JP2007019086A - 有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ - Google Patents
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(式中、R1〜R18のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
(式中、R19〜R44のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
(式中、R45〜R66のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
(式中、R67〜R92のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
本実施形態に係る有機半導体材料は、1つ以上のフッ素原子を有する置換基を少なくとも1つ有するグラフェン誘導体である。グラフェンとは、平面構造を有する炭素六員環が二次元的に配列した炭素原子の集合体のことをいう。本実施形態に係るグラフェン誘導体としては、炭素原子を18個以上96個以下有するグラフェン骨格を有することが好ましく、炭素原子を42個以上78個以下有するグラフェン骨格を有することがより好ましい。
(式中、R1〜R18のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
(式中、R19〜R44のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
(式中、R45〜R66のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
(式中、R67〜R92のうち少なくとも1つは、1つ以上のフッ素原子を有する置換基である。)
本実施形態に係る有機半導体材料を使用して、真空蒸着法等の周知の成膜方法により基板上に有機半導体薄膜が形成される。真空蒸着法等を使用する場合には、本実施形態に係る有機半導体材料の融点は、100℃〜600℃であることが好ましい。
本実施形態に係る有機半導体材料は、熱的安定性が高く、光や酸素等により酸化されにくい安定した構造を有する。したがって、この有機半導体材料を使用した薄膜を有する半導体装置としても安定性の高いものが得られる。
<2,5,8,11,14,17−ヘキサフルオロ−ヘキサ−ペリ−ヘキサベンゾコロネン(ヘキサベンゾコロネン誘導体1)の合成>
(1)4,4’−ジフルオロジフェニルアセチレンの合成
ヨウ化銅(I)(1.08g,5.7mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)(1.20g,1.7mmol)をベンゼン280mLに懸濁させ、窒素雰囲気下、4−フルオロヨードベンゼン(13.2g,60mmol)を添加した。暫く撹拌後、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデ−7−セン(17mL,0.11mol)、純水(0.40mL,22mmol)、トリメチルシリルアセチレン(2.78g,10mmol)を添加し、60℃で18時間加熱した。水を添加して反応を終結させ、エーテルを添加して有機層を分取した。有機層は希塩酸で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水処理を行った後、溶媒を留去した。残渣からヘキサンで抽出し、吸引濾過後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒ヘキサン)による精製を行った。更にエタノールから再結晶させ、白色微結晶として下記構造式で示される4,4’−ジフルオロジフェニルアセチレン(1.90g,収率31%)を得た。同定は1H−NMRにより行った。1H−NMR(CDCl3):7.50(m,Ar,4H),7.04(m,Ar,4H)。
塩化メチレン200mLに4−フルオロフェニル酢酸(12.3g,80mmol)、4−ジメチルアミノピリジン(12.2g,100mmol)を溶解させ、1−(3−ジメチルアミノプロピル)−3−エチルカルボジイミド塩酸塩(15.3g,80mmol)を添加し、室温で24時間撹拌した。水を添加して反応を終結させ、塩化メチレン層を分取した。希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ(展開溶媒塩化メチレン)による精製を行い、やや黄色みのある白色針状結晶として下記構造式で示される1,3−ビス(4−フルオロフェニル)−2−プロパノン(7.16g,収率73%)を得た。同定は1H−NMRにより行った。1H−NMR(CDCl3):7.10(m,Ar,4H),7.00(m,Ar,4H),3.70(s,CH2,4H)。
エタノール36mLに4,4’−ジフルオロベンジル(4.63g,19mmol)、1,3−ビス(4−フルオロフェニル)−2−プロパノン(4.62g,19mmol)を懸濁させ、90℃で加熱して溶液にした。これに水酸化カリウム(0.805g,14mmol)をエタノール8mLに懸濁させたものを滴下し、20分間加熱した。水を添加して反応を終結させ、室温まで放冷後、4N塩酸3.6mLを添加した。反応混合物からクロロホルムで抽出し、無水硫酸ナトリウムで脱水処理を行った後、濃縮した。残渣にヘキサンを加えて暫く加熱撹拌し、放冷後吸引濾過して濃紫色の固体として下記構造式で示されるテトラキス(4−フルオロフェニル)シクロペンタジエノン(4.37g,収率51%)を濾別した。同定は1H−NMRにより行った。1H−NMR(CDCl3):7.18(m,Ar,4H),6.96(m,Ar,4H),6.94−6.87(m,Ar,8H)。
ジフェニルエーテル40mLに4,4’−ジフルオロジフェニルアセチレン(2.14 g,10mmol)、テトラキス(4−フルオロフェニル)シクロペンタジエノン(4.56g,10mmol)を懸濁させ、窒素雰囲気下260℃で9時間加熱した。放冷後メタノールを加え、吸引濾過にて固体を分取した。メタノールで固体をよく洗浄し、白い結晶性の固体として下記構造式で示されるヘキサキス(4−フルオロフェニル)ベンゼン(4.16g,収率65%)を得た。更に濾液と洗液から溶媒を留去し、残渣にメタノールを加えて吸引濾過した。固体をメタノールと塩化メチレンで良く洗い、ヘキサキス(4−フルオロフェニル)ベンゼン(0.445g,7.0%)を更に得た。同定は1H−NMR、13C−NMR、19F−NMR、MALDI−TOF MASSにより行った。1H−NMR(CDCl3):6.72(m,Ar,12H),6.61(m,Ar,12H)。13C−NMR(CDCl3):161.7,159.8,139.9,135.9,132.5,132.5,114.2,114.0。19F−NMR(CDCl3):45.4。MALDI−TOF MASS(F20TPP):m/z=642.11(calcd:642.18)。
(合成法A)
塩化メチレン170mLにヘキサキス(4−フルオロフェニル)ベンゼン(1.27g,2.0mmol)を溶解させ、5分間窒素通気させた後、塩化鉄(III)(2.95g,18mmol)のニトロメタン10mL懸濁液を少しずつ加えた。窒素雰囲気下、室温で2時間撹拌した。メタノール300mLを添加して反応終結後、吸引濾過し、固体をメタノール、塩化メチレンで良く洗浄した。黄土色の固体として下記構造式で示される2,5,8,11,14,17−ヘキサフルオロ−ヘキサ−ペリ−ヘキサベンゾコロネン(ヘキサベンゾコロネン誘導体1、0.591g,単離収率47%)を得た。同定はMALDI−TOF MASSにより行った。
トリフルオロメタンスルホン酸銅(II)(26.0g,72mmol)、塩化アルミニウム(10.3g,77mmol)に二硫化炭素500mLを添加し、窒素雰囲気下、室温で暫く撹拌した。これにヘキサキス(4−フルオロフェニル)ベンゼン(0.941g,1.5mmol)を添加し、室温で64時間撹拌した。反応混合物に4N塩酸を添加し、暫く撹拌後、吸引濾過した。濾別した固体は10%アンモニア水溶液に拡散させ、暫く撹拌後、吸引濾過した。メタノール、塩化メチレンで良く洗浄し、黄土色の固体として2,5,8,11,14,17−ヘキサフルオロ−ヘキサ−ペリ−ヘキサベンゾコロネン(ヘキサベンゾコロネン誘導体1、0.698g,単離収率76%)を得た。同定はMALDI−TOF MASSにより行った。MALDI−TOF MASS(no matrix):m/z=630.02(calcd:630.08)。
実施例1で合成したヘキサベンゾコロネン誘導体1を使用して、図5に示すような積層構造の薄膜トランジスタを作製した。基板にはSbを高濃度でドーピングし、抵抗率が0.02Ωcm以下のSiウェハを用いた。熱酸化SiO2膜(膜厚300nm)を絶縁体膜として使用した。絶縁体容量は10nF/cm2であった。ヘキサベンゾコロネン誘導体1を使用して、真空蒸着法により室温(20℃)において20nmの厚さで有機半導体膜を成膜した。最上部に、メカニカルマスクを通して、ソースならびにドレイン電極となるCa(1nm)/Al(100nm)を蒸着した。チャンネル長は5mm、チャンネル幅は0.2mmとした。最後に、Si基板の裏面にゲート電極となるAl(膜厚:100nm)を蒸着し、サンプルとした。
ID=(W/2L)μCi(Vg−Vt)2 (A)
ここで、LおよびWはゲート長およびゲート幅である。また、Ciは絶縁層の単位面積当たりの容量である。Vgはゲート電圧であり、Vtはしきい値電圧である。
ヘキサベンゾコロネン誘導体1の代わりに、前記化合物1〜4を使用した以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作成し、キャリア移動度(μ)及びオン/オフ比を求めた。結果を表1に示す。また、前記化合物4について実施例1と同様にしてTG−DTA測定を行った。化合物4は300℃付近で分解し、300℃での重量変化はほぼ100%であった。
Si基板上に、ヘキサベンゾコロネン誘導体1、ヘキサベンゾコロネンをそれぞれ使用して、真空蒸着法により有機半導体膜を成膜し、サンプルを作製した。サンプルについて、X線回折装置(リガク製、RINT−2200型)を使用して、X線回折パターンを測定した。結果を図9に示す。図9からわかるように、ヘキサベンゾコロネン誘導体1はヘキサベンゾコロネンに比べて高い結晶性を示していることがわかる。
Claims (6)
- 1つ以上のフッ素原子を有する置換基を少なくとも1つ有するグラフェン誘導体であることを特徴とする有機半導体材料。
- 請求項2に記載の有機半導体材料であって、
前記一般式(1)におけるR2、R5、R8、R11、R14、R17が、あるいは前記一般式(2)におけるR21、R24、R27、R30、R34、R37、R40、R43がフッ素原子あるいはα位に少なくとも1つのフッ素原子を有する直鎖アルキル基であることを特徴とする有機半導体材料。 - 請求項2に記載の有機半導体材料であって、
前記一般式(1)におけるR1〜R18が、前記一般式(2)におけるR19〜R44が、前記一般式(3)におけるR45〜R66が、あるいは前記一般式(4)におけるR67〜R92がフッ素原子あるいはα位に少なくとも1つのフッ素原子を有する直鎖アルキル基であることを特徴とする有機半導体材料。 - 有機半導体層を有する半導体装置であって、
前記有機半導体層は、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置。 - 有機半導体層を有する電界効果トランジスタであって、
前記有機半導体層は、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機半導体材料を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
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---|---|---|---|
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JP2007019086A true JP2007019086A (ja) | 2007-01-25 |
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JP2005196355A Pending JP2007019086A (ja) | 2005-07-05 | 2005-07-05 | 有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007019086A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009085167A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-09 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Devices with graphene layers |
KR101082335B1 (ko) | 2010-05-19 | 2011-11-10 | 한국화학연구원 | 그라펜 나노리본를 이용한 박막트랜지스터 제조방법 |
JPWO2012118174A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2014-07-07 | 国立大学法人九州大学 | 有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料 |
JP2015502415A (ja) * | 2011-10-26 | 2015-01-22 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェンナノリボン前駆体およびその製造に適したモノマー |
JP2015504046A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-02-05 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェンナノリボン製造用のポリマー前駆体とその製造方法 |
US9040956B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-05-26 | IHP GmbH—Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut fur innovative Mikroelektronik | Unipolar heterojunction depletion-layer transistor |
US9145468B2 (en) | 2013-08-02 | 2015-09-29 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
JP2015191975A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
US9257652B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-02-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
US9263688B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-02-16 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
JP2016505524A (ja) * | 2012-11-16 | 2016-02-25 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェンナノリボンを生成するためのポリマー前駆体およびそれらを調製するための適当なオリゴフェニレンモノマー |
US9276213B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-03-01 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
JP2016510295A (ja) * | 2012-12-20 | 2016-04-07 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェン材料のエッジハロゲン化 |
US9520564B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-12-13 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
JP2017505748A (ja) * | 2014-01-17 | 2017-02-23 | シェンジェン カントンネット エナジー サービシーズ カンパニー リミテッド | 還元型酸化グラフェンの修復方法 |
CN110350154A (zh) * | 2018-04-04 | 2019-10-18 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种磺酸锂取代氟化石墨烯及其制备方法和应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002322173A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機化合物、半導体装置、有機el素子並びに表示装置 |
JP2004018510A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 化合物、並びに該化合物を用いた光デバイス、電子デバイス、エレクトロルミネッセンス素子、トランジスタ、表示デバイス、及び表示装置 |
JP2004115794A (ja) * | 2002-09-14 | 2004-04-15 | Merck Patent Gmbh | モノマー、オリゴマーおよびポリ(3−アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用 |
JP2004339193A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-12-02 | Merck Patent Gmbh | フルオレンおよびアリール基を含むモノマー、オリゴマーおよびポリマー |
-
2005
- 2005-07-05 JP JP2005196355A patent/JP2007019086A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002322173A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機化合物、半導体装置、有機el素子並びに表示装置 |
JP2004018510A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 化合物、並びに該化合物を用いた光デバイス、電子デバイス、エレクトロルミネッセンス素子、トランジスタ、表示デバイス、及び表示装置 |
JP2004115794A (ja) * | 2002-09-14 | 2004-04-15 | Merck Patent Gmbh | モノマー、オリゴマーおよびポリ(3−アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用 |
JP2004339193A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-12-02 | Merck Patent Gmbh | フルオレンおよびアリール基を含むモノマー、オリゴマーおよびポリマー |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7781061B2 (en) | 2007-12-31 | 2010-08-24 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Devices with graphene layers |
WO2009085167A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-09 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Devices with graphene layers |
US9040956B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-05-26 | IHP GmbH—Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut fur innovative Mikroelektronik | Unipolar heterojunction depletion-layer transistor |
KR101082335B1 (ko) | 2010-05-19 | 2011-11-10 | 한국화학연구원 | 그라펜 나노리본를 이용한 박막트랜지스터 제조방법 |
JP5840197B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2016-01-06 | 日本化薬株式会社 | 有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料 |
JPWO2012118174A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2014-07-07 | 国立大学法人九州大学 | 有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料 |
TWI549327B (zh) * | 2011-03-02 | 2016-09-11 | 日本化藥股份有限公司 | 有機場效電晶體及有機半導體材料 |
JP2015502415A (ja) * | 2011-10-26 | 2015-01-22 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェンナノリボン前駆体およびその製造に適したモノマー |
JP2015504046A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-02-05 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェンナノリボン製造用のポリマー前駆体とその製造方法 |
US9257652B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-02-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
US9276213B2 (en) | 2012-03-05 | 2016-03-01 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
JP2016505524A (ja) * | 2012-11-16 | 2016-02-25 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェンナノリボンを生成するためのポリマー前駆体およびそれらを調製するための適当なオリゴフェニレンモノマー |
JP2016510295A (ja) * | 2012-12-20 | 2016-04-07 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | グラフェン材料のエッジハロゲン化 |
US9145468B2 (en) | 2013-08-02 | 2015-09-29 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
US9520564B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-12-13 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
US9263688B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-02-16 | Honda Motor Co., Ltd. | Photoelectric conversion material, method for producing the same, and organic photovoltaic cell containing the same |
JP2017505748A (ja) * | 2014-01-17 | 2017-02-23 | シェンジェン カントンネット エナジー サービシーズ カンパニー リミテッド | 還元型酸化グラフェンの修復方法 |
JP2015191975A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
CN110350154A (zh) * | 2018-04-04 | 2019-10-18 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种磺酸锂取代氟化石墨烯及其制备方法和应用 |
CN110350154B (zh) * | 2018-04-04 | 2021-02-12 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种磺酸锂取代氟化石墨烯及其制备方法和应用 |
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A621 | Written request for application examination |
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