KR970053005A - 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
에미터 저항 및 에미터 영역 깊이를 정확히 조절할 수 있는 바이폴라 트랜지스터에 관하여 개시한다. 본 발명은 제1도전형의 실리콘 기판에 형성된 제2도전형의 매몰 콜렉터 영역과, 상기 메몰 콜렉터 영역 상에 형성된 제2도전형의 외부 콜렉터 영역과, 상기 외부 콜렉터 영역에 형성된 제1도전형의 베이스 영역과, 상기 베이스 영역에 형성된 제2도전형의 에미터 영여과, 상기 베이스 영역을 분리하는 필드 절연막과, 상기 베이스 영역상에 형성된 베이스 전극과, 상기 베이스 전극 상에 형성된 절연막과, 상기 베이스 전극 및 절연막의 양측벽에 형성된 절연막 스페이서와, 상기 에미터 영역 상에 상기 절연막 스페이서와 평탄하게 형성된 제1에미터 전극과, 상기 제1에미터 전극을 오픈하는 콘택절연막과, 상기 콘택절연막에 의하여 오픈된 제1에미터 전극과 연결되는 제2에미터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 바이폴라 트랜지스터는 에미터 영역 상에 그 크기에 상관없이 일정한 두께의 폴리실리콘막으로 제1에미터 전극이 형성되어 있어서, 종래와 다르게 균일한 농도와 농도 구배를 얻을 수 있고, 금속층의 단차도포성을 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 본 발명에 의한 바이폴라 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
Claims (6)
- 제1도전형의 실리콘 기판에 형성된 제2도전형의 매몰 콜렉터 영역; 상기 매몰 콜렉터 영역 상에 형성된 제2도전형의 외부 콜렉터 영역; 상기 외부 콜렉터 영역에 형성된 제1도전형의 베이스 영역; 상기 베이스 영역에 형성된 제2도전형의 에미터 영역; 상기 베이스 영역을 분리하는 필드 절연막; 상기 베이스 영역 상에 형성된 베이스 전극; 상기 베이스 전극 상에 형성된 절연막; 상기 베이스 전극 및 절연막의 양측벽에 형성된 절연막 스페이서; 상기 에미터 영역 상에 상기 절연막 스페이서와 평탄하게 형성된 제1에미터 전극; 상기 제1에미터 전극을 오픈하는 콘택 절연막; 및 상기 콘택 절연막에 의하여 오픈된 제1에미터 전극과 연결되는 제2에미터 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제1에미터 전극을 폴리실리콘막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2에미터 전극은 금속층으로 구성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 제1도전형의 반도체 기판 상에 제2도전형의 매몰 콜렉터 영역을 형성하는 단계; 상기 매몰 콜렉터 영역에 외부 콜렉터 영역을 형성하는 단계; 상기 외부 콜렉터 영역에 국부산화법으로 필드절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면에 제1도전형의 불순물을 갖는 제1도전막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막 상에 절연막을 형성함과 동시에 상기 제1도전막의 하부의 외부 콜렉터 영역에 베이스 영역을 형성하는 단계; 상기 절연막 및 제1도전막을 패터닝하여 상기 베이스 영역의 일부표면을 노출하는 절연막 패턴 및 베이스 전극용 제1도 전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴 및 제1도전막 패턴의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 절연막 스페이서가 형성된 기판의 전면에 제2도전형의 불순물을 갖는 제2도전막을 형성함과 동시에 그 하부에 제2도전형의 에미터 영역을 형성하는 단계; 상기 제2도전막을 에치백하여 상기 절연막 스페이서와 평탄하게 제1에미터 전극용으로 제2도전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2도전막 패턴의 일부를 오픈하는 콘택 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2도전막 패턴과 연결되는 제2에미터 전극용 금속층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2도전막 패턴을 형성하는 단계 후에 상기 제2도전막 패턴 상에 폴리실리콘막 및 실리사이드막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1도전막 및 제2도전막은 폴리실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR100192981B1 KR100192981B1 (ko) | 1999-06-15 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100751043B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2007-08-28 | (주)디지엔티 | 스트림 에러발생기 및 양방향 다채널 스트림 에러발생기 |
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1995
- 1995-12-30 KR KR1019950068642A patent/KR100192981B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100751043B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2007-08-28 | (주)디지엔티 | 스트림 에러발생기 및 양방향 다채널 스트림 에러발생기 |
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| KR100192981B1 (ko) | 1999-06-15 |
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