KR910020933A - 씨 모스 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정을 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 실리콘 기판(1)에 다결정 실리콘(2)과 산화막(3)을 형성하여 소오스와 드레인을 패터닝한 후 산화막을 형성하여 반응성 이온 식각으로 측벽(4)을 형성하고, 상기 측벽(4)사이에 게이트 산화막(5)을 형성한 후 게이트 폴리 실리콘(6)을 증착하고 도핑 후 패터닝하며, 열처리하여 저농도(n-)의 셀로우 정크션 형성 후 절연막(7)을 증착하고 콘택트를 형성하기 위한 패터닝 후 다시 열처리하여 고농도(n+)의 딥 정크션을 형성함을 특징으로 하는 씨 모스 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 측벽(4)을 다결정 실리콘(2)과 산화막(3)의 적층구조를 패터닝 한 소오스/드레인 영역의 에지에 형성함을 특징으로 하는 씨 모스 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900006526A KR930001565B1 (ko) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 씨 모스 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900006526A KR930001565B1 (ko) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 씨 모스 트랜지스터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910020933A true KR910020933A (ko) | 1991-12-20 |
| KR930001565B1 KR930001565B1 (ko) | 1993-03-04 |
Family
ID=19298806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900006526A KR930001565B1 (ko) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 씨 모스 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930001565B1 (ko) |
-
1990
- 1990-05-09 KR KR1019900006526A patent/KR930001565B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930001565B1 (ko) | 1993-03-04 |
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