KR930005243A - 얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 구조 및 제조방법 - Google Patents

얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 구조 및 제조방법 Download PDF

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KR930005243A
KR930005243A KR1019910013975A KR910013975A KR930005243A KR 930005243 A KR930005243 A KR 930005243A KR 1019910013975 A KR1019910013975 A KR 1019910013975A KR 910013975 A KR910013975 A KR 910013975A KR 930005243 A KR930005243 A KR 930005243A
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KR1019910013975A
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김영기
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

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내용 없음.

Description

얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 공정단면도.

Claims (2)

  1. 기판(20)상에 게이트가 형성되는 트랜지스터의 구조에 있어서, 기판(20)의 액티브 영역에 트렌치를 형성하고 이 트렌치에 게이트(23)를 형성하며 게이트(23)의 좌우에는 소스/드레인(25)(26)을 형성하여 구성함을 특징으로 하는 얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 구조.
  2. 기판(20)에 필드산화막(21)을 성장시키고 사진/식각 공정에 의해 게이트 형성을 위한 트렌치를 형성하는 단계와, 액티브 영역에 게이트 산화막(22)을 증착하고 다결정 실리콘을 증착하여 패터닝에 의해 게이트(23)를 형성하는 단계와, 이온을 주입하여 소스/드레인(25,26)영역을 형성하고 산화막 측벽(24)을 형성하는 단계와, 전면에 층간 분리막(27)을 증착하고 콘택(28)을 형성한후 금속막(29)과 최상단 보호막(30)을 증착하는 단계를 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910013975A 1991-08-13 1991-08-13 얕은 접합을 이용한 트랜지스터의 구조 및 제조방법 KR930005243A (ko)

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