KR950007154A - 수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950007154A
KR950007154A KR1019930016937A KR930016937A KR950007154A KR 950007154 A KR950007154 A KR 950007154A KR 1019930016937 A KR1019930016937 A KR 1019930016937A KR 930016937 A KR930016937 A KR 930016937A KR 950007154 A KR950007154 A KR 950007154A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
forming
layer
source
electrode pattern
Prior art date
Application number
KR1019930016937A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100273340B1 (ko
Inventor
허창우
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 주식회사 금성사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019930016937A priority Critical patent/KR100273340B1/ko
Publication of KR950007154A publication Critical patent/KR950007154A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100273340B1 publication Critical patent/KR100273340B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6728—Vertical TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 수직형 박막 트랜지스터는 게이트 전극과 절연층을 수직으로 형성하고, 소오스/드레인 전극을 수천 Å의 짧은 간격으로 상하로 형성하며, 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 광전변환층을 형성함으로써, 게이트에 전압이 인가되면 수직형 채널이 열리게 되고, 이때 소오스와 드레인 양단 사이에 전압이 인가되면 수직으로 형성된 채널 전하가 소오스/드레인 바이어스에 의해 수직으로 흐르게 되기 때문에 전류의 응답속도 및 전류구동능력을 향상시킬뿐만 아니라 제조가 용이하여 안정성 및 재현성이 뛰어나다.

Description

수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 단면도.
제5A도 내지 제5C도는 제4도의 공정순서도.

Claims (2)

  1. 기판위의 소정영역에 순차적으로 제1 금속전극, 제1 오믹접촉층, 광전변환층, 제2 오믹접촉층 및 제2금속 전극이 적층되고, 상기 제1 오믹 접촉층 양단에 일면을 제외한 모든 부분이 절연층으로 둘러싸인 게이트전극이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 박막 트랜지스터.
  2. 기판위의 소정영역에 제1 전극 패턴을 형성하는 공정, 상기 제1 전극패턴 형성 후 결과물 전면에 제1 절연막, 제2 전극층을 순차적으로 적층시키는 공정, 상기 제1절연막 및 제2전극층을 식각하여 제2 전극 패턴을 형성하는 공정, 상기 제2 전극패턴 형성 후 결과물 전면에 제2절연막을 형성하고 소정부분을 선택적으로 식각하여 상기 제1 전극패턴의 상부영역을 노출시킴으로써 접촉부를 형성하는 공정 및 상기 접촉부와 연결된 비정질 실리콘 패턴과 그 상부의 제3전극 패턴을 형성하는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930016937A 1993-08-28 1993-08-28 수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 KR100273340B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930016937A KR100273340B1 (ko) 1993-08-28 1993-08-28 수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930016937A KR100273340B1 (ko) 1993-08-28 1993-08-28 수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950007154A true KR950007154A (ko) 1995-03-21
KR100273340B1 KR100273340B1 (ko) 2001-01-15

Family

ID=40749346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930016937A KR100273340B1 (ko) 1993-08-28 1993-08-28 수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100273340B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508545B1 (ko) * 2002-12-14 2005-08-17 한국전자통신연구원 수직 구조의 반도체 박막 트랜지스터

Also Published As

Publication number Publication date
KR100273340B1 (ko) 2001-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920022580A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR970054334A (ko) 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR930015077A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR960024604A (ko) 이중 채널 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR960032058A (ko) 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자 및 그 제조방법
KR980005441A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JPS55151363A (en) Mos semiconductor device and fabricating method of the same
KR950007154A (ko) 수직형 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR940018962A (ko) 알루미나를 이용한 수직형 박막 트랜지스터 제조방법
KR970004079A (ko) 반도체소자 및 그 제조방법
JPS5910273A (ja) 集積回路装置
KR970053085A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR970053005A (ko) 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
KR970051909A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR850008762A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치의 제조방법
KR940012665A (ko) 더블 게이트 박막 트랜지스터 구조 및 제조방법
KR970028752A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR930015057A (ko) Mos 트랜지스터 스페이서 형성방법
JPS56144533A (en) Manufacture of semiconductor device
KR970054522A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR960006086A (ko) 이중 채널을 갖는 트랜지스터 및 그 제조방법
KR970054512A (ko) 박막트랜지스터 제조 방법
JPS5717177A (en) Horizontal electrostatic induction transistor
KR960043288A (ko) 반도체 박막트렌지스터(tft)와 그 형성방법
KR970004037A (ko) 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19930828

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19980708

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19930828

Comment text: Patent Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20000731

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20000902

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20000904

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030701

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040702

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050607

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060616

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070629

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070629

Start annual number: 8

End annual number: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20090810