KR101183964B1 - 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 제조 방법 - Google Patents

유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막트랜지스터 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킴으로써, 별도로 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 박막, 국부적, 결정화, 유기 박막 트랜지스터, 활성층, 유기 용매, 레이저

Description

유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법{The method for locally crystallizing organic thin film and method for fabricating organic thin film transistor using the same}
본 발명은 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2008-F-052-01, 과제명: 개별물품 단위 응용을 위한 차세대 RFID 기술 개발].
유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor: OTFT)는 유기물을 활성층으로 사용하는 소자로서, 1980년대 이후에 연구가 시작되어, 차세대 디스플레 이의 구동소자, RFID(Radio frequency identification), 스마트카드(smart card) 등의 다양한 응용 분야에 적용 가능하여 최근 활발히 연구되고 있다.
유기 박막 트랜지스터는 실리콘 박막 트랜지스터와 구조적으로는 거의 유사하지만, 활성층으로 실리콘 박막 대신 유기 박막을 사용하는 차이가 있다.
이러한 유기 박막 트랜지스터에 있어서 유기 박막은 통상적으로 진공 하에서 유기 반도체 재료에 열을 가하여 승화상태로 증착시키는 진공증착법과 유기 반도체 재료를 유기 용매에 녹인 후 프린팅 코팅(printing coating)이나 스핀 코팅(spin coating) 등을 통해 증착하는 용액 증착법에 의해 형성된다.
상기 용액 증착법은 진공 증착법에 비하여 고가의 진공 제조 시설을 필요로 하지 않고 제조 공정이 단순하여 제조 비용 측면에서 유리하다는 장점이 있다. 하지만, 용액 증착법에 의해 형성된 유기 박막은 진공 증착법에 의해 형성된 유기 박막에 비하여 결정도가 낮아 전하 이동도가 대략 10배 정도 낮다는 문제점이 있다. 특히, 용액 증착법이 가능한 유기 반도체 재료가 대부분 분자량이 큰 고분자이기 때문에, 용액상에서 빠른 분자의 활동성을 통한 결정도 향상을 기대하기는 어렵다.
이에 따라 용액 증착법으로 형성된 유기 박막의 결정도를 향상시켜 전하 이동도를 높이기 위한 다양한 방법들이 연구되고 있다.
이러한 연구 결과로서, 기존에 사용되던 불규칙적인 구조의 유기 반도체 물질(Regiorandom poly(3-alkylthiophene))을 보다 규칙적인 분자 배열을 지닌 물질(Regioregular poly(3-alkylthiophene)로 대체하여 유기 박막의 결정도를 향상시키는 방법이 개시되어 있다. 하지만, 이 방법은 특정한 분자 구조에 국한되어 있어 서 보다 광범위한 응용에 한계를 보이고 있다.
다른 연구 결과로서, 유기 박막을 형성하기 전에 게이트 절연막 위에 표면 에너지가 낮은 자기 정렬 단층(self-assembled monolayer)을 형성하여 그 위에 형성되는 유기 박막의 결정도를 향상시키는 방법이 개시되어 있다. 하지만, 이 방법은 자기 정렬 단층이 형성될 수 있는 특정한 기판 위에서만 구현이 가능하며, 유기 박막이 게이트 절연막 위에 형성되는 하부 게이트(bottom gate) 구조에만 적용될 수 있다는 한계점이 있다.
또 다른 연구 결과로서, 용액 증착법에 의해 형성된 유기 박막을 유기 용매 증기에 노출시켜 유기 박막을 연성상으로 만들고 이를 통해 분자의 활동성을 증가시켜 유기 박막의 결정도 향상을 도모하는 방법이 개시되어 있다. 하지만, 이 방법의 경우 공정 속도가 느리고 인체와 환경에 유해한 유기 용매 증기를 취급해야 하며, 소자 성능의 균일성이 떨어지는 등의 문제점이 있다.
게다가, 상기와 같은 방법들에 의해 유기 박막 전체의 결정도를 향상시키는 경우, 유기 박막의 전기 전도도가 증가하여 유기 박막의 부수적인 패터닝 공정 없이는 인접한 소자간에 크로스토크(cross-talk)가 발생되며, 오프 상태에서의 누설전류가 증가되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 용액 증착법에 의해 형성된 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시키는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 국부적으로 결정도가 향상된 유기 박막을 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용함으로써, 유기 박막의 부수적인 패터닝 공정 없이도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도와 소자간의 크로스토크를 향상시키는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 박막의 국부적 결정화 방법은, (a) 유기 반도체 물질을 이용하여 유기 박막을 형성하는 단계; (b) 상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하거나 레이저 빔을 조사하여 상기 소정 영역의 유기 박막을 연성상으로 변화시키는 단계; 및 (c) 상기 연성상으로 변화된 유기 박막을 소정 시간 동안 건조하여 상기 소정 영역의 결정도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 제조 방법은, (a) 기판 상부에 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극 및 유기 박막을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하거나 레이저 빔을 조사하여 상기 소정 영역의 유기 박막을 연성상으 로 변화시키는 단계; 및 (c) 상기 연성상으로 변화된 유기 박막을 소정 시간 동안 건조하여 상기 소정 영역의 결정도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하는 경우, 상기 유기 용매에 의해 상기 소정 영역의 유기 박막이 용해되어 연성상으로 변화되면, 상기 연성상으로 변화된 유기 박막의 유기 분자들이 활발히 이동하면서 상기 유기 분자들 상호간의 반데르 발스 인력에 의해 상기 유기 분자들이 자기 정렬되어 상기 소정 영역의 결정도가 국부적으로 향상된다.
이 때, 상기 유기 용매는 유기 용매가 도포된 영역에서 유기 박막의 분자가 활발하게 이동하여 자기 정렬하기 위한 충분한 시간을 주기 위해서 낮은 증발 속도를 갖는 물질인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하는 경우, 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 그라비아 프린팅(gravure printing), 오프셋 프린팅(offset printing), 플렉소그래피(flexography) 중 어느 하나의 직접 인쇄법을 이용하여 유기 용매를 도포한다.
한편, 상기 유기 박막의 소정 영역에 레이저 빔을 조사하는 경우, 상기 유기 박막의 소정 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 소정 영역의 온도가 상기 유기 박막을 구성하는 물질의 결정 온도까지 상승되도록 하면, 상기 레이저 빔에 의해 상기 소정 영역의 유기 박막이 용해되어 연성상으로 변화되며, 이에 따라 상기 연성상으로 변화된 유기 박막의 유기 분자들이 이동하면서 상기 유기 분자들 상호간의 반데르 발스 인력에 의해 상기 유기 분자들이 자기 정렬되어 상기 소정 영역의 결정도가 국부적으로 향상된다.
이 때, 유기 분자가 자기 정렬하는데 충분한 시간을 주기 위해서 천천히 상온까지 냉각하여 결정도의 향상을 극대화시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 용액 증착법으로 형성된 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킬 수 있다. 따라서, 결정도가 국부적으로 향상된 유기 박막을 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용함으로써, 별도로 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 유기 용매의 도포를 통해 상온에서 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킬 수 있으므로, 상대적으로 열에 약한 고분자 기판을 사용하는 플렉서블 디스플레이(flexible display)나 RFID 등의 차세대 전자소자에 효과적으로 활용할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 유기 박막의 국부적 결정화 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 용액 증착법에 의해 형성된 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시키는 첫번째 방법으로, 본 발명에서는 도 1과 같이 기판(110) 상에 형성된 유기 박막(150)에서 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역(150a)에만 유기 용매(S)를 도포한 후 이를 서서히 증발시킨다. 이에 따라 유기 용매(S)가 도포된 영역(150a)에서만 유기 박막의 분자 이동이 활발해지면서 자기 정렬을 통해 결정도가 국부적으로 향상된다.
여기에서, 유기 박막(150)의 상부에 유기 용매(S)를 도포할 때, 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 그라비아 프린팅(gravure printing), 오프셋 프린팅(offset printing), 플렉소그래피(flexography) 등의 직접 인쇄법을 이용하며, 이용하는 직접 인쇄법의 해상도에 따라 결정도가 향상되는 영역이 달라질 수 있다.
그 다음, 용액 증착법에 의해 형성된 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시키는 두번째 방법으로, 본 발명에서는 도 2와 같이 유기 박막(150)에서 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역(150b)의 하부에만 레이저 장치(200)를 통해 레이저 빔(L)을 조사한다. 이에 따라 레이저 빔(L)이 조사된 영역(150b)에서만 온도가 상승하여 유기 분자의 활동성이 증가하면서 자기 정렬을 통해 결정도가 국부적으로 향상된다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판(110)으로는 n-형 또는 p-형으로 도핑된 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 폴리에테르술폰(polyethersulphone)/폴리아크릴레이 트(polyacrylate)/폴리에테르 이미드(polyetherimide)/폴리이미드(polyimide)/폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate) 등의 플라스틱 필름이 코팅된 유기 기판을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 유기 박막(150)은 용액 증착법이 가능한 모든 유기 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 폴리티오펜(polythiophene)과 그 유도체, 싸이아노 티오펜(thieno thiophene)과 그 유도체, TIPS 펜타센(triisopropylsilyl pentacene)과 그 유도체, 펜타센 프리커서(pentacene precursor)와 그 유도체, 알파-6-티오펜과 그 유도체, 폴리 플루오렌(polyfluorene)과 그 유도체, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로렌(coronene)과 그 유도체, 페닐렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않는 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라 카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라 카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 물질로 이루어질 수 있다.
즉, 본 발명에서는 용액 증착법으로 형성된 유기 박막(150)에 유기 용매(S)의 국부적인 도포나 레이저 빔(L)을 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막(150)의 결정도를 국부적으로 향상시키며, 유기 박막(150)의 결정도가 국부적으로 향상되는 과정에 대하여 좀 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
모든 유기 반도체 재료는 벤젠고리가 여러 개로 연결된 확장 π 오비탈(extended π orbital)을 가지며, 이로 인해서 강한 반데르 발스 상호 인력을 갖는다. 이러한 반데르 발스 상호인력은 분자가 서로 가깝게 접근할 때 생기는 π 오비탈 내의 분자간 척력보다 일반적으로 크다. 따라서, 모든 유기 반도체 재료는 이러한 강한 반데르 발스 상호 인력과 분자간 척력의 적절한 상호 작용을 통해 분자간 거리를 최대한 짧게 유지하려고 하는 자기 정렬 특성을 보유하게 된다.
하지만, 이러한 유기 반도체 재료의 자기 정렬 특성을 이용하기 위해서는 우선 유기 분자가 자유롭게 이동할 수 있도록 해야 하는데, 유기 박막에 유기 용매를 국부적으로 도포하거나 레이저 빔을 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막이 연성상으로 되도록 하면, 유기 박막 내에서 유기 반도체 분자의 자유로운 이동이 가능하게 되어 분자 이동이 활발해지므로, 이에 따라 자기 정렬을 통해 유기 박막의 결정도가 국부적으로 향상되는 것이다.
< 실시예 1 >
본 실시예에서는 TIPS 펜타센(triisopropylsilyl pentacene)을 이용하여 유기 박막을 형성하였으며, TIPS 펜타센 유기 박막에서 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역에만 잉크젯 프린팅을 통해 유기 용매인 디클로로벤젠(dichlorobenzene), 트리클로로벤젠(trichlorobenzene) 또는 부탄올(1-butanol)을 도포하여 결정도를 국부적으로 향상시켰다.
본 실시예에 따른 유기 박막의 국부적 결정화 방법을 도 1을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 유기 반도체 물질인 TIPS 펜타센을 아니졸(anisole), 클로로벤젠(chlorobenzene), 톨루엔(toluene), 자일렌(xylene), 헥산(hexane), 디클로로벤젠(dichlorobenzene), 도데케인(dodecane) 중 하나의 유기 용매에 1 wt%의 농도로 완전히 용해시켜 TIPS 펜타센 용액을 만든 후, 상기 TIPS 펜타센 용액을 스핀 코팅, 드롭 캐스팅, 잉크젯 프린팅 등을 통해 기판(110) 상에 도포하여 TIPS 펜타센 유기 박막(150)을 형성한다.
여기에서, TIPS 펜타센 유기 박막(150)의 균일도 향상을 위해 TIPS 펜타센 용액에 폴리스티렌(polystyrene, PS)을 50 vol% 정도의 농도로 혼합하는 것도 가능하다.
그 다음, 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역(150a)에만 잉크젯 프린팅을 통해 유기 용매(S)인 디클로로벤젠(dichlorobenzene), 트리클로로벤젠(trichlorobenzene) 또는 부탄올(1-butanol)을 도포한다.
여기에서, 상기 유기 용매(S)의 선정에 있어서는 다음의 두 가지 사항을 고려해야 한다.
첫째로, 유기 박막(150)을 녹일 수 있으면서 잉크젯 프린팅 등의 용액 공정으로 도포가 가능한 물질이어야 한다.
둘째로, 증발 속도가 낮은 물질, 다시 말해서 높은 끓는점과 낮은 증기압(vapor pressure)을 갖는 물질이어야 한다. 왜냐하면, 유기 용매가 도포된 영역에서 유기 박막의 분자가 활발하게 이동하여 자기 정렬하기 위한 충분한 시간을 주 기 위해서는 낮은 증발 속도를 가져야 하기 때문이다. 이다. 따라서, 대략 100℃ 이상의 끊는점을 지닌 유기 용매 중에서 완전히 증발하는데 30초에서 수분 정도의 시간이 소요되는 유기 용매를 선택하는 것이 바람직하다.
한편, 도포되는 유기 용매의 량은 증발 속도와도 관련이 있기 때문에 너무 적은 량을 도포하면 아무리 높은 끊은점을 지닌 유기 용매를 사용한다고 해도 증발 속도를 느리게 조절하기 어려우므로, 통상적인 산업용 잉크젯 프린터(Microdfab jet drive II, 50 ㎛ 직경의 노즐)를 이용하여 대략 10 내지 100 pl 정도로 도포하는 것이 바람직하다.
이와 같이 고체 상태인 유기 박막(150)의 특정 영역(150a)에만 유기 용매(S)가 도포되면, 유기 용매(S)가 도포된 영역(150a)에서만 유기 박막(150)이 용해되어 연성상으로 변화된다. 이에 따라 연성상으로 변화된 영역(150a)에서는 유기 분자의 이동이 활발하게 이루어지면서 유기 분자 상호간의 반데르 발스 인력에 의해 자기 정렬이 강해져 결과적으로 결정도가 국부적으로 향상된다.
이 때, 기판(110) 상부에 자기 정렬 단층(self-assembled monolayer)을 형성하여 유기 분자와 기판 사이의 상호인력을 낮추고 유기 분자간의 상호 인력만이 작용하게 하여 유기 분자의 자기 정렬을 더욱 용이하게 하는 것도 가능하다.
이렇게 유기 용매의 도포에 의해 유기 박막의 결정도가 국부적으로 향상된 결과가 도 3에 도시되어 있다.
도 3은 디클로로벤젠(dichlorobenzene) 용매를 통한 용액공정으로 형성된 종래의 TIPS 펜타센 유기 박막과 유기 용매의 국부적 도포에 의해 결정도가 국부적으 로 향상된 본 발명에 따른 유기 박막의 광학현미경 사진이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 박막은 스핀코팅으로 형성된 종래의 TIPS 펜타센 유기 박막에 비하여 유기 용매가 도포된 부분의 결정도가 국부적으로 향상된 것을 알 수 있다.
한편, 유기 용매의 도포에 의해 결정도가 국부적으로 향상된 유기 박막을 활성층으로 이용한 유기 박막 트랜지스터의 일례가 도 4에 도시되어 있다.
도 4는 본 발명에 따른 유기 용매의 국부적인 도포에 의해 결정도가 국부적으로 향상된 유기 박막을 활성층으로 이용한 유기 박막 트랜지스터를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 기판(110) 상에 게이트 전극(120)과 게이트 절연막(130)을 형성한 다음, 소스 전극 및 드레인 전극(140a, 140b)을 형성하고 유기 박막(150)을 형성한다. 그리고, 상기 유기 박막(150)의 특정 영역(150a)에만 유기 용매(S)를 도포하여 국부적으로 결정도를 향상시켜 하부 컨택(bottom contact)형 하부 게이트(bottom gate) 구조의 유기 박막 트랜지스터를 제조한다.
본 실시예에서는 유기 반도체 물질로 TIPS 펜타센을 사용하고 국부적인 결정도 향상을 위한 유기 용매로 디클로로벤젠(dichlorobenzene), 트리클로로벤젠(trichlorobenzene) 또는 부탄올(1-butanol)을 사용하였지만, 유기 박막을 구성하는 유기 반도체 물질 및 상기 유기 반도체 물질을 녹이기 위한 유기 용매로 다른 물질을 사용하는 것도 가능함은 물론이다.
< 실시예 2 >
본 실시예에서는 네마틱(nematic) 액정상을 보이는 물질, 예를 들어 폴리티오펜 유도체, pBTTT(poly(2,5-bis(3-alkylthiophen-2yl)thieno[3,2-b]thiophene), F8T2 poly(9,9-dioctylfuorene-co-bithiophene) 등을 이용하여 유기 박막을 형성하였으며, 유기 박막에서 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역에만 레이저 빔을 조사하여 국부적으로 결정도를 향상시켰다.
본 실시예에 따른 유기 박막의 국부적 결정화 방법을 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 실시예 1과 동일한 방법으로 기판(110) 상에 유기 박막(150)을 형성한다.
그 다음, 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역(150b)의 하부에만 레이저 빔(L)을 조사하여, 특정 영역(150b)의 온도가 유기 박막(150)을 구성하는 네마틱 액정상의 물질이 결정화되는 온도까지 상승되도록 한다.
이 때, 레이저 빔의 세기는 조절이 가능한데, 레이저 빔의 세기가 너무 셀 경우 유기 박막(150)에 갑작스런 열화가 발생될 수 있기 때문에, 레이저 빔이 조사되는 부분의 기판(110)의 온도가 10 내지 20분 동안의 조사에 의해 100oC에 도달할 수 있는 정도의 세기로 하되, 유기 박막(150)의 온도를 적외선 방법 등을 통해서 측정해가면서 레이저 빔의 세기를 조절하는 것이 바람직하다.
이와 같이 특정 영역(150b)의 온도가 유기 박막(150)을 구성하는 네마틱 액 정상의 물질이 결정화되는 온도까지 상승되면, 유기 박막(150)의 특정 영역(150b)이 고체 상태에서 연성상으로 변화된다. 이에 따라 연성상으로 변화된 특정 영역(150b)에서 유기 분자의 이동이 활발하게 이루어지면서 유기 분자 상호간의 반데르 발스 인력에 의해 자기 정렬이 강해져 결국 결정도가 국부적으로 향상된다.
그 다음, 자연건조를 통해 국부적으로 온도가 상승된 유기 박막(150)의 온도를 상온까지 낮춘다.
이 때, 유기 분자가 자기 정렬하는데 충분한 시간을 주기 위해서 0.01oC/초의 속도로 천천히 상온까지 냉각하여 결정도의 향상을 극대화시키는 것이 바람직하다.
이렇게 레이저 빔을 이용한 국부적인 열처리를 통해 결정도가 국부적으로 향상된 F8T2 유기 박막을 활성층으로 이용한 유기 박막 트랜지스터의 구조 및 특성이 도 5 및 도 6에 도시되어 있다.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 빔을 이용한 국부적인 열처리를 통해 결정도가 국부적으로 향상된 유기 박막을 활성층으로 이용한 유기 박막 트랜지스터를 나타낸 도면이며, 도 6은 도 5에 도시된 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전압-드레인 전류 특성 및 게이트 전압에 따른 드레인 전압-드레인 전류 특성을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 게이트 전극(120)과 게이트 절연막(130)을 형성한 후 유기 박막(150)을 형성한다. 그리고 결정도를 향상시키고자 하는 특정 영역(150b)의 하부에만 레이저 빔(L)을 조사한다.
이 때, 레이저 빔(L)의 조사 영역은 빔의 사이즈에 따라 조절 가능하며, 트랜지스터의 채널 부분에 레이저 빔(L)이 골고루 조사될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
마지막으로 유기 박막(150)의 상부에 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)을 형성하여 상부 컨택(top contact)형 하부 게이트(bottom gate) 구조의 유기 박막 트랜지스터를 제조한다.
이렇게 레이저 빔을 이용한 국부적인 열처리를 통해 유기 박막(150)의 결정도를 국부적으로 향상시키면, 도 6에 도시된 바와 같이 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도 및 누설전류 특성이 향상되는 것을 알 수 있다.
즉, 전술한 바와 같이 종래의 용액 증착법에 의해 형성된 유기 박막은 전체 영역에 걸쳐서 동일하게 낮은 결정도를 갖기 때문에, 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용하는 경우, 전하 이동도가 낮을 뿐만 아니라 누설 전류와 인접한 픽셀간에 크로스토크가 발생되며, 이를 해결하기 위해서는 유기 박막의 패터닝 공정이 필수적으로 요구되는 문제점이 있었다.
하지만, 본 발명에 따르면 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 국부적으로 결정도가 향상된 유기 박막을 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용하는 경우 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 최소화할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 유기 박막의 국부적 결정화 방법은 다양한 구조의 유기 박막 트랜지스터와 이를 이용한 인버터, 디스플레이 장치의 스위칭 및 구동 소자, RFID, 스마트카드 등에 적용될 수 있으며, 이에 대하여 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 7은 본 발명에 따라 제조된 유기 박막 트랜지스터를 이용한 CMOS 인버터를 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, CMOS 인버터의 제작을 위해 스핀 코팅 등의 용액 증착법을 통해 p-형 유기 박막(150p)과 n-형 유기 박막(150n)을 각각 형성한 후, p-형 유기 박막(150p)과 n-형 유기 박막(150n) 상에 이에 대한 유기 용매(Sp, Sn)를 잉크젯 프린팅에 의해 국부적으로 각각 도포하여 p-형 유기 박막(150p)과 n-형 유기 박막(150n)의 결정도가 동시에 국부적으로 향상되도록 하였다.
즉, 유기 박막(150p, 150n)의 결정도를 국부적으로 향상시켜 이를 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용하였으며, 이러한 유기 박막 트랜지스터를 이용하여 CMOS 인버터를 제작하였다.
도 8은 본 발명에 따라 제조된 유기 박막 트랜지스터를 유기 전계 발광 장치의 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터로 이용한 경우를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 장치의 스위칭 트랜지스터(TRS) 및 구동 트랜지스터(TRD)는, 게이트 전극(120), 게이트 절연막(130), 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b), 국부적으로 결정도가 향상된 영역(150a)을 갖는 유기 박막(150)으로 구성된다.
즉, 국부적으로 결정도가 향상된 유기 박막(150)을 유기 전계 발광 장치의 스위칭 트랜지스터(TRS) 및 구동 트랜지스터(TRD)의 활성층으로 이용한 것으로, 이에 따라 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 전하 이동도가 향상되고 소자간의 크로스토크가 최소화된다.
여기에서, 상기 유기 박막(150)은 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜(α-6-thiophene), 알파-4-티오펜(α-4-thiophene), 페릴렌(perylene), 루브렌(rubrene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리파라페닐렌비닐렌(Poly(p-phenylene vinylene): PPV), 폴리파라페닐렌(Polyparaphenylene), 폴리플로렌(polyfluorenes: PFs), 폴리티오펜비닐렌(polythiophenevinylene), 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체(polythiophene-heterocyclic aromatic copolymer), 나프탈렌의 올리고아센, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜(oligothiophene of α-5-thiophene), 금속을 함유하는 프탈로시아닌(metal phthalocyanine) 및 금속을 함유하지 않는 프탈로시아닌(metal-free phthalocyanine), 및 이들의 유도체들로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 유기 박막(150)의 상부에는 패시베이션 절연막(passivation layer, 160), 애노드 전극(170) 및 뱅크층(180)이 순차적으로 형성되며, 상기 애노드 전극(170)은 콘택 홀을 통해 구동 트랜지스터(TRD)의 소스 전극(140a)에 연결된 다.
한편, 상기에서는 국부적으로 결정도가 향상된 유기 박막을 유기 전계 발광 장치의 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 활성층으로 이용하는 것에 대하여 설명하였지만, 액정 표시 장치(LCD), 무기 전계 발광 표시 장치(inorganic field-emission display) 및 전기영동 표시 장치(Electrophoretic display) 등 유기 박막 트랜지스터가 픽셀 구동 소자로 사용될 수 있는 다른 디스플레이 장치에도 적용 가능함은 물론이다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하는 관점에서 고려되어야 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 유기 박막의 국부적 결정화 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 종래의 TIPS-펜타센 유기 박막과 유기 용매의 국부적인 도포에 의해 결정도가 국부적으로 향상된 본 발명에 따른 유기 박막의 광학현미경 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기 용매의 국부적인 도포에 의해 결정도가 국부적으로 향상된 유기 박막을 활성층으로 이용한 유기 박막 트랜지스터를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 빔을 이용한 국부적인 열처리를 통해 결정도가 국부적으로 향상된 F8T2유기 박막을 활성층으로 이용한 유기 박막 트랜지스터를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전압-드레인 전류 특성 및 게이트 전압에 따른 드레인 전압-드레인 전류 특성을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 따라 제조된 유기 박막 트랜지스터를 이용한 CMOS 인버터를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명에 따라 제조된 유기 박막 트랜지스터를 유기 전계 발광 장치의 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터로 이용한 경우를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 기판　　　　　
120 : 게이트 전극
130 : 게이트 절연막　　　
140a, 140b : 소스 전극, 드레인 전극
150 : 유기 박막
150a, 150b : 국부적으로 결정도가 향상된 유기 박막
S : 유기 용매
200 : 레이저 장치　　　　
L : 레이저 빔
160 : 패시베이션 절연막(passivation layer)
TRS : 스위칭 트랜지스터　　　
TRD : 구동 트랜지스터
170 : 애노드 전극　　　　
180 : 뱅크층

Claims (9)

  1. (a) 유기 반도체 물질을 이용하여 유기 박막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 유기 박막의 소정 영역에 증발 속도가 낮은 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택된 유기 용매를 도포하거나 레이저 빔을 레이저 빔이 조사되는 영역의 온도가 10 내지 20분 동안의 조사에 의해 100℃에 도달할 수 있는 세기로 조사하여 상기 소정 영역의 유기 박막을 연성상으로 변화시키는 단계; 및
    (c) 상기 연성상으로 변화된 유기 박막을 소정 시간 동안 건조하여 상기 소정 영역의 결정도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,
    상기 유기 반도체 물질을 이용하여 유기 반도체 용액을 만든 후 상기 유기 반도체 용액을 기판 상에 증착하여 상기 유기 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하는 경우,
    잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 그라비아 프린팅(gravure printing), 오프셋 프린팅, 플렉소그래피(flexography) 중 어느 하나의 직접 인쇄법을 이용하여 유기 용매를 도포하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,
    상기 연성상으로 변화된 유기 박막의 건조시, 상기 소정 영역의 유기 박막에서 유기 분자들이 자기 정렬하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법.
  6. (a) 기판 상부에 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극 및 유기 박막을 순차적으로 형성하는 단계;
    (b) 상기 유기 박막의 소정 영역에 증발 속도가 낮은 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택된 유기 용매를 도포하거나 레이저 빔을 레이저 빔이 조사되는 영역의 온도가 10 내지 20분 동안의 조사에 의해 100℃에 도달할 수 있는 세기로 조사하여 상기 소정 영역의 유기 박막을 연성상으로 변화시키는 단계; 및
    (c) 상기 연성상으로 변화된 유기 박막을 소정 시간 동안 건조하여 상기 소정 영역의 결정도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하는 경우,
    잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 그라비아 프린팅(gravure printing), 오프셋 프린팅, 플렉소그래피(flexography) 중 어느 하나의 직접 인쇄법을 이용하여 유기 용매를 도포하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제 6항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,
    상기 연성상으로 변화된 유기 박막의 건조시, 상기 소정 영역의 유기 박막에서 유기 분자들이 자기 정렬하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI408840B (zh) * 2009-09-16 2013-09-11 Nat Univ Tsing Hua 有機薄膜電晶體之製備方法及修復方法
WO2012141116A1 (ja) * 2011-04-11 2012-10-18 昭和電工株式会社 有機半導体材料活性化方法
KR102162794B1 (ko) * 2013-05-30 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법
KR20170024203A (ko) * 2015-08-24 2017-03-07 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 유기 발광 표시 장치
KR102501643B1 (ko) 2015-09-24 2023-02-20 삼성전자주식회사 고굴절률 광학 기능층을 포함하는 광학 장치 및 상기 광학 장치의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066439A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001017040A1 (en) * 1999-08-31 2001-03-08 E Ink Corporation A solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
JP4281324B2 (ja) * 2002-10-23 2009-06-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタ素子、その製造方法及び有機薄膜トランジスタシート
CA2515507C (en) * 2003-02-28 2009-11-03 Polaroid Corporation Imaging system
US7829727B2 (en) * 2005-11-16 2010-11-09 Xerox Corporation Device containing compound having indolocarbazole moiety and divalent linkage
KR100670255B1 (ko) * 2004-12-23 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판표시장치, 상기 박막트랜지스터의 제조방법, 및 상기 평판 표시장치의 제조방법
US7795373B2 (en) * 2006-04-06 2010-09-14 Xerox Corporation Ethynylene acene polymers
GB0612929D0 (en) * 2006-06-29 2006-08-09 Univ Cambridge Tech High-performance organic field-effect transistors based on dilute, crystalline-crystalline polymer blends and block copolymers
JP2008071958A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Sharp Corp 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20080026957A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
GB2450381B (en) * 2007-06-22 2009-11-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066439A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APL 91, 092105(2007)*
저널:ETRI(2005.10)*

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