KR920020737A - 인버터용 cmos 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

인버터용 CMOS 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a)-(f)는 본 발명의 1실시예에 따른 제조공정도이다.

Claims (3)

  1. 제1도전형의 반도체 기판상의 트랜치 양측에 형성된 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형 트랜지스터의 소오스 및 드레인과, 상기 트랜치 내부에서 제1폴리실리콘으로 된 공통게이트와, 상기 제1폴리실리콘의 상부에서 산화막으로 절연된 제2폴리실리콘상에 형성되는 제1도전형 트랜지스터의 소오스 및 드레인으로 구성된 인버터용 CMOS 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 트랜지스터의 소오스 및 드레인의 하부에 동일 도전형의 고농도 불순물층을 마련한 것을 특징으로 하는 인버터용 CMOS 트랜지스터.
  3. 제1도전형의 반도체 기판상의 소정부분에 제1도전형과 반대도전형인 제2도전형 불순물을 이온 주입하고 상기 제2도전형 불순물층의 범위내로 제한된 트랜치를 형성하는 공정과, 상기 트랜치 하부의 양측 모서리에 고농도의 제2도전형 불순물을 이온 주입하는 공정과, 전면에 제1산화막을 도포하고 상기 제2도전형 불순물층에 콘텍을 형성하는 공정과, 상기 트랜치 내부에 제1폴리실리콘, 제2산화막을 차례로 도포하는 공정과, 그위에 제2폴리실리콘을 도포하고 양측에 제1도전형 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역을 위한 불순물을 이온 주입하는 공정과, 상기 트랜치내부에 PSG층을 도포하고 상기 제1도전형 소오스 및 드레인 영역상에 콘텍을 형성하는 공정으로 이루어진 인버터용 CMOS트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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