JP2005537637A - 過電圧保護用の有機構成部品および関連する回路 - Google Patents

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Abstract

本発明は電子回路の過電圧保護を与える主に有機材料の構成部品および個々の構成部品のしきい電圧の倍数を実装することができる回路に関する。

Description

本発明は、電子回路の過電圧保護を与える、主に有機材料の構成部品に関する。
従来のシリコン半導体技術を基礎とする無機回路に基づく過電圧保護用の電子構成部品が知られている。本明細書では例としてツェナー・ダイオードおよびトンネル・ダイオードを挙げることができる。
RFIDタグ(無線周波数識別)、チケット、着用可能電子機器(織物に組み込まれる電子回路)などの最低コスト適用例に関して有機電子構成部品およびそれに基づく回路が開発されている。それらは安価であり、簡単な印刷プロセスによって大きい表面積にわたって製造することができる。それらの回路は低電圧源を必要とし、その場合、たとえば回路が送信アンテナに近づきすぎた場合またはRFIDタグが交番電磁界中をあまりに急速に移動した場合、電圧ピークによる損傷を回避しなければならない。これまで、主に有機材料を含む、有機電界トランジスタと比較できる、電子構成部品はまだ知られていない。
したがって、本発明の目的は、主に有機材料を含み、過電圧保護を与える、すなわち電圧が調節可能なしきい電圧を下回ったまたは上回った場合、構成部品が電流を遮断し、逆もまだ同様である抵抗として働き、構成部品の電気容量が低い電子構成部品を提供することである。
本発明の主題は、主に有機機能性ポリマー(organic functional polymer)を備える、過電圧保護用の電子構成部品であって、少なくとも以下の層、すなわち
基板層と、
1次電極層と、
有機半導体機能性層と、
2次電極層と
を有し、前記電極層材料および前記半導体層用の材料のうち少なくとも一つの選択によってしきい電圧を調節することを特徴とする電子構成部品である。加えて、本発明の主題は、過電圧保護用に直列に接続された、主に有機材料を備える、少なくとも2つの構成部品を含む回路であって、個々の構成部品のしきい電圧の倍数に対応するしきい電圧を与えることを特徴とする回路である。
一実施形態によれば、構成部品は電極の1つと有機半導体層との間に少なくとも1つの中間層を含む。中間層は、たとえば主に有機材料および/または酸化物材料とすることができる。しきい電圧は少なくとも1つの中間層を含めることによって数ボルト以内に調節することができる。
構成部品は順方向に動作する、すなわち、しきい電圧まで、電流は流れず(または無視できるほど低い電流のみ)、電力制限電流源の電圧が破壊するように非常に高い電流がしきい電圧より下に流れる。逆方向には、電流は流れない(または無視できるほど低い電流のみ)。
一実施形態によれば、少なくとも2つの構成部品が直接に接続される。そのようにすると、個々の構成部品のしきい電圧の倍数に対応する所望のしきい電圧を達成することが可能である。
導電層および半導体層の構成部品の簡単な構造は有機回路への統合を可能にする。導電層および半導体層は、その場合、1つのプロセスおよび/または共通のプロセス・ステップ、たとえば印刷プロセスによって製造することができる。
以下で本発明について実施形態によってより詳細に説明する。
図1は、たとえばポリエステル・フィルムなどのフレキシブル・フィルムを備える基板1と、その上に配設された(垂直構造の実装)、たとえばPani、Pedotまたは金、銅、アルミニウムまたはチタンなどの合金などの有機材料である1次電極2と、その上に配設された、たとえばポリチオフェンおよび/またはポリフルオレンの有機ベース上にある半導体層3と、その上にあり、材料が、たとえば同じくPani、Pedotまたは金、銅、アルミニウムまたはチタンなどの合金である2次電極4とを示す。従来の構成部品とは対照的に、その構成部品は電極材料および半導体材料の選択によって調節することができる高いしきい電圧を有する。
図2は、層2〜4および基板1に関して図1と比較できるが、この場合1次電極2と半導体層3との間に配設された層構造を含み、しきい電圧を変位させることができるそれぞれの中間層(5、6)が半導体層3と2次電極4との間にある構成部品を示す。中間層5、6は、たとえばポリチオフェン、ポリフルオレン(両方の材料はドープされたまたはドープされない)、Pani、Pedotまたは金属酸化物やシリコン酸化物などの酸化物材料などの有機材料などの最も広く変動する材料とすることができる。
図3は直列に接続された2つの構成部品を示し、この実施形態の層構造は図1の個々の構成部品のそれと同じである。
図4は直列接続された構成部品の電流電圧特性を示す。その場合、複数の構成部品の直列接続(図3)がどのようにして個々の構成部品のしきい電圧の倍数に対応するしきい電圧を達成することを可能にするかが分かる。
最後に、図5は基本的に図1から知れるような構成部品の横方向構造を示す。ここでは基板1、1次電極2、半導体層3および2次電極4をもう一度見ることが可能である。
しきい電圧は適切な電極および/または半導体材料の選択によって非常に精確に調節することができる。等しく、しきい電圧は、たとえば薄い絶縁層や酸化物などの異なる半導体材料の1つまたは2つの追加の中間層によって変位させることができる。複数の構成部品の直列接続はまた関連するそれぞれの要求への粗い適応を可能にする。
構成部品の容量は層厚さおよび有機半導体の材料特有の誘電率に依存する。容量は適切な厚さの層によって低く保つことができる。
構成部品は知られているプロセスによって製造される。個々の層はスパッタリングおよび/または気相蒸着によって塗布されるが、たとえばポリマーなどの可溶材料を扱う場合は、スピン・コーティングおよび/または他のコーティング・プロセスおよび/または印刷プロセスによって塗布される。一方ではリソグラフィとともにエッチングやリフトオフなどの従来のプロセスによって、他方では印刷手順によって構造化を実施することができる。
具体的に言えば、たとえば図1に示される構成部品は次のようにして製造することができる。すなわち、金属層2(たとえば金)をフレキシブル・ポリエステル・フィルム1上にスパッタリングし、金属層をリソグラフィおよびエッチングによって構造化する。次いで溶液中に入れた半導体ポリマー(たとえばポリチオフェン)をスピン・コーティングによって塗布する。溶剤の蒸発後、得られる結果は均一な半導体層3である。2次電極4(たとえばアルミニウム)をその上にスパッタリングする−シャドー・マスクによって構造化する。
「有機」、「有機材料」または「機能性ポリマー」または「ポリマー」という用語は本明細書ではすべての種類の有機、金属有機および/または有機無機プラスチック材料(混合物)、特に英語で、たとえば「プラスチック」によって識別される材料を含む。これは従来のダイオード(ゲルマニウム、シリコン)および代表的な金属導体を形成する半導体を除いてすべての種類の物質を含む。したがって、炭素担持材料としての有機材料に対する教義上の意味での制限は意図しないが、たとえばシリコンの広い使用も想起される。加えて、その用語は、分子サイズ、特にポリマーおよび/またはオリゴマー材料に関して如何なる制限も受けないが、小さい分子の使用も確かに可能である。機能性ポリマーという表現における構成要素「ポリマー」という語は歴史的に規定されており、その点において実際にポリマー・ボンドの存在についての如何なる陳述をもなさない。
本発明は初めて、過電圧保護として機能し、有機回路に集積することができる有機構成部品を提供する。
中間層なしの本発明による構成部品の簡単な構造を示す図である。 2つの中間層をもつ実施形態を示す図である。 直列に接続された2つの構成部品を示す図である。 図3に関係する対応する電流電圧曲線を示す図である。 最後に、横方向構造を含む構成部品を示す図である。

Claims (3)

  1. 主に有機機能性ポリマーを備える、過電圧保護用の電子構成部品であって、少なくとも以下の層、すなわち
    基板層と、
    1次電極層と、
    有機半導体機能性層と、
    2次電極層と
    を有し、前記電極層材料および前記半導体層材料のうち少なくとも一つの選択によってしきい電圧を調節することを特徴とする電子構成部品。
  2. 前記電極層の1つと前記有機半導体層との間に少なくとも1つの中間層を有することを特徴とする請求項1に記載の構成部品。
  3. 過電圧保護用に直列に接続された、請求項1および2の一項に記載の少なくとも2つの構成部品を含む回路であって、個々の構成部品のしきい電圧の倍数に対応するしきい電圧を与えることを特徴とする直列回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012521076A (ja) * 2009-03-20 2012-09-10 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 有機ツェナーダイオード、電子回路、および、有機ツェナーダイオードを動作させる方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US20080055086A1 (en) * 2004-09-14 2008-03-06 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Overvoltage Protection Device and Radio Frequency Receiver and Radio Frequency Identification Tag Comprising such a Device
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
KR20100037964A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 트랜지스터, 그 제조 방법 및 트랜지스터의 문턱전압 조절방법

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
US3668483A (en) * 1971-08-19 1972-06-06 Us Navy Direct current solid state circuit breaker
JPS543594B2 (ja) 1973-10-12 1979-02-24
US3939363A (en) * 1974-02-25 1976-02-17 Westinghouse Electric Corporation Circuitry with zener diode voltage surge suppressor connected to serve as half wave rectifier
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
EP0108650A3 (en) 1982-11-09 1986-02-12 Zytrex Corporation Programmable mos transistor
JPS60117769A (ja) 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
US4573099A (en) * 1984-06-29 1986-02-25 At&T Bell Laboratories CMOS Circuit overvoltage protection
US4598331A (en) * 1984-07-30 1986-07-01 Technology Research Corporation Ground fault current interrupter circuit with open neutral and ground lead protection
EP0239808B1 (en) 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
US4797773A (en) * 1986-05-09 1989-01-10 Transtector Systems, Inc. Spatial array filtering system for electrical devices
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
US5068634A (en) * 1988-01-11 1991-11-26 Electromer Corporation Overvoltage protection device and material
US4977357A (en) * 1988-01-11 1990-12-11 Shrier Karen P Overvoltage protection device and material
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US4910389A (en) * 1988-06-03 1990-03-20 Raychem Corporation Conductive polymer compositions
DE68912426T2 (de) 1988-06-21 1994-05-11 Gec Avery Ltd Herstellung von tragbaren elektronischen Karten.
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
EP0418504B1 (en) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
US5099380A (en) * 1990-04-19 1992-03-24 Electromer Corporation Electrical connector with overvoltage protection feature
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US5260848A (en) * 1990-07-27 1993-11-09 Electromer Corporation Foldback switching material and devices
US5142263A (en) * 1991-02-13 1992-08-25 Electromer Corporation Surface mount device with overvoltage protection feature
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
FR2676870B1 (fr) * 1991-05-24 1994-12-23 Sgs Thomson Microelectronics Structure de protection dans un circuit cmos contre le verrouillage.
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5486851A (en) 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
WO1995006240A1 (en) 1993-08-24 1995-03-02 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
CN1106696C (zh) 1994-05-16 2003-04-23 皇家菲利浦电子有限公司 带有有机半导体材料的半导体器件
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
EP0771465B1 (en) * 1994-07-14 2002-11-13 Surgx Corporation Method of making single and multi-layer variable voltage protection devices
DE4426307C2 (de) * 1994-07-25 2003-05-28 Bosch Gmbh Robert Integrierte Schaltung mit einem Gate Oxid und Testmöglichkeit für dieses bei der Herstellung
EP0709944A1 (en) * 1994-10-31 1996-05-01 STMicroelectronics S.r.l. Charge voltage regulator for a battery
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
WO1998005187A1 (en) * 1996-07-29 1998-02-05 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent devices with electrode protection
AUPO307296A0 (en) * 1996-10-18 1996-11-14 Erico Lightning Technologies Pty Ltd An improved lightning conductor
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (en) 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
DE69830846T2 (de) 1997-09-11 2006-05-24 Precision Dynamics Corp., San Fernando Radiofrequenzidentifikationsetikett auf flexiblem substrat
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JP2001510670A (ja) 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
JP3911566B2 (ja) * 1998-01-27 2007-05-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 Mos型半導体装置
RU2183882C2 (ru) 1998-01-28 2002-06-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих или полупроводниковых трехмерных структур и способы уничтожения этих структур
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
ES2306525T3 (es) 1998-08-26 2008-11-01 Sensors For Medicine And Science, Inc. Dispositivos de deteccion basados en optica.
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
WO2000052457A1 (en) 1999-03-02 2000-09-08 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
CN1139137C (zh) * 1999-06-16 2004-02-18 复旦大学 一种有机电双稳器件
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
WO2001027998A1 (en) 1999-10-11 2001-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
KR100940110B1 (ko) 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
JP2004506985A (ja) 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
CN1173978C (zh) * 2001-10-11 2004-11-03 复旦大学 一种具有硫杂螺环结构的有机分子电子材料及其制备方法
US6946332B2 (en) 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012521076A (ja) * 2009-03-20 2012-09-10 ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト 有機ツェナーダイオード、電子回路、および、有機ツェナーダイオードを動作させる方法

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