KR960002890A - 반도체층에 유기화합물을 사용한 tet, 그 제조방법 및 그것을 사용한 액정표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명는, 전계효과형 트랜지스터, 특히 반도체층에 유기화합물을 사용한 전계효과형 트랜지스터와, 그 제조방법 및 그것을 사용한 액정표시장치에 관한 것으로서, 대면적기판위에 동시에 균일하게 제작할 수 있고, 또 게이트에 인가하는 전압에 의해서 소스, 드레인간 전류를 크게 변조시킬 수 있고, 또한, 그 동작이 안정적이고, 소자의 수명도 길고, 제작방법도 간편한 전계효과형 트랜지스터와, 그 제조방법 및 이와같은 전계효과형 트랜지스터를 사용한 콘트라스트가 높고, 염가, 안정적이고 장수명의 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 전계효과형 트랜지스터에 있어서, 반도체층에 이온화포텐셜이 4.8eV이상의 공역계올리고머를 반도체층에 사용하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터 및 이 전계효과형 트랜지스터를 액정표시부의 스위칭소자에 사용한 액정표시장치, 또 상기 화합물의 용액을 사용하고, 습식법에 의해 반도체층을 제작하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법, 또, 상기 화합물을 사용하고, 레이져 가공법 및 자외선조사법에 의해 상기 반도체층을 패터닝하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법을 특징으로 하는 것이다.

Description

반도체층에 유기화합물을 사용한 TET, 그 제조방법 및 그것을 사용한 약정표시장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명의 액정표시장치의 구성도, 제9도는 이온화 포텐셜에 대한 ON OFF비의 관계를 표시한 도면.

Claims (17)

  1. 이온화포텐셜이 4.8eV이상의 공역계올리고머를 반도체층에 사용한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체층의 정공이동도가 0.2㎠/VS이상인 것을 특징으로 하는 전계와 효과형 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공역계올리고머는 6개이상 12개 이하의 반복단위를 가진 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터.
  4. 하기 일반식(화1)[단, 식중 n은 6이상 12이하의 정수를 표시하고, X는 S 및 Se를 표시한다. 또, R1,R2는 수소 또는 치환기를 표시한다]으로 표시되는 화합물을 반도체층에 사용한 것을 특징으로 하는 전계화과형 트랜지스터.
  5. 하기의 일반식(화2)[단, 식중 n은 6이상 12이하의 정수를 표시한다. 또, R3은 수소, 할려겐기, 시아노기, 니트로기 및 치환되어도 좋은 에스테르기 아실기, 알킬리, 알콕시기. 알킬티오기, 아릴기, 알켄일기를 표시하고, R4는 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 치환제어도 좋은 에스테르기, 아실기 및 전자흡입선기로 치환되고 있는 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 알켄일기를 표시한당]로 표시되는 화합믈을 반도체에 사용한 것을 특징으로하는 전계효과형 트랜지스터.
  6. 하기의 일반식(화3)[담, 식중 n은 6이상 12이하의 정수를 표시하고, R5,R6은 수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기 및 치환되어도 좋은 에스테르기 아실기, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴기, 알켄일기를 표시한다]로 표시되는 화합물을 반도체층에 사용한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터.
  7. 제1항~제6항의 어느 한 항에 있어서, 상기 전계효과형 트랜지스터는 플라스틱기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터.
  8. 이온화포텐셜이 4.8eV이사으이 공역졔올리고머의 용액을 작성하고, 침적법에 의해 반도체층을 형성하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  9. 이온화포텐셜이 4.8eV이사으이 공역졔올리고머의 용액을 작성하고, 인쇄전자법에 의해 반도체층을 형성하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  10. 이온화포텐셜이 4.8eV이사으이 공역졔올리고머의 용액을 작성하고, 회전도포법에 의해 반도체층을 형성하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  11. 절연기판상에 게이트전극을 형성하는 공정(A), 절연막을 상기 게이트전극상에 형성하는 공정(B), 이온화포텐셜이 4.8eV이상의 공역계올리고머의 용액을 사용해서 이 공역계올리고머로 이루어진 반도체층을 형성하는 공정(C), 상기 반도체층상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정(D)를 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  12. 절연기판상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정(A), 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극상에 이온화포탠셜이 4.8eV이상의 공욕계올리고머의 용액을 사용해서 이 공역계올로고머로 이루어진 반도체층을 형성하는 공정(B), 상기 반도체층상에 절연막을 형성하는 공정(C), 상기 절연막상에 게이트전극을 형성하는 공정(D)를 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  13. 절연기판상에 게이트전극을 형성하는 공정(A), 상기 게이트전극상에 절연막을 형성하는 공정(B), 상기 절연막상에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정(C), 상기 소스 및 상기 드레인전극상에 이온화포텐셜이 4.8eV이상의 공역계올리고머의 용액을 사용해서 이 공역계올리고머로 이루어진 반도체층을 형성하는 공정(D)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  14. 이온화포텐셜이 4.8eV이상의 공역계올리고머로 이루어진 반도체층을 레이져가공법에 의해 패터닝하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  15. 이온화포텐셜이 4.8eV이상의 공역계올리고머로 이루어진 반도체층을 자외선조사에 의해 일부를 절연화함으로써 패터닝하는 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 전계효과형 트랜지스터의 제조방법.
  16. 제1항~제6항의 중의 어느 한 항에 있어서의 전계효과형 트랜지스터는 약정표시부의 스위칭소자로 사용한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  17. 제7항에 있어서의 전계효과형 트랜지스터를 액정표시부의 스위칭소자에 사용한 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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