JP2009076868A - 可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ - Google Patents

可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ Download PDF

Info

Publication number
JP2009076868A
JP2009076868A JP2008189903A JP2008189903A JP2009076868A JP 2009076868 A JP2009076868 A JP 2009076868A JP 2008189903 A JP2008189903 A JP 2008189903A JP 2008189903 A JP2008189903 A JP 2008189903A JP 2009076868 A JP2009076868 A JP 2009076868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sexithiophene
solution
substituted
effect transistor
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008189903A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4912364B2 (ja
Inventor
Afuzari-Arudakani Ali
アリ・アフザリ−アルダカニ
Lin Breen Torishia
トリシア・リン・ブリーン
Rennie Kargan Sherry
シェリー・レニー・カーガン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2009076868A publication Critical patent/JP2009076868A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4912364B2 publication Critical patent/JP4912364B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
    • C07F9/6558—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom containing at least two different or differently substituted hetero rings neither condensed among themselves nor condensed with a common carbocyclic ring or ring system
    • C07F9/65586—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom containing at least two different or differently substituted hetero rings neither condensed among themselves nor condensed with a common carbocyclic ring or ring system at least one of the hetero rings does not contain nitrogen as ring hetero atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom
    • C07D333/06—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D333/24—Radicals substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
    • C07F9/6553—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having sulfur atoms, with or without selenium or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms
    • C07F9/655345—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having sulfur atoms, with or without selenium or tellurium atoms, as the only ring hetero atoms the sulfur atom being part of a five-membered ring
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

【課題】ソルベント・キャスティングに適する一般的な有機溶媒への溶解度が非常に大きい様々なα−ω置換セクシチオフェンの合成と、その有機薄膜電界効果トランジスタの半導体チャネルとしての使用法を提供する。
【解決手段】末端炭素が様々な極性基で置換されている可溶性セクシチオフェン誘導体が合成され、この様々な極性基は、ホスホン酸エステルやホスホン酸、ホスホネート、カルボン酸、カルボキシレート、アミン、アミド、カルバメート、アルコールなどであり、Ｃ１〜１０のメチレン基によって末端チオフェン環から隔てられている。上記セクシチオフェン誘導体の被膜は半導体構成要素として使用される。これらの有機半導体は一般的な有機溶媒に溶解し、スピン・コーティングやディップ・コーティング、ドロップ・キャスティング、マイクロコンタクト・プリンティング等の、低コストな低温溶液処理で基板表面に塗布される。
【選択図】図１

Description

本発明は、ソルベント・キャスティングに適する一般的な有機溶媒への溶解度が非常に大きい様々なα−ω置換セクシチオフェンの合成と、その有機薄膜電界効果トランジスタの半導体チャネルとしての使用法に関する。
ＴＦＴと呼ばれている薄膜トランジスタは、エレクトロニクスにおけるスイッチ素子として広く使用されており、とりわけアクティブ・マトリックス型液晶表示装置やスマート・カードなど、広範囲にわたる適用分野で使用されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の一例である。最もよく知られているＦＥＴの例は、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体ＦＥＴ）であり、すなわち今日では高速利用のために普通に用いられるスイッチ素子である。
現在、ほとんどのデバイスのＴＦＴは、半導体としてアモルファスシリコンを使用して作製されている。アモルファスシリコンは、結晶質シリコンに代わる費用のかからない代替案を提供するが、これは広範囲にわたる適用分野でトランジスタのコストを低減させるのに必要な条件である。アモルファスシリコンの用途は、その移動度（０．１〜０．５ｃｍ2／Ｖ・秒）が結晶質シリコンの移動度の１万５千分の１〜２万分の１と小さいので、低速デバイスに限定される。アモルファスシリコンを付着させることが高結晶質シリコンの場合より安上がりだとしても、アモルファスシリコンを付着させるには、ディスプレイの適用分野に十分な電気特性を実現させるために、プラズマ強化化学気相成長法などの比較的コストのかかるプロセスと、高温（約３６０℃）であることが必要である。
過去１０年にわたり、ＴＦＴの半導体チャネルになり得るものとして有機半導体が非常に注目され、例えば米国特許第５，３４７，１４４号明細書に記載されている。有機材料（小さい分子、短鎖オリゴマーおよびポリマー）は処理がより簡単であるので、ＴＦＴの適用分野に向けた無機材料（例えばアモルファスシリコン）に代わる費用のかからない代替案を提供することができ、特に有機溶媒に可溶なものは、スピン・コーティング（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）やディップ・コーティング（ｄｉｐ−ｃｏａｔｉｎｇ）、マイクロコンタクト・プリンティング（ｍｉｃｒｏｃｏｎｔａｃｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）などのはるかに費用のかからないプロセスによって、広い面積に塗布することができる。さらに、有機材料は低温で付着させることができ、フレキシブルな電子デバイス用としてのプラスチックも含めた基板材料の範囲がより広げられる。
短鎖でオリゴマー性の何種類かの有機材料が合成され（例えばα−セクシチオフェン）、その移動度はアモルファスシリコンに近いことが実証されている（０．１〜０．６ｃｍ2／Ｖ・秒）。しかし、これらの化合物のほとんどは有機溶媒に可溶ではないので、高温真空蒸着でしかそのような比較的高い移動度を実現することができなかった。移動度が０．００１〜０．０１ｃｍ２／Ｖ・秒である何種類かの可溶性の長鎖有機化合物（例えばポリアルキルチオフェン）が合成された。しかしこれらの材料は通常オン・オフ比が小さく、不活性ガスの雰囲気中で塗布しなければならず、半導体の効果を示すために、塩基で充分に処理して重合中に導入される意図しないドーパントを減少させなければならない。
したがって、本発明の一目的は、可溶性オリゴマー・セクシチオフェン誘導体であって、α−位およびω−位が対称的に様々な官能基で置換された誘導体を合成することである。
本発明の別の目的は、これらのセクシチオフェン誘導体を、ＴＦＴデバイスの半導体構成要素として、アモルファスシリコンに代わる低コストおよび低温プロセスの代替例として使用することである。
本発明の幅広い態様は、可溶性セクシチオフェン誘導体であり、その末端炭素が、ホスホン酸エステル、ホスホン酸、ホスホネート、カルボン酸、カルボキシレート、アミン、アミド、カルバメート、アルコールなどの様々な極性基で置換され、それぞれが、１個または複数のメチレン基によって末端のチオフェン環から隔てられているものが合成される。本発明の第２の目的によるＴＦＴデバイスは、半導体構成要素として上述のセクシチオフェン誘導体の被膜を使用する。これらの有機半導体は、一般的な有機溶媒に溶解し、スピン・コーティングやディップ・コーティング、ドロップ・キャスティング、マイクロコンタクト・プリンティングなどの費用のかからない低温の溶液ベースの処理を使用して、基板表面に塗布される。
パートＡ：セクシチオフェン誘導体の合成
本発明は、室温で一般的な有機溶媒に可溶な、様々なセクシチオフェン（構造６において、Ｒ＝Ｈ、ｎ＝０）の誘導体の合成について述べる。本発明では、ＴＦＴデバイスの半導体構成要素としてのこれらの化合物の用途についても述べている。
図１に示す合成スキームでは、全ての誘導体について２つの共通のステップを使用する。第１のステップは、Frechet他により記述されている（J. Am. Chem. Soc., 1998, 120, 10990）パラジウムの触媒作用によるStilleカップリング反応によって、置換ブロモチオフェン２を置換ターチオフェン４に変換することであり、その教示を参照により本明細書に組み込む。第２のステップは、改善されたUllmannカップリングによって、構造５のブロモターチオフェンまたはヨードターチオフェンから所望のセクシチオフェン誘導体６を得ることである。ジホスホン酸エステル６ａとジカルボン酸エステル６ｂを合成するための出発材料は、市販の４−（２−チエニル）酪酸１ａであった。４−（２−チエニル）酪酸１ａをジメトキシプロパンでエステル化することにより、メチルエステル１ｂが定量的に得られた。メチルエステル１ｂを水素化アルミニウムリチウムで還元し、次いで臭素化を行うことによって、対応するブロモブチルチオフェン１ｄが得られ、これを、Ａｒｂｕｚｏｖ反応によってホスホン酸エステル１ｅに変換した。ホスホン酸エステル１ｅのＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）臭素化によりホスホン酸エステル２ａが得られた。ホスホン酸エステル２ａをトリブチルスタニルビチオフェン３でＳｔｉｌｌｅカップリングすることにより、ターチオフェンブチルホスホネート４ａが得られた。
セクシチオフェンを調製するための標準的な方法は、ターチオフェン誘導体のモノメタレーション（モノリチウム化）の後、リチウム化したターチオフェンを様々な酸化剤、とりわけ塩化銅によって酸化カップリングすることであり、これはGarnier他（J. Am. Chem. Spc. 1993, 115, 8716）により記述されているが、その教示を参照により本明細書に組み込む。この方法によれば満足のいく適度な収率が得られるが、カルボン酸エステルやアミドなどの塩基（例えばブチルリチウム）感受性基を有するターチオフェン誘導体には使用できない。本発明者等は、全ての置換ターチオフェンに共通して行うことができる、ターチオフェン誘導体の新しいカップリング手順を考案した。この手順は、ターチオフェン誘導体のハロゲン化（臭素化または好ましくはヨウ素化）を行い、次いでRawal他（Organic Lett. 2000, l (8), 1205）により記述される手順に従ってパラジウム触媒作用によるUllmann式カップリングを行うことを含み（その教示を参照により本明細書に組み込む）、よって、対応するセクシチオフェン誘導体が良好な収率で得られる。その結果、ターチオフェンブチルホスホネート４ａは、酢酸第二水銀の存在下、ヨウ素との反応によって、末端環のα−炭素が選択的にヨウ素化し、ヨードターチオフェンブチルホスホネート５ａが得られた。ヨードターチオフェンブチルホスホネート５ａに対し、パラジウム触媒作用によるＵｌｌｍａｎｎカップリングを行うことによって、セクシチオフェン６ａが得られた。化合物６ａは、塩化メチレンやクロロホルム、トリクロロエチレンなどの塩素化有機溶媒に対する溶解度が非常に高く、スピン・コーティング、ディップ・コーティング、ドロップ・キャスティング（drop-casting）、または溶液から有機材料の薄膜を塗布するのに使用される任意のその他の方法によって、どのような基板にも塗布することができる。構造６のＲ官能基は、セクシチオフェン誘導体の溶解度を高めることができ、またはその水素結合を強化することができ、あるいはその両方である任意の極性官能基から選択することができる。上記概略的に述べた手順に従って、カルボン酸エステルおよびカルボン酸を含有するセクシチオフェン誘導体も合成することができる。カルボン酸エステル１ｂをＮＢＳで臭素化して化合物２ｂを得た後、トリブチルスズビチオフェン３でカップリングすると、ターチオフェン４ｂが得られた。ターチオフェン４ｂをヨウ素化することによって化合物５ｂが得られ、パラジウム触媒作用によるUllmann反応を使用してカップリングを行うと、セクシチオフェン６ｂが高収率で得られた。これら２つの例によるセクシチオフェンの合成（ホスホン酸エステル基とカルボン酸エステル基によるもの）が説明されているが、同じ手順を使用して、他の極性官能基で置換されたセクシチオフェン化合物を調製することもできる。例えば、構造６のＲとして、ヒドロキシル、アミン、メルカプタン、アミド、カルバメート、アルデヒド、ケトン、スルホン酸、ボロン酸またはエステルを選択することができる。同時に、これらの官能基とチオフェン環とを隔てるメチレン・スペーサ基は、メチレン基が０〜１８個と様々でよく、１〜１０個のメチレン単位が好ましい。
実施例Ｉ：化合物６ａを合成するための詳細な合成手順
４−（２−チエニル）酪酸メチル１ｂ
２，２−ジメトキシプロパン１００ｍｌに４−（２−チエニル酪酸）（１０．０ｇ、０．０５８モル）を溶かした溶液に、濃塩酸（０．５ｍｌ）を添加し、得られた溶液を室温で４８時間撹拌した。過剰なジメトキシプロパンを蒸発させ、油状の残渣を真空中で蒸留すると（１０５℃、０．１５ｍｍＨｇ）、メチルエステル１ｂが無色の油として得られた（１０．２ｇ、９５％）。ＩＲ：１７３２ｃｍ-1（エステルカルボニル） 1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．１１（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．９１（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．７８（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．６６（ｓ，３Ｈ，ＯＣＨ3）、２．８７（ｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＯ2Ｍｅ）、２．３６（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、２．００（ｔｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）。
２−（４−ヒドロキシブチル）チオフェン１ｃ
無水ＴＨＦ １００ｍｌにメチルエステル１ｂ（７．３０ｇ、０．０４モル）を溶かした溶液に、水素化アルミニウムリチウムの２．５Ｍ ＴＨＦ溶液（１０ｍｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、この溶液を４時間還流し、次いで室温に冷却した。次いで塩酸（１０％、２５ｍｌ）をゆっくり添加し、得られた混合物をさらに３０分間加熱した。室温に冷却した後、ジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加し、有機層を分離してブライン（ｂｒａｉｎ：塩類溶液または塩水）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を蒸発させると、アルコール１ｃが無色の油として得られた（５．４ｇ、９０％）。1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．１２（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．９２（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．７９（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．６２（ｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＯＨ）、２．８６（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、２．３０（ｓ，１Ｈ，ＯＨ）、２．００（ｍ，４Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）。
２−（４−ブロモブチル）チオフェン１ｄ
無水アセトニトリル１００ｍｌに臭化リチウム（１．７５ｇ、０．０２モル）を溶かした溶液に、クロロトリメチルシラン（２．６０ｇ、０．０２５モル）を添加し、その混合物を窒素中で３０分間撹拌した。この溶液に、アルコール１ｃ（１．５６ｇ、０．０１モル）をアセトニトリル１０ｍｌに溶かした溶液をシリンジで添加し、得られた溶液を一晩還流した。この溶液を室温に冷却し、溶媒を減圧下で蒸発させ、残渣をジエチルエーテルに溶解した。固体を濾過によって除去して濾液を蒸発させると油状の褐色残渣が得られ、これを、溶離剤としてヘキサンを使用するシリカゲルのカラムを通したフラッシュクロマトグラフィにより精製した結果、ブロモブチルチオフェン１ｄが無色の油として得られた（１．９％、８８％）。1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．１０（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．９１（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．７８（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．４１（ｔ，２Ｈ，ＣＨ2Ｂｒ）、２．８５（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．８５（ｍ，４Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）。
４−（２−チエニル）ブチルホスホン酸ジエチル１ｅ
亜リン酸トリエチル２０ｍｌにブロモブチルチオフェン１ｄ（４．５８ｇ、０．０２モル）を溶かした溶液を２０時間１６０℃に加熱し、この溶液に窒素を直接バブリングした。溶液を室温に冷却し、水５０ｍｌを添加して、得られた混合物を４時間撹拌した。生成物を塩化メチレンで抽出し、有機層を分離し、ブラインで洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。溶媒を蒸発させることにより油状の残渣が得られ、これを真空中で蒸留すると（０．１２ｍｍＨｇ、１３５℃）、４−（２−チエニル）ブチルホスホン酸ジエチル１ｅが無色の油として得られた（６．０ｇ、８２％）。1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．０６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．８５（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．７２（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、４．０３（ｍ，４Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）、２．７９（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．７２（ｍ，６Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｐ）、１．２６（ｔ，６Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）。
４−（２−ブロモチエニル）ブチルホスホン酸ジエチル２ａ
ジメチルホルムアミド（２０ｍｌ）に４−（２−チエニル）ブチルホスホン酸ジエチル１ｅ（２．７８ｇ、０．０１モル）を溶かした溶液に、Ｎ−ブロモスクシンイミド（１．７８ｇ、０．０１モル）を少量ずつ添加し、溶液を室温で一晩撹拌した。この反応混合物にジエチルエーテル（５０ｍｌ）を添加し、次いで水で２回洗浄し（それぞれ５０ｍｌ）、ブラインで１回洗浄し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。溶媒を蒸発させることにより、４−（２−ブロモチエニル）ブチルホスホン酸ジエチル２ａが薄黄色の油として得られた（３．２ｇ、８７％）。1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ６．８０（ｄ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．４９（ｄ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、４．０３（ｍ，４Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）、２．７２（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．６７（ｍ，６Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｐ）、１．２７（ｔ，６Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）。
４−［５−（２，２’：５’，２’’）ターチエニル］ブチルホスホン酸ジエチル４ａ
無水ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）（３０ｍｌ）に４−（２−ブロモチエニル）ブチルホスホン酸ジエチル２ａ（３．５５ｇ、０．０１モル）を溶かした溶液に、窒素雰囲気中で５−トリブチルすず−（２，２’）ビチオフェン（４．５４ｇ、０．０１モル）を添加した。この溶液に、塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）５００ｍｇを添加し、その混合物を３時間６０℃に加熱し、次いで室温で２０時間撹拌した。ジエチルエーテル（１００ｍｌ）を添加し、混合物を水で数回洗浄し、次いでブラインで洗浄し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。溶媒を蒸発させることにより、黄橙色の固体状残渣が得られ、これをシリカゲルのカラムでクロマトグラフィにかけた。酢酸エチルで溶離すると、溶媒を蒸発させた後、橙色の固体が得られた（３．０ｇ、８３％）。ヘキサンから結晶化することにより、分析上純粋な４−［５−（２，２’：５’，２’’）ターチエニル］ブチルホスホン酸ジエチル４ａが得られた（３．０ｇ、８３％）。融点：９２℃、1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．１６−６．９４（ｍ，６Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．６６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、４．０８（ｍ，４Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）、２．７９（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．７５（ｍ，６Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｐ）、１．２９（ｔ，６Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）。
４−［５’’−ヨード−５−（２，２’：５’，２’’−ターチエニル）］ブチルホスホン酸ジエチル５ａ
無水ＤＭＦ（２０ｍｌ）に上記化合物４ａ（２．２８ｇ、５ミリモル）を溶かした溶液に、酢酸第二水銀（０．９５４ｇ、３ミリモル）を添加し、その混合物を、窒素中、室温で１時間撹拌した。次いでこの溶液に、ヨウ素（１．２７ｇ、５ミリモル）を３０分間にわたり少量ずつ添加し、その混合物を室温で２０時間撹拌した。ジエチルエーテル（５０ｍｌ）を添加し、その溶液を水で数回洗浄し、次いでブラインで洗浄し、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。溶媒を蒸発させることによって橙色の固体状残渣が得られ、これをトルエンとヘキサンの混合物（体積比５０：５０）から結晶化して、４−［５’’−ヨード−５−（２，２’：５’，２”−ターチエニル）］ブチルホスホン酸ジエチル５ａが橙色の微結晶性化合物として得られた（２．５ｇ、９１％）。融点：１１５℃、1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．１２（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．９４（ｍ，３Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．７８（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．６６（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、４．０５（ｍ，４Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）、２．７９（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．７０（ｍ，６Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｐ）、１．２９（ｔ，６Ｈ，ＰＯＣＨ2ＣＨ3）。
４−［５，２’’’’’−（２，２’：５’，２’’：５’’，２’’’：５’’’，２’’’’：５’’’’，２’’’’’−セクシチオフェンジイル）］−ブチルホスホン酸ビスジエチル６ａ
５−ヨード−２，２’：５’，２’’−ターチエニルブチルホスホネート５ａ（９５０ｍｇ、１．６７ミルモル）と、ヒドロキノン（１６０ｍｇ、１．４ミリモル）と、炭酸セシウム（７００ｍｇ、２．１ミリモル）との混合物に、酢酸パラジウム（２０ｍｇ、０．０９ミリモル）とトリ−ｐ−トリルホスフィン（３０ｍｇ、０．１ミリモル）を無水ＤＭＦ（１０ｍｌ）に溶かした溶液を添加し、その混合物の凍結融解を３サイクル行うことによって脱気し、窒素を充填した。次いでこの混合物を７０℃で４時間加熱し、室温に冷却し、次いでさらに２０時間撹拌した。濃い橙色の固体を濾過によって分離し、ジエチルエーテルで数回洗浄し、真空中で乾燥した。１，２−ジクロロベンゼンから結晶化することにより、４−［５，２’’’’’−（２，２’：５’，２’’：５’’，２’’’：５’’’，２’’’’：５’’’’，２’’’’’−セクシチオフェンジイル）］−ブチルホスホン酸ビスジエチル６ａが明るい赤橙色の微結晶性生成物として得られた（９００ｍｇ、６２％）。融点（ＤＳＣ（示差走査熱量計）で測定）：２４５℃
実施例ＩＩ：化合物６ｂを合成するための詳細な合成手順
４−（５−ブロモ−２−チエニル）酪酸メチル２ｂ
４−（２−ブロモチエニル）ブチルホスホン酸ジエチル２ａを調製するために概略的に述べた手順に従って、４−（２−チエニル）酪酸メチル１ｂのＮＢＳ臭素化を行うことにより、４−（５−ブロモ−２−チエニル）酪酸メチル２ｂが無色の油として、９０％を超える収率で得られた。沸点：０．１５ｍｍＨｇで１３８℃、1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ６．８２（ｄ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．５２（ｄ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．６４（ｓ，３Ｈ，ＯＣＨ3）、２．７９（ｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＯ2Ｍｅ）、２．３３（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．９３（ｔｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）。
４−（５−２，２’：５’，２’’−ターチエニル）酪酸メチル４ｂ
４−［５−（２，２’：５’，２’’）ターチエニル］ブチルホスホン酸ジエチル４ａを調製するために概略的に述べた手順に従い、５−トリブチルすず−２，２’−ビチオフェン３を用いて４−（５−ブロモ−２−チエニル）酪酸メチル２ｂのＳｔｉｌｌｅカップリング反応を行った結果、ターチオフェン誘導体４ｂが、黄色の蛍光色をした固体として８０％の収率で得られた。融点：８１℃、1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．２０−７．１３（ｍ，２Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．０４−６．９５（ｍ，４Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．６８（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．６６（ｓ，３Ｈ，ＯＣＨ3）、２．８４（ｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＯ2Ｍｅ）、２．３８（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、１．９９（ｔｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）。
４−［５−ブロモ−５’’−（２，２’：５’，２’’−ターチエニル）］酪酸メチル５ｂ
上記化合物４ａに関して概略的に述べた手順に従って、ターチオフェン誘導体４ｂのＮＢＳ臭素化を行った結果、４−［５−ブロモ−５’’−（２，２’：５’，２’’−ターチエニル）］酪酸メチル５ｂが黄緑色の固体として８０％を超える収率で得られた。融点：１３４℃、1Ｈ ＮＭＲ（２５０ＭＨｚ、２５℃、ＣＤＣｌ3）：δ ７．１４（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．９８（ｍ，３Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．８１（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、６．９９（ｍ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、３．６８（ｓ，３Ｈ，ＯＣＨ3）、２．８５（ｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＯ2Ｍｅ）、２．３９（ｔ，２Ｈ，Ａｒ−ＣＨ2）、２．０１（ｔｔ，２Ｈ，ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）。
セクシチオフェン６ｂ
４−［５−ブロモ−５’’−（２，２’：５’，２’’−ターチエニル）］酪酸メチル５ｂ（６００ｍｇ、１．２５ミリモル）と、ヒドロキノン（２００ｍｇ、１．８ミリモル）と、炭酸セシウム（４００ｍｇ、１．２５ミリモル）との混合物に、トリ−ｐ−トリルホスフィン（１００ｍｇ、０．３ミリモル）と酢酸パラジウム（１００ｍｇ、０．４５ミリモル）とを無水ジメチルホルムアミド１０ｍｌに溶かした溶液を添加した。この混合物を、凍結融解を３サイクル行うことによって脱気し、窒素を充填し、８０℃で２０時間加熱した。得られた黒色混合物を室温に冷却し、沈殿物を濾過してエタノールおよびジエチルエーテルで十分に洗浄し、真空中で乾燥した。１，２−ジクロロベンゼンから結晶化することによって、セクシチオフェン６ｂが赤橙色の結晶性化合物として得られた。
実施例ＩＩＩ：デバイスの製作
セクシチオフェン６ａを薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体チャネルとして使用する方法を、以下に例示する。
高濃度にドープされたシリコン・ウェーハ上に、セクシチオフェン６ａのクロロホルム溶液（２ｍｇ／ｍｌ）をスピン・コーティング（またはドロップ・キャスティング）することによって、薄膜トランジスタを製作するが、この高濃度にドープされたシリコン・ウェーハは、図２に示すように、ゲート電極と基板の両方の役割をし、ゲート絶縁体として熱成長させた５００ｎｍの二酸化ケイ素と、金のソースおよびドレイン電極とを有するものである。図２は典型的なＴＦＴ構造の配置構成を例示するが、その代替構造も本発明の範囲内に含まれると考えられる。図３を参照すると、代替のＴＦＴ構造のそれぞれの要素が例示されている。代替の基板はポリイミドやポリカーボネートなどのプラスチックを含み、フレキシブルなデバイスの組立てに使用することができる。
図４および図５には、可溶性セクシチオフェン６ａにより準備されたＴＦＴの、所望の電界変調されたコンダクタンスおよび電流飽和を実証する予備データが示されている。ドレイン電流ＩDとソース・ドレイン電圧ＶDSの関係をゲート電圧ＶGの関数としてプロットしたグラフに示されるように（図４）、セクシチオフェン化合物は、ｐチャネル・トランジスタを形成する。デバイスの動作は、標準的な電界効果トランジスタの方程式によってモデル化される。飽和レジームでの電流変調（Ｉon／Ｉoff）および電界効果移動度を計算するには、ＶDS＝−１００Ｖでのゲート電圧ＶGに対するＩDおよびＩD 1/2をプロットしたグラフを使用する（図５）。このデバイスでは、チャネル幅が１．５ｍｍ、チャネル長が２８マイクロメートルであり、その電流変調は１０4よりも大きく、電界効果移動度は２．２×１０-3ｃｍ2／Ｖ・秒である。
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）末端チオフェン環のα−炭素およびω−炭素が、アルキル基の末端炭素に極性官能基を有する当該アルキル基で置換されている、セクシチオフェンを含む構造。
（２）両端のアルキル基が１〜１０個の炭素を有し、好ましくは２〜６個の炭素を有する上記（１）に記載の構造。
（３）前記末端環のアルキル基は、その末端炭素原子が極性官能基で置換されている上記（２）に記載の構造。
（４）前記極性官能基がジアルキルホスホネート基である上記（３）に記載の構造。
（５）前記極性官能基がホスホン酸基である上記（３）に記載の構造。
（６）前記極性官能基がカルボン酸基である上記（３）に記載の構造。
（７）前記極性官能基がカルボン酸エステル基である上記（３）に記載の構造。
（８）前記極性官能基がアミノ基である上記（３）に記載の構造。
（９）前記極性官能基がアミド基である上記（３）に記載の構造。
（１０）前記極性官能基が水酸基である上記（３）に記載の構造。
（１１）ソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に延在して半導体有機材料を含むチャネル層と、前記チャネル層と隣り合うように間隔を空けて配置されたゲート領域と、前記ゲート領域と、前記ソース領域、前記ドレイン領域、および前記チャネル層との間の電気絶縁層とを含む電界効果トランジスタ。
（１２）前記ソース領域、前記チャネル層、および前記ドレイン領域が基板表面上に配置され、前記電気絶縁層が前記チャネル層上に配置されて前記ソース領域から前記ドレイン領域まで延在し、前記ゲート領域が前記電気絶縁層上に配置されている上記（１１）に記載の電界効果トランジスタ。
（１３）前記ゲート領域が、基板表面上にゲート層として配置され、前記電気絶縁層が前記ゲート層上に配置され、前記ソース領域、前記チャネル層、および前記ドレイン領域が前記電気絶縁層上に配置されている上記（１１）に記載の電界効果トランジスタ。
（１４）前記有機材料が上記（１）のセクシチオフェン誘導体である上記（１１）に記載の電界効果トランジスタ。
（１５）前記セクシチオフェンが、前記セクシチオフェンを有機溶媒に溶かした溶液から塗布される上記（１４）に記載の電界効果トランジスタ。
（１６）有機材料が、高真空蒸着技法によって塗布される上記（１４）に記載の電界効果トランジスタ。
（１７）前記基板がフレキシブルな材料である上記（１１）に記載の電界効果トランジスタ。
（１８）前記基板がプラスチック材料からなる上記（１１）に記載の電界効果トランジスタ。
本発明の全ての置換セクシチオフェンが合成される合成スキームを示す図である。 半導体チャネルとして本発明のセクシチオフェン誘導体を組み入れたＴＦＴ構造の断面図である。 代替のＴＦＴ構造の要素を示す図である。 活性半導体材料としてセクシチオフェンジブチルホスホネートを有するＴＦＴに関し、ＶDSに対するＩDをプロットした図である。 活性半導体材料としてセクシチオフェンジブチルホスホネートを有するＴＦＴに関し、ＶGに対するＩDをプロットした図である。

Claims (1)

  1. 下記に示すセクシチオフェン誘導体および有機溶媒を含む組成物。
    Figure 2009076868
JP2008189903A 2000-07-12 2008-07-23 可溶性セクシチオフェン誘導体を含む組成物 Expired - Fee Related JP4912364B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/614,232 US6414164B1 (en) 2000-07-12 2000-07-12 Synthesis of soluble derivatives of sexithiophene and their use as the semiconducting channels in thin-film filed-effect transistors
US09/614232 2000-07-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001209836A Division JP4218746B2 (ja) 2000-07-12 2001-07-10 電界効果トランジスタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009076868A true JP2009076868A (ja) 2009-04-09
JP4912364B2 JP4912364B2 (ja) 2012-04-11

Family

ID=24460377

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001209836A Expired - Fee Related JP4218746B2 (ja) 2000-07-12 2001-07-10 電界効果トランジスタ
JP2008189903A Expired - Fee Related JP4912364B2 (ja) 2000-07-12 2008-07-23 可溶性セクシチオフェン誘導体を含む組成物

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001209836A Expired - Fee Related JP4218746B2 (ja) 2000-07-12 2001-07-10 電界効果トランジスタ

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6414164B1 (ja)
JP (2) JP4218746B2 (ja)
KR (1) KR100478763B1 (ja)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10002424A1 (de) * 2000-01-20 2001-07-26 Siemens Ag Di(het)arylaminothiophen-Derivate
GB0013473D0 (en) * 2000-06-03 2000-07-26 Univ Liverpool A method of electronic component fabrication and an electronic component
GB0111424D0 (en) * 2001-05-10 2001-07-04 Koninkl Philips Electronics Nv Electronic devices comprising thin film transistors
DE60229090D1 (de) * 2001-07-25 2008-11-13 Merck Patent Gmbh Mono-, Oligo and Poly-3-(1,1-difluoroalkyl)thiophene und ihre Verwendung als Ladungstransportmaterial
WO2003024954A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-27 Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation Novel terthiophene-3-carboxylic acid compound and fabricating method thereof, functionalized conductive terthiophene polymer with the compound as a monomer, process for dna hybridizatioon detection using the polymer, and fabricating method of probe dna
DE10248876B4 (de) * 2002-10-18 2006-07-06 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung linearer organischer Oligomere
DE10257539A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-01 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von 2,2'-Di(3,4-ethylendioxythiophen)en
US20040169176A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Peterson Paul E. Methods of forming thin film transistors and related systems
KR100580621B1 (ko) * 2003-03-07 2006-05-16 삼성전자주식회사 전도성 화합물, 이를 포함하는 전극 및 센서, 상기 센서를이용한 표적 물질 검출방법
WO2005002288A1 (ja) * 2003-03-14 2005-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 共役分子及びそれを用いた電界発光素子、並びに電界発光素子を用いた電子機器
EP1629531A2 (en) * 2003-04-02 2006-03-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a flexible electronic device and flexible device
DE10324533A1 (de) * 2003-05-28 2004-12-16 H.C. Starck Gmbh Stabile Lösungen von organischen halbleitenden Verbindungen
DE10353093A1 (de) * 2003-11-12 2005-06-16 H.C. Starck Gmbh Unsymmetrische lineare organische Oligomere
WO2005122293A2 (en) * 2004-06-08 2005-12-22 Princeton University Formation of ordered thin films of organics on metal oxide surfaces
US7102017B2 (en) * 2004-06-10 2006-09-05 Xerox Corporation Processes to prepare small molecular thiophene compounds
JPWO2005122278A1 (ja) * 2004-06-10 2008-04-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機半導体薄膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2005122277A1 (ja) * 2004-06-10 2008-04-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタ
US7291522B2 (en) * 2004-10-28 2007-11-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor devices and methods of making
EP1656883A1 (fr) * 2004-11-10 2006-05-17 Universite Libre De Bruxelles Appareil de mesure portable d'un signal EMG
JP2007059682A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
ES2522587T3 (es) * 2006-12-05 2014-11-17 Arena Pharmaceuticals, Inc. Procesos para preparar (R)-8-cloro-1-metil-2,3,4,5-tetrahidro-1H-3-benzacepina e intermedios de la misma
US8767944B1 (en) 2007-01-03 2014-07-01 Avaya Inc. Mechanism for status and control communication over SIP using CODEC tunneling
US8083953B2 (en) 2007-03-06 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films
US8557128B2 (en) 2007-03-22 2013-10-15 Micron Technology, Inc. Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers
US8294139B2 (en) 2007-06-21 2012-10-23 Micron Technology, Inc. Multilayer antireflection coatings, structures and devices including the same and methods of making the same
US7959975B2 (en) * 2007-04-18 2011-06-14 Micron Technology, Inc. Methods of patterning a substrate
US8097175B2 (en) * 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US8372295B2 (en) 2007-04-20 2013-02-12 Micron Technology, Inc. Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method
EP1990340A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-12 Université Libre de Bruxelles Oligothiophene derivatives
US8404124B2 (en) 2007-06-12 2013-03-26 Micron Technology, Inc. Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces
US8080615B2 (en) 2007-06-19 2011-12-20 Micron Technology, Inc. Crosslinkable graft polymer non-preferentially wetted by polystyrene and polyethylene oxide
US8999492B2 (en) 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
US8101261B2 (en) 2008-02-13 2012-01-24 Micron Technology, Inc. One-dimensional arrays of block copolymer cylinders and applications thereof
US8425982B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids
US8426313B2 (en) 2008-03-21 2013-04-23 Micron Technology, Inc. Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference
KR101415444B1 (ko) 2008-04-02 2014-07-04 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 고분자 화합물, 그 고분자 화합물을 가교시켜 이루어지는 그물 형상 고분자 화합물, 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 유기 ｅｌ 디스플레이 및 유기 ｅｌ 조명
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
US8964958B2 (en) 2009-05-20 2015-02-24 Avaya Inc. Grid-based contact center
WO2011020712A2 (en) 2009-08-18 2011-02-24 Universite Libre De Bruxelles Oligothiophenes derivatives
US8644491B2 (en) 2009-08-21 2014-02-04 Avaya Inc. Mechanism for multisite service state description
US8385533B2 (en) * 2009-09-21 2013-02-26 Avaya Inc. Bidding work assignment on conference/subscribe RTP clearing house
US8900963B2 (en) 2011-11-02 2014-12-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related structures
US9087699B2 (en) 2012-10-05 2015-07-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure
US9229328B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures
US9177795B2 (en) 2013-09-27 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming nanostructures including metal oxides
US10276816B2 (en) * 2014-12-11 2019-04-30 International Business Machines Corporation Illumination sensitive current control device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04133351A (ja) * 1990-09-25 1992-05-07 Res Dev Corp Of Japan オリゴチオフェンを用いた電子素子
JPH0818125A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Hitachi Ltd 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
JPH10190001A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Lucent Technol Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991003142A1 (fr) * 1989-08-18 1991-03-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP3132630B2 (ja) * 1994-08-25 2001-02-05 科学技術振興事業団 チオフェン誘導体の重合体とその製造法
US5659181A (en) * 1995-03-02 1997-08-19 Lucent Technologies Inc. Article comprising α-hexathienyl
WO1997032914A1 (de) * 1996-03-06 1997-09-12 Basf Aktiengesellschaft Substituierte polythiophene, verfahren zu deren herstellung, und deren verwendung
DE19633311A1 (de) * 1996-08-19 1998-02-26 Bayer Ag Kratzfeste leitfähige Beschichtungen
WO1999012989A1 (en) * 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Ltd. Compounds for electronic devices
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6265243B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-24 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating organic circuits

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04133351A (ja) * 1990-09-25 1992-05-07 Res Dev Corp Of Japan オリゴチオフェンを用いた電子素子
JPH0818125A (ja) * 1994-06-28 1996-01-19 Hitachi Ltd 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
JPH10190001A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Lucent Technol Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020072618A1 (en) 2002-06-13
JP2002100782A (ja) 2002-04-05
KR100478763B1 (ko) 2005-03-24
KR20020006444A (ko) 2002-01-19
JP4912364B2 (ja) 2012-04-11
US6825358B2 (en) 2004-11-30
US6414164B1 (en) 2002-07-02
JP4218746B2 (ja) 2009-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4912364B2 (ja) 可溶性セクシチオフェン誘導体を含む組成物
KR101399770B1 (ko) 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 유기 반도체 재료 및 유기 반도체 디바이스
JP5562652B2 (ja) シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置
KR101421845B1 (ko) 신규한 유기 반도체 재료 및 이것을 이용한 전자 디바이스
KR101490299B1 (ko) 디티에노벤조디티오펜 유도체를 포함하는 유기 반도체 재료 전구체, 잉크, 절연 부재, 전하 수송성 부재 및 유기 전자 디바이스
JP2007019086A (ja) 有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ
US7211679B2 (en) Perfluoroether acyl oligothiophene compounds
KR101348436B1 (ko) 테트라티아풀바렌 유도체, 유기막 및 유기 트랜지스터
JP2009541501A (ja) チアゾロチアゾール誘導体およびそれを用いた有機電子素子
JP5188048B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JP2011079827A (ja) ベンゾジチオフェンを製造する方法および半導体ポリマを製造する方法
JP2010254599A (ja) ジチエノナフトジチオフェン誘導体とこれを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ装置
JP2006319102A (ja) 発光素子
JP5708980B2 (ja) 有機電子デバイスの製造方法および有機電子デバイス
JP5426199B2 (ja) 分岐型化合物、並びにこれを用いた有機薄膜及び有機薄膜素子
JP5228411B2 (ja) ［１］ベンゾカルコゲノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾカルコゲノフェン骨格を有する化合物およびこれを用いた有機トランジスタ
JP2007176929A (ja) 新規な芳香族エンジイン誘導体、これを含む有機半導体製造用の前駆体溶液、その前駆体溶液を用いた有機半導体薄膜およびその製造方法、ならびに電子素子
KR101000784B1 (ko) 덴드론구조가 치환된 폴리아센계 유기 화합물 및 이를이용한 유기박막트랜지스터
JP2013191821A (ja) 有機半導体デバイスとその製造方法、および化合物
JP7464397B2 (ja) ペリレン誘導体化合物、該化合物を用いた有機半導体用組成物、該有機半導体用組成物を用いた有機薄膜トランジスタ
JP6404133B2 (ja) 末端にチオフェンを有する屈曲型のチエノチオフェン骨格を特徴とする有機半導体材料を有機半導体層に使用した有機トランジスタ。
TW201329063A (zh) 聯噻吩衍生物及包含此衍生物之半導體元件
JP7133750B2 (ja) 含ヨウ素縮合環化合物、及び含ヨウ素縮合環化合物を用いた有機電子材料
JP5030444B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ
KR101101448B1 (ko) 용액 공정 가능한 유기 박막 트랜지스터용 디에티닐벤젠계 액정 반도체 화합물

Legal Events

Date Code Title Description
RD14 Notification of resignation of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434

Effective date: 20100802

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20100811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111220

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees