KR930005106A - 마스크롬의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

마스크롬의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)~(E)도는 이 발명에 따른 마스크롬의 제조 공정도이다.

Claims (8)

  1. 마스크롬의 제조방법에 있어서, 제1 도전형의 기판상에 게이트 절연막과 다결정실리콘 게이트를 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2도전형의 불순물 이온을 주입하여 제1 이온주입층을 형성하는 공정과, 상기 제1이온주입을 활성화하여 소오스 및 드레인영역을 형성한 후 다결정실리콘 게이트의 측벽에 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인영역에 제2도전형의 불순물 이온을 주입하여 제2이온주입층을 형성하는 공정과, 상기 제2이온주입층을 활성화하여 소오스 및 드레인 확산영역을 형성한 후 상기 구조의 전표면에 확산방지막을 형성하는 공정과, 프로그램영역이 노출되도록 감광막 패턴을 형성한 후 노출된 확산방지막을 제거하는 공정과, 상기 게이트 절연막 하부의 기관에 제1도전형의 불순물 이온을 주입하여 제3이온주입층을 형성하는 공정과, 상기 제3이온 주입층을 활성화하여 체널영역을 형성한 후 상기 구조의 전표면에 보호층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 마스크롬의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판을 P형 단결정실리콘 기판으로 사용하는 마스크롬의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형의 불순물 이온으로 n형 불순물 이온을 사용하는 마스크롬의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 확산방지막을 소오스 및 드레인 확산영역을 형성한 후에 형성하는 마스크롬의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 확산방지막을 산화규소막 또는 질화규소막중 어느 하나로 형성하는 마스크롬의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 확산방지막이 형성된 기판을 저장하는 마스크롬의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 불순물 이온으로 P형 불순물 이온을 사용하는 마스크롬의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 보호층을 BPSG, PSG및 UBG등 유리재질 절연물질중 어느 하나로 형성하는 마스크롬의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014795A 1991-08-24 1991-08-24 마스크롬의 제조방법 KR940003597B1 (ko)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5559044A (en) * 1992-09-21 1996-09-24 Siliconix Incorporated BiCDMOS process technology
US5514609A (en) * 1994-05-13 1996-05-07 Mosel Vitelic, Inc. Through glass ROM code implant to reduce product delivering time
US5380676A (en) * 1994-05-23 1995-01-10 United Microelectronics Corporation Method of manufacturing a high density ROM
US5457060A (en) * 1994-06-20 1995-10-10 Winbond Electronics Corporation Process for manufactuirng MOSFET having relatively shallow junction of doped region
US5545581A (en) * 1994-12-06 1996-08-13 International Business Machines Corporation Plug strap process utilizing selective nitride and oxide etches
US6614082B1 (en) * 1999-01-29 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Fabrication of semiconductor devices with transition metal boride films as diffusion barriers
US6184095B1 (en) * 1999-02-09 2001-02-06 Windbond Electronics Corp. Method for fabricating mask ROM via medium current implanter

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4466172A (en) * 1979-01-08 1984-08-21 American Microsystems, Inc. Method for fabricating MOS device with self-aligned contacts
JPS55111161A (en) * 1979-02-20 1980-08-27 Nec Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
US4356042A (en) * 1980-11-07 1982-10-26 Mostek Corporation Method for fabricating a semiconductor read only memory
JPH01165162A (ja) * 1987-12-22 1989-06-29 Sony Corp 半導体記憶装置の製造方法
JPH01184864A (ja) * 1988-01-13 1989-07-24 Ricoh Co Ltd Ｒｏｍの製造方法
FR2642900B1 (fr) * 1989-01-17 1991-05-10 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication de circuits integres a transistors de memoire eprom et a transistors logiques

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