に応じて溶媒を乾燥除去することで形成できる。正孔輸送層用組成物を用いて正孔輸送層34bを形成する方法は、電界効果トランジスタの製造時に、有機半導体層用組成物を用いて有機半導体層を形成する方法と同様であり、浸漬法;キャスト法、スピンコート法等の塗布法;インクジェット法、マイクロコンタクト印刷法、反転オフセット印刷法、フレキソ印刷法、平版印刷法、凹版印刷法等の印刷法が例示できる。また、正孔輸送層34bは、真空蒸着法等により、化合物(1)を蒸着させて形成してもよい。
次いで、図17(d)に示すように、正孔輸送層34b上に発光層34cを形成する。発光層34cの形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
次いで、図17(e)に示すように、発光層34c上に電子輸送層34dを形成する。電子輸送層34dの形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
次いで、図17(f)に示すように、電子輸送層34d上に電子注入層34eを形成する。電子注入層34eの形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
次いで、図17(g)に示すように、電子注入層34e上にカソード電極33を形成する。カソード電極33の形成方法としては、真空蒸着法が例示できる。
上記工程を行うことで、図16に示す有機発光素子3Aが得られる。
上記工程を行うことで、図16に示す有機発光素子3Aが得られる。
なお、ここでは正孔輸送層34bとして、前記化合物(1)を含むものについて説明したが、前記化合物(1)を含まないものとする場合には、正孔輸送層34bは、有機EL用の公知のものでよい。また、ここでは電子輸送層34dとして、有機EL用又は有機光導電体用として公知の材質からなるものについて説明したが、前記化合物(1)を含むものとしてもよく、この場合の電子輸送層34dは、上記の化合物(1)を含む正孔輸送層34bの場合と同様の方法で形成できる。
<表示装置用アレイ>
本発明に係る表示装置用アレイは、前記電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする。そして、かかる電界効果トランジスタを備えたこと以外は、従来の表示装置用アレイと同様の構成とすることができる。本発明に係る表示装置用アレイは、前記電界効果トランジスタを備えたことで、高速動作が可能となる。
以下、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る表示装置用アレイは、前記電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする。そして、かかる電界効果トランジスタを備えたこと以外は、従来の表示装置用アレイと同様の構成とすることができる。本発明に係る表示装置用アレイは、前記電界効果トランジスタを備えたことで、高速動作が可能となる。
以下、図面を参照しながら説明する。
図18は、本発明に係る表示装置用アレイの要部を例示する概略図であり、(a)は平面図、(b)は拡大平面図、(c)は(b)のC−C’線における断面図、(d)は(b)のD−D’線における断面図である。
ここに示す表示装置用アレイ4Aは、図1に示す電界効果トランジスタ1Aを備えた有機半導体装置42をマトリクス状に配置することで、画像表示装置の駆動用アレイとして用いたものである。ただし、電界効果トランジスタ1Aとしては、有機半導体層16がソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上のみに形成されたものを用いている。
表示装置用アレイ4Aは、透明な基板11上に設けられたゲート配線40、ソース配線41、画素電極43、及びこれらに電気的に接続された電界効果トランジスタ1Aを備えた有機半導体装置42から概略構成されている。ゲート配線40は、図1におけるゲート電極12を構成するとともに、それへの接続配線ともなっている。
そして、ゲート配線40上にゲート絶縁膜13を介してソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、さらにソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上に、有機半導体層16が設けられている。また、ドレイン電極15は、画素電極43と接続され、駆動用アレイとして構成されている。
ここに示す表示装置用アレイ4Aは、図1に示す電界効果トランジスタ1Aを備えた有機半導体装置42をマトリクス状に配置することで、画像表示装置の駆動用アレイとして用いたものである。ただし、電界効果トランジスタ1Aとしては、有機半導体層16がソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上のみに形成されたものを用いている。
表示装置用アレイ4Aは、透明な基板11上に設けられたゲート配線40、ソース配線41、画素電極43、及びこれらに電気的に接続された電界効果トランジスタ1Aを備えた有機半導体装置42から概略構成されている。ゲート配線40は、図1におけるゲート電極12を構成するとともに、それへの接続配線ともなっている。
そして、ゲート配線40上にゲート絶縁膜13を介してソース電極14及びドレイン電極15が離間して設けられ、さらにソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上に、有機半導体層16が設けられている。また、ドレイン電極15は、画素電極43と接続され、駆動用アレイとして構成されている。
有機半導体装置42は、例えば、ソース配線41及び画素電極43を形成する工程を有すること以外は、電界効果トランジスタ1Aの場合と同様の方法で製造できる。具体的には、以下の通りである。図19は、有機半導体装置42の製造方法を説明するための概略断面図である。
まず、図9(a)〜(c)を参照して説明した方法と同様の方法で、図19(a)〜(c)に示すように、基板11上にゲート配線40(ゲート電極12)、ゲート絶縁膜13を順次形成し、次に所定のパターンのフォトレジスト膜90を形成する。ゲート絶縁膜13は、ゲート配線40の表面を覆い、基板11上の全面を覆うように形成し、次いで所定のパターンにエッチングする。
次いで、図9(d)を参照して説明した方法と同様の方法で、図19(d)に示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。さらに、ソース電極14に接触するようにソース配線41を、ドレイン電極15に接触するように画素電極43を、それぞれゲート絶縁膜13上に形成する。ソース配線41及び画素電極43は、例えば、銀(Ag)等の金属を材質とし、各種印刷法により形成できる。
次いで、図9(e)を参照して説明した方法と同様の方法で、図19(e)に示すように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。ただし、ここでは、金属マスクを用いる方法等により、ソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上のみに有機半導体層16を形成する。
上記工程を行うことで、有機半導体装置42が得られる。
そして、得られた有機半導体装置42をマトリクス状に配置することで、表示装置用アレイ4Aが得られる。
まず、図9(a)〜(c)を参照して説明した方法と同様の方法で、図19(a)〜(c)に示すように、基板11上にゲート配線40(ゲート電極12)、ゲート絶縁膜13を順次形成し、次に所定のパターンのフォトレジスト膜90を形成する。ゲート絶縁膜13は、ゲート配線40の表面を覆い、基板11上の全面を覆うように形成し、次いで所定のパターンにエッチングする。
次いで、図9(d)を参照して説明した方法と同様の方法で、図19(d)に示すように、ソース電極14及びドレイン電極15を形成する。さらに、ソース電極14に接触するようにソース配線41を、ドレイン電極15に接触するように画素電極43を、それぞれゲート絶縁膜13上に形成する。ソース配線41及び画素電極43は、例えば、銀(Ag)等の金属を材質とし、各種印刷法により形成できる。
次いで、図9(e)を参照して説明した方法と同様の方法で、図19(e)に示すように、ゲート絶縁膜13上に有機半導体層16を形成する。ただし、ここでは、金属マスクを用いる方法等により、ソース電極14及びドレイン電極15間のゲート絶縁膜13上のみに有機半導体層16を形成する。
上記工程を行うことで、有機半導体装置42が得られる。
そして、得られた有機半導体装置42をマトリクス状に配置することで、表示装置用アレイ4Aが得られる。
ここでは、電界効果トランジスタとして電界効果トランジスタ1Aを用いた例を示しているが、その他の電界効果トランジスタも用いることができ、その構成に応じて、有機半導体装置の構成を調節すればよい。
本発明に係る表示装置用アレイは、例えば、液晶表示装置や有機EL表示装置等の画像表示装置の駆動用として好適である。
本発明に係る表示装置用アレイは、例えば、液晶表示装置や有機EL表示装置等の画像表示装置の駆動用として好適である。
<表示装置>
本発明に係る表示装置は、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、前記有機発光素子であることを特徴とする。そして、かかる有機発光素子を備えたこと以外は、従来の表示装置と同様の構成とすることができる。
本発明に係る表示装置は、前記有機発光素子を備えたことで、良好な発光特性が得られる。
以下、図面を参照しながら説明する。
本発明に係る表示装置は、画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、前記発光部が、前記有機発光素子であることを特徴とする。そして、かかる有機発光素子を備えたこと以外は、従来の表示装置と同様の構成とすることができる。
本発明に係る表示装置は、前記有機発光素子を備えたことで、良好な発光特性が得られる。
以下、図面を参照しながら説明する。
図20は、本発明に係る表示装置の要部を例示する概略図であり、(a)は平面図、(b)は1画素の等価回路図、(c)は1画素の平面図である。
ここに示す表示装置5Aは、本発明に係る有機発光素子3を有機EL表示装置の素子として用いた有機EL表示装置である。
表示装置5Aにおいては、複数の走査線(ゲート配線)50と、複数の信号線(ソース配線)51とが縦横に配されたマトリクスが形成されており、それぞれの交差部に1つの画素が設けられた画素アレイが形成されている。画素アレイの周囲領域には、走査線50に接続された走査線駆動回路(ゲートドライバ)55と、信号線51に接続された信号線駆動回路(ソースドライバ)56が、それぞれ配置されている。そして、前記走査線駆動回路55及び信号線駆動回路56には、画像表示を行うためのタイミング信号やRGB輝度信号等の画像信号を供給するためのコントローラ57が接続され、さらに走査線50及び信号線51に与える信号電圧を供給するための電源回路59が接続されている。コントローラ57には、表示装置5Aに対して外部より水平・垂直同期信号や画像信号を与えるための外部処理装置58が接続されている。
表示装置5Aを構成する画素アレイの1画素は、図20(b)に示すように、走査線50及び信号線51に接続されたスイッチング用トランジスタ52、画素を駆動するための駆動用トランジスタ53、並びに保持容量54を備え、駆動用トランジスタ53に有機発光素子3(有機EL素子)からなる画素部が接続されている。有機発光素子3は、駆動電流又は電圧により発光する。
スイッチング用トランジスタ52及び駆動用トランジスタ53は、例えば、一般的な多結晶シリコンを半導体として用いたトランジスタ等で構成できる。以上により表示装置5Aが構成されている。
有機発光素子3としては、図16に示す有機発光素子3Aをはじめとして、本発明に係る素子であれば、いずれも用いることができる。
ここに示す表示装置5Aは、本発明に係る有機発光素子3を有機EL表示装置の素子として用いた有機EL表示装置である。
表示装置5Aにおいては、複数の走査線(ゲート配線)50と、複数の信号線(ソース配線)51とが縦横に配されたマトリクスが形成されており、それぞれの交差部に1つの画素が設けられた画素アレイが形成されている。画素アレイの周囲領域には、走査線50に接続された走査線駆動回路(ゲートドライバ)55と、信号線51に接続された信号線駆動回路(ソースドライバ)56が、それぞれ配置されている。そして、前記走査線駆動回路55及び信号線駆動回路56には、画像表示を行うためのタイミング信号やRGB輝度信号等の画像信号を供給するためのコントローラ57が接続され、さらに走査線50及び信号線51に与える信号電圧を供給するための電源回路59が接続されている。コントローラ57には、表示装置5Aに対して外部より水平・垂直同期信号や画像信号を与えるための外部処理装置58が接続されている。
表示装置5Aを構成する画素アレイの1画素は、図20(b)に示すように、走査線50及び信号線51に接続されたスイッチング用トランジスタ52、画素を駆動するための駆動用トランジスタ53、並びに保持容量54を備え、駆動用トランジスタ53に有機発光素子3(有機EL素子)からなる画素部が接続されている。有機発光素子3は、駆動電流又は電圧により発光する。
スイッチング用トランジスタ52及び駆動用トランジスタ53は、例えば、一般的な多結晶シリコンを半導体として用いたトランジスタ等で構成できる。以上により表示装置5Aが構成されている。
有機発光素子3としては、図16に示す有機発光素子3Aをはじめとして、本発明に係る素子であれば、いずれも用いることができる。
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に何ら限定されるものではない。
<化合物(1)の製造>
[実施例1]
下記手順に従い、前記化合物(1a)として下記式(1a−1)で表される化合物(以下、化合物(1a−1)と略記する)を用いて、化合物(1)として下記式(1−1)で表される化合物(以下、化合物(1−1)と略記する)を製造した。化合物(1a−1)は、下記式(1a−101)で表される化合物(以下、化合物(1a−101)と略記する)、及び下記式(1a−102)で表される化合物(以下、化合物(1a−102)と略記する)を経由する方法で製造した。
[実施例1]
下記手順に従い、前記化合物(1a)として下記式(1a−1)で表される化合物(以下、化合物(1a−1)と略記する)を用いて、化合物(1)として下記式(1−1)で表される化合物(以下、化合物(1−1)と略記する)を製造した。化合物(1a−1)は、下記式(1a−101)で表される化合物(以下、化合物(1a−101)と略記する)、及び下記式(1a−102)で表される化合物(以下、化合物(1a−102)と略記する)を経由する方法で製造した。
(化合物(1a−101)の製造)
3,4−ジブロモアニソール(13.3g、0.05mol)、1−ナフトール(7.2g、0.05mol)、トリフェニルホスフィン(PPh3)(2.62g、0.01mol))、炭酸セシウム(Cs2CO3)(65.2g、0.2mol)及び無水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)(50mL)の混合物に、20分間乾燥窒素ガスをバブリングした。これに酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)(561mg、2.5mmol)を加え、窒素ガス雰囲気下、150℃で2日間攪拌した。得られた反応液に水を加え、ジクロロメタンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、シリカゲル充填剤を用いたカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:ジクロロメタン=5:1、体積比)による精製、及びGPC精製を行うことにより、白色固体として化合物(1a−101)(9−メトキシベンゾ[k,l]キサンテン)を得た(収率5.6%)。
3,4−ジブロモアニソール(13.3g、0.05mol)、1−ナフトール(7.2g、0.05mol)、トリフェニルホスフィン(PPh3)(2.62g、0.01mol))、炭酸セシウム(Cs2CO3)(65.2g、0.2mol)及び無水N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)(50mL)の混合物に、20分間乾燥窒素ガスをバブリングした。これに酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)(561mg、2.5mmol)を加え、窒素ガス雰囲気下、150℃で2日間攪拌した。得られた反応液に水を加え、ジクロロメタンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、シリカゲル充填剤を用いたカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:ジクロロメタン=5:1、体積比)による精製、及びGPC精製を行うことにより、白色固体として化合物(1a−101)(9−メトキシベンゾ[k,l]キサンテン)を得た(収率5.6%)。
化合物(1a−101)は、1H−NMRスペクトル及び13C−NMRスペクトルによってその構造を確認した。
1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ:3.87 (s, 3H), 6.86 (dd, J = J = 8.92, 2.94 Hz, 1H), 6.90 (dd, J = 6.98, 1.72 Hz, 1H), 7.04 (d, J = 9.03 Hz, 1H), 7.30-7.37 (m, 3H), 7.41 (dd, J = 8.13, 7.42 Hz, 1H), 7.53 (dd, J = 7.25, 0.73 Hz, 1H), 7.57 (dd, J = 8.28, 0.73, 1H)
13C NMR (100 MHz, CDCl3)δ:55.87, 106.83, 107.89, 114.14, 116.26, 118.13, 119.54, 121.07, 121.52, 125.92, 127.12, 127.29, 127.43, 135.09, 146.42, 151.26, 155.70
1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ:3.87 (s, 3H), 6.86 (dd, J = J = 8.92, 2.94 Hz, 1H), 6.90 (dd, J = 6.98, 1.72 Hz, 1H), 7.04 (d, J = 9.03 Hz, 1H), 7.30-7.37 (m, 3H), 7.41 (dd, J = 8.13, 7.42 Hz, 1H), 7.53 (dd, J = 7.25, 0.73 Hz, 1H), 7.57 (dd, J = 8.28, 0.73, 1H)
13C NMR (100 MHz, CDCl3)δ:55.87, 106.83, 107.89, 114.14, 116.26, 118.13, 119.54, 121.07, 121.52, 125.92, 127.12, 127.29, 127.43, 135.09, 146.42, 151.26, 155.70
(化合物(1a−102)の製造)
化合物(1a−101)(695mg、2.8mmol)の無水ジクロロメタン溶液(10mL)に、三臭化ホウ素(BBr3)(1.4g、5.6mmol)を0℃で加え、その後、室温において3時間撹拌した。これを水に加え、塩化メチレンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、シリカゲル充填剤を用いたカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン)により精製することで、化合物(1a−102)(9−ヒドロキシベンゾ[k,l]キサンテン)を白色固体として得た(収率98%)。
化合物(1a−101)(695mg、2.8mmol)の無水ジクロロメタン溶液(10mL)に、三臭化ホウ素(BBr3)(1.4g、5.6mmol)を0℃で加え、その後、室温において3時間撹拌した。これを水に加え、塩化メチレンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、シリカゲル充填剤を用いたカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン)により精製することで、化合物(1a−102)(9−ヒドロキシベンゾ[k,l]キサンテン)を白色固体として得た(収率98%)。
化合物(1a−102)は、1H−NMRスペクトルによってその構造を確認した。
1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ:4.87 (s, 1H), 6.58 (d, J = 2.60 Hz, 1H), 6.61 (dd, J = 8.56, 2.60 Hz, 1H), 6.89 (dd, J = 5.68, 3.02 Hz, 1H), 7.31-7.40 (m, 3H), 7.48 (d, J = 6.52 Hz, 1H), 7.51 (d, J = 8.21 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 8.56, 1H)
1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ:4.87 (s, 1H), 6.58 (d, J = 2.60 Hz, 1H), 6.61 (dd, J = 8.56, 2.60 Hz, 1H), 6.89 (dd, J = 5.68, 3.02 Hz, 1H), 7.31-7.40 (m, 3H), 7.48 (d, J = 6.52 Hz, 1H), 7.51 (d, J = 8.21 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 8.56, 1H)
(化合物(1a−1)の製造)
化合物(1a−102)(640mg、2.7mmol)及びトリエチルアミン(760μL)の無水ジクロロメタン溶液(15mL)に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物((CF3SO2)2O)(1.54mg、5.5mmol)を0℃で加え、その後、室温において12時間撹拌した。これを水に加え、塩化メチレンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、シリカゲル充填剤を用いたカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:ジクロロメタン=1:1、体積比)により精製することで、化合物(1a−1)(9−トリフルオロメタンスルホニルベンゾ[k,l]キサンテン)を淡黄色固体として得た(収率96%)。
化合物(1a−102)(640mg、2.7mmol)及びトリエチルアミン(760μL)の無水ジクロロメタン溶液(15mL)に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物((CF3SO2)2O)(1.54mg、5.5mmol)を0℃で加え、その後、室温において12時間撹拌した。これを水に加え、塩化メチレンで抽出し、溶媒留去後の残渣を、シリカゲル充填剤を用いたカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:ジクロロメタン=1:1、体積比)により精製することで、化合物(1a−1)(9−トリフルオロメタンスルホニルベンゾ[k,l]キサンテン)を淡黄色固体として得た(収率96%)。
化合物(1a−1)は、1H−NMRスペクトル及び13C−NMRスペクトルによってその構造を確認した。
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ:6.91 (dd, J = 4.37, 4.37 Hz, 1H), 7.09 (d, J = 8.92 Hz, 1H), 7.14 (dd, J = 8.99, 2.77 Hz, 1H), 7.35 (s, 1H), 7.36 (d, J = 1.05 Hz, 1H), 7.41 (dd, J = 8.12, 7.39 Hz, 1H), 7.51 (dd, J = 7.34, 0.98 Hz, 1H), 7.62 (dd, J = 8.30, 0.98 Hz, 1H), 7.65(d, J = 2.70 Hz, 1H)
13C NMR (100 MHz, CDCl3)δ:108.40, 115.06, 115.66, 118.81, 120.47, 121.16, 122.25, 122.63, 125.27, 126.99, 127.22, 127.54, 134.77, 145.08, 150.34, 151.35
1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ:6.91 (dd, J = 4.37, 4.37 Hz, 1H), 7.09 (d, J = 8.92 Hz, 1H), 7.14 (dd, J = 8.99, 2.77 Hz, 1H), 7.35 (s, 1H), 7.36 (d, J = 1.05 Hz, 1H), 7.41 (dd, J = 8.12, 7.39 Hz, 1H), 7.51 (dd, J = 7.34, 0.98 Hz, 1H), 7.62 (dd, J = 8.30, 0.98 Hz, 1H), 7.65(d, J = 2.70 Hz, 1H)
13C NMR (100 MHz, CDCl3)δ:108.40, 115.06, 115.66, 118.81, 120.47, 121.16, 122.25, 122.63, 125.27, 126.99, 127.22, 127.54, 134.77, 145.08, 150.34, 151.35
(化合物(1−1)の製造)
化合物(1a−1)(800mg、2.18mmol)、ビストリフェニルホスフィンニッケル(II)クロライド(NiCl2(PPh3)2)(288mg、0.44mmol)、ヨウ化カリウム(2.9g、17.4mmol)、亜鉛粉末(5.7g、87.2mmol)、及び無水テトラヒドロフラン(THF)(5mL)の混合物を、80℃で24時間撹拌した。その後、これを水に加え、クロロホルムで抽出し、溶媒留去後の残渣を減圧下昇華精製(300℃/2Pa)することにより、化合物(1−1)を淡黄色固体として得た(収率27%)。
化合物(1a−1)(800mg、2.18mmol)、ビストリフェニルホスフィンニッケル(II)クロライド(NiCl2(PPh3)2)(288mg、0.44mmol)、ヨウ化カリウム(2.9g、17.4mmol)、亜鉛粉末(5.7g、87.2mmol)、及び無水テトラヒドロフラン(THF)(5mL)の混合物を、80℃で24時間撹拌した。その後、これを水に加え、クロロホルムで抽出し、溶媒留去後の残渣を減圧下昇華精製(300℃/2Pa)することにより、化合物(1−1)を淡黄色固体として得た(収率27%)。
化合物(1−1)は、1H−NMRスペクトル、及び高分解能エレクトロスプレーイオン化質量分析(HR−ESI−MS)によって、その構造を確認した。
1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ:6.93-7.00 (m, 2H), 7.19 (d, J = 8.32 Hz, 2H), 7.35-7.40 (m, 2H), 7.46 (dd, J = 7.38, 8.21 Hz, 2H), 7.53 (dd, J = 8.42, 2.19 Hz, 2H), 7.61 (dd, J = 8.21, 0.63 Hz, 2H), 7.73 (d, J = 7.12, 2H), 8.05 (d, J = 2.19, 2H)
HR-ESI-MS m/z:435.1385[M+H]+, Calcd for C32H18O2, 434.1307.
1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ:6.93-7.00 (m, 2H), 7.19 (d, J = 8.32 Hz, 2H), 7.35-7.40 (m, 2H), 7.46 (dd, J = 7.38, 8.21 Hz, 2H), 7.53 (dd, J = 8.42, 2.19 Hz, 2H), 7.61 (dd, J = 8.21, 0.63 Hz, 2H), 7.73 (d, J = 7.12, 2H), 8.05 (d, J = 2.19, 2H)
HR-ESI-MS m/z:435.1385[M+H]+, Calcd for C32H18O2, 434.1307.
<化合物(1)の物性評価>
化合物(1−1)と下記ペンタセンについて、DFT法(B3LYP6−31G*)による第一原理計算を行い、最高被占有分子軌道(HOMO)及び最低非占有分子軌道(LUMO)のレベルを算出した。結果を表1に示す。
化合物(1−1)と下記ペンタセンについて、DFT法(B3LYP6−31G*)による第一原理計算を行い、最高被占有分子軌道(HOMO)及び最低非占有分子軌道(LUMO)のレベルを算出した。結果を表1に示す。
表1に示すように、第一原理計算の結果、化合物(1−1)はペンタセンよりもHOMOレベルが低く、大きなイオン化ポテンシャルを有すること、すなわち、化合物(1−1)はペンタセンよりも耐酸化性が高いことを示していた。また、HOMO−LUMOギャップ(HOMO−LUMO間のエネルギー差)が小さい場合には、化合物の安定性が低下することが知られており、化合物(1−1)がペンタセンよりもHOMO−LUMOギャップが1.57eVも大きいことから、化合物(1−1)が安定性に優れることが示された。
なお、化合物(1−1)のようなHOMOレベルであれば、例えば、ソース電極及びゲート電極が金(仕事関数は約5eV)である電界効果トランジスタの有機半導体層として化合物(1−1)を用いれば、正孔(ホール)注入が容易になると予想された。
なお、化合物(1−1)のようなHOMOレベルであれば、例えば、ソース電極及びゲート電極が金(仕事関数は約5eV)である電界効果トランジスタの有機半導体層として化合物(1−1)を用いれば、正孔(ホール)注入が容易になると予想された。
次に、化合物(1−1)の空気酸化に対する安定性を評価した。
すなわち、空気飽和の状態とした塩化メチレンを溶媒として化合物(1−1)の溶液を調製し、暗所で静置した。そして、溶液調製直後から静置一ヶ月後まで、紫外−可視(UV−Vis)分光の吸収スペクトルを測定することによって、化合物(1−1)の溶液について、吸収強度の経時変化を追跡した。この時、文献1「J.Am.Chem.Soc.,2007,129,2225.」を参照した。溶液調製直後と暗所静置一ヶ月後における吸収強度の測定結果を図21に示す。
図21に示すように、化合物(1−1)の溶液の吸収強度は、調製直後と、暗所静置一ヶ月後とでは、全く違いが見られなかった。なお、ペンタセンについては、このような条件下で24時間静置すると、その溶液の吸収強度がほとんどゼロになることが文献1で報告されている。したがって、化合物(1−1)は、空気酸化に対する安定性がペンタセンよりも顕著に高いことが確認できた。
すなわち、空気飽和の状態とした塩化メチレンを溶媒として化合物(1−1)の溶液を調製し、暗所で静置した。そして、溶液調製直後から静置一ヶ月後まで、紫外−可視(UV−Vis)分光の吸収スペクトルを測定することによって、化合物(1−1)の溶液について、吸収強度の経時変化を追跡した。この時、文献1「J.Am.Chem.Soc.,2007,129,2225.」を参照した。溶液調製直後と暗所静置一ヶ月後における吸収強度の測定結果を図21に示す。
図21に示すように、化合物(1−1)の溶液の吸収強度は、調製直後と、暗所静置一ヶ月後とでは、全く違いが見られなかった。なお、ペンタセンについては、このような条件下で24時間静置すると、その溶液の吸収強度がほとんどゼロになることが文献1で報告されている。したがって、化合物(1−1)は、空気酸化に対する安定性がペンタセンよりも顕著に高いことが確認できた。
また、化合物(1−1)の吸収スペクトル(λmax in CH2Cl2)を測定し、大気中光電子分光法(AC−2)によるイオン化ポテンシャル(HOMOレベル)を測定した。これらの結果を、ペンタセンの結果と共に表2に示す。なお、吸収スペクトルの値は、最長波長のピークのものを示し、ペンタセンの吸収スペクトルは、上記の文献1「J.Am.Chem.Soc.,2007,129,2225.」より引用し、イオン化ポテンシャルは文献2「Jpn.J.Appl.Phys.2005,44,561.」より引用した。
表2に示すように、化合物(1−1)は、ペンタセンよりも短波長側に吸収スペクトルが観測された。また、化合物(1−1)は、ペンタセンよりもイオン化ポテンシャルが大きく、化合物(1−1)のHOMOレベルがペンタセンよりも0.6eV程度低いことを示していた。これらの結果は、上記の第一原理計算の結果とよく一致していた。
以上のように、化合物(1−1)は、代表的な有機半導体材料であるペンタセンよりも耐酸化性が高く、大気雰囲気下でも安定であることが確認できた。化合物(1−1)を半導体材料として用いることにより、電気的特性が安定な半導体デバイスを提供できる。また、実施例1で化合物(1−1)について示すように、化合物(1)は、市販品の原料を用いても容易に製造でき、実用性が高い。
<電界効果トランジスタの製造>
[実施例2]
図9を参照して説明した製造方法により、図1に示す電界効果トランジスタ1Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト(日本ゼオン社製、ZPN1150)を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。
真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロム(Cr)からなる密着層、及び膜厚40nmの金(Au)からなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は20μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
[実施例2]
図9を参照して説明した製造方法により、図1に示す電界効果トランジスタ1Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト(日本ゼオン社製、ZPN1150)を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。
真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロム(Cr)からなる密着層、及び膜厚40nmの金(Au)からなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は20μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Aについて、ゲート電圧(Vg)−ドレイン電流(Id)特性を測定した。結果を図22に示す。図22中、「ABS(Id)[A]」はドレイン電流の絶対値(グラフの左側縦軸参照)を、「SQRT(Id)[A]1/2」はドレイン電流の平方根(グラフの右側縦軸参照)をそれぞれ示す。
図22に示すように、得られた電界効果トランジスタは良好な特性を示した。この時の電界効果移動度は、5.26×10−3cm2/Vsであった。また、このトランジスタは大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後の測定においても、著しい特性の低下は見られなかった。
図22に示すように、得られた電界効果トランジスタは良好な特性を示した。この時の電界効果移動度は、5.26×10−3cm2/Vsであった。また、このトランジスタは大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後の測定においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例3]
図10を参照して説明した製造方法により、図3に示す電界効果トランジスタ1Bを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト(日本ゼオン社製、ZPN1150)を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。
真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロム(Cr)からなる密着層、及び膜厚40nmの金(Au)からなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は20μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
表面修飾層18は、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した基板11を、ドデカンチオールのエタノール溶液(10mg/mL)に1時間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールで洗浄して、乾燥窒素気流下で乾燥させることにより形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
図10を参照して説明した製造方法により、図3に示す電界効果トランジスタ1Bを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト(日本ゼオン社製、ZPN1150)を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。
真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロム(Cr)からなる密着層、及び膜厚40nmの金(Au)からなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は20μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
表面修飾層18は、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した基板11を、ドデカンチオールのエタノール溶液(10mg/mL)に1時間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールで洗浄して、乾燥窒素気流下で乾燥させることにより形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Bは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例4]
図11を参照して説明した製造方法により、図5に示す電界効果トランジスタ1Cを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
ソース電極14及びドレイン電極15の材質は金(Au)とし、金属マスクを介して真空蒸着法により、膜厚40nmのAu膜を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は50μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
図11を参照して説明した製造方法により、図5に示す電界効果トランジスタ1Cを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
ソース電極14及びドレイン電極15の材質は金(Au)とし、金属マスクを介して真空蒸着法により、膜厚40nmのAu膜を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は50μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Cは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例5]
図12を参照して説明した製造方法により、図6に示す電界効果トランジスタ1Dを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
表面修飾層18は、ゲート絶縁膜13を形成した基板11を、オクチルトリクロロシラン(OTS)のトルエン溶液(10mg/mL)に6時間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールで洗浄して、乾燥窒素気流下で乾燥させることにより形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
ソース電極14及びドレイン電極15の材質は金(Au)とし、金属マスクを介して真空蒸着法により、膜厚40nmのAu膜を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は50μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
図12を参照して説明した製造方法により、図6に示す電界効果トランジスタ1Dを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート電極12の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
表面修飾層18は、ゲート絶縁膜13を形成した基板11を、オクチルトリクロロシラン(OTS)のトルエン溶液(10mg/mL)に6時間浸漬し、次いで、イソプロピルアルコールで洗浄して、乾燥窒素気流下で乾燥させることにより形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
ソース電極14及びドレイン電極15の材質は金(Au)とし、金属マスクを介して真空蒸着法により、膜厚40nmのAu膜を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の距離(チャネル長)は50μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
上記工程を経て製造した電界効果トランジスタ1Dは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例6]
有機半導体層16を、化合物(1−1)を用いた真空蒸着法により形成する代わりに、化合物(1−1)を含む有機半導体層用組成物を用いてスピンコート法により形成したこと以外は、実施例2と同様の方法で電界効果トランジスタ1Aを製造した。この時の有機半導体層用組成物は、クロロホルムを溶媒として、化合物(1−1)の濃度が0.5質量%となるように調製した。この有機半導体層用組成物を、スピンコート法(回転数1500rpm)により塗布した後、飽和クロロホルム雰囲気下で緩やかに乾燥させることで、膜厚約40nmの有機半導体層16を形成した。
得られた電界効果トランジスタ1Aは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
有機半導体層16を、化合物(1−1)を用いた真空蒸着法により形成する代わりに、化合物(1−1)を含む有機半導体層用組成物を用いてスピンコート法により形成したこと以外は、実施例2と同様の方法で電界効果トランジスタ1Aを製造した。この時の有機半導体層用組成物は、クロロホルムを溶媒として、化合物(1−1)の濃度が0.5質量%となるように調製した。この有機半導体層用組成物を、スピンコート法(回転数1500rpm)により塗布した後、飽和クロロホルム雰囲気下で緩やかに乾燥させることで、膜厚約40nmの有機半導体層16を形成した。
得られた電界効果トランジスタ1Aは、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例7]
図9を参照して説明した製造方法により、図2に示す電界効果トランジスタ1A’を製造した。すなわち、実施例2と同様の方法で有機半導体層16を形成した後、さらに、ラボコーターPDS2010(商品名、日本パリレン社製)を用いて、保護膜17として膜厚500nmのパリレンC膜を有機半導体層16上に形成することで、電界効果トランジスタ1A’を製造した。
得られた電界効果トランジスタ1A’は、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
図9を参照して説明した製造方法により、図2に示す電界効果トランジスタ1A’を製造した。すなわち、実施例2と同様の方法で有機半導体層16を形成した後、さらに、ラボコーターPDS2010(商品名、日本パリレン社製)を用いて、保護膜17として膜厚500nmのパリレンC膜を有機半導体層16上に形成することで、電界効果トランジスタ1A’を製造した。
得られた電界効果トランジスタ1A’は、実施例2のトランジスタと同様に、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
<太陽電池の製造>
[実施例8]
図15を参照して説明した製造方法により、図13に示す太陽電池2Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
アノード電極22としては、膜厚150nmのITO膜を、スパッタリング法により形成した。
p型半導体層24は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
n型半導体層25としては、膜厚50nmのパーフルオロフタロシアニンからなる膜を、真空蒸着法により形成した。
カソード電極23としては、膜厚100nmのアルミニウム(Al)膜を、真空蒸着法により形成した。
得られた太陽電池2Aは、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例8]
図15を参照して説明した製造方法により、図13に示す太陽電池2Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
アノード電極22としては、膜厚150nmのITO膜を、スパッタリング法により形成した。
p型半導体層24は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
n型半導体層25としては、膜厚50nmのパーフルオロフタロシアニンからなる膜を、真空蒸着法により形成した。
カソード電極23としては、膜厚100nmのアルミニウム(Al)膜を、真空蒸着法により形成した。
得られた太陽電池2Aは、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
<有機発光素子の製造>
[実施例9]
図17を参照して説明した製造方法により、図16に示す有機発光素子3Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
アノード電極32としては、膜厚150nmのITO膜を、スパッタリング法により形成した。
正孔注入層34aは、PEDOT/PSS(Bytron−P、バイエル社製)をスピンコート法(回転数1500rpm)でアノード電極32上に載せることで形成し、膜厚を約50nmとした。
正孔輸送層34bは、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
発光層34cは、正孔輸送層34b上に、4,4’−N,N’−ジカルバソル−ビフェニル(CBP)及びトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(PPY)3)を、それぞれ異なる蒸着源から共蒸着させる真空蒸着法によって形成した。形成した発光層34c中のIr(PPY)3の濃度は、6.5質量%であった。また、膜厚は40nmであった。
電子輸送層34dは、発光層34c上にトリス(8−ヒドロキシキノリンアルミニウム)(A1q3)を真空蒸着させることで形成し、膜厚を40nmとした。
電子注入層34eは、電子輸送層34d上に酸化リチウム(Li2O)を真空蒸着させることで形成し、膜厚を0.5nmとした。
カソード電極33は、電子注入層34e上にアルミニウム(Al)を真空蒸着させることで形成し、膜厚を150nmとした。
得られた有機発光素子3Aは、Ir(PPY)3からの発光が認められた。また、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
[実施例9]
図17を参照して説明した製造方法により、図16に示す有機発光素子3Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
アノード電極32としては、膜厚150nmのITO膜を、スパッタリング法により形成した。
正孔注入層34aは、PEDOT/PSS(Bytron−P、バイエル社製)をスピンコート法(回転数1500rpm)でアノード電極32上に載せることで形成し、膜厚を約50nmとした。
正孔輸送層34bは、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いて、真空蒸着法で成膜することにより形成した。
発光層34cは、正孔輸送層34b上に、4,4’−N,N’−ジカルバソル−ビフェニル(CBP)及びトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(PPY)3)を、それぞれ異なる蒸着源から共蒸着させる真空蒸着法によって形成した。形成した発光層34c中のIr(PPY)3の濃度は、6.5質量%であった。また、膜厚は40nmであった。
電子輸送層34dは、発光層34c上にトリス(8−ヒドロキシキノリンアルミニウム)(A1q3)を真空蒸着させることで形成し、膜厚を40nmとした。
電子注入層34eは、電子輸送層34d上に酸化リチウム(Li2O)を真空蒸着させることで形成し、膜厚を0.5nmとした。
カソード電極33は、電子注入層34e上にアルミニウム(Al)を真空蒸着させることで形成し、膜厚を150nmとした。
得られた有機発光素子3Aは、Ir(PPY)3からの発光が認められた。また、大気雰囲気下でも安定に動作し、大気中に置いてから1ヶ月後においても、著しい特性の低下は見られなかった。
<表示装置用アレイの製造>
[実施例10]
図19を参照して説明した有機半導体装置の製造方法を用いて、図18に示す表示装置用アレイ4Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート配線40の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト(日本ゼオン社製、ZPN1150)を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。
真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロム(Cr)からなる密着層、及び膜厚40nmの金(Au)からなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の間隔(チャネル長)は20μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
ソース配線41及び画素電極43は、Agインクを反転印刷し、180℃で焼成することにより、厚さ50nmで所望のパターンに形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いた、金属マスクを介した真空蒸着法で成膜することにより形成した。
そして、得られた有機半導体装置42をマトリクス状に配置して、表示装置用アレイ4Aとした。
[実施例10]
図19を参照して説明した有機半導体装置の製造方法を用いて、図18に示す表示装置用アレイ4Aを製造した。より具体的には、以下の通りである。
基板11としては、ガラス基板(コーニング社製、Eagle2000、厚さ:0.5mm)を用いた。
ゲート配線40の材質は、アルミニウム(Al)に対して10%のシリコン(Si)を添加したAlSi合金とした。そして、このAlSi合金からなる金属ターゲットを用いたスパッタリング法により、基板11上に、AlSi合金からなる膜厚40nmの金属膜を形成した。この金属膜のパターンニングは、フォトリソグラフィー及びエッチングで行った。
ゲート絶縁膜13の材質は、酸化シリコン(SiO2)とし、スパッタリング法により、膜厚300nmの酸化シリコン膜を形成した。
フォトレジスト膜90は、膜厚を4μmとし、リフトオフプロセス用のネガ型フォトレジスト(日本ゼオン社製、ZPN1150)を用いて、スピンコート法により成膜した後、フォトリソグラフィー法で形成した。
真空蒸着法によって、膜厚2nmのクロム(Cr)からなる密着層、及び膜厚40nmの金(Au)からなる金属膜を順次成膜し、アセトン等の有機溶媒中に基板11を浸漬するリフトオフ法により、フォトレジスト膜90及びその上に形成された不要なAu膜/Cr膜を除去して、ソース電極14及びドレイン電極15を形成した。この時、ソース電極14及びドレイン電極15間の間隔(チャネル長)は20μmであり、対向する電極の長さ(チャネル幅)は1000μmであった。
ソース配線41及び画素電極43は、Agインクを反転印刷し、180℃で焼成することにより、厚さ50nmで所望のパターンに形成した。
有機半導体層16は、膜厚を約40nmとし、実施例1で製造した化合物(1−1)を用いた、金属マスクを介した真空蒸着法で成膜することにより形成した。
そして、得られた有機半導体装置42をマトリクス状に配置して、表示装置用アレイ4Aとした。
<表示装置の製造>
[実施例11]
図16に示す有機発光素子3Aを有機EL表示装置の素子として用い、図20に示す表示装置5Aを製造した。有機発光素子3Aは、実施例9と同様の方法で製造した
[実施例11]
図16に示す有機発光素子3Aを有機EL表示装置の素子として用い、図20に示す表示装置5Aを製造した。有機発光素子3Aは、実施例9と同様の方法で製造した
本発明は、電界効果トランジスタ、太陽電池、有機発光素子等の半導体デバイスに利用可能である。
1A,1A’,1B,1B’,1C,1D,1E,1F・・・電界効果トランジスタ、11・・・基板、12・・・ゲート電極、13・・・ゲート絶縁膜、14・・・ソース電極、15・・・ドレイン電極、16・・・有機半導体層、2A,2B・・・太陽電池、21・・・ガラス基板、22・・・アノード電極、23・・・カソード電極、24・・・p型半導体層、25・・・n型半導体層、26・・・有機半導体層、3,3A・・・有機発光素子、31・・・ガラス基板、32・・・アノード電極、33・・・カソード電極、34b・・・正孔輸送層、34c・・・発光層、4A・・・表示装置用アレイ、40・・・ゲート配線、5A・・・表示装置、55・・・走査線駆動回路(ゲートドライバ)、56・・・信号線駆動回路(ソースドライバ)、57・・・コントローラ
Claims (21)
- 前記R1〜R18が水素原子である請求項1に記載の化合物。
- 請求項1又は2に記載の化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
- ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、
前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、
前記ソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層上に接するように設けられていることを特徴とする請求項3に記載の電界効果トランジスタ。 - ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を備え、
前記有機半導体層が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向するように設けられており、
前記有機半導体層が、前記ソース電極及びドレイン電極上を覆うように設けられていることを特徴とする請求項3に記載の電界効果トランジスタ。 - 前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 請求項1又は2に記載の化合物を含む有機半導体層を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、
前記化合物を含む組成物を用いて浸漬法、塗布法又は印刷法によって前記有機半導体層を形成する工程を含み、
前記組成物は、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジクロロメタン及びクロロホルムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 請求項1又は2に記載の化合物を含む有機半導体層を備えたことを特徴とする太陽電池。
- 前記有機半導体層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする請求項9に記載の太陽電池。
- 前記有機半導体層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする請求項9に記載の太陽電池。
- p型半導体材料とn型半導体材料とを含む有機半導体層を備え、
前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、請求項1又は2に記載の化合物を含むことを特徴とする太陽電池。 - 請求項1又は2に記載の化合物を含むキャリヤ輸送層を備えたことを特徴とする有機発光素子。
- 前記キャリヤ輸送層が、前記化合物が蒸着されて形成されたものであることを特徴とする請求項13に記載の有機発光素子。
- 前記キャリヤ輸送層が、前記化合物を含む組成物が塗布されて形成されたものであることを特徴とする請求項13に記載の有機発光素子。
- 請求項1又は2に記載の化合物を含むことを特徴とする電界効果トランジスタの有機半導体層用組成物。
- 請求項1又は2に記載の化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物。
- p型半導体材料とn型半導体材料とを含み、
前記p型半導体材料及び/又はn型半導体材料が、請求項1又は2に記載の化合物を含むことを特徴とする太陽電池の有機半導体層用組成物。 - 請求項1又は2に記載の化合物を含むことを特徴とする有機発光素子のキャリヤ輸送層用組成物。
- 請求項3〜7のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタをスイッチング素子として備えたことを特徴とする表示装置用アレイ。
- 画像信号を発生して出力する画像信号出力部と、前記画像信号に基づいて電流又は電圧を発生する駆動部と、発生した前記電流又は電圧により発光する発光部と、を備えた表示装置であって、
前記発光部が、請求項13〜15のいずれか一項に記載の有機発光素子であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011253845A JP2014141416A (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 化合物、電界効果トランジスタ及びその製造方法、太陽電池、有機発光素子、組成物、表示装置用アレイ並びに表示装置 |
PCT/JP2012/061809 WO2012157474A1 (ja) | 2011-05-13 | 2012-05-09 | 化合物、電界効果トランジスタ及びその製造方法、太陽電池、有機発光素子、組成物、表示装置用アレイ並びに表示装置 |
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Publications (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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