JP2004506985A - 封入された有機電子構成素子、その製造方法および使用 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は特に有機材料からなる、光および/または空気および/または水に対してハーメチックに密閉された電子回路、その製造方法並びにタグ、センサ等としてのその使用に関する。
【0002】
無線周波数識別子(RFID)は今日、金属性コイルおよびシリコン−チップによって構成される。これらは例えばロジスティックな目的、アクセスコントロール等に使用される。
【0003】
有機電界効果トランジスタの簡易な封入はDE10040442. 1. から公知である。
【0004】
比較的高い生成コストが原因で、これは電子バーコードのような大量使用、剽窃防御または使い捨て商品としては経済的でない。RFID−タグはできるだけ受動的、すなわちバッテリなしで動作するべきである。RFID−タグは自身のエネルギーをコイルから引き出す。このコイルは読み取り装置によって共振状態に駆動制御される。この場合タグの電子回路チップ内のメモリが活性化され、(ロジスティックな使用では差出人、アドレスのような)記憶された情報等が読み出される。
【0005】
読み取り装置とタグのあいだの到達距離(Reichweite)は、読み取り装置の放射の性能(これは例えば125kHzまたは13. 56MHzのような、所定の周波数領域である)、並びにコイルないしはアンテナのサイズと性能の良さによって決まる。受動的なタグでは、このような到達距離は典型的に60cmより短い。この場合コイルの構成は、使用される搬送周波数に強く依存する。例えば125kHzの周波数の場合、通常は、数100より多い巻回数を有するコイルが使用される。また周波数が13. 56MHzの場合、巻回数が約10の偏平コイルが使用される。
【0006】
有機電子回路は非常に廉価に製造される。それ故にこれらの有機電子回路はタグを構成するのに適しており、これらのタグを大衆市場向けにおよび使い捨て商品として使用することができる。ここで電子チケット、盗難防御、荷物コントロールまたは例えば電子切手、電子的な透かし模様等の多くの他のものも考えられる。
【0007】
しかし特に有機材料から成る電子回路は2つの重要な欠点を有する。1つには有機材料が周辺の影響(例えば光り、空気および水)に非常に敏感であり、このような影響下で比較的迅速に劣化することである。他方では、ポリマー技術または特にプリント技術で製造されたアンテナは金属性のアンテナより明らかに劣るということである。これらは比較的高い電気抵抗と比較的低い質を有するのである。このため、このような有機材料に基づく電子構成素子およびタグは短い寿命しか有しておらず、非常に短い到達距離にのみ適している。
【0008】
このような劣化問題はある程度、有機発光ダイオード、いわゆるOLEDの場合と比較可能である。今日ではここにはガラスがサブストレートとして使用され、ガラスプレートも構成素子上に接着される。これによって、非常に良好な気密性のある封入が保証される。しかしガラスは、本発明の枠内で目的される使用領域には、機械的な理由およびコストに基づく理由から不可能である。従来の有機的なサブストレートは光、空気および水を通し、従って同じように適していない。例えば食料品パッケージの領域、または敏感な材料の気密性のあるパッケージで使用される、金属化されたサブストレートは特にRFID−タグでは同じように考慮されないのは明らかである。なぜならサブストレート内の金属層が、コイルと読み取り装置とのカップリング(Ankoppelung)を阻止するからである。ファラデーケージないしは金属的なシーリングが生じる。
【0009】
それ故に本発明の課題は、特に有機材料から成る電子回路に対する次のような構成を提供することである。すなわちこの電子回路が光、空気および水に対してハーメチックにシーリングされ、これによって劣化問題が生じないような構成である。同時にこの電子回路は容易かつ廉価に製造されるべきであり、従ってこれから製造されたタグは大衆市場に対しておよび使い捨て商品として使用することができ、金属的なシーリングが生じずに特にコイル、アンテナと組み合わせることができる。
【0010】
本発明の対象は、特に有機材料からなる電子的な構成素子を有する電子回路である。ここで1つ/複数の構成素子がバリヤを構成する少なくとも2つの層(2, 2’ )のあいだに配置され、これらの層によって光および/または空気および/または水のような液体の影響から保護される。
【0011】
このようなハーメチックな密閉ないし封入は、次のことによって実現される。すなわち光、空気および水のような環境影響に対してできるだけ大きなバリヤを構成する材料を使用することである。このような層の上には回路が従来のように、有利にはプリント技術によって配置ないしは構成される。同じまたは作用的に相似した別の層がこの回路上に接着またはラミネートによって配置される。これによってこの有機的な回路は、OLEDに対して上述したのと同じように良好に封入される。この回路の電気的なコンタクト箇所が自由にアクセス可能であることのみ注意されるべきである。
【0012】
バリヤ層は有利にはプラスチックからなる少なくとも1つの層を含む。これは例えばポリビニルフェノール、ポリメタクリル酸メチル、ポリスルホン、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレン、ポリイミドのような有機ポリマーまたはこれらのポリマーの任意の組合せである。
【0013】
本発明の有利な実施例では、上部のバリヤ層は有機電界効果トランジスタ(OFET)のカバー層を構成する。このカバー層はサブストレートまたは柔軟性のある薄膜サブストレートの一種であってよい。ここで1つの構成では、このようなサブストレーまたは担体上にゲート電極が設けられる。このゲート電極は、バリヤ層とともに構成素子上に堆積される。カバー層の容易で正確に整合する位置決めを保証するために、このゲート電極は上部のサブストレート−カバー層上に堆積され、有利にはまだ架橋されていない絶縁体でコーティングされる。同時にサブストレート、半導体層を有するドレインおよびソース電極、絶縁層を有する構造体が用いられる。ここではこの絶縁層もまだ架橋されていない。
【0014】
架橋されていない2つの絶縁層内に再び有利には、位置決めマークが埋め込まれ、この位置決めマークに基づいて、上部構造体(ゲート電極および架橋されていない絶縁層を有するサブストレート)を下部構造体(ソース/ドレイン電極、半導体層、および架橋されていない絶縁層を有するサブストレート)上に容易に正確に整合して位置決めをすることができる。
【0015】
2つの構造体の相互の堆積は、例えば圧押、プレス、圧延等によって行われる。
【0016】
絶縁層を硬化させるために、完成したOFETは所定の時間、照射されるおよび/または熱処理される。
【0017】
位置決めマークとして固定レール、光学的なマークまたは十字等が適している。
【0018】
ここで以下の構成を有する、サブストレートまたは担体上の有機電界効果トランジスタが生じる:サブストレート上のソース/ドレイン電極が、絶縁材料からなる層と接している半導体層内に埋め込まれ、ここでこの絶縁材料からなる層はまだ架橋されていなく、これにカバー層と接するゲート電極が続いている。
【0019】
このようなOFETの製造方法は以下のステップを有する:すなわち、
担体上にソースおよびドレイン電極を少なくとも1つずつ構成し、これらの電極を半導体層でコーティングし、この半導体層上にまだ架橋されていない絶縁体を堆積させ、
第2のサブストレート上に、架橋されていない絶縁体からなる層を上に有するゲート電極を堆積させ、
その後2つの担体を相互に重ね合わせて、架橋されていない2つの絶縁体層を相互に積み重ね、
絶縁体の架橋を開始する、というステップである。
【0020】
上述のプラスチック薄膜は、相応のドーピングまたは架橋によってそれ自体がバリヤ層として用いられるか、またはシーリングを形成するバリヤ層とともに設けられる。このような別個のバリヤ層は例えば金属層である。これはベース膜上に蒸着されるか、またはラミネートされる。これに適切な材料はアルミニウム、銅またはクロムである。プラスチック膜は通常は10〜100μm、有利には30〜60μmの厚さを有する。堆積された金属層は、通常は5〜100μm、有利には5〜50μmの厚さである。
【0021】
他方で、このバリヤを非金属性の層によって構成することもできる。このような非金属材料は、これが光および/または水および/または酸素が受け止める、ないしは吸収するように選択される。
【0022】
光、空気および/または水に対するバリヤを構成する適切な非金属コーティングは、それ故に例えばできるだけ重なって配置されている、充分に密な粒子からなる層である。適切な材料はこのために小板構造を有するグラファイトまたは無機的な酸化物を構成する。
【0023】
封入に用いられるバリヤ層は本発明の有利な構成では同じ、または異なる種類のバリヤ層を含んでもよい。すなわちバリヤを形成する1つ/複数の層は、例えば金属性バリヤコーティングと非金属性バリヤコーティングとを組合せてもよい。すなわち一般的にバリヤ構成層は、多層システムである。適切な構成は例えば、アルミニウムでコーティングされたポリエチレンテレフタラート膜からなり、ここでこのアルミニウムコーティング上には再びポリエチレンテレフタラート膜がラミネートされる。
【0024】
薄膜サブストレートは透明でも、または完全に不透明でもよい。むしろ不透明な膜は、有機的な電子回路への光の有害な影響を最適な方法で阻止することができるという利点を有する。
【0025】
このようにして本発明によって構成された電子回路は、回路に重要な全ての構成素子を含む。しかし有利には主に能動的な構成素子が封入される。これらは特に集積回路、トランジスタ、ダイオードおよびとりわけ整流ダイオード等の能動的な構成素子である。有利にはこれらの能動的な構成素子は少なくとも部分的に有機材料からなる。
【0026】
「有機材料」という概念は、ここでは有機、金属有機および/または無機プラスチック(英語では例えばplasticsと称される)の全種類である。典型的なダイオードを構成する半導体(ゲルマニウム、シリコン)および典型的な金属性導体の例外を有する物質の全種類のことである。それ故に独断的に、炭素を含む材料としての有機材料に制限されない。むしろ例えばシリコーンの幅広い使用も考えられる。さらにこの用語は分子のサイズに関する、特にポリマーおよび/またはオリゴマー材料に関する制限を受けるものではなく、「小さい分子」の使用も充分に可能である。
【0027】
抵抗、コンデンサ、コイル等の受動的な構成素子も本発明の電子回路に含まれる。同じように、有機集積回路のような敏感な構成素子自体のみが適切に含まれ、まだ従来のシリコン技術で製造される整流ダイオード等の他の部分が外に配置されてもよい。
【0028】
本発明の封入された電子回路は、タグのみに使用可能なのではなく、金属化されたサブストレートがその使用に対して障害ではない全ての箇所で、すなわち有機電子回路で実現されるセンサまたは他の電子構成素子等でも使用可能である。
【0029】
薄膜サブストレートに対して金属層を有する層システムまたは薄膜システムが使用される場合に特別な利点が生じる。このような場合、金属層を相応する回路内にも、例えば電子的な導体としての適切な構造化によって組み込むことができる、またはコンデンサ、コイル、抵抗のような受動的な構成素子として構成することもできる。
【0030】
以下のステップを有する、特に有機材料からなる電子構成素子を有する電子回路の製造方法も本発明の対象である。すなわちバリヤを構成する層を形成し、電子構成素子を配置してこのバリヤ層上に電子回路を設け、電気的なコンタクトに電気的な導体路を接続し、光および/または空気および/または水から密閉するために少なくとも1つの別のバリヤ層を少なくとも部分的に電子構成素子上に堆積させる、ステップである。
【0031】
この電子回路を容易にタグまたはセンサとしても構成することができ、本発明の方法はこのために使用される。
【0032】
以下で本発明を添付した図面に基づいてより詳細に説明する。
【0033】
図1には、本発明の封入された電子回路の断面が示されており、
図2には、図1に示された電子回路の平面図が示されており、
図3a)〜c)には、本発明による電子回路の、コイルまたは棒状アンテナとの組合せが示されており、
図4には、本発明による電子回路とコイルとの組合せの有利な実施例が示されており、
図5には、このような組合せの別の有利な実施例が示されており、
図6/7には、ソース/ドレイン電極と半導体層とを有する下部構造体と、ゲート電極を有する上部構造体からなるOFETの製造が示されており、ここで2つの構造体は絶縁層を介して接続される。
【0034】
図1には、本発明による電子回路1が示されている。ここでの電子回路は電子的な構成素子3を有する。この電子構成素子3は完全にまたは部分的に有機材料、すなわち導電性、半導電性または非導電性のポリマープラスチックから構成される。この電子構成素子3は、障壁を構成する層2上に配置される。これは図示された実施形態では多層構造である。電子構成素子3またはチップ自体は層2上に接着されるか、または他の方法でその上に位置を固定して維持される。しかしこれを適切なプリント方法によってその上に直接的に形成することもできる。
【0035】
層2自体は図示の実施例では3つの層4、5および6から構成される。最下層4は、使用目的に適したプラスチック薄膜、例えばポリエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリイミド等の柔軟性のある材料である。第2の層5は元来のバリヤ層として構成される。これは有利にはアルミニウム、銅またはクロムからなる金属性の層である。この金属層は、薄膜として層4上にラミネートされるか、またはこの上に蒸着される。上述したように、このバリヤ層は非金属性のサブストレートから構成されてもよい。バリヤ層5上にはプラスチック薄膜の形状の別の層6が接着される、またはラミネートされる。
【0036】
このような層2上には、電子構成素子3の他に電気的なコンタクト8が構成される、ないしは配置される。このコンタクトは電子回路1の、例えばコイルまたはアンテナとの後の接続に用いられる。すなわち例えばRFID−タグを構成するのに用いられる。コンタクト8は有機導電性材料から構成され、例えばプリント方法で薄膜サブストレート上に堆積される。当然、例えば銅からなる金属性コンタクトを使用することもできる。このようなコンタクト8は、所定の電子構成素子3と線路7によって導電接続される。
【0037】
電子構成素子3、すなわち部分的に線路7上に別のバリヤ2’ がハーメチックに密閉して配置されている。この別のバリヤは、第1のバリヤ2と同じ構成を有する。すなわち図示の実施形態では再び、プラスチック薄膜からなる2つの層4、6から成る多層のシステムである。これらのあいだにはバリヤ層5が配置される。これらの層に対する材料は、別の層2に使用可能なものと同じものから選択される。製造プロセスに対しては、上部の、被覆ないしは封入している第2のバリヤ層自体を接着するかまたはラミネートするのは有利である。個々の電子構成素子が層2および2’ によって完全に包囲され、従って環境影響から最適にシールドされているのが明らかである。
【0038】
図2には平面図のみで電子回路1の構成が示されている。ここで特に封入部外に位置するコンタクト8との電気的な接続が示される。
【0039】
次に図3に基づいて、有機電子回路とコイルとの完全な一体化として、電子回路1の場合によっては金属化された封入にもかかわらず、RFID−タグ等の構成に必要なアンテナの比較的長い到達距離が得られるのかを説明する。
【0040】
本発明によって構成された電子回路を接着剤の一種として、相応のコイルないしはアンテナ9、10上に自由に配置された電気コンタクトと固着させることができるからである。コイル(図3a)および3b))または棒状のアンテナ(図3C)の各終端部を、封入された電子回路と簡単な接着によって接続することができる。完全な構成によって機能するタグが生じる。
【0041】
このような構成では、電子回路はコイルと別個にされている。それ故にコイルとして従来の金属アンテナを使用することができる。これはできるだけ長い到達距離に対する相応の高い性能を有する。非常に大きなアンテナを取り付けることもできる。しかも面の小さい部分だけに対して、有機回路の製造に対する比較的コストのかかる技術が必要であるという経済的な欠点はない。
【0042】
一般的に偏平コイルで必要とされる製造時のさらなるステップ、すなわち相応のコイル終端部14、15を別の面に接続することも省くことができる。ここで例えば包装工業において、低価格のプリント方法によってアンテナを含めてパッケージ上に印刷され、最後のステップで、上述の電子回路に相応する接着剤が接着されるという、使用方法もある。
【0043】
ここで有利には相応する電気的な接続面が非常に大きく、位置決めが容易に行われる。接続部が規格化されている場合、この堆積を後のステージで初めて行うこともできる。小売業では、各会社が自身のタグを接着することができるであろう。このような構成では、アンテナのRF−接続(RF−Anbindung)に対する電子回路全体の金属化された面自体が妨害することはない。なぜならこれはコイルの巻き(Spulenwindungen)上に存在し、コイルによって包囲された面に存在するのではないからである。
【0044】
図4および図5に示された実施形態では、本発明の電子回路1は特に効率的で廉価な方法でアンテナ9、10と組み合わされる。ここで重要な観点は「応答回路(Transponderschaltung)」が直接的にアンテナ9、10のサブストレート上に堆積されていることである。バリヤ層2として、均質に金属化されたプラスチック薄膜4、5が使用される。これらは例えば同じようにポリエチレン、ポリエチレンテレフタラートまたはポリイミドからなり、アルミニウムが蒸着されている。構造化方法によって金属層5上にコイルが設けられる。元来の回路3が配置される場所に、バリヤないし封入として用いられる金属層が置かれる。例えば導体路または受動的な構成素子として、このような金属層を相応の構造化によって回路内に直接的に組み込むことも当然考えられる。ここでこのような場合には、多層システムが有利であろう。ここでは1つの層が封入に用いられ、1つの層が回路内での使用に用いられる。
【0045】
このような構成の利点は、完全な識別タグを集積されたシステムとして製造することができることである。これによって特にコストが削減される。
【0046】
図4では、上述のように形成されたバリヤ層2上にアンテナ9、10が形成される。ここでこのアンテナは例えば金属または導電性のポリマーから成る。アンテナガイド部内には、例えばシリコンチップまたはポリマーチップである電子回路1が存在する。これはアンテナ9、10の2つの端部14、15に電子的に接続されるべきである。このため層2の点線で示された角部13は次のように折り返される。すなわちアンテナの端部14がコンタクト面12上に重なるようにである。折返し(Umfalten)後、この電子回路3は導体路7を介してアンテナ9、10と接続される。折り返された導体路7がアンテナ9、10と短絡するのを阻止するために、折り返し前に絶縁層がアンテナ9、10の巻き上に堆積されなければならない。このような絶縁層は同時に接着剤として用いられ、折り返された角部13は持続的に固着される。このような接続の形式によってこれまでの通常のステップ、すなわち構造化された導体路の付加的な堆積を省くことができる。
【0047】
図5では、図4のように層2上にアンテナ9、10が存在する。電子回路3は、アンテナ9、10外に、層2の角部13内に配置される。この角部13は次のように折り返される。すなわち接続面8がアンテナ9、10のコンタクト面12に重なるようにである。折り返された導体路7とアンテナ9、10が短絡するのを阻止するために、折り返し前に絶縁層がアンテナ9、10の巻き上に堆積されなければならない。このような絶縁層は同時に接着剤として用いられ、折り返された角部13が持続的に固着される。
【0048】
この実施形態の特別な点は、折返し過程によって一方で電子回路3がアンテナ9、10と接続され、他方で電子回路3が封入されることである。詳細には、これに適切に選択されなければならないサブストレート材料によってである。
【0049】
図6の左側には上部構造体16と下部構造体17が別個に示されている。ここで矢印18は、2つの構造体が相互にプレスされる方向を示している。上部構造体16は、柔軟性のあるPET−膜のようなサブストレート19を有する。この膜上には薄い、ITO(ITO=Indium Tin Oxide)からなる、ゲート電極の形状に構造化された層20が存在する。ゲート電極20は、架橋剤であるメチル化メラミン(HMMM)を有するまだ架橋されていない絶縁材料、ポリ(4−ヒドロキシスチレン)(PHS)からなる例えば約100nmの厚さの層21内に埋め込まれる。
【0050】
このような層内には、まだ架橋されていない絶縁材料が存在する。しかしこれは架橋に必要なコンポーネント(架橋剤、すなわちHMMMおよびショウノウスルホン酸(CSA)等の触媒)を有している。下部構造体17は同じように、上にITOからなる構造化された層20を有するサブストレート19を有する。これはここではソースおよびドレイン電極を構成する。ソース/ドレイン電極は、アクティブな半導体材料としてのポリ(3−オクチルチオフェン)P3OT等からなる半導体層22内に埋め込まれる。この半導体層22上には、約100nmの厚さの層21が存在する。この層は、同じように架橋されていない絶縁体材料PHSからなり、架橋に必要なコンポーネント(架橋剤および触媒)を有している。上部構造体16および下部構造体17は、次のように相互にプレスされる(図7)。すなわち2つの層21が相互に積み重なり、表面的に相互に接続されるようにである。ここで位置決めマークによって、ソース/ドレインおよびゲート電極が所望のように重なりあって存在するように位置決めされる。後続のステップでは、この構造体全体が130℃で1時間、熱処理され、固定される。
【0051】
このような実施形態で最初に示された、第2のサブストレート上のゲート電極の別個の製造と、構造体であるサブストレート/ソース、ドレイン電極/半導体/絶縁体の上へのその位置決めは、OFETの構成を次のような点で容易にする。すなわち、下部の有機層が浸食および/または溶解され始めるフォトリソグラフィによる、上部の電極(ソース/ドレインまたはゲート、構造による)の構造化がもはや行われないことである。これに加えてこのように製造されたOFETは封入され、従って機械的な損傷および周囲の影響から保護される。
【0052】
本発明は電子回路(1)に関する。この電子回路は、特に有機材料からなる電子構成素子(3)を有する。ここで1つ/複数の構成素子(3)は、バリヤを形成する少なくとも2つの層(2, 2’ )のあいだに配置され、これによって光および/または空気および/または水の影響から保護される。このように構成された電子回路によって、特にRFID識別タグを大量商品として製造するのが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の封入された電子回路の断面をあらわす図である。
【図2】図1に示された電子回路の平面図である。
【図3a】本発明による電子回路の、コイルまたは棒状アンテナとの組合せをあらわす図である。
【図3b】本発明による電子回路の、コイルまたは棒状アンテナとの組合せをあらわす図である。
【図3c】本発明による電子回路の、コイルまたは棒状アンテナとの組合せをあらわす図である。
【図4】本発明による電子回路とコイルとの組合せの有利な実施例をあらわす図である。
【図5】このような組合せの別の有利な実施例をあらわす図である。
【図6】ソース/ドレイン電極と半導体層とを有する下部構造体と、ゲート電極を有する上部構造体からなるOFETの製造をあらわす図であり、ここで2つの構造体は絶縁層を介して接続される。
【図7】ソース/ドレイン電極と半導体層とを有する下部構造体と、ゲート電極を有する上部構造体からなるOFETの製造をあらわす図であり、ここで2つの構造体は絶縁層を介して接続される。
Claims (19)
- 特に有機材料から成る電子的な構成素子(3)を含む電子回路(1)であって、
前記1つ/複数の構成素子(3)は、バリヤを構成する少なくとも2つの層(2, 2’ )のあいだに配置されており、
当該層によって光および/または空気/または水のような液体に対して保護されている、
ことを特徴とする電子回路。 - 前記バリヤ層(2)は、プラスチック薄膜から成る少なくとも1つの層を含む、請求項1記載の電子回路。
- 前記電子回路は有機電界効果トランジスタであって、
当該トランジスタでは以下の構成が実現されており、すなわち:
第1のバリヤ構成層であるサブストレート上のソース/ドレイン電極が、絶縁材料から成る層と接している半導体層内に埋め込まれ、
前記絶縁材料から成る層はまだ架橋されていなく、
架橋されていない前記絶縁層にはゲート電極が続き、当該ゲート電極には第2のバリヤ構成層であるカバー層が続いている、請求項1または2記載の電子回路。 - 前記カバー層は、柔軟性のある薄膜のようなサブストレートおよび/または担体である、請求項3記載の電子回路。
- まだ架橋されていない絶縁層に位置決めマークが組み込まれている、請求項3または4記載の電子回路。
- 前記バリヤ層(2)は、金属性および/または非金属性である、請求項1から5までのいずれか1項記載の電子回路。
- 前記金属層はアルミニウム、銅またはクロムから選択される、請求項1から6までのいずれか1項記載の電子回路。
- 前記構成素子(3)は能動的な構成素子から選択される、請求項1から7までのいずれか1項記載の電子回路。
- 前記能動的な構成素子は、特に集積回路および/または整流ダイオードである、請求項8記載の電子回路。
- 前記構成素子(3)は受動的な構成素子から選択される、請求項1から9までのいずれか1項記載の電子回路。
- 前記受動的な構成素子は特に抵抗、コンデンサまたはコイルである、請求項1から10までのいずれか1項記載の電子回路。
- 前記電子回路はコイル装置(9, 10)のようなものを含む、ないしはコイル装置のようなものと組み合わされている、請求項1から11までのいずれか1項記載の電子回路。
- 前記電子回路は、外部のコンタクト(8)と導電接続されている、請求項1から12までのいずれか1項記載の電子回路。
- 特に請求項1から13までのいずれか1項に記載された、特に有機材料から成る電子的な構成素子(3)を含む電子回路の製造方法であって、
バリヤ構成層(2)を構成するステップと、
電子的な構成素子(3)を配置して前記バリヤ層(2)上に電子回路(1)を設けるステップと、
電気的なコンタクト(8)に電気的な導体路(7)を接続するステップと、
光および/または空気および/または水から保護するために、少なくとも1つのバリヤ層(2)を含む別の層(2’ )を前記電子的な構成素子(3)上に堆積させるステップと、を有する、
ことを特徴とする、電子回路の製造方法。 - 前記電子回路(1)をタグとして構成する、請求項14記載の方法。
- 前記電子回路(1)をセンサとして構成する、請求項14記載の方法。
- 請求項1から13までのいずれか1項記載の電子回路の製造方法であって、
担体上にソースおよびドレイン電極を少なくとも1つずつ構成し、当該電極を半導体層でコーティングし、当該半導体層上にまだ架橋されていない絶縁体を有する層を堆積させ(下部構造体の製造)、
第2のサブストレート上に、架橋されていない絶縁体からなる層を上に有するゲート電極を堆積させ(上部構造体の製造)、
その後、架橋されていない2つの絶縁体層が積み重なるように、2つの担体を重ね合わせ、
前記絶縁体の架橋を始める、
ことを特徴とする、電子回路の製造方法。 - 請求項1から13までのいずれか1項記載の電子回路(1)の、タグを製造するための使用。
- 請求項1から13までのいずれか1項記載の電子回路(1)の、センサを製造するための使用。
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