KR970030889A - 모스트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 모스트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1도전형의 반도체기판과; 상기 반도체기판상에 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극 양측에 절연막 스페이서를 개재하여 형성된 폴리실리콘층; 및 상기 폴리실리콘층 하부에 형성된 제2도전형의 저농도 불순물영역과, 이 제2도전형의 저농도 불순물영역 하부의 기판부위에 형성된 제2도전형의 제1고농도 불순물영역 및 상기 제2도전형의 저농도 불순물영역 상부의 폴리실리콘층에 형성된 제2도전형의 제2고농도 불순물영역으로 이루어진 소오스 및 드레인으로 구성된 모스트랜지스터를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 MOSFET 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (8)
- 제1도전형의 반도체기판과; 상기 반도체기판상에 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극 양측에 절연막 스페이서를 개재하여 형성된 폴리실리콘층; 및 상기 폴리실리콘층 하부에 형성된 제2도전형의 저농도 불순물영역과, 이 제2도전형의 저농도 불순물영역 하부의 기판부위에 형성된 제2도전형의 제1고농도 불순물영역 및 상기 제2도전형의 저농도 불순물영역 상부의 폴리실리콘층에 형성된 제2도전형의 제2고농도 불순물영역으로 이루어진 소오스 및 드레인으로 구성된 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 n+/n-/n+구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전형이 저농도 불순물영역은 800-1000Å 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전형의 제1고농도 불순물영역은 도핑농도가 1X1018㎝-3이상이고, 접합깊이가 0.1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터.
- 제1도전형의 반도체기판상에 게이트절연막과 게이트전극 형성용 도전층을 차례로 형성하는 단계와; 상기 도전층과 게이트절연막을 소정의 게이트패턴으로 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계; 제2도전형의 불순물을 고농도로 이온주입하여 게이트전극 양단의 기판 표면부위에 제2도전형의 제1고농도 불순물영역을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 측면에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 기판 전면에 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 상부가 노출되도록 상기 폴리실리콘층을 에치백하는 단계; 및 제2도전형의 불순물을 저농도 및 고농도로 이중 이온주입하고 어닐링하여 상기 폴리실리콘층의 하부와 상부에 각각 제2도전형의 저농도 불순물영역과 제2고농도 불순물영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2도전형의 제1고농도 불순물영역과 제2도전형의 저농도 불순물영역 및 제2도전형의 제2고농도 불순물영역에 의해 소오스 및 드레인이 형성되는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2도전형이 저농도 불순물영역은 800-1000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2도전형의 제1고농도 불순물영역은 도핑농도를 1X1018㎝-3이상이고, 접합깊이가 0.1㎛ 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 모스트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950043627A KR970030889A (ko) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 모스트랜지스터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950043627A KR970030889A (ko) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 모스트랜지스터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030889A true KR970030889A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66588159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950043627A KR970030889A (ko) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 모스트랜지스터 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030889A (ko) |
-
1995
- 1995-11-24 KR KR1019950043627A patent/KR970030889A/ko not_active Application Discontinuation
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