KR970053085A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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KR970053085A
KR970053085A KR1019950057103A KR19950057103A KR970053085A KR 970053085 A KR970053085 A KR 970053085A KR 1019950057103 A KR1019950057103 A KR 1019950057103A KR 19950057103 A KR19950057103 A KR 19950057103A KR 970053085 A KR970053085 A KR 970053085A
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tft
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film transistor
thin film
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KR1019950057103A
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박용
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

바텀 게이트형(Bottom Gate Type) 박막트랜지스터(Thin-Film Transistor)의 전기적 특성을 개선시킬 수 있는 제조방법이 개시된다.
본 발명은 종래 TFT의 채널을 패터닝한 후에 채널 폴리를 산화(oxidation) 시킴으로써 발생하는 채널층과 게이트 유전막의 두께 증가로 인한 문적 전압의 변동을 간단한 공정수순의 변동으로 방지할 수 있으며, 이와 동시에 TFT의 ON 전류를 더욱 증가시킬 수 있다. 또한, TFT의 채널 폴리 산화공정을 그대로 이용함으로써, 채널 폴리(channel poly)내에 존재하는 그레인 바운더리(grain boundary)를 감소시켜 결과적으로, TFT의 누설 전류를 감소시킬 수 있다.

Description

박막 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도이다.

Claims (1)

  1. 바텀 게이트형 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 절연기판 상에 게이트 물질인 제1도전층, 게이트 유전막, 및 활성층인 폴리실리콘을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 결과물을 산화(oxidation)시켜 절연막을 성장시키는 단계; 및 상기 절연막, 폴리실리콘, 및 게이트 유전막을 패터닝하여 채널영역을 한정하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011105624A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Nof Corp 表皮角化細胞賦活剤および皮膚外用剤
JP2011105622A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Nof Corp ヒアルロニダーゼ活性阻害剤および皮膚外用剤

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