JP4360910B2 - 電子構成部材、該電子構成部材の回路コンセプト及び製造方法 - Google Patents

電子構成部材、該電子構成部材の回路コンセプト及び製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4360910B2
JP4360910B2 JP2003541053A JP2003541053A JP4360910B2 JP 4360910 B2 JP4360910 B2 JP 4360910B2 JP 2003541053 A JP2003541053 A JP 2003541053A JP 2003541053 A JP2003541053 A JP 2003541053A JP 4360910 B2 JP4360910 B2 JP 4360910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
components
group
component
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003541053A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005508572A (ja
Inventor
クレメンス ヴォルフガング
フィックス ヴァルター
ツァプフ イェルク
Original Assignee
ポリアイシー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ポリアイシー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト filed Critical ポリアイシー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト
Publication of JP2005508572A publication Critical patent/JP2005508572A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4360910B2 publication Critical patent/JP4360910B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/80Interconnections, e.g. terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、封入された且つ少なくとも部分的に有機的な電子構成部材を実現するための新たなコンセプトに関する。これはアンテナ、ダイオード(整流ダイオード及び/又は発光ダイオード)、トランジスタなどのような、電子構成部材と種々の電気的な構成素子との組合せに関する新たなコンセプト及びそのための最適な回路を内容とする。
無線周波数識別(RFID)タグ、センサアレイ、光電池などのような電子構成部材は従来のシリコン技術を基礎としていることが公知である。
この電子構成部材は、例えば消費財のための電子的なバーコード、電子的な透かし、電子的な切手、荷札(Kofferanhaenger)及び/又はチケットとして使用される。
そのような電子構成部材は、これらが少なくとも部分的に有機電子機器(プラスチック電子機器)を基礎とする構成素子から構成される場合には、明らかに比較的安価に製造することができる。しかしながらこの際比較的多くの問題が生じる。先ず、アンテナ、整流器及び/又はトランスポンダチップのような種々の構成素子グループを、非常に多くのプロセスで製造し、組み立て、封入する必要がある。
例えばDE100 43 204.2から公知である新たなプラスチック電子構成部材に関して、これまでHart, C.M.; DeLeeuw, D.M. er al. , Philios Res. Lab. , ESSCIRC '98, ISBN 2-86332-235-4, 1998から、変調トランジスタ4及び集積回路5のみが有機材料を基礎とする回路がこれまで公開されている(図1を参照されたい)。アンテナ1、コンデンサ2及びシリコンダイオード3は無機材料(従来のシリコン技術)から成る。整流ダイオード3に後置されているOFET(有機電界効果トランジスタ)4が使用される。しかしながらこの実施形態で問題となるのは、変調トランジスタ4は電力の極一部しかスイッチングできないことであり、それ以外の場合では集積回路5に対する電流供給は崩壊するであろう。別の問題は、ダイオードによって交流電圧の半波しか整流することができないので、整流ダイオード3によってRFIDタグに対する給電として放出される電力の半分しか使用できないことである。このことは、例えばRFIDタグに放出される電力は法律によって制限されており、また放射される電力を半分にすることは動作範囲、したがって電子構成部材の使用領域を著しく制限するので、殊に重大な欠陥である。
RFIDタグのような典型的な電子構成部材は複数の構成要素、例えばアンテナ、コンデンサ、ダイオード(発光ダイオード及び/又は整流ダイオード)、必要に応じて光電池、及びトランジスタを備えた少なくとも1つの集積回路を包含する。これらの個々の構成要素は、種々の材料及び処理技術を必要とするので異なる製造方法を要求する。つまりパターニングのために殊に高分解能の実装技術が必要とされ、またこのために比較的良好に処理可能な材料を用いて作業されるが、これに対して有機ベースのダイオード及び/又はコンデンサの製造は処理が比較的難しい材料の処理を要求するが、はるかに僅かな手間のパターニングでもって良好な品質をもたらす。アンテナの製造の際にはやはり一般的に金属が処理され、この金属もやはり全く異なる処理機械及び処理技術を必要とする。少なくとも部分的に有機的な(プラスチック)電子構成部材の製造は相応に複雑であり、目下のところ刊行物の対象は存在していなかったが、大量使い捨て製品(Massen-Ein-Weg Produkt)として必要とされる市場の成熟に関して、これら多くの異なる製造ステップを可能な限り効率的に克服できる解決手段が発見されたようである。
したがって本発明の課題は、構成素子の選択及び配置構成により安価な製造及び封入を可能にする、少なくとも部分的に有機的な電子構成部材及び/又は回路を提供することである。この際、電力伝送及び(負荷)変調に関して公知の回路を最適化し、効率的な大量生産プロセスを実現することが大変重要である。
ここでこの大量生産プロセスが、アンテナ、ダイオード(整流ダイオード及び/又は発光ダイオード)、トランジスタなどのような構成素子に電子構成部材を統合する新たなコンセプト及び/又は回路コンセプトの適切な最適化によって、どのように実現できるかという解決手段を説明する。
本発明の対象は、構成素子の以下の少なくとも3つのグループを包含する有機電気構成部材である:
実質的に無機の構成素子(例えばアンテナ)のグループ、
受動的な、有利には有機の構成素子のグループ、
能動的な、有利には有機の構成素子のグループ、
ここで、受動的な構成素子のグループは能動的な構成素子または構成要素を包含せず、能動的な構成素子のグループは実質的に有機電界効果トランジスタを包含し、また通常は受動的な構成素子を包含せず、3つのグループを別個に相互に製造することができ、基板における電気的なコンタクトを介して及び/又は封入によって相互に接続されており、電気的なコンタクトが受動的な構成素子と能動的な構成素子との間で一方のグループから他方のグループへと延在する回路を実現する。
グループは、基板(の一部)に及び/又は封入されることにより統合されており、プロセス技術的に容易に組み立てることができ及び/又は条件的に同等の方法で製造できる、1つまたは複数の構成素子である。
さらに本発明の対象は、少なくとも部分的に有機機能性ポリマを基礎とする電子構成部材のための回路であり、この回路は以下の構成要素、すなわち、
アンテナ(1)、コンデンサ(2)、ダイオード(3)及び集積回路(5)に前置されている変調トランジスタ(4)を包含し、2つのコンデンサ(7、8)と別のダイオード(6)は、集積回路(5)にはコンデンサ(7)を介して給電され、同時にダイオード(6)を介して変調トランジスタ(4)がこのコンデンサ(7)からエネルギを取り出すことは阻止されるように接続されている。
最後に本発明の対象は、少なくとも1つの無機の構成部材(アンテナ)、少なくとも1つの受動的で有利には有機ベースの構成素子、少なくとも1つの能動的で有利には有機ベースの構成素子を包含し、アンテナ、受動的な構成素子、能動的な構成素子は事前に生産され、個々の素子の簡単で電気的な接触によって回路が実現される、有機電子構成部材を製造する方法に関する。
ここでは電子構成部材は例えばRFIDタグのような全体のトランスポンダであり、いかなる場合でも複数の構成素子を包含する1つの部品であり、ここで構成素子は比較的小さいユニットであるが、トランジスタ、コンデンサ、光電池などのような複数の構成要素から構成することも十分可能である。
「受動的な構成素子」はダイオード(整流ダイオード及び/又は発光ダイオード)、光結合器のような結合器、コンデンサ、抵抗及び/又はこれらに類するものを指す。「能動的な構成素子」には例えばトランジスタ、光電池、センサ及び/又はこれらに類するものが該当する。勿論、集積された能動的な回路に抵抗のような受動的な構成素子を包含させることもできる。
有利には本発明の範囲では、少なくとも部分的に有機的な機能性ポリマ(ないし一般的に導電性ないし半導電性の有機材料)を包含する受動的な構成素子及び/又は能動的な構成素子が使用される。これらの構成素子は以下では略して「有機構成素子」と称する。もっともこの構成素子は非有機的な部品も構成素子の中に包含することが十分可能であるが、少なくとも1つの有機的な部品、有利には有機的な機能性ポリマはここで「有機構成素子」と称される構成素子内に包含されている。
回路は殊に有利にはRFIDタグに使用される。
構成素子として例えばコイルで良いアンテナが例えば使用され、このアンテナは例えば金属、金属含有化合物、例えば合金、銅、アルミニウム及び/又は場合によっては金属含有有機機能性ポリマ、例えば導電性銀(Leitsilber)及び/又は有機材料のみからなる有機機能性ポリマ、例えばポリアニリン、ペドット(Pedot)、カーボンブラックまたはこれらの混合物からなる。
アンテナは有機電子構成部材の他の構成素子及び/又は構成要素のように基板に取り付けられ、同時に基板を形成することができる封入部でもって不所望な環境的な影響から保護される。
基板として例えばフレキシブルなフィルム(例えばポリエステル)が採用される。このフィルムは要求に応じて、構成素子が湿度及び/又は酸素の影響に対して不安定である有機材料から部分的に構成されているので、湿度及び空気に対し種々の非常に著しいバリヤ特性を有する。これらのバリヤ特性をフィルム材料自体によって、フィルムへの添加によって、(例えばシリケート及び/又は金属コーティングのような)コーティングによって及び/又は前述の個々の措置を複数施すことによってもたらすことができる。基板フィルムは生産ステップの条件(温度、機械的な負荷、処理媒体など)による損傷に対して安定していることが望ましい。
基板及び/又は封入部、有利にはフレキシブルなフィルム上には相応の構成要素、例えば有機トランジスタ、受動的な構成部材、有機的なダイオード(発光ダイオード及び整流ダイオード)、有機的な光電池及び同様の構成部材から成る集積回路が取り付けられる。さらには、有機的な構成部材と無機的な構成部材の組合せ(例えば有機的なトランスポンダチップ回路と組み合わされた十分に金属的なアンテナ)も可能である。
フィルムを電気的に絶縁するために、(例えばスクリーン印刷、スプレー、フローコーティング、必要に応じて打ち抜き加工された別のフィルムのラミネートによって)少なくともフィルムの表面に絶縁層が取り付けられる。
個々の構成素子には導電性のコンタクトが設けられる。これらの構成素子のうちの2つまたはそれ以上の構成素子は、電気的なコンタクトが有利には導電性の接着剤または導電性の複合材料を用いて相互に接続されることによって、相互に接続される。
必要とされる電気的なスルーホールまたはスルーホールのための導体路(バイア)を同様に一緒に取り付けることができるか、後に例えばレーザを用いて絶縁層を開口することにより形成される。バイアを例えば導電性の接着剤のスクリーン印刷または無電解の金属コーティングによって導電的に充填することができる。最も簡単な場合には薄い絶縁層のみが選択され、その結果バイアの充填を省略することができる。
構成素子はやはり、基板に関して説明したものと同様の構成及び同様の特性を有するフィルムでもって有利には封入される。このことは例えば接着または溶接により行うことができる。有利には封入部は気密に取り付けられる。個々の構成素子が組み立てられる前、また完成した電子構成部材と接触させる前に封入された場合には、この封入部から例えば電流供給、信号伝送または検出を目的とした電気端子を貫通させることができる。したがって組み合わされたポリマ電子的な構成要素を有するカプセル化された構成部材が得られる。種々の構成要素を種々のプロセスで製造する必要がある場合、またはこれが経済的により好適である場合には、種々の構成素子を別個に基板フィルム及び/又は封入フィルム上に取り付けることができ、上述の接続プロセスで電気的に結びつけることができる。この際一方では電気的な絶縁、他方では所定のスルーホールを顧慮する必要がある。
それぞれの構成素子または電子構成部材の製造プロセスは、全体の製造について個々の生産ステップが可能な限り僅かにしか要求されないようにするために、2つのフィルム(基板及び封入部)が同様に構成要素の配置構成のために使用されるように最適化される。
ここで「有機材料」または「有機機能性ポリマ」の概念は、全ての種類の有機合成物質、金属有機合成物質及び/又は有機無機合成物質(ハイブリッド)、殊に例えば英語では「plastics(プラスチック)」と称される合成物質を包含する。それらは古典的なダイオードを形成する半導体材料(ゲルマニウム、ケイ素)を除く全ての物質及び典型的で金属的な導電体である。つまり炭素を含有する材料としての有機材料への教義的な意味での制限は設けられておらず、むしろ例えばシリコーンの広範な使用も考えられている。さらにはこの術語には分子の大きさ、殊にポリマ材料及び/又はオリゴマの材料に関して制限は課されず、「小分子(small molecules)」を使用することも十分に考えられる。機能性ポリマにおける「ポリマ」は歴史的に条件付けられており、その限りでは実際のポリマ化合物の存在に関する記述は含まれていない。
回路は殊に有利には有機材料を基礎とするRFIDタグに使用される。回路は構成素子における構成要素の選択及び配置構成によって、僅かな数の異なる構成素子による安価な製造及び封入が可能となる。
製造方法は、コンデンサ及びトランジスタのような電子構成部材の個々の構成要素が例えば種々の製造条件及び製造要求を有するという事情を顧慮する。つまり、それぞれ1つの構成素子に1つの「種類」の全ての構成要素が統合され、したがって構成素子は可能な限り短い組み立てストレスで生産することができる。構成素子は別個にまたは一緒に基板に封入されて相互に接続される。それにもかかわらず、従来のすなわちシリコンを含有する構成要素と接続された有機ベースの構成要素を有する構成素子を構成することができる。
以下では本発明を、従来技術と比較した本発明の実施例を示すそれぞれの図面に基づき詳細に説明する。ここで、
図1は刊行物Hart, C. M. ; De Leeuw, D.M. er al. , Philips Res. Lab. , ESSCIRC '98, ISBN 2-86332-235-4 1998から公知のような従来技術を示し、
図2から4は回路の種々の実施形態の概略図を示し、図5は図4の回路を3つの構成素子に分割した図であり、図6及び図7は完成された電子構成部材としての回路の実現形態の可能性を示す。
図1には従来技術のようなRFIDタグのための回路が見て取れる。この回路ではトランジスタ4及び集積回路5のみが有機材料から成る。アンテナ1、コンデンサ2及びシリコンダイオード3は無機材料から成る。キャリア蓄積体(Ladungstraegerakumulanten)として作用するが、キャリアの侵入(Ladungstraegerinversion)によっては作用しない有機材料の特性のために、従来のトランジスタに比べるとOFETの切り替え速度が不十分であり、また交流電圧に対する適格性が無いという問題は、OFET4が整流ダイオード3に後置されて使用されることにより解消される。しかしながら、変調トランジスタ4は電力の極一部しかスイッチングすることができず、そうでなければ論理回路5への電流供給は崩壊するという、この実施形態における問題は残ったままである。別の問題はダイオード3によって、RFIDタグへの給電として放射される電力の半分しか使用できないことである。
フィリップス(Philips)の刊行物、したがって同様に従来技術に属する簡単な回路の変形形態では、トランジスタ4を論理回路5に集積するか、トランジスタを完全に省略し、変調信号として論理回路5の負荷変化を使用している。これに関する1つの例は、単独の論理回路として整流器の出力側に接続されるリング発振器である。発振によって電力消費が周期的に変化し、この変化を直接負荷変調として読み出すことができる。したがって、リング発振器の製造に応じて全く一定の周波数でもって発振されるので、簡単な電子的な透かしを実現することができる。
図2は1つの実施例を示す。
アンテナ1はコンデンサ2と共に、読み取り装置の送信周波数に適合されている振動回路を形成する。有機ダイオード3はコンデンサ8と共に平滑化された直流電圧を出力する整流器を形成する。有機変調トランジスタ4は整流器の出力側に接続されている。有機コンデンサ7は論理回路5のためのエネルギ蓄積部を形成し、有機ダイオード6は変調トランジスタ4を介するコンデンサ7の放電を阻止する。論理回路8はメモリを読み出す回路を包含し、情報をビット毎にシリアルで出力側に転送する。この出力側は変調トランジスタ4のゲートと接続されている。論理回路5の速度は読み取り装置の送信周波数に依存しない。
図3は類似の実施形態を示すが、ここでは整流ダイオード3はブリッジ整流器3に置換されている。この整流器は統合された4つの有機ダイオードを包含する。
論理回路(IC)に対して正及び負の電圧が必要である場合には、この電圧を簡単なダイオードまたはダイオードブリッジ回路を備えた2つの並列に接続されている整流器ユニットによって実現することができる。これに関する別の可能性は、簡単な整流器回路の後方に例えば直列に接続されている抵抗を備えた電圧分配器の構成である。
図4はやはり回路の実施形態を示し、この実施形態は図2及び図3の回路と類似するが、全てのコンデンサがそれぞれ1つないし2つの有機ダイオードに置換されている。コンデンサ2は交流電圧でもって動作し、したがってこのコンデンサ2は逆極性で直列に接続されている2つのダイオード2、2′に置換されている。コンデンサ7及び8には直流電圧が供給され、すなわちこれらのコンデンサ7、8は、阻止方向に接続されているそれぞれ1つのダイオードに置換することができる。この実施例ではコンデンサを完全に省略することができ、このことは回路の製造を著しく簡潔にする。
僅かな(負荷)変調についての問題は、回路では以下のように解決される。論理回路はエネルギ蓄積部(例えば有機コンデンサ7)を介して給電され、この際有機ダイオード6を用いて、変調トランジスタ4がこの蓄積部からエネルギを取り出すことが阻止される(図2から図4の実施例を参照されたい)。このエネルギ蓄積部は、変調トランジスタ4が阻止状態であるときに充電される。この際の問題は、エネルギ蓄積部はビット列1111...(または、ロジックの符号化に応じて0000...)が生じたときに放電されることである。このことはRFIDタグの論理回路5が、各ビット間において変調トランジスタ4は非常に短い時間にわたり遮断されるように情報ビットを出力する場合に阻止される。このことは、エネルギ蓄積部がビット列に依存せずに所定の充電状態を下回ることができないように実施することができる。エネルギ蓄積部の主な利点は、論理回路5に対する電圧供給が崩壊することなく、変調トランジスタ4が100%の電力をスイッチングできることである。
回路を用いて解決される別の問題は、DE100 44 842.9から公知であるような有機的な集積可能なダイオードを使用する比較的大きな電力の伝送である。このことは整流のためのダイオードブリッジ回路の使用により可能となる。これによって、交流電圧の2つの半波を使用できるので2倍の電力が伝送される(図3及び図4の実施例を参照されたい)。従来技術から公知のアプローチ、つまりSiダイオードのハイブリッド的な使用では、そのようなブリッジ回路を実際に使用することはできない。何故ならばハイブリッドSiダイオードを用いるRFIDタグの製造は過度に繁雑且つ高価だからである。
本発明の殊に有利な実施形態(図4)は、有機ダイオードが阻止方向においてコンデンサのように振る舞うという事実を基礎とする。したがって逆の極性を持つ直列に接続されている2つのダイオードを用いて、交流電圧でもって機能するコンデンサも得られる。この回路の利点は、コンデンサ、すなわち複数層の機能性ポリマ及びそれに続く処理ステップを省略することができるので、ポリマRFIDタグの構成が非常に簡潔であるという点である。
図5には種々の構成素子1、2及び3に分割された図4の回路が見て取れる。
先ずここで構成部材11であり、この構成部材11は基板14(バリア特性を持つフレキシブルなフィルム)を包含し、この基板14にはアンテナとして機能し、導電性のコンタクト15を有する導電路1が設けられている。次に構成部材12であり、この構成部材12はダイオードまたはコンデンサ(2、3、6、7及び8)として機能する全ての構成要素並びに導電性のコンタクト15も包含する。最後に構成部材13であり、この構成部材13には有機トランジスタ並びに導電性のコンタクト15も包含する全ての構成要素4、5が統合されている。ここではこれらの構成要素のうちの1つだけが有機材料を基礎とすることを必要とし、例えば無機ダイオードを備えた有機チップも構成することができる、ないしアンテナは金属または金属含有化合物でよい。
図6からは、どのようにして個々の構成素子11、12及び13を有利には1つの全体のシステムへと構成できるかが見て取れる。
部分図6Aにはアンテナ及びコンタクトを備えた構成部材11が見て取れ、部分図6B及び6Cはそれぞれ上方からの構成素子12及び13を示す。部分図6Eは組み立てられた電子構成部材を示し、6Dはこの電子構成部材の上に設けられる封入フィルムを示す。最後に図6Fには電子構成部材の断面図が示されている。
A)基板フィルム14には相応の方法を用いて(例えばスパッタリング、蒸着、電気メッキまたは無電解メッキ、印刷、マイクロ打ち抜き加工、フォトリソグラフィ、エッチングのような方法またはその組合せによって)アンテナ(1)並びに電気的なコンタクト(15)が取り付けられ、これが構成部材11である。
B)図5に示されているように、例えばダイオード及びコンデンサを包含する構成部材12は相応の方法により製造され、電気的なコンタクトが取り付けられる。コンデンサを構成するための1つの可能性は、例えば、コンデンサのために基板側に金属化面または導電性のポリマ面が形成されることであり、この面は2つのフィルムの統合後にこの面とトランスポンダアンテナの導電性の面とによる容量が生じるように配置されている。
C)例えば(例えば印刷、フォトリソグラフィ、スピン塗布などの方法によって製造される)有機トランジスタ4及び集積回路5を包含する構成部材13は相応の方法でもって製造され、電気的なコンタクト15が取り付けられる。
D)基板14のように酸素及び/又は水蒸気のような外部の影響に対するバリア特性を持つべき、また接着またはラミネートのような相応の方法によって他の構成部材11、12及び13に取り付けられることができる封入フィルム16が示されている。
E)組み立てられた状態の構成部材11、12及び13の構成が上方から示されている。構成部材12及び13は、それぞれの適切な電気的なコンタクト15が相互に接続されているように構成されている。
F)側面からのE)の構成を示しており、ここでは付加的に封入フィルムも一緒に使用されている。
すなわち、個々の構成素子または構成部材11、12及び/又は13は基板または封入フィルムに取り付けられて、電気的な絶縁のために絶縁層によって覆われる。そのように準備されたフィルムは調整され、全体のシステム例えばトランスポンダへと統合される。
このことは例えば接着または溶接により行われる。接着剤は同時に上記の絶縁層に相応することもできるであろうし、しかしながら別の処理ステップにおいて例えば印刷、スプレー、フローコーティングによって取り付けることができる。2つのフィルムは調整、接合及び加圧(オートクレーブ、真空プレスなど)される。接着剤の塗布及び/又は加圧行程によって、2つのフィルムの端部領域では接着剤の厚みが最小にされ、その結果気体及び湿度に対する横方向のバリヤも付与されていることが保証される。同時にバイアス時の電気的なコンタクトも実現する必要がある。接着剤は熱的に及び/又はUV光によって硬化される。
この構成原理はポリマ電子構成部材を備えた多数の別の製品、例えば光電池、評価回路が集積されているセンサ構造または制御回路が集積されているOLEDにとっても有利である。この場合、例えば光電池またはOLEDセルが一方のフィルムに取り付けられ、ポリマ回路が他方のフィルムに取り付けられる。このようにして有機構成部材を慣例の無機構成部材と接続することも勿論可能である。
図7には、どのようにしてこれらの構成部材が別のやり方で有利に1つの全体のシステムへと構成できるかが示されている。この図はやはり部分図7Aから7Eに分割されており、これらの部分図を以下説明する。
A)基板フィルム14には相応の方法でもって(例えばスパッタリング、蒸着、電気メッキまたは無電解メッキ、印刷、マイクロ打ち抜き加工、フォトリソグラフィ、エッチングのような方法またはその組合せによって)アンテナ1並びに電気的なコンタクト15が取り付けられ、これが構成部材11である。
B)図5に示されているように、例えばダイオード及びコンデンサを包含する構成部材12は相応の方法でもって製造され、電気的なコンタクトが取り付けられる。ここでは構成部材12は直接封入フィルム14に取り付けられており、これによって構成部材の総数が低減され、作業ステップが省略される。
C)例えば(例えば印刷、フォトリソグラフィ、スピン塗布などの方法によって製造される)有機トランジスタ及び集積回路を包含する構成部材13は相応の方法によって製造され、電気的なコンタクトが取り付けられる。
D)組み立てられた状態の構成部材11、12及び13の構成を上方から示している。構成部材12及び13は、それぞれ適切な電気的なコンタクト15が相互に接続されているように構成されている。
E)側面からの図7D)の構成を示す。
図面に示したような電子構成部材の製造方法は、RFIDタグの製造のためにのみ使用できるものではなく、むしろ、少なくとも1つの有機電子構成部材を包含し、フレキシブルな基板に取り付けられる、さらに多数の実施例にも使用することができ、それは例えば以下のものである:
・電子機器が集積されている(有機)光電池または相応のセンサアレイ
・アクティブ有機ディスプレイ(OLEDまたは他のディスプレイ)
・複数の単一構成要素からなるポケットコンピュータ
・「ウェアラブル電子機器」。洋服に組み込まれた電子構成部材
・インテリジェントペーパ:紙または紙のような材料に組み込まれている電子機器
・点滅式及び/又は発光式及び/又は音響的表示部を備えた広告ラベル。
従来技術から公知の回路である。 本発明による回路の実施形態である。 本発明による回路の実施形態である。 本発明による回路の実施形態である。 図4の回路を3つの構成素子に分割した図である。 回路を実現するための可能性を示す。 回路を実現するための可能性を示す。

Claims (5)

  1. 有機電子構成部材において、
    構成素子の少なくとも3つのグループを包含し、すなわち、
    実質的に無機の構成素子(アンテナ)のグループと、
    受動的な有機の構成素子のグループと、
    能動的な有機の構成素子のグループとを包含し、
    受動的な有機の構成素子のグループは少なくとも1つの有機ダイオードを包含し、且つ能動的な有機の構成素子または能動的な有機の構成要素を包含せず、能動的な有機の構成素子のグループは実質的に有機の電界効果トランジスタを包含し、且つ通常の場合は受動的な構成素子は包含せず、
    3つのグループはそれぞれ基板の1つの領域内に配置されているか、それぞれ別個の基板に配置されており、
    構成素子は電気的なコンタクトによって相互に接続されており、且つ基板に接触し、及び/又は、封入部を介して基板に接触し、受動的な構成素子と能動的な構成素子との間の前記電気的なコンタクトが一方のグループから他方のグループへと延在する回路を実現し、前記基板及び/又は前記封入部はフレキシブルなフィルムであり、少なくとも1つの前記電気的なコンタクトは接着によって及び/又は導電性の複合材料でもって製造されることを特徴とする、有機電子構成部材。
  2. 前記無機の構成素子のグループはアンテナ(1)を有し、前記受動的な有機の構成素子のグループは第1のコンデンサ(2)と第2のコンデンサ(8)と第3のコンデンサ(7)と第1のダイオード(3)と第2のダイオード(6)とを有し、前記能動的な有機の構成素子のグループは変調トランジスタ(4)と集積回路(5)とを有し、前記第2のダイオード(6)は前記第2のコンデンサ(8)と前記第3のコンデンサ(7)との間に接続されており、前記集積回路(5)は前記第3のコンデンサ(7)を介して給電され、前記第2のダイオード(6)は前記変調トランジスタ(4)が前記第3のコンデンサ(7)からエネルギを取り出すことを阻止する、請求項記載の有機電子構成部材。
  3. RFIDタグ、センサアレイ、光電池、「ウェアラブル電子機器」、アクティブディスプレイ、消費財の電子的なバーコード、電子的な透かし、電子的な切手、荷札及び/又は電子的なチケットとしての、請求項1または2記載の有機電子構成部材の使用。
  4. 有機電子構成部材の製造方法において、
    アンテナを包含する無機の構成素子のグループと、少なくとも1つの有機ダイオードを包含し、且つ能動的な有機の構成素子または能動的な有機の構成要素を包含しない受動的な有機の構成素子のグループと、有機の電界効果トランジスタを包含し、且つ通常の場合は受動的な構成素子包含しない能動的な有機の構成素子のグループとをそれぞれ別個に製造し、
    電気的なコンタクトを接着によって及び/又は導電性の複合材料でもって製造し、
    3つのグループをそれぞれ基板の1つの領域内に配置するか、それぞれ別個の基板に配置し、
    構成素子を前記電気的なコンタクトによって相互に接続し、且つフレキシブルなフィルムである基板に接触させ、及び/又は、フレキシブルなフィルムである封入部を介して基板に接触させ、受動的な構成素子と能動的な構成素子との間の前記電気的なコンタクトが一方のグループから他方のグループへと延在する回路を形成することを特徴とする、有機電子構成部材の製造方法。
  5. 前記基板上に金属面及び/又は導電性のポリマ面を形成し、該基板及び前記能動的なグループまたは前記受動的なグループまたは前記封入部の統合後に、前記面と前記アンテナの導電性の面とによって容量を生じさせることによりコンデンサを形成する、請求項記載の方法。
JP2003541053A 2001-10-18 2002-09-06 電子構成部材、該電子構成部材の回路コンセプト及び製造方法 Expired - Fee Related JP4360910B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10151440A DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2001-10-18 Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
PCT/DE2002/003296 WO2003038897A2 (de) 2001-10-18 2002-09-06 Elektronikbauteil, schaltungskonzept dafür und herstellungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005508572A JP2005508572A (ja) 2005-03-31
JP4360910B2 true JP4360910B2 (ja) 2009-11-11

Family

ID=7702918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003541053A Expired - Fee Related JP4360910B2 (ja) 2001-10-18 2002-09-06 電子構成部材、該電子構成部材の回路コンセプト及び製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7483275B2 (ja)
EP (1) EP1436839A2 (ja)
JP (1) JP4360910B2 (ja)
DE (1) DE10151440C1 (ja)
WO (1) WO2003038897A2 (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6924781B1 (en) * 1998-09-11 2005-08-02 Visible Tech-Knowledgy, Inc. Smart electronic label employing electronic ink
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
WO2004066197A1 (de) * 2003-01-21 2004-08-05 Siemens Aktiengesellschaft Kunststoffprodukt mit integriertem low-cost-chip
US6989697B2 (en) * 2004-01-15 2006-01-24 Organicid, Inc. Non-quasistatic phase lock loop frequency divider circuit
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
DE102004040831A1 (de) 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
DE102004059464A1 (de) 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059465A1 (de) 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
DE102005009819A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
CA2623375A1 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Futurelogic, Inc. Method and apparatus for the randomized storage of printouts
US7642918B2 (en) * 2005-10-21 2010-01-05 Georgia Tech Research Corporation Thin flexible radio frequency identification tags and subsystems thereof
DE102006012708A1 (de) * 2006-03-17 2007-09-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines aktiven oder passiven elektrischen Bauteils sowie elektrisches Bauteil
FR2900752B1 (fr) * 2006-05-05 2008-10-10 Inside Contactless Sa Procede et dispositif de transmission de donnees par modulation de charge
DE102006039929A1 (de) * 2006-08-25 2008-03-06 Printed Systems Gmbh Verfahren und System zur elektrischen Kopplung eines Informationsträgers mit einem Kontaktelement
DE102007000875A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Bundesdruckerei Gmbh Dokument mit einer integrierten Anzeigevorrichtung
DE102007000885A1 (de) * 2007-11-12 2009-05-14 Bundesdruckerei Gmbh Dokument mit einer integrierten Anzeigevorrichtung
DE102008026216B4 (de) 2008-05-30 2010-07-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung
US8463116B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tap Development Limited Liability Company Systems for curing deposited material using feedback control
US8292178B2 (en) * 2009-09-17 2012-10-23 Sap Ag Integrated smart label
CN103699928B (zh) * 2014-01-08 2017-01-04 卓捷创芯科技(深圳)有限公司 一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路与无源射频标签
DE102015204360A1 (de) * 2015-03-11 2016-09-15 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zum Austausch eines optoelektronischen Bauteils
CN105303229B (zh) * 2015-11-13 2020-05-22 捷德(中国)科技有限公司 一种可穿戴设备

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1052869A (en) * 1912-05-20 1913-02-11 Edwin M Wheelock Automatic steering device for traction-engines.
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (ja) 1973-10-12 1979-02-24
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4340657A (en) 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS60117769A (ja) 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
DE3768112D1 (de) 1986-03-03 1991-04-04 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsdetektor.
JP2728412B2 (ja) 1987-12-25 1998-03-18 株式会社日立製作所 半導体装置
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5159296A (en) 1991-03-28 1992-10-27 Texas Instruments Incorporated Four port monolithic gaas pin diode switch
US5170139A (en) 1991-03-28 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated PIN diode switch
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5486851A (en) 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
WO1995006240A1 (en) * 1993-08-24 1995-03-02 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5792428A (en) * 1994-07-18 1998-08-11 Chemical Research & Licensing Company Apparatus for conducting exothermic reactions
JP3141692B2 (ja) * 1994-08-11 2001-03-05 松下電器産業株式会社 ミリ波用検波器
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
US5691069A (en) * 1995-02-14 1997-11-25 Avery Dennison Corporation Acrylic emulsion coatings for rubber articles
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US6466131B1 (en) * 1996-07-30 2002-10-15 Micron Technology, Inc. Radio frequency data communications device with adjustable receiver sensitivity and method
CA2283503C (en) * 1997-03-10 2002-08-06 Precision Dynamics Corporation Reactively coupled elements in circuits on flexible substrates
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (en) 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
DE69830846T2 (de) * 1997-09-11 2006-05-24 Precision Dynamics Corp., San Fernando Radiofrequenzidentifikationsetikett auf flexiblem substrat
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
EP0958663A1 (en) * 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
JP4272353B2 (ja) 1998-01-28 2009-06-03 シン フィルム エレクトロニクス エイエスエイ 3次元の導電構造体および/または半導電構造体を生成する方法、同構造体を消去する方法および生成する同方法と共に用いられる電界発生器/変調器
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
DE69938663D1 (de) 1998-08-26 2008-06-19 Sensors For Medecine And Scien Optisch basierte sensor-vorrichtungen
DE69831243T2 (de) 1998-10-13 2006-08-10 Sony Deutschland Gmbh Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6300141B1 (en) 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
FR2793089B3 (fr) * 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
DE19933757A1 (de) * 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
JP2004538618A (ja) 1999-10-11 2004-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 集積回路
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
EP1103916A1 (de) * 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
WO2001046987A2 (en) 1999-12-21 2001-06-28 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
DE10012204A1 (de) * 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) * 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
EP1309994A2 (de) 2000-08-18 2003-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
US7204425B2 (en) * 2002-03-18 2007-04-17 Precision Dynamics Corporation Enhanced identification appliance
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating

Also Published As

Publication number Publication date
US7483275B2 (en) 2009-01-27
DE10151440C1 (de) 2003-02-06
JP2005508572A (ja) 2005-03-31
US20040256467A1 (en) 2004-12-23
EP1436839A2 (de) 2004-07-14
WO2003038897A3 (de) 2003-08-28
WO2003038897A2 (de) 2003-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4360910B2 (ja) 電子構成部材、該電子構成部材の回路コンセプト及び製造方法
US7875975B2 (en) Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
Clemens et al. From polymer transistors toward printed electronics
US7724550B2 (en) Organic rectifier
US20120195018A1 (en) Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
Hast et al. 18.1: invited paper: roll‐to‐roll manufacturing of printed OLEDs
CN102156900A (zh) 用于半导体芯片、多芯片模块和衍生产品的远程真实性检验的无线通信装置
US9053405B1 (en) Printed RFID circuit
US20100263200A1 (en) Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
US8415782B2 (en) Chip card having a plurality of components
JP2012253370A (ja) 半導体装置
EP2240890A1 (en) Hybrid sensor/communication device and method
JP4977126B2 (ja) 電子機能を備える多層複合体
US6700796B2 (en) Transponder and appliance
CN101507129B (zh) 使用电压可变介电材料的无线通信设备
US8169285B2 (en) Semiconductor device with integrated coils
WO2010000806A1 (en) Rfid device
JP2004164462A (ja) 非接触式データキャリア用のicチップ、非接触式データキャリアおよび非接触式データキャリア利用システム
Elsobky Introduction to Hybrid System-in-Foil
Ellinger et al. Organic and large-area electronic (OLAE) technologies for smart textiles
US20200342282A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
US20200372317A1 (en) Wireless communication semiconductor device and manufacturing method therefor
Elsobky Ultra-Thin Sensors and Data Conversion Techniques for Hybrid System-in-Foil
JP2015142318A (ja) 無線通信デバイス及び該無線通信デバイスを備えた物品
JP2005509200A (ja) 少なくとも2つの有機電子構成エレメントを有する装置、および該装置のための製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050701

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071004

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20071228

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080110

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080204

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080212

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080304

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080806

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081106

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081113

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081205

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090715

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090811

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130821

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees