KR950021747A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR950021747A
KR950021747A KR1019930028106A KR930028106A KR950021747A KR 950021747 A KR950021747 A KR 950021747A KR 1019930028106 A KR1019930028106 A KR 1019930028106A KR 930028106 A KR930028106 A KR 930028106A KR 950021747 A KR950021747 A KR 950021747A
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KR
South Korea
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thin film
film transistor
forming
light
insulating layer
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Application number
KR1019930028106A
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English (en)
Inventor
김병구
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 자기정렬방법으로 제조되는 박막트랜지스터는 이를 박막트랜지스터-액정디스플레이에 적용하면 빛에 의한 박막트랜지스터의 오프전류증가를 차단해 줄 수 없기 때문에 오프전류증가에 의해 액정의 전압유지율(holding ratio)이 저하되기 때문에 고선명 화질을 구현하기 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 채널상단부에 빛차단막을 형성해 줌으로서 빛에 의한 광전류를 최소화시켜 빛에 의한 오프전류를 줄여 화질특성을 향상시키도록 하는 박막트랜지스터 제조방법을 제공하는 것이다.

Description

박막트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 박막트랜지스터의 단면구성도.
제2도의 (가)내지 (마)는 제1도에 대한 제조공정도.
제3도는 본 발명 박막트랜지스터의 단면구조도.
제4도의 (가)내지 (사)는 제3도에 대한 제조공정도.

Claims (3)

  1. 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기의 소자위에 제1절연막, 비정질반도체층, 제2절연막을 차례로 증착하는 공정과, 상기 게이트전극을 마스크로 사용하는 자기정렬방법으로 상기 제2절연막을 패턴형성하는 공정과, 상기 비정질반도체층에 이온도핑하여 도핑된 비정질반도체층을 형성하는 공정과, 실리사이드층을 형성하는 공정과, 제3절연층을 증착한 후 패터닝하는 공정과, 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 및 차단막을 형성하는 공정과, 보호막을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 상기 제2절연막위의 게이트 전극부분에만 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 및 차단막은 상기 제3절연막 상부에만 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028106A 1993-12-16 1993-12-16 박막트랜지스터 제조방법 KR950021747A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010032543A (ko) * 1997-11-28 2001-04-25 모리시타 요이찌 반사형 표시소자 및 반사형 표시소자를 이용한 영상장치

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KR20010032543A (ko) * 1997-11-28 2001-04-25 모리시타 요이찌 반사형 표시소자 및 반사형 표시소자를 이용한 영상장치

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