CN101717597A - 半导电油墨配制料 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导电油墨配制料。半导电油墨配制料包括半导电材料；第一溶剂；和可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，和在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度。该油墨配制料的表面张力可以得到控制，允许在有机薄膜晶体管，包括顶栅晶体管中形成半导电层。
Description
技术领域
本公开内容在各实施方案中涉及适用于电子器件，例如薄膜晶体管(“TFT”)的配制料和方法。本公开内容还涉及使用这种组合物和方法制造的部件或层，以及包含这种材料的电子器件。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)是现代化电子设备，包括例如传感器、图像扫描器和电子显示装置中的基本部件。TFT通常由支撑基片、三个导电电极(栅极、源极和漏极)、通道半导电层和将栅极与半导电层分隔的电绝缘栅极介电层组成。通常希望制造不仅具有低得多的制造成本而且具有有吸引力的机械性能，例如物理紧凑、轻便和柔性的TFT。一种方法是通过有机薄膜晶体管(“OTFT”)，其中TFT的一个或多个部件包括有机化合物。具体地，一些部件可以使用廉价的公知的印刷技术沉积和形成图案。
喷墨印刷被认为是制造OTFT的非常有前景的方法。关于该制造工艺，喷墨印刷有机半导体是关键步骤。因此需要一种可喷射半导体油墨。
形成油墨组合物的一种常规方法是将半导电材料溶解在适当的溶剂中以形成用于分散体的油墨溶液。分散体通常适合于在底栅TFT构造中印刷半导电材料(参见图1)，其中基片表面(介电表面)具有低表面能。但是，油墨组合物可能不满足喷墨印刷的所有要求，例如表面张力要求。例如，对于在具有高表面能的基片上印刷半导电材料，例如在顶栅TFT构造中(参见图4)，一些分散体的表面张力过低。低表面张力诱导半导电材料扩散超出所需通道区域，产生不希望有的电容。理想的将是提供一种半导电油墨配制料，其具有增加的表面张力，而半导电材料本身的结构、分子量和/或填充量没有变化。
发明内容
在各实施方案中公开半导电油墨配制料。油墨配制料允许控制表面张力并由此可用于制造顶栅薄膜晶体管。还公开了制备和使用这种配制料的方法。
一些实施方案中公开的是半导电油墨配制料，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度。
在实施方案中，半导电材料可以具有式(I)的结构：
式(I)
其中R1和R2独立地选自烷基和取代烷基；x、y和z独立地为1至约5；和n为聚合度。
R1和R2可以独立地选自具有1至约24个碳原子的烷基。在一些实施方案中，R1和R2相同。
半导电材料可以为式(II)：
式(II)
第一溶剂为卤代芳烃溶剂，例如氯苯、二氯苯、三氯苯和氯甲苯。在具体实施方案中，第一溶剂为1，2-二氯苯。
第二溶剂可以包括六碳环，例如苯甲酸苄酯、苯甲酸甲酯、乙酰苯、2′-氯乙酰苯、喹啉和苄腈。在具体实施方案中，第二溶剂为苯甲酸苄酯。
在具体组合中，第一溶剂为1，2-二氯苯，第二溶剂为苯甲酸苄酯。第一溶剂对第二溶剂的重量比可以为约20∶1至约20∶10。
油墨配制料可以具有约28mN/m至约35mN/m的表面张力。
半导电材料可以以聚集体和溶解的分子两种形式存在。在一些实施方案中，聚集体超过半导电材料的50wt％。在其它的实施方案中，聚集体超过半导电材料的80wt％。
在其它实施方案中，公开了形成薄膜晶体管的半导电层的方法，包括：
a)提供一种油墨组合物，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度；
b)将油墨组合物施涂在晶体管的基片上；和
c)干燥油墨组合物以形成半导电层。
在其它实施方案中，提供控制半导电油墨配制料的表面张力的方法，包括：
a)提供一种油墨组合物，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂，在其中半导电材料在室温下具有0.1wt％或更大的溶解度；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度；和
b)调节第一溶剂对第二溶剂的重量比至约20∶1和约20∶10之间，以控制油墨组合物的表面张力。
第一溶剂对第二溶剂的重量比可以为约10∶1至约10∶3。
还公开了由这种方法制造的层和/或薄膜晶体管。
本公开内容的示例性实施方案的这些和其它非限制性特征在以下更具体地描述。
附图说明
图1为本公开内容的OTFT的第一种示例性实施方案。
图2为本公开内容的OTFT的第二种示例性实施方案。
图3为本公开内容的OTFT的第三种示例性实施方案。
图4为本公开内容的OTFT的第四种示例性实施方案。
具体实施方式
参考附图可以得到在此公开的部件、方法和设备的更完整的理解。这些附图仅为基于说明本研发内容的便利性和简易性的示意图，并且因此并不希望指明器件或其部件的相对大小和尺寸和/或限定或限制示例性实施方案的范围。
虽然为清楚起见，在以下说明中使用特定术语，但是这些术语仅用来表示按照附图中的说明选择的实施方案的特殊结构，并非用来限定或限制公开内容的范围。在以下附图和随后的说明中，应理解相同的数目标记表示相同作用的部件。
图1说明第一种底栅OTFT实施方案或构造。OTFT 10包括与栅极30和介电层40接触的基片20。虽然在此将栅极30绘制在基片20内，但这并非必须。但是，重要的是介电层40将栅极30与源极50、漏极60和半导电层70分隔。源极50接触半导电层70。漏极60也接触半导电层70。半导电层70在源极和漏极50和60之上和之间延伸。任选的界面层80可以设置在介电层40和半导电层70之间。
图2说明第二种底栅OTFT实施方案或构造。OTFT 10包括与栅极30和介电层40接触的基片20。半导电层70位于介电层40之上或顶部，并将其与源极和漏极50和60分隔。任选的界面层80可以设置在介电层40和半导电层70之间。
图3说明第三种底栅OTFT实施方案或构造。OTFT 10包括还起栅极作用并与介电层40接触的基片20。半导电层70位于介电层40之上或顶部，并将其与源极和漏极50和60分隔。任选的界面层80可以设置在介电层40和半导电层70之间。
图4说明顶栅OTFT实施方案或构造。OTFT 10包括与源极50、漏极60和半导电层70接触的基片20。半导电层70在源极和漏极50和60之上和之间延伸。介电层40在半导电层70之上。栅极30在介电层40之上并且不接触半导电层70。任选的界面层80可以设置在介电层40和半导电层70之间。
半导电层可以由适用于形成薄膜晶体管，包括顶栅薄膜晶体管的半导电油墨配制料形成。半导电油墨配制料包括半导电材料、第一溶剂A和第二溶剂B。
在实施方案中，半导电材料包括结构(A)的噻吩部分：
结构(A)
其中R1为烷基或取代烷基。在优选实施方案中，半导电材料为聚合物半导电材料。
在另外的实施方案中，半导电材料具有式(I)：
式(I)
其中R1和R2独立地选自烷基和取代烷基；x、y和z独立地为1至约5；和n为聚合度。n通常为2至约10,000，优选约5至约50的数。在具体实施方案中，R1和R2独立地选自具有1至约24个碳原子的烷基，在另外的实施方案中R1和R2相同。在具体实施方案中，x和z相等。
在具体实施方案中，半导电材料为式(II)：
式(II)
其中n为2至约100的数。这种特别的半导电材料亦称PQT-12。其它特别的半导电材料包括聚(3-烷基噻吩)，和US 6,770,904；6,949,762；和6,621,099中公开的半导电聚合物，在此将其公开内容全部引入作为参考。
关于两种溶剂，第二溶剂B可与第一溶剂A混溶，并且其具有等于或大于第一溶剂A的表面张力的表面张力。半导电材料在第二溶剂B中在室温下还具有小于0.1wt％的溶解度。在一些实施方案中，半导电材料在第一溶剂A中在室温下也具有0.1wt％或更大的溶解度。
在实施方案中，第一溶剂A为卤代芳烃溶剂。示例性卤代芳烃溶剂包括氯苯、二氯苯、三氯苯和氯甲苯。在具体实施方案中，第一溶剂A包括1，2-二氯苯。
在实施方案中，第二溶剂B包括六碳环。在具体实施方案中，第二溶剂B包括选自苯甲酸苄酯、苯甲酸甲酯、乙酰苯、2′-氯乙酰苯、喹啉和苄腈的溶剂。在具体实施方案中，第二溶剂B为苯甲酸苄酯。
在一些具体实施方案中，第一溶剂A为1，2-二氯苯，第二溶剂B为苯甲酸苄酯。
通过混合第一溶剂A，第二溶剂B和半导电材料制备半导电油墨配制料。通常，半导电材料为配制料的约0.1wt％至约1.0wt％，或配制料的约0.1wt％至约0.5wt％。在实施方案中，半导电材料可以以聚集体(例如纳米尺度聚集体)和溶解的分子两种形式存在于油墨配制料中。溶剂B的使用仅略微改进溶剂A和B的混合物的表面张力，对增强油墨组合物的表面张力具有较小的作用。另一方面，使用溶剂B显著降低半导电材料在两种溶剂A和B的混合物中的溶解性，导致可以由溶剂A稳定化的纳米尺度聚集体的总数增加，以及油墨组合物中溶解的分子的总数减少。
不受任何理论约束，据信聚集体的量增加和溶解的半导电分子的量减少将导致油墨组合物的表面张力显著改善。因为半导电材料是表面活性组分，溶解的半导电分子将显著降低溶剂的表面张力。在实施方案中，油墨组合物具有约28mN/m至约35mN/m，或约30mN/m至约33mN/m的表面张力。油墨配制料的表面张力可以通过改变溶剂A对溶剂B的比率来调节，因为聚集体的总数可以通过改变溶剂A对溶剂B的比率来调节。在实施方案中，聚集体超过油墨组合物中半导电材料的50wt％，包括超过油墨组合物中半导电材料的80wt％。
在实施方案中，第一溶剂A对第二溶剂B的重量比为约20∶1至约20∶10，包括约10∶1至约10∶3。通过改变溶剂B从油墨配制料的1wt％至油墨配制料的约30wt％，半导电材料中聚集体的总数可以增加约10％至约100％。与半导电材料仅与溶剂A的配制料相比，表面张力可以提高最少每米5毫牛顿(mN)。半导电油墨配制料的表面张力的该增加比仅仅溶剂A和B的混合物的表面张力的增加大得多。
在实施方案中，半导电油墨组合物具有约2厘泊至约40厘泊，优选约2厘泊至15厘泊的粘度。该粘度适用于喷墨印刷。
表面张力增加的半导电油墨配制料可用于在薄膜晶体管，特别是如图4中描绘的顶栅晶体管中形成半导电层。在那里，有机半导电材料可以沉积在塑料基片上，而不是疏水栅极介电材料上。配制料通常沉积在晶体管表面上，然后干燥形成层。示例性沉积方法包括液体沉积，例如旋涂、浸涂、刮涂、棒涂、丝网印刷、模印、喷墨印刷等、以及本领域中已知的其它常规方法。在实施方案中，沉积方法为喷墨印刷。所得半导电层为约5nm至约1000nm厚，特别是约10nm至约100nm厚。
与仅具有溶剂A的油墨组合物相比，具有溶剂A和B两者的半导电油墨组合物具有若干优点。首先，增强的表面张力防止油墨从印刷喷嘴渗漏。其次，当在基片上印刷时，所得油墨将由于较高的表面张力形成较小的液滴尺寸，由此允许较高的印刷分辨率。第三，所得油墨将防止半导电层扩散，特别是在顶栅晶体管制造中，其中在大多数情况下半导电层印刷在高能量基片表面上。
基片可以由包括但不限于硅、玻璃板、塑料膜或片的材料组成。对于结构柔性器件，可以使用塑料基片，例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺片材等。基片的厚度可以为约10微米至超过10毫米，示例性厚度为约50微米至约5微米，特别是对于柔性塑料基片，并且对于例如玻璃或硅的硬质基片，为约0.5至约10毫米。
栅极由导电材料组成。其可以为薄金属膜、导电聚合物膜、由导电油墨或糊或基片本身制成的导电膜，例如重掺杂硅。栅极材料的实例包括但不限于铝，金，银，铬，氧化铟锡，导电聚合物，例如聚苯乙烯磺酸酯掺杂的聚(3，4-亚乙基二氧基噻吩)(PSS-PEDOT)，和由炭黑/石墨或银胶体组成的导电油墨/糊。栅极可以由真空蒸发、金属或导电金属氧化物溅射、常规石印和蚀刻、化学汽相沉积、旋涂、流延或印刷或其它沉积方法制备。栅极的厚度对于金属膜为约10至约500纳米，对于导电聚合物为约0.5至约10微米。
介电层通常可以为无机材料膜、有机聚合物膜、或有机-无机复合膜。适合作为介电层的无机材料的实例包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、钛酸钡、钛酸锆钡等。合适的有机聚合物的实例包括聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯基苯酚)、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、环氧树脂等。介电层的厚度取决于使用的材料的介电常数，并且可以为例如约10纳米至约500纳米。介电层可以具有例如低于约10-12西门子每厘米(S/cm)的导电率。使用本领域已知的常规方法形成介电层，包括在形成栅极中所述的那些方法。
适合用作源极和漏极的典型材料包括例如金、银、镍、铝、铂、导电聚合物和导电油墨的那些栅极材料。在具体实施方案中，电极材料为半导体提供低接触电阻。典型厚度为例如约40纳米至约1微米，更特别的厚度为约100至约400纳米。本公开内容的OTFT器件包含半导体通道。半导体通道宽度可以为例如约5微米到约5毫米，以及特殊的通道宽度为约100微米至约1毫米。半导体通道长度可以为例如约1微米到约1毫米，其中更特殊的通道长度为约5微米到约100微米。
源极是接地的，并且当向栅极施加例如约+10伏至约-80伏的电压时，向漏极施加例如约0伏至约80伏的偏压以收集横穿半导体通道所输送的载荷子。电极可以使用本领域中已知的常规方法形成或沉积。
如果需要，阻挡层也可以沉积在TFT之上，以保护其免受可能劣化其电性能的环境条件，例如光、氧气和水汽等的影响。这种阻挡层是本领域中已知的，并且可以简单地由聚合物组成。
OTFT的各个部件可以以任何顺序沉积在基片之上，如在附图中看到的。术语“在基片之上”不应被认为是要求每个部件直接接触基片。该术语应被认为是描述部件相对于基片的位置。但是通常栅极和半导电层应均与介电层接触。此外，源极和漏极应均与半导电层接触。由本公开内容的方法形成的半导电聚合物可以沉积在有机薄膜晶体管的任何合适的部件上以形成该晶体管的半导电层。
以下实施例举例说明本公开内容的方法和设备。对于其中阐述的材料、条件或工艺参数，实施例仅是说明性的，并不意图限制本公开内容。
实施例
对比例1
通过加热将22毫克PQT-12溶于10克1，2-二氯苯中，形成黄-红色溶液。在水浴中使热溶液冷却至室温，同时施加超声波振动(100W声波仪，42kHz)10至15分钟。当完全冷却至室温时，黄-红色溶液变为暗紫色。用1微米注射器过滤器过滤该暗紫色组合物，以去除任何大颗粒，得到稳定的半导电油墨配制料。
得到稳定的半导体油墨，油墨的表面张力在室温下测定为25.20mN/m，显著低于1，2-二氯苯的表面张力(37.8mN/m)。这一点表明PQT-12半导体是表面活性聚合物，其显著地降低PQT-12/1，2-二氯苯组合物的表面张力，即使是在约0.2wt％的极低浓度下。
对比例2
将2.0毫克PQT-12加入到1.0克苯甲酸苄酯中。将混合物加热至约120℃以溶解PQT-12，并在水浴中冷却至室温，同时施加超声波振动。沉淀出聚合物，不能形成稳定的油墨配制料。
对比例3
将2.0毫克PQT-12加入到1.0克喹啉中。将混合物加热至约120℃以溶解PQT-12，并在水浴中冷却至室温，同时施加超声波振动。沉淀出聚合物，不能形成稳定的油墨配制料。
实施例1
通过改变溶剂A对溶剂B的重量比制备1，2-二氯苯(溶剂A)和苯甲酸苄酯(溶剂B)的三个混合物，标记为1A(10∶1)、1B(10∶2)和1C(10∶3)。以与对比例1中相同的浓度将PQT-12溶解在混合物中(即22mg/g溶剂)。然后声波处理混合物以形成暗紫色组合物。过滤之后，得到稳定的半导电油墨配制料。
结果
测量溶剂混合物(即添加半导电材料之前)和油墨配制料(即添加半导电材料之后)的表面张力。结果示于表1中。溶剂A和B的量以重量份计。相对于对比例1测量百分比改善。
表1
| 配制料 | 1，2-二氯苯(溶剂A)份数 | 苯甲酸苄酯(溶剂B)份数 | 仅混合溶剂的表面张力(mN/m) | 改善％ | 油墨配制料的表面张力(mN/m) | 改善％ |
| 对比例1 | 10 | 0 | 37.8 | 25.20 | ||
| 对比例2 | 0 | 1 | ～43 | NA | ||
| 实施例1A | 10 | 1 | 38.02 | 0.6 | 27.70 | 9.9 |
| 实施例1B | 10 | 2 | 38.21 | 1.1 | 29.60 | 17.5 |
| 实施例1C | 10 | 3 | 38.50 | 1.9 | 32.30 | 28.2 |
向混合溶剂中添加PQT降低了所有配制料的表面张力。这一点表明PQT-12是表面活性聚合物。与对比例1相比，添加最高达23wt％(实施例1C)的苯甲酸苄酯(溶剂B)使仅混合溶剂(A和B)的表面张力增加小于1mN/m，或～2％。但是，与对比例1相比，油墨配制料的表面张力增加大约7mN/m，或大约30％。油墨配制料表面张力的这种大的变化是出乎意料的，因为预期表面张力的变化将几乎与两种混合溶剂的表面张力的变化相同。表面张力也可以通过改变两种溶剂的重量比来调节。
薄膜晶体管利用半导电油墨配制料制造。使用其上具有厚度为约200纳米的热生长氧化硅层的n-掺杂硅晶片。该晶片起基片和栅极的作用。氧化硅层起栅极介电层的作用，并具有约15nF/cm2的电容。硅晶片首先用异丙醇、氩等离子体和异丙醇清洗，然后空气干燥。然后将晶片浸入60℃辛基三氯硅烷在甲苯中的0.1M溶液中20分钟，以改性介电表面。晶片用甲苯和异丙醇洗涤，然后干燥。将实施例1C的配制料旋涂在改性的氧化硅表面之上，随后在真空烘箱中干燥和退火。在半导体层之上蒸发金源极和漏极以完成该器件。
在环境条件下用Keithley 4200 SCS表征晶体管。该器件显示0.1cm2/V·s的场效应迁移率，其中电流通/断比超过106。该性能可与由对比例1的配制料制造的器件相比，溶剂B的存在对器件性能没有不良影响。
由此，在此公开以下实施方案。
方案1.一种半导电油墨配制料，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度。
方案2.方案1的油墨配制料，其中半导电材料具有式(I)：
式(I)
其中R1和R2独立地选自烷基和取代烷基；x、y和z独立地为1至约5；和n为聚合度。
方案3.方案2的油墨配制料，其中R1和R2独立地选自具有1至约24个碳原子的烷基。
方案4.方案3的油墨配制料，其中R1和R2相同。
方案5.方案2的油墨配制料，其中半导电材料为式(II)：
式(II)
方案6.方案1的油墨配制料，其中第一溶剂为卤代芳烃溶剂。
方案7.方案6的油墨配制料，其中第一溶剂为选自氯苯、二氯苯、三氯苯和氯甲苯的溶剂。
方案8.方案7的油墨配制料，其中第一溶剂为1，2-二氯苯。
方案9.方案1的油墨配制料，其中第二溶剂包括六碳环。
方案10.方案9的油墨配制料，其中第二溶剂包括选自苯甲酸苄酯、苯甲酸甲酯、乙酰苯、2′-氯乙酰苯、喹啉和苄腈的溶剂。
方案11.方案10的油墨配制料，其中第二溶剂为苯甲酸苄酯。
方案12.方案1的油墨配制料，其中第一溶剂为1，2-二氯苯，第二溶剂为苯甲酸苄酯。
方案13.方案1的油墨配制料，其中第一溶剂对第二溶剂的重量比为约20∶1至约20∶10。
方案14.方案1的油墨配制料，其中油墨配制料具有约28mN/m至约35mN/m的表面张力。
方案15.方案1的油墨配制料，其中半导电材料以聚集体和溶解的分子两种形式存在，并且聚集体超过半导电材料的50wt％。
方案16.方案15的油墨配制料，其中聚集体超过半导电材料的80wt％。
方案17.一种形成薄膜晶体管的半导电层的方法，包括：
a)提供一种油墨组合物，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度；
b)将油墨组合物施涂在晶体管的基片上；和
c)干燥油墨组合物以形成半导电层。
方案18.方案17的方法，其中半导电材料具有式(I)：
式(I)
其中R1和R2独立地选自烷基和取代烷基；x、y和z独立地为1至约5；和n为聚合度。
方案19.方案18的方法，其中半导电材料为式(II)：
式(II)
方案20.方案17的方法，其中第一溶剂为1，2-二氯苯，第二溶剂为苯甲酸苄酯。
方案21.方案17的方法，其中第一溶剂对第二溶剂的重量比为约20∶1至约20∶10。
方案22.方案17的方法，其中油墨组合物具有约28mN/m至约35mN/m的表面张力，和约2厘泊至约40厘泊的粘度。
方案23.一种控制半导电油墨配制料的表面张力的方法，包括：
a)提供一种油墨组合物，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂，在其中半导电材料在室温下具有0.1wt％或更大的溶解度；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度；和
b)调节第一溶剂对第二溶剂的重量比至约20∶1和约20∶10之间，以控制油墨组合物的表面张力。
方案24.方案23的方法，其中半导电材料为式(II)：
式(II)
方案25.方案23的方法，其中第一溶剂为1，2-二氯苯，第二溶剂为苯甲酸苄酯。
方案26.方案23的方法，其中第一溶剂对第二溶剂的重量比为约10∶1至约10∶3。
Claims (3)
1.一种半导电油墨配制料，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度。
2.一种形成薄膜晶体管的半导电层的方法，包括：
a)提供一种油墨组合物，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度；
b)将油墨组合物施涂在晶体管的基片上；和
c)干燥油墨组合物以形成半导电层。
3.一种控制半导电油墨配制料的表面张力的方法，包括：
a)提供一种油墨组合物，包括：
包括结构(A)的噻吩部分的半导电材料：
结构(A)
其中R1选自烷基和取代烷基；
第一溶剂，在其中半导电材料在室温下具有0.1wt％或更大的溶解度；和
可与第一溶剂混溶的第二溶剂，其具有等于或大于第一溶剂表面张力的表面张力，在其中半导电材料在室温下具有小于0.1wt％的溶解度；和
b)调节第一溶剂对第二溶剂的重量比至约20∶1和约20∶10之间，以控制油墨组合物的表面张力。
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