KR950034625A - 모스(mos) 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
MOS 반도체 소자의 제조방법에서, 반도체 몸체의 표면상에는 구조화된 마스크가 만들어진다. 마스크 윈도우로부터 반도체 몸체가 국부적으로 산화된다. 예정된 산화물 깊이에 도달한 후 산화물이 제거됨으로써, 실리콘에 홈이 생긴다. 채널 영역(22)이 홈의 벽에 접하도록, 구조화된 표면에 에미터 구역(20) 및 베이스 구역(16)이 만들어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제7도는 본 발명의 연속하는 단계를 설명하기 위한 단면도.
Claims (7)
- 실리콘으로 이루어진 반도체 몸체, 및 적어도 하나의 홈을 갖춘 표면을 포함하며 전계효과에 의해 제어가능한 반도체소자의 제조 방법에 있어서, a) 반도체 몸체(1)의 편평한 표면상에 구조화된 마스크를 만드는 단계, b) 마스크(4)의 윈도우로부터 국부적 실리콘 산화물질(5)을 만드는 단계, c) 국부적 산화물층 및 마스크를 제거함으로써, 편평한 표면으로부터 시작되는 홈(8)을 반도체 몸체에서 노출시키는 단계, d) 홈을 포함하는 반도체 몸체의 측면상에 에미터 구역, 베이스 구역 및 채널 구역을 만들며, 채널 구역은 홈의 벽에 접하도록 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 마스크(4)가 실리콘 질화물(Sj3N4)로 만들어지는 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 반도체 소자의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 마스크(4)를 만들기 전에 표면상에 실리콘 산화물층(2)이 만들어지는 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, a) 홈을 포함하는 반도체 몸체의 측면상에 게이트 산화물(11)을 만들고 그 위에 폴리실리콘층(12)을 증착시키는 단계, b) 폴리 실리콘층을, 그것이 홈내에 유지되고 홈들 사이에 윈도우(14)가 개방되도록 구조화시키는 단계, c) 도핑 재료를 일정 깊이로 드라이브-인 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스(MOS)반도체 소자의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 주입 전에 폴리 실리콘층내의 윈도우(14)의 에지(17)에 스페이서(18)가 만들어지는것을 특징으로 하는 모스(MOS) 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항 내지 3항중 어느 한 항 및 5항에 있어서, 반도체 몸체가 제1도전형의 내부 구역, 및 상기 내부 구역 보다 더 많이 도핑되며 반도체 몸체의 편평한 표면에 접한 제2도전형의 구역을 가지며, 산화물은 홈의 바닥이 내부구역에 놓일 때까지 만들어지는 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 반도체 소자의 제조 방법.
- 제1항 내지 6항중 어느 한 항에 있어서, 홈이 관련된 단일 네트워크를 형성하고 에미터 구역, 곤택 구역 및 베이스 구역이 채널 영역에 의해 둘러싸인 섬 형태의 영역을 형성하도록, 산화물이 형성되는 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 반도체 소자의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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