KR930015087A - Ldd트랜지스터의 구조와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 게이트의 양측에 두개의 측벽을 형성하여 게이트를 중첩시키며, n-형, n+형 불순물을 주입하여 n-액티브 영역, n+액티브영역, n+액티브 영역을 형성하고 게이트 폴리와 폴리측벽사이의 열산화막을 두껍게 성장시킴으로서 핫 캐리어 효과와 전류 드라이빙을 개선하였으며 게이트 중첩 캐퍼시턴스를 감소시킨 LDD트랜지스터의 구조와 그 제조방법에 관한 것이다.
종래에는 n-의 농도와 측벽의 길이 조절만으로는 핫 캐리어 효과의 개선에 한계가 있었으며, n-의 농도를 높이면 전계가 증가하고 낮추면 저항의 증가로 전류가 감소하는 문제점이 있었으나 본 발명은 이를 개선한 것이다.

Description

LDD트랜지스터의 구조와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (a)-(f)는 본 발명에 따른 LDD트랜지스터의 제조 공정도.

Claims (5)

  1. 제1도전형 기판(20)상에 게이트 산화막(22)과 게이트풀리(23)가 형성되고, 상기 게이트 폴리(23)의 둘레에 열산화막(26)이 형성되고, 상기 게이트폴리(23)의 양측에 폴리측벽(28)과 측벽산화막(30)이 형성되고, 상기 제1도전형 기판(20)에 제2도전형 영역(27)(29)(31)이 형성된 것을 특징으로 하는 LDD 트랜지스터의 구조.
  2. 제1도전형 기판(20)상에 게이트 산화막(22)과 게이트풀리(23), 열산화막(26)을 형성하는 방법과, 상기 게이트 풀리(23)의 양측에 풀리측벽(28)과 측벽산화막(30)을 형성시키는 방법과, 제2도전형 불순물을 주입하여, 제2도전형 영역(27)(28)(31)을 형성하는 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LDD 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 게이트산화막(22)보다 더 두껍게 열산화막(26)을 성장시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 LDD 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 측벽산화막(24)을 제거하고 제2도전형 불순물을 주입하여 제2도전형영역(27)을 형성하고, 풀리측벽(28)을 형성한후 제2도전형 불순물을 주입하여 제2도전형 영역(29)을 형성하고 측벽산화막(30)을 형성한후에 제2도전형 불순물을 주입하여 제2도전형 영역(31)을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 LDD 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서, 제2도전형영역(27)을 1018-1019의 농도로, 제2도전형영역(29)을 1018-1017의 농도로 제2도전형영역(31)을 1020-1021의 농도로 형성하는 것을 특징으로 하는 LDD 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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